CN218973658U - 半导体器件温度检测装置 - Google Patents

Abstract

本申请属于温度检测技术领域，更具体地说，是涉及一种半导体器件温度检测装置。该半导体器件温度检测装置包括电路板、温度传感器和压接组件，电路板用于盖设在半导体器件的本体上，且电路板背离本体上的金属片；温度传感器安装于电路板背离半导体器件的一面，温度传感器的位置正对本体；压接组件用于将电路板与本体压紧；其中，电路板位于温度传感器与本体之间的位置设置有导热单元。由于电路板背离本体上的金属片，从而温度传感器与本体之间的距离不会受到安规间距的限制，热量传递的路径缩短，提高了温度传感器对半导体器件温度的检测精度以及响应速度。

Description

半导体器件温度检测装置

技术领域

本申请属于温度检测技术领域，更具体地说，是涉及一种半导体器件温度检测装置。

背景技术

半导体器件由于其优良的热学、电学、力学和化学特性，以及体积小、重量轻和功耗低等优点，被广泛应用于计算机、通讯以及电子控制等领域，为人们的日常生产生活带来了巨大的便利。半导体器件是对温度敏感的器件，在使用时一般需要对其温度进行检测，以保证半导体器件的工作稳定性。

目前，如图2所示，一般将温度传感器3安装于散热板5上，该散热板5与半导体器件2接触以对半导体器件2进行散热。半导体器件2的热量通过散热板5传递至温度传感器3，从而温度传感器3可以获取半导体器件2的温度。

然而，半导体器件2的本体21设置有金属片，该金属片与散热板5接触，从而温度传感器3与半导体器件2需要设置安规间距，导致温度传感器3对半导体器件2的温度检测精度较低、响应速度较慢。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种半导体器件温度检测装置，以解决相关技术中存在的温度传感器对半导体器件的温度检测精度较低、响应速度较慢的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案是：

提供一种半导体器件温度检测装置，包括：

电路板，用于盖设在半导体器件的本体上，且电路板背离本体上的金属片；

温度传感器，安装于电路板背离半导体器件的一面，温度传感器的位置正对本体；

压接组件，用于将电路板与本体压紧；

其中，电路板位于温度传感器与本体之间的位置设置有导热单元。

在一个实施例中，导热单元包括多个传热孔以及分别设置在电路板相对两侧的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘的位置正对第二焊盘，各传热孔分别贯穿第一焊盘、第二焊盘和电路板，温度传感器安装于第一焊盘上，第二焊盘用于与本体压紧。

在一个实施例中，第二焊盘凸出于电路板。

在一个实施例中，半导体器件温度检测装置还包括散热板，散热板位于本体设置有金属片的一侧并与本体通过绝缘垫片相抵，压接组件还用于将本体与散热板压紧。

在一个实施例中，压接组件包括支架和弹片，支架包括侧板和连接两个侧板的端板，半导体器件和弹片均位于两个侧板之间，各侧板相对的位置均开设有缺口，电路板伸入缺口内且电路板背离半导体器件的一面与缺口相抵，弹片抵推本体背离散热板的一面。

在一个实施例中，弹片包括连接段、位于连接段一端的支撑段和位于连接段另一端的抵推段，支撑段远离连接段的一端与散热板相抵，连接段通过紧固件锁紧于散热板上，抵推段远离连接段的一端抵推本体。

在一个实施例中，支架为绝缘件，支架还包括连接部，连接部背离端板的一侧凸设有用于伸入本体中的限位柱，抵推段远离连接段的一端伸入连接部与端板之间并与连接部相抵。

在一个实施例中，半导体器件温度检测装置还包括与散热板间隔设置的功率板，半导体器件与功率板电连接，支架上凸设有第一凸出部，功率板上开设有第一孔位，第一凸出部伸入第一孔位中；或者，

散热板包括第一连接板和第二连接板，半导体器件与第一连接板压紧，支架上凸设有第二凸出部，第二连接板上开设有第二孔位，第二凸出部伸入第二孔位中。

在一个实施例中，温度传感器为贴片式NTC，贴片式NTC与电路板电连接。

在一个实施例中，半导体器件的数量为多个，各半导体器件均与电路板压紧，温度传感器的数量与半导体器件的数量相同，多个温度传感器的一一正对多个半导体器件的本体。

本申请上述任一实施例提供的半导体器件温度检测装置至少具有以下有益效果：将电路板盖设在半导体器件的本体上且背离本体上的金属片，温度传感器安装在电路板背离半导体器件的一面并正对半导体器件的本体。当压接组件将电路板与本体压紧后，半导体器件在工作时其本体产生的热量可以经由电路板上的导热单元直接传递至温度传感器。由于电路板背离本体上的金属片，从而温度传感器与本体之间的距离不会受到安规间距的限制，热量传递的路径缩短，提高了温度传感器对半导体器件温度的检测精度以及响应速度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或示范性技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中对半导体器件温度检测的示意图一；

