CN218631536U - 过电流保护元件 - Google Patents
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Abstract
一种过电流保护元件,包含电阻元件、外接电极及封胶层。电阻元件具有由下而上堆叠的第一绝缘层、第一导电层、正温度系数材料层、第二导电层及第二绝缘层。第一绝缘层具有下表面及第一侧壁与下表面连接。外接电极具有第一电极及第二电极置于下表面,分别通过第一导孔及第二导孔电性连接第一导电层。封胶层覆盖第一绝缘层的第一侧壁且延伸至部分下表面,使得封胶层于第一绝缘层的下表面呈现第一周缘,而第一电极及第二电极位于第一周缘内。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种过电流保护元件,更具体而言,涉及一种具有封胶层的过电流保护元件。
背景技术
由于具有正温度系数(Positive Temperature Coefficient,PTC)特性的导电复合材料的电阻具有对温度变化反应敏锐的特性,可作为电流感测元件的材料,且目前已被广泛应用于过电流保护元件或电路元件上。由于PTC导电复合材料在正常温度下的电阻可维持极低值,使电路或电池得以正常运行。但是,当电路或电池发生过电流(over-current)或过高温(overtemperature)的现象时,其电阻值会瞬间提高至一高电阻状态(至少104Ω以上),即所谓的触发(trip),而将过量的电流反向抵销,以达到保护电池或电路元件的目的。
然而,在电子元件微型化的趋势下,过电流保护元件(特别是其中的正温度系数材料层)相当容易受到外界环境(例如:水气、氧、粉尘及温度等)影响而出现特性衰退或于触发前电阻升高的问题。为因应此种情形,传统会在元件外封装绝缘层进行保护。只是,其在结构设计上仍有未臻完善之处。
更详细地说,请参照图1a及图1b,其为两种不同结构的现有过电流保护元件10、20的剖视图,此两种结构相似。就剖视图的方向来看,两者皆包含由下而上堆叠的外接电极16、第一绝缘层11、第一导电层12、正温度系数材料层13、第二导电层14及第二绝缘层15。外接电极16具有第一电极16a位于右侧及第二电极16b位于左侧。第一绝缘层11具有两个通孔以形成第一导孔17a及第二导孔17b,使得第一电极16a通过第一导孔17a电连接第一导电层12,而第二电极16b通过第二导孔17b电连接第一导电层12。由第一电极16a电连接的第一导电层12与由第二电极16b电连接第一导电层12彼此不电连接。如此一来,这样的结构形成现有的过电流保护元件10、20。
在制造过电流保护元件10、20的过程中,该些层会先依序堆叠且进行热压合而形成一板材,然后对板材进行钻孔、电镀和图案化工艺,最后将板材裁切来形成多个过电流保护元件10、20。然而,于裁切过程中,第一电极16a及第二电极16b有可能会存在极小误差而与边界相隔一非常短的距离D(如图1a所示),又或者是完整地切齐而无任何误差(如图1b所示)。无论是图1a或图1b的现有过电流保护元件10、20,为了解决过电流保护元件(特别是其中的正温度系数材料层)受到外界环境影响而出现特性衰退或于触发前电阻升高的问题,现有的过电流保护元件10、20仅对其侧面封装绝缘材料(例如在元件侧面涂覆一绝缘层或在元件侧面形成一绝缘框),却皆未于第一绝缘层11的表面上封装绝缘材料。这会产生以下所述问题。
以图1a的现有元件结构来说,如前述所提,距离D仅为误差所致,故第一电极16a及第二电极16b与边界之间的空间狭小。若在第一绝缘层11的表面上封装绝缘材料,以现有技术而言,绝缘材料必然会沾粘到第一电极16a及第二电极16b的侧面,不仅会造成外接电极16的焊接面积减少,亦有可能会影响元件焊接到电路板的可焊接性,并进而影响元件的电性表现。此外,因距离D过于狭小,未留有足够距离给予绝缘材料均匀地扩散,即使将绝缘材料涂刻意覆到第一绝缘层11,最终固化后的结构不仅会沾到第一电极16a及第二电极16b且结构上不平整,于第一电极16a及第二电极16b两侧的绝缘材料更是不对称。简单而言,即绝缘材料的高度有可能超过外接电极的高度,造成左高右低或左低右高的情况。更重要的一点是,为了避免盖到太多外接电极16,绝缘材料封装于第一绝缘层11的面积相当有限。
