CN219017642U - 瞬态抑制二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了瞬态抑制二极管，涉及半导体器件技术领域，包括：环氧封装体，所述环氧封装体呈圆筒状结构；引线环绕机构，所述引线环绕机构贯穿安装在环氧封装体的内部；防护机构，所述防护机构设置在环氧封装体的外壁；安装组件，所述安装组件安装在防护机构的底部；第一引线条，所述第一引线条的底部连接有第一弯条区；第二弯条区的顶端固定有第二引线条；第二焊锡层，所述第二焊锡层安装在第二引线条的上方，且第二焊锡层的上表面垂直固定有二极管芯片，有效改善了多个二极管芯片在竖直方向上叠置容易偏移或翘曲的缺陷，使二极管芯片之间以及铜片能保持平行设置，避免虚焊从而提高了器件的电性能的可靠性。

Description

瞬态抑制二极管

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体为瞬态抑制二极管。

背景技术

瞬态二极管简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量极的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏，现有的一些瞬态抑制二极管多采用安装块配合紧固螺钉进行固定安装，这样的操作方式，无论是安装还是拆卸操作都比较麻烦，同时结构多为塑料材质，操作不当则容易导致螺栓滑丝或者安装板裂开，无法保证安装的稳定性。

观经过本发明人检索发现授公告号为：CN215680671 U的中国实用新型专利，其公开了瞬态抑制二极管，该二极管，封装外壳罩盖于二极管本体的外围，二极管本体的顶部设有散热贴片，散热贴片的底部两侧设有安装块，二极管本体的顶部开设有用于安装散热贴片的安装槽，散热贴片通过安装块嵌入安装槽内部，封装外壳的顶部设有散热部，二极管本体两侧为焊接部，通过二极管本体顶部的散热贴片对二极管本体工作时产生的热量进行传导，使热量转移到散热贴片上，维持适合的工作温度。

上述的瞬态抑制二极管虽然解决了现有二极管使用时二极管采用的封装结构不能达到有效的散热效果问题，但在该瞬态抑制二极管中，安装块配合紧固螺钉进行固定安装，安装或拆比较麻烦，同时结构多为塑料材质，操作不当则容易导致螺栓滑丝或者安装板裂开。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在安装或拆比较麻烦，操作较为困难，安装板容易裂开的技术问题，提供了瞬态抑制二极管，该二极管具有器件整体的强度较高，安装方便的优点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

瞬态抑制二极管，包括：

环氧封装体，所述环氧封装体呈圆筒状结构；

引线环绕机构，所述引线环绕机构贯穿安装在环氧封装体的内部；

防护机构，所述防护机构设置在环氧封装体的外壁；

安装组件，所述安装组件安装在防护机构的底部。

优选的，所述环氧封装体包括：

第一引线条，所述第一引线条的底部连接有第一弯条区；

第一通孔，所述第一通孔设置在第一弯条区的与第一缺口槽之间；

第一焊锡层，所述第一焊锡层安装在第一引线条的下方。

优选的，所述引线环绕机构包括：

第二缺口槽，所述第二缺口槽连接第二弯条区，且第二弯条区的顶端固定有第二引线条；

第二焊锡层，所述第二焊锡层安装在第二引线条的上方，且第二焊锡层的上表面垂直固定有二极管芯片；

第三焊锡层，所述第三焊锡层设置在二极管芯片之间，且第三焊锡层之间连接有铜片，所述铜片内部设置有第二通孔。

优选的，所述第二缺口槽贯穿环氧封装体内部，所述第三焊锡层对称设置在二极管芯片之间。

优选的，所述防护机构包括：

保护壳，所述保护壳设置在第一引线条两端，且的保护壳两端连接有散热片；

顶盖，所述顶盖安装在保护壳表面。

优选的，所述安装组件包括：

安装座，所述安装座的内部设置有限位槽，且限位槽的底部贯穿有连接槽；

卡槽，所述卡槽连接限位槽；

限位块，所述限位块安装在限位槽的内部，且限位块的下端面安装有移动块，所述移动块底部连接弹簧；

连接块，所述连接块安装在安装座上方。

优选的，所述安装座呈“H”字形块状结构，且安装座通过连接块与保护壳固定连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、该瞬态抑制二极管，铜片的表面分别与相邻的二极管芯片的负极通过第一焊锡层电连接，有效改善了多个二极管芯片在竖直方向上叠置容易偏移或翘曲的缺陷，使二极管芯片之间以及铜片能保持平行设置，避免虚焊从而提高了器件的电性能的可靠性；