图2为现有技术中对半导体器件温度检测的示意图二；

图3为现有技术中对半导体器件温度检测的示意图三；

图4为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置检测半导体器件温度的示意图一；

图5为图4的爆炸图；

图6为本申请实施例提供的电路板背离半导体器件一侧的部分结构示意图；

图7为本申请实施例提供的电路板朝向半导体器件一侧的部分结构示意图；

图8为图4的剖面图；

图9为本申请实施例提供的压接组件的结构示意图；

图10为图9所示压接组件的剖面图；

图11为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置检测半导体器件温度的示意图二；

图12为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置检测半导体器件温度的示意图三。

其中，图中各附图主要标记：

1、电路板；11、导热单元；111、传热孔；112、第一焊盘；113、第二焊盘；

2、半导体器件；21、本体；22、引脚；

3、温度传感器；

4、压接组件；41、支架；411、侧板；4111、缺口；412、端板；413、连接部；414、限位柱；415、第一凸出部；416、第二凸出部；42、弹片；421、连接段；422、支撑段；423、抵推段；

5、散热板；51、第一连接板；52、第二连接板；521、第二孔位；

6、功率板；61、第一孔位；

7、紧固件。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在整个说明书中参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特征，结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，“在一个实施例中”或“在一些实施例中”的短语出现在整个说明书的各个地方，并非所有的指代都是相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征，结构或特性。

正如背景技术中所记载的，现有技术中，半导体器件的本体设置有金属片，该金属片与散热板接触，当半导体器件应用在高压场景时，其上的金属片存在带电的风险，从而温度传感器与半导体器件需要设置安规间距，导致温度传感器对半导体器件的温度检测精度较低、响应速度较慢。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种半导体器件温度检测装置，请参阅图4和图5，该半导体器件温度检测装置包括电路板1、温度传感器3与压接组件4。电路板1用于盖设在半导体器件2的本体21上，且电路板1背离本体21上的金属片(图未示)。温度传感器3安装于电路板1背离半导体器件2的一面，温度传感器3的位置正对本体21。压接组件4用于将电路板1与本体21压紧。其中，电路板1位于温度传感器3与本体21之间的位置设置有导热单元11。

在本申请实施例中，将电路板1盖设在半导体器件2的本体21上且背离本体21上的金属片，温度传感器3安装在电路板1背离半导体器件2的一面并正对半导体器件2的本体21。当压接组件4将电路板1与本体21压紧后，半导体器件2在工作时其本体21产生的热量可以经由电路板1上的导热单元11直接传递至温度传感器3。由于电路板1背离本体21上的金属片，从而温度传感器3与本体21之间的距离不会受到安规间距的限制，热量传递的路径缩短，提高了温度传感器3对半导体器件2温度的检测精度以及响应速度。

其中，半导体器件2可以为MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)等。电路板1可以为两层板或多层板，在此不做唯一限定。示例性的，温度传感器3的主体部分可以通过焊接的方式固定在电路板1上。可以理解的，由于电路板1位于本体21背离金属片的一侧，从而电路板1上的温度传感器3与半导体器件2之间的距离不会受到安规间距的限制，将温度传感器3设置在正对半导体器件2的位置缩短了热量传递路径。通过压接组件4使电路板1与半导体器件2贴紧后，电路板1上的导热单元11可以保证本体21的热量可以有效传递至温度传感器3。

在一个实施例中，请参阅图4-图7，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，导热单元11包括多个传热孔111以及分别设置在电路板1相对两侧的第一焊盘112和第二焊盘113。第一焊盘112的位置正对第二焊盘113，各传热孔111分别贯穿第一焊盘112、第二焊盘113和电路板1，温度传感器3安装于第一焊盘112上，第二焊盘113用于与本体21压紧。

示例性的，第一焊盘112和第二焊盘113的形状可以均为矩形，传热孔111的数量为非限制性的，多个传热孔111可以呈矩形阵列布置在电路板1上。通过设置第一焊盘112可以保证温度传感器3可以稳定焊接在电路板1上，当第二焊盘113与本体21压紧后，本体21产生的热量在电路板1的厚度方向上可以经由第二焊盘113、传热孔111与第一焊盘112传递至温度传感器3，提高了电路板1在半导体器件2与温度传感器3之间的位置沿自身厚度方向上的传热能力。

