CN219123216U - 一种高可靠耐高温高压硅堆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高可靠耐高温高压硅堆，包括管壳和芯片，所述管壳包括左引线、右引线和多个腔体，每个腔体底部有一个用于放置芯片的过渡片，每一个芯片分别通过烧结工艺焊接在管壳内其对应的一个腔体中，且芯片上通过铅锡银合金焊料焊接有钨铜镀镍的内引线，所述钨铜镀镍内引线通过夹具弯折成贴近腔壁，且距离最短的连接导线，通过钨铜镀镍内引线将相邻芯片的对应电路连通；左侧第一个腔体内的芯片的底面通过腔体底部过渡片与管壳的左引线连接，右侧第一个腔体内与芯片相连的钨铜镀镍内引线另一端与管壳的右引线连接；所有腔体内部填充满耐高温绝缘胶。本实用新型其结构简单、紧凑，可靠性高，且耐高温和高电压，能适应各种恶劣的工作环境。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体地说，涉及一种高可靠耐高温高压硅堆。
背景技术
半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的一种材料，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内，可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，半导体在生活中的各类电子仪器上有着广泛的应用。
目前，在分立器件产品领域中，绝大多数高压硅堆类元器件为塑封封装，工作温度在80℃以下，一旦工作环境温度过高，其性能急骤下降，可靠性无法得到保障。但是，在许多特殊领域需要使用能耐高温的高压硅堆类元器件。
实用新型内容
本实用新型正是为了解决上述技术问题而设计的一种高可靠耐高温高压硅堆，可以解决现有的高压硅堆类元器件无法满足在高温环境下正常工作问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种高可靠耐高温高压硅堆，包括管壳和芯片，所述管壳包括左引线、右引线和多个腔体，每个腔体底部有一个用于放置芯片的过渡片，所述芯片与腔体个数相同，每一个芯片分别通过烧结工艺焊接在管壳内其对应的一个腔体中，且芯片上通过铅锡银合金焊料焊接有钨铜镀镍的内引线，所述钨铜镀镍内引线通过夹具弯折成贴近腔壁，且距离最短的连接导线，通过钨铜镀镍内引线将相邻芯片的对应电路连通；左侧第一个腔体内的芯片的底面通过腔体底部过渡片与管壳的左引线连接，右侧第一个腔体内与芯片相连的钨铜镀镍内引线另一端与管壳的右引线连接；所有腔体内部填充满耐高温绝缘胶。
所述一种高可靠耐高温高压硅堆，所述管壳有3个腔体，分别为左侧腔体、中间腔体和右侧腔体，所述芯片对应的有3个，分别为芯片A、芯片B和芯片C；所述铅锡银合金焊料包括铅锡银合金焊料A，铅锡银合金焊料B和铅锡银合金焊料C；所述钨铜镀镍的内引线包括内引线A，内引线B和内引线C；所述芯片A烧结在管壳的左侧腔体内，芯片A的底面通过管壳左侧腔体底部过渡片与管壳左引线连接，芯片A顶面通过铅锡银合金焊料A与内引线A连接；所述芯片B烧结在管壳的中间腔体内，芯片B的底面与内引线A通过管壳中间腔体底部过渡片连接，芯片B顶面通过铅锡银合金焊料B与内引线B连接；所述芯片C烧结在管壳的右侧腔体内，芯片C的底面与内引线B通过管壳右侧腔体底部过渡片连接，芯片C顶面通过铅锡银合金焊料C与内引线C连接；所述内引线C与管壳右引线连接；所述耐高温绝缘胶填充管壳左、中、右三个腔体内部，且将芯片、铅锡银合金焊料和钨铜镀镍的内引线全部覆盖。
所述一种高可靠耐高温高压硅堆，所述耐高温绝缘胶具有和钨铜镀镍的内引线相匹配的线性膨胀系数，且耐高温绝缘胶热导率好，可以提高其内部的绝缘耐压，适应高温的工作环境。
本实用新型的有益效果是：一种高可靠耐高温高压硅堆，其结构简单、紧凑，可靠性高，且耐高温和高电压，能适应各种恶劣的工作环境。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型封装前的俯视图；
图3为本实用新型内引线A放大图；
图4为本实用新型内引线B放大图；
图5为本实用新型内引线C放大图。
图中：1、管壳；3、芯片A；4、芯片B；5、芯片C；7、铅锡银合金焊料A；8、铅锡银合金焊料B；9、铅锡银合金焊料C；11、内引线A；12、内引线B；13、内引线C；14、耐高温绝缘胶。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1-3所示，本实用新型一种高可靠耐高温高压硅堆，包括管壳1和芯片，所述管壳1包括左引线、右引线和多个腔体，每个腔体底部有一个用于放置芯片的过渡片，所述芯片与腔体个数相同，每一个芯片分别通过烧结工艺焊接在管壳1内其对应的一个腔体中，且芯片上通过铅锡银合金焊料焊接有钨铜镀镍的内引线，所述钨铜镀镍内引线通过夹具弯折成贴近腔壁，且距离最短的连接导线，通过钨铜镀镍内引线将相邻芯片的对应电路连通；左侧第一个腔体内的芯片的底面通过腔体底部过渡片与管壳1的左引线连接，右侧第一个腔体内与芯片相连的钨铜镀镍内引线另一端与管壳1的右引线连接；所有腔体内部填充满耐高温绝缘胶14。
