CN218769497U - 一种工业电源用mosfet器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域,且公开了一种工业电源用MOSFET器件,包括器件壳体和散热片,所述器件壳体的背面固定有金属片,所述金属片的内部开设有圆孔,所述器件壳体的正面固定有若干引脚,所述引脚的数量为三个,所述器件壳体顶部的四周均固定有螺纹套管,所述散热片的内部开设有通孔,所述通孔的内部螺纹连接有固定螺栓,所述固定螺栓与螺纹套管螺纹连接,所述器件壳体的顶部固定有导热块;本实用新型具备了可以增大MOSFET器件与空气的接触面积,延长MOSFET器件的使用寿命的优点,解决了现有的工业电源MOSFET器件和电路板紧密接触造成散热效率低下,并且在电源工作时容易造成电路板损坏的问题。

Description

一种工业电源用MOSFET器件
技术领域
本实用新型涉及MOSFET器件技术领域,具体为一种工业电源用MOSFET器件。
背景技术
工业电源是为工业设备供电的中的设备,传统的工业产品电源外形为长方体,内部设有电路板、电容、晶体管等电子组件金属氧化物,MOSFET器件是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOSFET依照其通道的极性不同,可分为N型与P型的两种类型,MOSFET器件输入阻抗高且反应速度快,热稳定性好,目前广泛应用在工业电源中。
现有的工业电源MOSFET器件会直接焊接在电路板上,外壳直接和电路板焊接,由于MOSFET器件和电路板紧密接触从而导致散热效率低下,在电源工作时容易造成电路板损坏。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种工业电源用MOSFET器件,具备了可以增大MOSFET器件与空气的接触面积,延长MOSFET器件的使用寿命的优点,解决了现有的工业电源MOSFET器件和电路板紧密接触造成散热效率低下,并且在电源工作时容易造成电路板损坏的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种工业电源用MOSFET器件,包括器件壳体和散热片,所述器件壳体的背面固定有金属片,所述金属片的内部开设有圆孔,所述器件壳体的正面固定有若干引脚,所述引脚的数量为三个,所述器件壳体顶部的四周均固定有螺纹套管,所述散热片的内部开设有通孔,所述通孔的内部螺纹连接有固定螺栓,所述固定螺栓与螺纹套管螺纹连接,所述器件壳体的顶部固定有导热块,所述导热块的顶部与散热片之间填充有导热硅脂,所述散热片顶部的两侧均固定有若干散热鳍片,所述器件壳体与引脚之间设置有加强结构。
优选的,所述加强结构包括滑动套,所述滑动套固定于器件壳体的两侧,所述滑动套的内部滑动连接有连接杆,所述连接杆的正面固定有限位板,所述限位板与引脚滑动连接。
优选的,所述连接杆的背面固定有圆板,所述圆板的数量为两个。
优选的,所述器件壳体的正面开设有贴合槽,所述限位板与贴合槽活动连接。
优选的,所述散热鳍片为等距离固定,所述散热鳍片的大小相同。
优选的,所述导热块的厚度等于螺纹套管的高度,所述导热块的材质为金属铝。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型具备了可以增大MOSFET器件与空气的接触面积,延长MOSFET器件的使用寿命的优点,在使用时可以便捷的对MOSFET器件进行维护,并且引脚在被折弯时,能得到加强筋的保护,不易将晶体壳挤压变形造成晶体管损坏,解决了现有的工业电源MOSFET器件和电路板紧密接触造成散热效率低下,并且在电源工作时容易造成电路板损坏的问题。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图;
图2为本实用新型的立体结构示意图;
图3为本实用新型的局部立体结构示意图;
图4为本实用新型图3中A处的局部放大图。