另外,以图1b的现有元件结构来说,在第一电极16a及第二电极16b完整切齐边缘的情况下,并无距离D的存在。若欲进行侧面封装,绝缘材料不仅必然会沾粘到第一电极16a及第二电极16b的侧边而大为降低焊接面积,甚至有可能会溢出(即溢胶)而覆盖第一电极16a及第二电极16b的底面,造成可焊接性的降低。详细而言,若以涂覆一绝缘层来进行封装而言,绝缘材料封装之初具有一定的流动性,随后才会进行固化。一般进行侧面封装时会尽量不使绝缘材料涂覆接触到焊接区域(即第一电极16a及第二电极16b),例如仅将绝缘材料涂覆于第一导电层12、正温度系数材料层13、第二导电层14裸露于外界环境而共同形成的侧面。但,在实际生产过程中,绝缘材料的涂覆位置或厚度难以控制,导致其流动至第一电极16a及第二电极16b的侧面。更甚者,绝缘材料很可能进一步沿第一电极16a及第二电极16b的侧面继续流动而覆盖第一电极16a及第二电极16b的底面。在绝缘材料固化后,将使得第一电极16a及第二电极16b呈现不平整的底面,造成焊接时位置偏移及其他焊接不良的情形。在涂覆绝缘材料时,涂覆材料容易溢出而覆盖第一电极16a及第二电极16b的底面,这在图1a的现有元件结构同样容易发生。
由图1a及图1b可知,现有过电流保护元件10、20的结构亟需改良以解决接点面积下降及焊接良率的问题,同时增加封装的覆盖面积。
实用新型内容
本实用新型通过增加焊接区域(外接电极)距离过电流保护元件边缘的距离,使得外接电极所处的表面可涂覆封胶层,且封胶层未触及外接电极。又或者,增加外接电极距离过电流保护元件边缘的距离,同时封胶层仅接触焊接区域的侧面,且选择性地将外接电极拉高。相较于现有的侧面封装而言,增加上述距离可避免封胶层沾附于外接电极侧面及因溢胶而进一步覆盖于其底面的问题。其次,增加上述距离亦有利于增加工艺容忍度,些许过量的封胶层不致对元件的可焊接性造成问题,提高元件制造良率。而在采用本实用新型的结构设计并增加绝缘层上封胶面积的同时,更发现阻值变化率有显著的降低。
本实用新型的一实施方式为一种过电流保护元件,包含电阻元件、外接电极及封胶层。电阻元件具有由下而上堆叠的第一绝缘层、第一导电层、正温度系数材料层、第二导电层及第二绝缘层,其中第一绝缘层具有下表面及第一侧壁与下表面连接,且下表面穿设第一导孔及第二导孔。外接电极,具有第一电极及第二电极,第一电极及第二电极置于下表面,分别通过第一导孔及第二导孔电性连接第一导电层。封胶层,覆盖第一绝缘层的第一侧壁且延伸至部分下表面,使得封胶层于第一绝缘层的下表面呈现第一周缘,而第一电极及第二电极位于第一周缘内。
一实施例中,经堆叠后的第一导电层、正温度系数材料层以及第二导电层的裸露部分共同形成一侧面,且封胶层覆盖于侧面上。
一实施例中,第二绝缘层具有相对于下表面的上表面以及连接上表面的第二侧壁,且封胶层进一步覆盖第二侧壁且延伸至部分上表面,使得封胶层于第二绝缘层的上表面呈现第二周缘,借此电阻元件仅上表面的中央部分及下表面的中央部分裸露于外界环境。
一实施例中,封胶层覆盖第一绝缘层的部分下表面且未与第一电极及第二电极接触。
一实施例中,第一电极与第一绝缘层的下表面的边缘相距2mil至9mil。
一实施例中,封胶层具有厚度为0.04mm至0.08mm。
一实施例中,第一绝缘层的下表面具有长边及短边,且第一电极与短边相距第一距离,及第一电极与长边相距第二距离。以长边的长度为100%计,第一距离为5%至16%。以短边的长度为100%计,第二距离为9%至27%。
一实施例中,长边介于40mil至50mil,以及短边介于20mil至30mil。以该长边的长度为100%计,该第一距离为5.74%至15.12%。以该短边的长度为100%计,该第二距离为10.48%至27.61%。