进一步地，可以在各传热孔111的孔壁上可以通过电镀的方式设置金属层，以提高各传热孔111的传热效率。

在其他实施例中，导热单元11可以包括多个由金属材料制成的导热柱，各导热柱均贯穿电路板1设置，各导热柱的一端与温度传感器3相抵，另一端与半导体器件2的本体21相抵。

通过上述设置，半导体器件2的本体21产生的热量可以沿电路板1的厚度方向温度传递至温度传感器3。

在一个具体的实施例中，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，第二焊盘113凸出于电路板1。

示例性的，可以在第二焊盘113背离电路板1的一面进行搪锡，搪锡后由于锡层的厚度使得第二焊盘113凸出于电路板1。

此结构，由于第二焊盘113凸出于电路板1，当电路板1与本体21压紧后可以保证第二焊盘113与本体21稳定接触，从而本体21的热量可以经由第二焊盘113、传热孔111和第一焊盘112稳定传递至温度传感器3。

在一个实施例中，请参阅图4、图5和图8，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，半导体器件温度检测装置还包括散热板5，散热板5位于本体21设置有金属片的一侧并与本体21通过绝缘垫片相抵，压接组件4还用于将本体21与散热板5压紧。

示例性的，散热板5可以为铜合金板或铝合金板。本领域技术人员可以根据实际需要设置散热板5的尺寸和形状，在此不做唯一限定。散热板5与本体21设置有金属片的一侧相抵使得散热板5能够可靠对本体21进行散热，绝缘垫片设置在本体21与散热板5之间，使得本体21与散热板5相互绝缘。

此结构，通过设置散热板5可以对半导体器件2进行散热，提高半导体器件2的使用寿命。压接组件4将电路板1、半导体器件2的本体21与散热板5三者压紧后，本体21产生的热量可以分别传递至电路板1上的温度传感器3以及散热板5。

在一个具体的实施例中，请参阅图4、图5以及图8-图10，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，压接组件4包括支架41和弹片42。支架41包括侧板411和连接两个侧板411的端板412，半导体器件2和弹片42均位于两个侧板411之间，各侧板411相对的位置均开设有缺口4111，电路板1伸入缺口4111内且电路板1背离半导体器件2的一面与缺口4111相抵，弹片42抵推本体21背离散热板5的一面。

其中，支架41的两个侧板411和端板412形成一体件，通过两个侧板411可以对半导体器件2以及弹片42进行限位，保证弹片42能够稳定抵推半导体器件2的本体21。如图4、图5和图9所示，缺口4111位于侧板411的端部远离端板412的一侧，当电路板1伸入缺口4111中后，支架41的侧板411可以抵推电路板1使电路板1与半导体器件2的本体21压紧。在一种可能的实现方式中，支架41可以连接外部设备，通过外部设备推动支架41使得电路板1与本体21压紧。可以理解的，通过弹片42的弹力抵推半导体器件2的本体21使散热板5压紧。

此结构，压接组件4通过支架41可以抵推电路板1使得电路板1与半导体器件2的本体21压紧，通过设置弹片42抵推本体21可以使本体21与散热板5压紧。

在其他实施例中，可以使用夹具作为压接组件4，通过夹具分别夹持电路板1背离本体21的一侧以及散热板5背离本体21的一侧可以使电路板1、本体21以及散热板5三者压紧。

在一个更加具体的实施例中，请参阅图8-图10，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，弹片42包括连接段421、位于连接段421一端的支撑段422和位于连接段421另一端的抵推段423，支撑段422远离连接段421的一端与散热板5相抵，连接段421通过紧固件7锁紧于散热板5上，抵推段423远离连接段421的一端抵推本体21。

示例性的，支撑段422与抵推段423均相对于连接段421向同一方向弯折，支撑段422的主体部分垂直于连接段421，抵推段423倾斜于连接段421设置。其中，连接段421开设供紧固件7穿过的紧固孔，支架41的端板412正对紧固孔的位置开设供紧固件7穿过的避让孔，使得紧固件7的头部可以穿过避让孔并与紧固孔的边缘相抵。

此结构，通过紧固件7可以将弹片42锁紧于散热板5上，由于支撑段422的端部与散热板5相抵，紧固件7在锁紧弹片42时可以使弹片42的抵推段423稳定抵推半导体器件2的本体21以将本体21压紧于散热板5上。