所述一种高可靠耐高温高压硅堆，所述管壳1有3个腔体，分别为左侧腔体、中间腔体和右侧腔体，所述芯片对应的有3个，分别为芯片A3、芯片B4和芯片C5；所述铅锡银合金焊料包括铅锡银合金焊料A7，铅锡银合金焊料B8和铅锡银合金焊料C9；所述钨铜镀镍的内引线包括内引线A11，内引线B12和内引线C13；所述芯片A3烧结在管壳1的左侧腔体内，芯片A3的底面通过管壳1左侧腔体底部过渡片与管壳1左引线连接，芯片A3顶面通过铅锡银合金焊料A7与内引线A11连接；所述芯片B4烧结在管壳1的中间腔体内，芯片B4的底面与内引线A11通过管壳1中间腔体底部过渡片连接，芯片B4顶面通过铅锡银合金焊料B8与内引线B12连接；所述芯片C5烧结在管壳1的右侧腔体内，芯片C5的底面与内引线B12通过管壳1右侧腔体底部过渡片连接，芯片C5顶面通过铅锡银合金焊料C9与内引线C13连接；所述内引线C13与管壳1右引线连接；所述耐高温绝缘胶14填充管壳1左、中、右三个腔体内部，且将芯片、铅锡银合金焊料和钨铜镀镍的内引线全部覆盖。
所述一种高可靠耐高温高压硅堆，所述耐高温绝缘胶14具有和钨铜镀镍的内引线相匹配的线性膨胀系数，且耐高温绝缘胶热导率好，可以提高其内部的绝缘耐压，适应高温的工作环境。
该高可靠耐高温高压硅堆为陶瓷封装，可以保证整体的可靠性，同时多颗芯片环境一致性好，可靠性高，产品的质量与性能指标更加优越，本产品可用于高温、高电压的工作环境中。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人在本实用新型的启示下得出的其他任何与本实用新型相同或相近似的产品，均落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种高可靠耐高温高压硅堆，其特征在于：包括管壳(1)和芯片，所述管壳(1)包括左引线、右引线和多个腔体，每个腔体底部有一个用于放置芯片的过渡片，所述芯片与腔体个数相同，每一个芯片分别通过烧结工艺焊接在管壳(1)内其对应的一个腔体中，且芯片上通过铅锡银合金焊料焊接有钨铜镀镍的内引线，所述钨铜镀镍内引线通过夹具弯折成贴近腔壁，且距离最短连接导线，通过钨铜镀镍内引线将相邻芯片的对应电路连通；左侧第一个腔体内的芯片的底面通过腔体底部过渡片与管壳(1)的左引线连接，右侧第一个腔体内与芯片相连的钨铜镀镍内引线另一端与管壳(1)的右引线连接；所有腔体内部填充满耐高温绝缘胶(14)。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠耐高温高压硅堆，其特征在于：所述管壳(1)有3个腔体，分别为左侧腔体、中间腔体和右侧腔体，所述芯片对应的有3个，分别为芯片A(3)、芯片B(4)和芯片C(5)；所述铅锡银合金焊料包括铅锡银合金焊料A(7)，铅锡银合金焊料B(8)和铅锡银合金焊料C(9)；所述钨铜镀镍的内引线包括内引线A(11)，内引线B(12)和内引线C(13)；所述芯片A(3)烧结在管壳(1)的左侧腔体内，芯片A(3)的底面通过管壳(1)左侧腔体底部过渡片与管壳(1)左引线连接，芯片A(3)顶面通过铅锡银合金焊料A(7)与内引线A(11)连接；所述芯片B(4)烧结在管壳(1)的中间腔体内，芯片B(4)的底面与内引线A(11)通过管壳(1)中间腔体底部过渡片连接，芯片B(4)顶面通过铅锡银合金焊料B(8)与内引线B(12)连接；所述芯片C(5)烧结在管壳(1)的右侧腔体内，芯片C(5)的底面与内引线B(12)通过管壳(1)右侧腔体底部过渡片连接，芯片C(5)顶面通过铅锡银合金焊料C(9)与内引线C(13)连接；所述内引线C(13)与管壳(1)右引线连接；所述耐高温绝缘胶(14)填充管壳(1)左、中、右三个腔体内部，且将芯片、铅锡银合金焊料和钨铜镀镍的内引线全部覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的一种高可靠耐高温高压硅堆，其特征在于：所述耐高温绝缘胶(14)具有和钨铜镀镍的内引线相匹配的线性膨胀系数。
Priority Applications (1)
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2023
- 2023-01-19 CN CN202320110207.9U patent/CN219123216U/zh active Active
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