图中:1、器件壳体;2、散热片;3、金属片;4、圆孔;5、引脚;6、螺纹套管;7、通孔;8、固定螺栓;9、导热块;10、散热鳍片;11、加强结构;111、滑动套;112、连接杆;113、限位板;12、圆板;13、贴合槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4所示,一种工业电源用MOSFET器件,包括器件壳体1和散热片2,器件壳体1的背面固定有金属片3,金属片3的内部开设有圆孔4,器件壳体1的正面固定有若干引脚5,引脚5的数量为三个,器件壳体1顶部的四周均固定有螺纹套管6,散热片2的内部开设有通孔7,通孔7的内部螺纹连接有固定螺栓8,固定螺栓8与螺纹套管6螺纹连接,器件壳体1的顶部固定有导热块9,导热块9的顶部与散热片2之间填充有导热硅脂,散热片2顶部的两侧均固定有若干散热鳍片10,器件壳体1与引脚5之间设置有加强结构11;在使用时可以增大MOSFET器件与空气的接触面积,延长MOSFET器件的使用寿命,在使用时可以便捷的对MOSFET器件进行维护,并且引脚在被折弯时,能得到加强筋的保护,不易将晶体壳挤压变形造成晶体管损坏,解决了现有的工业电源MOSFET器件和电路板紧密接触造成散热效率低下,并且在电源工作时容易造成电路板损坏的问题。
加强结构11包括滑动套111,滑动套111固定于器件壳体1的两侧,滑动套111的内部滑动连接有连接杆112,连接杆112的正面固定有限位板113,限位板113与引脚5滑动连接,限位板113可以对引脚5进行限位,连接杆112可以带动限位板113来回移动,调整弯折的长度。
连接杆112的背面固定有圆板12,圆板12的数量为两个,圆板12可以对连接杆112进行限位,在使用时方便进行固定,防止连接杆112脱离滑动套111。
器件壳体1的正面开设有贴合槽13,限位板113与贴合槽13活动连接,贴合槽13方便贴合限位板113,可以将限位板113进行隐藏,防止限位板113影响正常的固定安装。
散热鳍片10为等距离固定,散热鳍片10的大小相同,散热鳍片10等距安装可以提高散热的稳定性,散热鳍片10的大小相同可以提高美观度,可以在使用时提高散热速度。
导热块9的厚度等于螺纹套管6的高度,导热块9的材质为金属铝,导热块9与螺纹套管6的高度相同可以使导热块9更加贴合散热片2,防止两者之间出现空隙,提高了导热块9的运行稳定性。
工作原理:在使用时工作人员首先向导热块9的顶部涂抹导热硅脂,导热硅脂可以使导热块9更加紧密贴合散热片2,随后将散热片2上的通孔7对准螺纹套管6并贴合,之后即可用固定螺栓8将散热片2固定在器件壳体1的顶部,散热鳍片10等距安装可以提高散热的稳定性,散热鳍片10的大小相同可以提高美观度,可以在使用时提高散热速度,在需要弯折引脚5时,工作人员捏住限位板113的两端向外侧拉动,限位板113可以在引脚5弯折时防止损坏器件壳体1,对器件壳体1进行保护,贴合槽13方便贴合限位板113,可以将限位板113进行隐藏,防止限位板113影响正常的固定安装,圆板12可以在连接杆112移动时对连接杆112进行限位,在使用时方便进行固定,防止连接杆112脱离滑动套111。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种工业电源用MOSFET器件,包括器件壳体(1)和散热片(2),其特征在于:所述器件壳体(1)的背面固定有金属片(3),所述金属片(3)的内部开设有圆孔(4),所述器件壳体(1)的正面固定有若干引脚(5),所述引脚(5)的数量为三个,所述器件壳体(1)顶部的四周均固定有螺纹套管(6),所述散热片(2)的内部开设有通孔(7),所述通孔(7)的内部螺纹连接有固定螺栓(8),所述固定螺栓(8)与螺纹套管(6)螺纹连接,所述器件壳体(1)的顶部固定有导热块(9),所述导热块(9)的顶部与散热片(2)之间填充有导热硅脂,所述散热片(2)顶部的两侧均固定有若干散热鳍片(10),所述器件壳体(1)与引脚(5)之间设置有加强结构(11)。
2.根据权利要求1所述的一种工业电源用MOSFET器件,其特征在于:所述加强结构(11)包括滑动套(111),所述滑动套(111)固定于器件壳体(1)的两侧,所述滑动套(111)的内部滑动连接有连接杆(112),所述连接杆(112)的正面固定有限位板(113),所述限位板(113)与引脚(5)滑动连接。
3.根据权利要求2所述的一种工业电源用MOSFET器件,其特征在于:所述连接杆(112)的背面固定有圆板(12),所述圆板(12)的数量为两个。
4.根据权利要求2所述的一种工业电源用MOSFET器件,其特征在于:所述器件壳体(1)的正面开设有贴合槽(13),所述限位板(113)与贴合槽(13)活动连接。
5.根据权利要求1所述的一种工业电源用MOSFET器件,其特征在于:所述散热鳍片(10)为等距离固定,所述散热鳍片(10)的大小相同。
6.根据权利要求1所述的一种工业电源用MOSFET器件,其特征在于:所述导热块(9)的厚度等于螺纹套管(6)的高度,所述导热块(9)的材质为金属铝。
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