在其他实施例中，弹片42也可以为长条形片状结构，该长条形片状结构的一端与散热板5固定连接，另一端抵推本体21背离散热板5的一侧，在此不做唯一限定。

在一个进一步具体的实施例中，请参阅图8-图10，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，支架41为绝缘件，支架41还包括连接部413，连接部413背离端板412的一侧凸设有用于伸入本体21中的限位柱414，抵推段423远离连接段421的一端伸入连接部413与端板412之间并与连接部413相抵。

示例性的，支架41可以使用塑胶材料制成，图9和图10示出了，连接部413为连接在两个侧板411之间的片状结构。限位柱414上开设有沿自身轴向延伸的开口，当限位柱414伸入本体21中后，其位于开口两侧的部分分别与本体21弹性相抵，从而保证限位柱414与本体21之间连接的可靠性。

本实施例中，限位柱414伸入本体21中后可以对半导体器件2起到限位的作用，避免半导体器件2相对压接组件4发生运动。此外，抵推段423伸入连接部413与端板412之间，当使用紧固件7将弹片42与散热板5锁紧时，抵推段423抵推连接部413使连接部413发生弹性变形以挤压本体21从而将本体21与散热板5压紧。同时，抵推段423抵推连接部413还可以使支架41上的缺口4111挤压电路板1以将电路板1与本体21压紧。

在一个更加具体的实施例中，请参阅图8和图11，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，半导体器件温度检测装置还包括与散热板5间隔设置的功率板6，半导体器件2与功率板6电连接，支架41上凸设有第一凸出部415，功率板6上开设有第一孔位61，第一凸出部415伸入第一孔位61中。

其中，功率板6与散热板5平行间隔设置，半导体器件2的引脚22连接于功率板6上。第一凸出部415形成为筒状结构，紧固件7可以穿过第一凸出部415将弹片42锁紧于散热板5上。示例性的，第一凸出部415远离支架41的一端设置有能够与第一孔位61的边缘相抵的卡扣，避免压接组件4与功率板6形成的组合件在存储和运输时压接组件4从功率板6上脱落。示例性的，支架41可以使用塑胶材料制成，当散热板5与功率板6各自固定后，使用紧固件7将弹片42与散热板5锁紧时，第一凸出部415在卡扣的位置可以发生弹性变形，以保证压接组件4能够将电路板1、本体21以及散热板5三者压紧。在另一种可能的实现方式中，当散热板5与功率板6各自固定后，第一凸出部415上的卡扣与散热板5之间具有间隔，使得支架41可以相对功率板6朝散热板5的方向运动，进而当使用紧固件7将弹片42与散热板5锁紧时，压接组件4能够将电路板1、本体21以及散热板5三者压紧。

在另一种可能的实现方式中，请参阅图12，散热板5包括第一连接板51和第二连接板52，半导体器件2与第一连接板51压紧，支架41上凸设有第二凸出部416，第二连接板52上开设有第二孔位521，第二凸出部416伸入第二孔位521中。

示例性的，第一连接板51可以与第二连接板52相互垂直布置，与半导体器件2电连接的功率板6与散热板5间隔设置。第二凸出部416可以为支架41上凸设的柱状结构，并且该柱状结构与第二孔位521之间具有配合间隙。由于第二凸出部416与第二孔位521之间的配合间隙，当使用紧固件7将弹片42与散热板5锁紧时，弹片42可以带动支架41朝第一连接板51少量移动，进而将电路板1、本体21与散热板5三者压紧。

此结构，通过上述设置可以对支架41与散热板5进行定位，便于使用紧固件7穿过支架41将弹片42与散热板5进行锁紧。

在一个实施例中，请参阅图4-图6，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，温度传感器3为贴片式NTC(Negative TemperatureCoefficient，负温度系数热敏电阻)，贴片式NTC与电路板1电连接。

示例性的，贴片式NTC的主体部分可以通过焊接的方式固定在电路板1上，其管脚与电路板1上的线路电连接。温度传感器3检测到主体的温度后可以通过电路板1上的线路对外传输信号。

现有的一种检测半导体器件2温度的方式为图1中示出的，温度传感器3设置有用于传输信号的信号线，该温度传感器3可以通过螺钉锁紧于半导体器件2的本体21上，以提高温度传感器3对半导体器件2温度的检测精度以及响应速度。然而当半导体器件2应用在高压场景时，存在安规间距不足的风险。图2示出了现有的另一种检测半导体器件2温度的方式，该方式中使用的温度传感器3同样设置有用于传输信号的信号线。图3示出了现有的又一种检测半导体器件2温度的方式，其温度传感器3为贴片式NTC，该贴片式NTC设置在功率板6上，半导体器件2主体的热量通过半导体器件2的引脚22以及功率板6上的线路传输至温度传感器3。

