CN218905659U - Mos器件加工设备 - Google Patents

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田伟
廖兵
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Abstract

本实用新型公开一种MOS器件加工设备，其在面板的顶部且位于冲压装置下方设置有一左支撑台、右支撑台，且在此左支撑台、右支撑台之间设置有一容置槽，此容置槽的内部设置有一缓冲机构，第一支撑板的顶部安装有弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈。本实用新型MOS器件加工设备可以实现在冲切过程中，对半导体芯片进行缓冲，有效避免半导体片与冲压装置硬接触导致半导体片损坏的情况，大大提高了半导体片的安全性。

Description

MOS器件加工设备
技术领域
本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种MOS器件加工设备。
背景技术
半导体片封装产品生产过程中需经过切筋、成型、装管等工艺过程。半导体片是在引线框架上利用多个引脚安装各种半导体片然后在引线框架上形成封装体，之后再将封装体以及一段引脚在半导体器件的整体框架上进行切除形成单个的半导体，在切除的过程中同时对引脚进行定型，此过程称为“切筋”。
但是，现有技术在冲切过程中，常常存在半导体片的本体被冲压装置挤压损坏的情况，造成不必要的损耗。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种MOS器件加工设备，该MOS器件加工设备可以实现在冲切过程中，对半导体芯片进行缓冲，有效避免半导体片与冲压装置硬接触导致半导体片损坏的情况，大大提高了半导体片的安全性。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种MOS器件加工设备，包括：冲压装置、面板，所述冲压装置安装在此面板上方，在所述面板的顶部且位于冲压装置下方设置有一左支撑台、右支撑台，待加工的MOS器件放置于左支撑台、右支撑台的顶部，且在此左支撑台、右支撑台之间设置有一容置槽，此容置槽的内部设置有一缓冲机构；
所述缓冲机构进一步包括缓冲板、移动柱以及弹性柱，位于所述容置槽的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板，该第一支撑板的顶部安装有所述弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，所述通孔供移动柱套装连接，所述移动柱固定安装在缓冲板的下表面，所述缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在所述第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述移动柱靠近弹性柱的端部设置有一支撑片。
2. 上述方案中，在所述弹性圈的底部且位于其两端均设置有一开口。
3. 上述方案中，所述弓形弹片等距间隔设置。
4. 上述方案中，所述移动柱位于缓冲板下表面的拐角处。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型MOS器件加工设备，其位于容置槽的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板，该第一支撑板的顶部安装有弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，当冲压装置对主板挤压的时候，通过弓形弹片对半导体片主体进行初步缓冲，接着通过缓冲板、移动柱、弹性柱的下移，进一步对半导体片主体进行缓冲，有效避免半导体片与冲压装置硬接触导致半导体片损坏的情况，大大提高了半导体片的安全性；进一步的，其在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈，在实现缓冲的基础上，也提高了整体的结构强度。
附图说明
附图1为本实用新型MOS器件加工设备的整体结构示意图；
附图2为本实用新型MOS器件加工设备的内部机构示意图；
附图3为本实用新型MOS器件加工设备的局部结构示意图。
以上附图中：1、冲压装置；2、面板；31、左支撑台；32、右支撑台；4、容置槽；5、缓冲机构；6、缓冲板；7、移动柱；8、弹性柱；9、第一支撑板；10、第二支撑板；11、通孔；12、弓形弹片；13、第三支撑板；14、弹性圈；141、开口；15、支撑片；16、凹槽。
具体实施方式
通过下面给出的具体实施例可以进一步清楚地了解本专利，但它们不是对本专利的限定。
实施例1：一种MOS器件加工设备，包括：冲压装置1、面板2，所述冲压装置1安装在此面板2上方，在所述面板2的顶部且位于冲压装置1下方设置有一左支撑台31、右支撑台32，待加工的MOS器件放置于左支撑台31、右支撑台32的顶部之间，且在此左支撑台31、右支撑台32之间设置有一容置槽4，此容置槽4的内部设置有一缓冲机构5；