2、该瞬态抑制二极管，第二引线条的焊接端和引脚端之间具有一位于环氧封装体内的第二折弯条区，第一引线条、第二引线条各自的引脚端位于环氧封装体内的区域开有一第二通孔，提高了引线条与环氧封装体结合力，从而使得器件整体的强度提高；

3、该瞬态抑制二极管，通过设置的防护机构，既能保证二极管结构可以稳定定位在结构内，保证结构使用的安全性，同时也可以方便配合整体结构进行固定安装工作，通过设置的散热片可以对二极管运行时，能够起到散热作用，保证结构使用的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的整体结构示意图；

图2为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的环氧封装体与引线环绕机构结构示意图；

图3为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的防护机构结构示意图；

图4为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的安装组件结构示意图。

1、环氧封装体；101、第一引线条；102、第一弯条区；103、第一通孔；104、第一缺口槽；105、第一焊锡层；2、引线环绕机构；201、第二缺口槽；202、第二弯条区；203、第二引线条；204、第二焊锡层；205、二极管芯片；206、第三焊锡层；207、铜片；208、第二通孔；3、防护机构；301、保护壳；302、散热片；303、顶盖；4、安装组件；401、安装座；402、限位槽；403、连接槽；404、卡槽；405、限位块；406、移动块；407、弹簧；408、连接块。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的整体结构示意图；图2为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的环氧封装体与引线环绕机构结构示意图；图3为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的防护机构结构示意图；图4为本实用新型一个实施方式中瞬态抑制二极管的安装组件结构示意图。

结合附图，在本实施方式中，瞬态抑制二极管，包括：环氧封装体1，所述环氧封装体1呈圆筒状结构；引线环绕机构2，所述引线环绕机构2贯穿安装在环氧封装体1的内部；防护机构3，所述防护机构3设置在环氧封装体1的外壁；安装组件4，所述安装组件4安装在防护机构3的底部。

具体的，环氧封装体1作为瞬态抑制二极管的主体，内部包含了引线环绕机构2，组成完整的瞬态抑制二极管提高器件的电性能与整体强度，防护机构3安装在环氧封装体1外侧，形成保护结构，安装组件4与防护机构3配合使用使安装更加便利。

为便于本领域技术人员充分理解环氧封装体1的具体结构和原理，故对环氧封装体1作出了进一步说明。在本实施方式中，环氧封装体1包括：第一引线条101，所述第一引线条101的底部连接有第一弯条区102；第一通孔103，所述第一通孔103设置在第一弯条区102的与第一缺口槽104之间；第一焊锡层105，所述第一焊锡层105安装在第一引线条101的下方。

环氧封装体1中，第一引线条101与第一缺口槽104连成一体贯穿环氧封装体1内部，配合第一焊锡层105连接使用。

为便于本领域技术人员充分理解引线环绕机构2的具体结构和原理，故对引线环绕机构2作出了进一步说明。在本实施方式中，引线环绕机构2包括：第二缺口槽201，所述第二缺口槽201连接第二弯条区202，且第二弯条区202的顶端固定有第二引线条203；第二焊锡层204，所述第二焊锡层204安装在第二引线条203的上方，且第二焊锡层204的上表面垂直固定有二极管芯片205；第三焊锡层206，所述第三焊锡层206设置在二极管芯片205之间，且第三焊锡层206之间连接有铜片207，所述铜片207内部设置有第二通孔208。

引线环绕机构2中，第二缺口槽201贯穿环氧封装体1内部，所述第三焊锡层206对称设置在二极管芯片205之间，第二焊锡层204与第一焊锡层105对称分布，经第三焊锡层206和铜片207连接。