本实施例中，使用贴片式NTC，且该贴片式NTC设置在盖设在半导体器件2的主体的电路板1上。相较于上述现有的方式而言，温度传感器3的成本较低，且节省了复杂的接线工艺，避免出现安规间距不足的风险并且缩短了热量传递路径，提高了温度传感器3对半导体器件2温度的检测精度以及响应速度。

在一个实施例中，请参阅图4、图5、图11和图12，作为本申请实施例提供的半导体器件温度检测装置的一种具体实施方式，半导体器件2的数量为多个，各半导体器件2均与电路板1压紧，温度传感器3的数量与半导体器件2的数量相同，多个温度传感器3的一一正对多个半导体器件2的本体21。

示例性的，多个半导体器件2可以呈直线间隔布置，压接组件4的数量与半导体器件2的数量相同，多个压接组件4将电路板1压紧于多个半导体器件2上，各半导体器件2可以通过相应压接组件4压紧于散热板5上。

值得一提的是，当散热板5包括第一连接板51和第二连接板52时，可以通过粘接或者卡合连接等适合的方式将各压接组件4的支架41连接在一起，这样，可以在其中两个支架41上设置第二凸出部416以提高压接组件4与散热板5之间的定位效率。

此结构，当半导体器件2的数量为多个时，通过上述设置可以检测各半导体器件2的温度。

以上仅为本申请的可选实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.半导体器件温度检测装置，其特征在于，包括：

电路板，用于盖设在半导体器件的本体上，且所述电路板背离所述本体上的金属片；

温度传感器，安装于所述电路板背离所述半导体器件的一面，所述温度传感器的位置正对所述本体；

压接组件，用于将所述电路板与所述本体压紧；

其中，所述电路板位于所述温度传感器与所述本体之间的位置设置有导热单元。

2.如权利要求1所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述导热单元包括多个传热孔以及分别设置在所述电路板相对两侧的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘的位置正对所述第二焊盘，各所述传热孔分别贯穿所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述电路板，所述温度传感器安装于所述第一焊盘上，所述第二焊盘用于与所述本体压紧。

3.如权利要求2所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述第二焊盘凸出于所述电路板。

4.如权利要求1所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述半导体器件温度检测装置还包括散热板，所述散热板位于所述本体设置有所述金属片的一侧并与所述本体通过绝缘垫片相抵，所述压接组件还用于将所述本体与所述散热板压紧。

5.如权利要求4所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述压接组件包括支架和弹片，所述支架包括侧板和连接两个所述侧板的端板，所述半导体器件和所述弹片均位于两个所述侧板之间，各所述侧板相对的位置均开设有缺口，所述电路板伸入所述缺口内且所述电路板背离所述半导体器件的一面与所述缺口相抵，所述弹片抵推所述本体背离所述散热板的一面。

6.如权利要求5所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述弹片包括连接段、位于所述连接段一端的支撑段和位于所述连接段另一端的抵推段，所述支撑段远离所述连接段的一端与所述散热板相抵，所述连接段通过紧固件锁紧于所述散热板上，所述抵推段远离所述连接段的一端抵推所述本体。

7.如权利要求6所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述支架为绝缘件，所述支架还包括连接部，所述连接部背离所述端板的一侧凸设有用于伸入所述本体中的限位柱，所述抵推段远离所述连接段的一端伸入所述连接部与所述端板之间并与所述连接部相抵。

8.如权利要求5所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述半导体器件温度检测装置还包括与所述散热板间隔设置的功率板，所述半导体器件与所述功率板电连接，所述支架上凸设有第一凸出部，所述功率板上开设有第一孔位，所述第一凸出部伸入所述第一孔位中；或者，

所述散热板包括第一连接板和第二连接板，所述半导体器件与所述第一连接板压紧，所述支架上凸设有第二凸出部，所述第二连接板上开设有第二孔位，所述第二凸出部伸入所述第二孔位中。

9.如权利要求1-8任一项所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述温度传感器为贴片式NTC，所述贴片式NTC与所述电路板电连接。

10.如权利要求1-8任一项所述的半导体器件温度检测装置，其特征在于，所述半导体器件的数量为多个，各所述半导体器件均与所述电路板压紧，所述温度传感器的数量与所述半导体器件的数量相同，多个所述温度传感器的一一正对多个所述半导体器件的本体。

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