一实施例中,长边介于60mil至70mil,以及短边介于30mil至40mil。以长边的长度为100%计,第一距离为4.94%至12.31%。以短边的长度为100%计,第二距离为9.46%至23.57%。
一实施例中,第一电极具有一宽度沿长边延伸,以及高度朝远离第一绝缘层的方向延伸,其中宽度为0.1mm至0.5mm,而高度为12μm至120μm。
一实施例中,封胶层覆盖第一绝缘层的部分下表面且接触第一电极的侧面,且第一电极具有一高度为50μm至120μm。
一实施例中,第二电极与第一绝缘层的下表面的一边缘相距2mil至9mil。
一实施例中,第一电极与第二电极沿长边相距第三距离,第三距离大于0.23mm。
本实用新型的另一实施方式为一种过电流保护元件,包含电阻元件、外接电极以及封胶层。电阻元件具有由下而上堆叠的第一绝缘层、第一导电层、正温度系数材料层、第二导电层及第二绝缘层,且具有左缺口及右缺口位于电阻元件相对的左端部及右端部。第一绝缘层具有下表面及连接下表面的第一侧壁与。第二绝缘层具有上表面及连接上表面的第二侧壁与。左缺口位于电阻元件的左端部,由下表面延伸至上表面。右缺口位于电阻元件的右端部,由下表面延伸至上表面。外接电极具有第一电极及第二电极,第一电极设置于右端部的上表面及下表面且电性连接第二导电层。第二电极设置于左端部的上表面及下表面且电性连接第一导电层。第一电极与第二电极彼此电气隔离。封胶层覆盖第一绝缘层的第一侧壁且延伸至部分下表面,使得封胶层于第一绝缘层的下表面形成不连续的周缘,且第一电极及第二电极位于周缘所围起的区域内。
一实施例中,经堆叠后第一导电层、正温度系数材料层以及第二导电层的裸露部分共同形成一侧面,且封胶层覆盖于侧面上。
一实施例中,封胶层进一步覆盖第二侧壁且延伸至部分上表面,使得封胶层于第二绝缘层的上表面形成不连续的周缘,且第一电极及第二电极位于周缘所围起的区域内,借此电阻元件仅部分的上表面及部分的下表面裸露于外界环境。
一实施例中,还包含左导通件设置于左缺口,及右导通件设置于右缺口。第一电极通过右导通件连接第二导电层并与第一导电层电性隔离,而第二电极通过左导通件连接第一导电层并与第二导电层电性隔离。
一实施例中,第一绝缘层的下表面具有二条长边及二条短边连接二条长边,而周缘沿着二条长边延伸至二条短边,且分别于二条短边不连续地延伸并连接左导通件及右导通件,使得位于下表面的左导通件及右导通件未被封胶层完全覆盖。
一实施例中,第一电极与第一绝缘层的下表面的一边缘相距2mil至9mil。
附图说明
图1a显示现有的第一种结构的过电流保护元件的剖面侧视图;
图1b显示现有的第二种结构的过电流保护元件的剖面侧视图;
图2a显示本实用新型第一实施方式的过电流保护元件的上视图;
图2b显示图2a沿虚线AA的过电流保护元件的剖面侧视图;
图2c显示图2a的过电流保护元件的下视图;
图3a显示图2b的过电流保护元件的局部放大图;
图3b显示图2c的过电流保护元件的局部放大图;
图3c显示图2b的过电流保护元件的局部变化图;
图3d显示图2b的过电流保护元件的局部变化图;
图4a显示现有的过电流保护元件的后半段制造过程;
图4b显示本实用新型的过电流保护元件的后半段制造过程;
图5a显示本实用新型的过电流保护元件在形成封胶层之前的立体图;
图5b显示本实用新型的过电流保护元件在形成封胶层之后的立体图;
图5c显示本实用新型的另一种过电流保护元件在形成封胶层之后的立体图;
图6a显示本实用新型第二实施方式的过电流保护元件的上视图及下视图;
图6b显示图6a沿虚线BB的过电流保护元件的剖面侧视图;
图6c显示图6a沿虚线CC的过电流保护元件的剖面侧视图;
图6d显示图6b的过电流保护元件的局部放大图;
图6e显示图6a的过电流保护元件的立体图。
附图标记说明:
10、20、30、60、70、80、90过电流保护元件
11、21 第一绝缘层
12、22 第一导电层
