CN218850010U - 一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构，包括壳体，所述壳体的敞口处设有与壳体嵌入配合的上盖板，所述壳体的侧壁处开设有槽口，所述的低频连接器通过挡片固定在此槽口处，所述的挡片上设有供低频连接器接口穿出的通孔，所述低频连接器周围的电磁泄露路径均为直角Z型路径。由上述技术方案可知，本实用新型采用多级台阶式配合结构设计，相互嵌套的固定方式，使挡片与壳体、低频连接器及上盖板之间均保持良好的接触，实现整体装配电连续性，有效分散载荷作用。另外，通过挡片多级装配设计，实现小尺寸空间连接器接口处电磁泄露路径由直通型转为Z型，有效增加电磁泄漏的衰减和反射，大大提高电磁屏蔽能力。

Description

一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构

技术领域

本实用新型涉及一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构，具体涉及一种有电磁屏蔽要求且带有弯插型低频连接器接口的结构设备。

背景技术

面对越来越复杂恶劣的电磁环境，部分重要单机本身的电磁兼容性设计愈发重要。在进行电磁兼容性设计的众多方法中（屏蔽、接地、搭接等），电磁屏蔽结构设计凭借其在电磁能量泄露和防止电磁能量干扰上的优秀表现成为电磁兼容性设计的重要基石。电磁屏蔽结构设计的作用原理是利用屏蔽体对电磁能量的发射、吸收和引导作用将屏蔽区域与其他区域分开。因此，切断波控单元电磁波的传播途径是电磁屏蔽设计的关键所在。

星载应用环境决定了重要有源单机结构设计思路，如对其电磁兼容性、质量、散热都有严格要求。因此结构设计要优化设计，以使重要有源单机在尽可能减轻盒体重量的前提下，具备优良的热学、力学特性，满足抗辐射设计要求，满足电磁兼容性要求。

屏蔽壳体形状对屏蔽效能的高低有明显影响。理论上全封闭金属盒可以有最好的电场屏蔽效果，而实际使用的屏蔽体不可避免的存在各种接缝、孔洞，这些孔洞、接缝就是电磁能量泄露的主要途径。现有的有源单机壳体结构100与低频连接器200相接处虽采用挡片300来减少壳体结构100与低频连接器200相接处的缝隙，但仍存在比较长的缝隙，如图4、图5、图6所示，这些较长的缝隙导致波控单元电磁能量泄漏较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构，该结构可以解决有电磁屏蔽需求的单机在弯插型低频连接器与壳体的接口位置的电磁泄漏问题，且固定方式可有效分散载荷，不会对连接器焊接点产生附加力载荷。

为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：包括敞口的壳体，所述壳体的敞口处设有与壳体嵌入配合的上盖板，所述壳体的侧壁处开设有用以安装低频连接器的槽口，所述的低频连接器通过挡片固定在此槽口处，所述的挡片上设有供低频连接器接口穿出的通孔，所述的挡片与壳体之间为台阶式配合结构，所述的上盖板通过螺钉直接固定在壳体及挡片上，所述的挡片通过螺钉固定在壳体上，所述的低频连接器通过后装方式安装在挡片上，所述低频连接器周围的电磁泄露路径均为直角Z型路径。

所述壳体的敞口处设有内沉的台阶面，所述的上盖板通过螺钉嵌入安装在此台阶面上，且壳体的上表面与上盖板的上表面平齐。

所述的槽口是自壳体侧壁的顶端向下开设的盲槽，所述槽口与挡片的配合安装面为台阶面，且挡片的外侧面与壳体的外侧面平齐。

所述的壳体为铝制壳体。

由上述技术方案可知，本实用新型采用多级台阶式配合结构设计，相互嵌套的固定方式，使挡片与壳体、低频连接器及上盖板之间均保持良好的接触，实现整体装配电连续性，有效分散载荷作用，屏蔽效能达到60dB以上。另外，通过挡片多级装配设计，实现小尺寸空间连接器接口处电磁泄露路径由直通型转为Z型，有效增加电磁泄漏的衰减和反射，大大提高电磁屏蔽能力，通过挡片结构设计实现电磁泄露路径优化，提高整体电磁屏蔽能力。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型电磁泄露路径的横向截面图。