当冲压装置对MOS器件进行冲击的过程中，冲压装置对主板挤压，首先，MOS器件与弓形弹片挤压接触，弓形弹片形变对MOS器件进行缓冲，同时缓冲板受力下移从而推动移动柱向下移动挤压弹性柱，再次对主板进行缓冲，从而起到对主板的保护作用；
所述缓冲机构5进一步包括缓冲板6、移动柱7以及弹性柱8，位于所述容置槽4的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板9，该第一支撑板9的顶部安装有所述弹性柱8，位于此第一支撑板9的上方设置有一具有通孔11的第二支撑板10，所述通孔11供移动柱7套装连接，所述移动柱7固定安装在缓冲板6的下表面，所述缓冲板6的上表面安装有若干弓形弹片12，在所述第一支撑板9与第二支撑板10之间设置有第三支撑板13，且在两个第三支撑板13之间设置有一弹性圈14。
在此过程中，由于移动柱下移使得第二支撑板两端形变，并且挤压第三支撑板，两个第三支撑板对弹性圈进行挤压，从而在实现缓冲的基础上，也提高了整体的结构强度。
上述移动柱7靠近弹性柱8的端部设置有一支撑片15。
上述弹性圈14的底部且位于其两端均设置有一开口141。
上述移动柱7位于缓冲板6下表面的拐角处。
实施例2：一种半导体器件加工设备，包括：冲压装置1、面板2，所述冲压装置1安装在此面板2上方，在所述面板2的顶部且位于冲压装置1下方设置有一左支撑台31、右支撑台32，待加工的MOS器件放置于左支撑台31、右支撑台32的顶部，且在此左支撑台31、右支撑台32之间设置有一容置槽4，此容置槽4的内部设置有一缓冲机构5；
所述缓冲机构5进一步包括缓冲板6、移动柱7以及弹性柱8，位于所述容置槽4的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板9，该第一支撑板9的顶部安装有所述弹性柱8，位于此第一支撑板9的上方设置有一具有通孔11的第二支撑板10，所述通孔11供移动柱7套装连接，所述移动柱7固定安装在缓冲板6的下表面，所述缓冲板6的上表面安装有若干弓形弹片12，在所述第一支撑板9与第二支撑板10之间设置有第三支撑板13，且在两个第三支撑板13之间设置有一弹性圈14。
上述弹性圈14的底部且位于其两端均设置有一开口141。
上述弓形弹片12等距间隔设置。
上述缓冲板6的下表面具有一凹槽16，此凹槽16为拱形。
上述第三支撑板13与容置槽4内壁固定连接，上述第二支撑板10设置在第三支撑板13上方。
本实用新型工作原理如下：
使用时，当冲压装置对半导体片进行冲击的过程中，冲压装置对主板挤压，首先，半导体片与弓形弹片挤压接触，弓形弹片形变对半导体片进行缓冲，同时缓冲板受力下移从而推动移动柱向下移动挤压弹性柱，再次对主板进行缓冲，从而起到对主板的保护作用；
在此过程中，由于移动柱下移使得第二支撑板两端形变，并且挤压第三支撑板，两个第三支撑板对弹性圈进行挤压，从而在实现缓冲的基础上，也提高了整体的结构强度。
采用上述MOS器件加工设备时，其当冲压装置对主板挤压的时候，通过弓形弹片对半导体片主体进行初步缓冲，接着通过缓冲板、移动柱、弹性柱的下移，进一步对半导体片主体进行缓冲，有效避免半导体片与冲压装置硬接触导致半导体片损坏的情况，大大提高了半导体片的安全性；进一步的，其在实现缓冲的基础上，也提高了整体的结构强度。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种MOS器件加工设备，包括：冲压装置（1）、面板（2），所述冲压装置（1）安装在此面板（2）上方，其特征在于：在所述面板（2）的顶部且位于冲压装置（1）下方设置有一左支撑台（31）、右支撑台（32），待加工的MOS器件放置于左支撑台（31）、右支撑台（32）的顶部，且在此左支撑台（31）、右支撑台（32）之间设置有一容置槽（4），此容置槽（4）的内部设置有一缓冲机构（5）；
所述缓冲机构（5）进一步包括缓冲板（6）、移动柱（7）以及弹性柱（8），位于所述容置槽（4）的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板（9），该第一支撑板（9）的顶部安装有所述弹性柱（8），位于此第一支撑板（9）的上方设置有一具有通孔（11）的第二支撑板（10），所述通孔（11）供移动柱（7）套装连接，所述移动柱（7）固定安装在缓冲板（6）的下表面，所述缓冲板（6）的上表面安装有若干弓形弹片（12），在所述第一支撑板（9）与第二支撑板（10）之间设置有第三支撑板（13），且在两个第三支撑板（13）之间设置有一弹性圈（14）。
2.根据权利要求1所述的MOS器件加工设备，其特征在于：所述移动柱（7）靠近弹性柱（8）的端部设置有一支撑片（15）。
3.根据权利要求1所述的MOS器件加工设备，其特征在于：在所述弹性圈（14）的底部且位于其两端均设置有一开口（141）。
4.根据权利要求1所述的MOS器件加工设备，其特征在于：所述弓形弹片（12）等距间隔设置。
5.根据权利要求1所述的MOS器件加工设备，其特征在于：所述移动柱（7）位于缓冲板（6）下表面的拐角处。
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