为便于本领域技术人员充分理解防护机构3的具体结构和原理，故对防护机构3作出了进一步说明。在本实施方式中，防护机构3包括：

保护壳301，所述保护壳301设置在第一引线条101两端，且的保护壳301两端连接有散热片302；顶盖303，所述顶盖303安装在保护壳301表面。

防护机构3中，保护壳301顶部设置有凹槽与顶盖303形成保护结构，将环氧封装体1放置防护机构3内部。

为便于本领域技术人员充分理解安装组件4的具体结构和原理，故对安装组件4作出了进一步说明。在本实施方式中，安装组件4包括：安装座401，所述安装座401的内部设置有限位槽402，且限位槽402的底部贯穿有连接槽403；卡槽404，所述卡槽404连接限位槽402；限位块405，所述限位块405安装在限位槽402的内部，且限位块405的下端面安装有移动块406，所述移动块406底部连接弹簧407；连接块408，所述连接块408安装在安装座401上方。

安装组件4中，安装座401呈“H”字形块状结构，且安装座401通过连接块408与保护壳301固定连接。

工作原理：首先，第一引线条101与二极管芯片205的正极通过第一焊锡层105电连接，第二引线条203与二极管芯片205的正极通过第二焊锡层204电连接，第一引线条101的第一弯条区102与二极管芯片205的夹角大于第二引线条203的第二弯条区202与二极管芯片205的夹角，二极管芯片205的负极与位于下方的二极管芯片205的负极之间设置有一铜片207，此铜片207上间隔地开有若干个第二通孔208；

将第一引线条101与第二引线条203穿过保护壳301，将环氧封装体1放置进入保护壳301内，并通过顶盖303进行定位卡紧，将保护壳301卡入安装座401上的连接槽403内，连接槽403内壁挤压限位块405，限位块405推动移动块406压缩弹簧407，当连接块408卡入连接槽403内，限位块405则在弹簧407的复位作用下，卡入限位槽402中，即可完成结构的安装工作，同理运行拉动保护壳301可便捷拆卸，通过第一引线条101与第二引线条203将瞬态抑制二极管连接到线路上，即可稳定工作。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.瞬态抑制二极管，其特征在于，包括：

环氧封装体(1)，所述环氧封装体(1)呈圆筒状结构；

引线环绕机构(2)，所述引线环绕机构(2)贯穿安装在环氧封装体(1)的内部；

防护机构(3)，所述防护机构(3)设置在环氧封装体(1)的外壁；

安装组件(4)，所述安装组件(4)安装在防护机构(3)的底部。

2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：

所述环氧封装体(1)包括：

第一引线条(101)，所述第一引线条(101)的底部连接有第一弯条区(102)；

第一通孔(103)，所述第一通孔(103)设置在第一弯条区(102)的与第一缺口槽(104)之间；

第一焊锡层(105)，所述第一焊锡层(105)安装在第一引线条(101)的下方。

3.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：

所述引线环绕机构(2)包括：

第二缺口槽(201)，所述第二缺口槽(201)连接第二弯条区(202)，且第二弯条区(202)的顶端固定有第二引线条(203)；

第二焊锡层(204)，所述第二焊锡层(204)安装在第二引线条(203)的上方，且第二焊锡层(204)的上表面垂直固定有二极管芯片(205)；

第三焊锡层(206)，所述第三焊锡层(206)设置在二极管芯片(205)之间，且第三焊锡层(206)之间连接有铜片(207)，所述铜片(207)内部设置有第二通孔(208)。

4.根据权利要求3所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：所述第二缺口槽(201)贯穿环氧封装体(1)内部，所述第三焊锡层(206)对称设置在二极管芯片(205)之间。

5.根据权利要求2所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：

所述防护机构(3)包括：

保护壳(301)，所述保护壳(301)设置在第一引线条(101)两端，且的保护壳(301)两端连接有散热片(302)；

顶盖(303)，所述顶盖(303)安装在保护壳(301)表面。

6.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：

所述安装组件(4)包括：

安装座(401)，所述安装座(401)的内部设置有限位槽(402)，且限位槽(402)的底部贯穿有连接槽(403)；

卡槽(404)，所述卡槽(404)连接限位槽(402)；

限位块(405)，所述限位块(405)安装在限位槽(402)的内部，且限位块(405)的下端面安装有移动块(406)，所述移动块(406)底部连接弹簧(407)；

连接块(408)，所述连接块(408)安装在安装座(401)上方。

7.根据权利要求6所述的瞬态抑制二极管，其特征在于：所述安装座(401)呈“H”字形块状结构，且安装座(401)通过连接块(408)与保护壳(301)固定连接。

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