图3是本实用新型电磁泄露路径的纵向截面图。

图4是背景技术的结构示意图。

图5是背景技术电磁泄露路径的横向截面图。

图6是背景技术电磁泄露路径的纵向截面图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明：

如图1所示的一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构，包括敞口的壳体1，壳体1为铝制壳体。壳体1的敞口处设有与壳体1嵌入配合的上盖板2，具体的，壳体1的敞口处设有内沉的台阶面11，上盖板2通过螺钉嵌入安装在此台阶面上，且壳体1的上表面与上盖板2的上表面平齐。即上盖板2与壳体1的连接处采用凹凸搭接设计，这样可以尽量减小接口处的缝隙，缩短紧固螺钉的间距，以提高EMI的屏蔽效果，有效阻断了内部印制电路板与外界的互扰。

壳体1的侧壁处开设有用以安装低频连接器3的槽口4，具体的，槽口4是自壳体1侧壁的顶端向下开设的盲槽。低频连接器3通过挡片5固定在槽口4处，挡片5上设有供低频连接器接口穿出的通孔6，具体的，槽口4与挡片5的配合安装面为台阶面，且挡片5的外侧面与壳体1的外侧面平齐。挡片5与壳体1之间为台阶式配合结构，上盖板2通过螺钉直接固定在壳体1及挡片5上，挡片5通过螺钉固定在壳体1上，低频连接器3通过后装方式安装在挡片5上。

如图2、图3所示，低频连接器3周围的电磁泄露路径均为直角Z型路径，路径中都会经过紧密接触的搭接部分，这样可以有效增加电磁泄漏的衰减和反射，大大提高电磁屏敝能力。

本实用新型的有益效果在于：

1、在相同壁厚壳体结构中，采用多级台阶接触面相互约束设计，实现整体装配电连续性，屏蔽效能达到60dB以上。

2、采用多级装配设计，实现小尺寸空间连接器接口处电磁泄露路径由直通型转为Z型，有效增加电磁泄漏的衰减和反射，大大提高电磁屏蔽能力。

3、互为约束的装配接口设计，将装配面的约束精度要求集中到自身，从而极大的降低壳体、低频连接器及上盖板的配合尺寸精度要求。

4、该设计可有效分散外力及载荷，将低频连接器之间的载荷转发多到挡片上，避免对低频连接器焊接点产生附加力载荷，提高产品可靠性，尤其适用于星载环境。

5、该结构形式可解决不同规格低频连接器接口处电磁泄漏问题，具有良好的可推广性。

以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。

Claims (4)

1.一种用于低频连接器接口的电磁兼容结构，其特征在于：包括敞口的壳体（1），所述壳体（1）的敞口处设有与壳体（1）嵌入配合的上盖板（2），所述壳体（1）的侧壁处开设有用以安装低频连接器（3）的槽口（4），所述的低频连接器（3）通过挡片（5）固定在此槽口（4）处，所述的挡片（5）上设有供低频连接器接口穿出的通孔（6），所述的挡片（5）与壳体（1）之间为台阶式配合结构，所述的上盖板（2）通过螺钉直接固定在壳体（1）及挡片（5）上，所述的挡片（5）通过螺钉固定在壳体（1）上，所述的低频连接器（3）通过后装方式安装在挡片（5）上，所述低频连接器（3）周围的电磁泄露路径均为直角Z型路径。

2.根据权利要求1所述的用于低频连接器接口的电磁兼容结构，其特征在于：所述壳体（1）的敞口处设有内沉的台阶面（11），所述的上盖板（2）通过螺钉嵌入安装在此台阶面上，且壳体（1）的上表面与上盖板（2）的上表面平齐。

3.根据权利要求1所述的用于低频连接器接口的电磁兼容结构，其特征在于：所述的槽口（4）是自壳体（1）侧壁的顶端向下开设的盲槽，所述槽口（4）与挡片（5）的配合安装面为台阶面，且挡片（5）的外侧面与壳体（1）的外侧面平齐。

4.根据权利要求1所述的用于低频连接器接口的电磁兼容结构，其特征在于：所述的壳体（1）为铝制壳体。

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