13、23 正温度系数材料层
14、24 第二导电层
15、25 第二绝缘层
16、26 外接电极
16'、26'电极层
16a、26a第一电极
16b、26b第二电极
17a、27a第一导孔、右导通件
17b、27b第二导孔、左导通件
21a、21a'长边
21b、21b'短边
28封胶层
31、32、33步骤
40、50 工艺
D 距离
D1 第一距离
D2 第二距离
D3 第三距离
DL 裁切线
H 高度
L 长度
P1 第一周缘
P2 第一周缘
P3 第一周缘段
P4 第二周缘段
S1 下表面
S2 第一侧壁
S3 上表面
S4 第二侧壁
T 厚度
W 宽度
具体实施方式
为让本实用新型的上述和其他技术内容、特征和优点能更明显易懂,下文特举出相关实施例,并配合说明书附图,作详细说明如下。
本实用新型可应用于表面粘着型元件(Surface-Mountable Device,SMD),尤其是表面粘着型过电流保护元件(即SMD过电流保护元件),主要在元件周围包覆一封胶层以将元件与外界环境隔绝,借此避免元件受到外界环境影响而出现特性衰退或于触发前电阻升高的问题,同时不会使得封胶层接触到外接电极,因此提高元件制造良率。以下将以图2a至图5c以及图6a至图6e作为例示,说明可应用于本实用新型中的两种实施方式的SMD过电流保护元件。
首先,请参照图2a至图2c,为本实用新型的第一实施方式的过电流保护元件30。图2a及图2c分别为过电流保护元件30的上视图及下视图,而图2b为图2a沿AA虚线的剖面侧视图。此实施方式中,过电流保护元件30包含电阻元件、外接电极26及封胶层28,详述如下。
在图2b中,电阻元件具有由下而上依序堆叠的第一绝缘层21、第一导电层22、正温度系数(Positive Temperature Coefficient;PTC)材料层23、第二导电层24及第二绝缘层25。第一绝缘层21具有下表面S1及第一侧壁S2,其中第一侧壁S2连接下表面S1,且下表面S1穿设第一导孔27a及第二导孔27b。第二绝缘层25具有与下表面S1相对的上表面S3,以及连接上表面S3的第二侧壁S4。就外观而言,电阻元件大致上为六面体结构,包含上下表面及四个侧面。电阻元件的上表面即为第二绝缘层25的上表面S3,而电阻元件的下表面则为第一绝缘层21的下表面S1。此外,经堆叠后,夹于第一绝缘层21与第二绝缘层25之间的第一导电层22、正温度系数材料层23以及第二导电层24仅有四个侧边与封胶层28接触。此四个侧边所形成的侧面即与第一绝缘层21的第一侧壁S2及第二绝缘层25的第二侧壁S4共同形成电阻元件的四个侧面。在一实施例中,正温度系数材料层23可为高分子聚合物正温度系数(Polymeric Positive Temperature Coefficient,PPTC)材料,由结晶性高分子聚合物及均匀散布于结晶性高分子聚合物中的导电填料所组成。在一实施例中,结晶性高分子聚合物材料包含聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯或其组合的混合物或共聚物。导电填料可为碳黑、金属粒子、金属碳化物、金属硼化物、金属氮化物或其组合。另外,第一绝缘层21及第二绝缘层25可由经固化后的热固性预浸材料(Prepreg)所组成。
外接电极26具有第一电极26a及第二电极26b。第一电极26a及第二电极26b置于第一绝缘层21的下表面S1,第一电极26a及第二电极26b分别通过第一导孔27a及第二导孔27b电性连接第一导电层22。第一导电层22由至少两个间隔设置的部件所构成,故第一电极26a与第二电极26b彼此电气隔离,且第一电极26a与第二电极26b分别通过第一导孔27a及第二导孔27b电性连接第一导电层22。据此,过电保护元件30可形成导电路径依序经第一电极26a、第一导孔27a、相对于第一电极26a的第一导电层22、正温度系数材料层23、第二导电层24、正温度系数材料层23、相对于第二电极26b的第一导电层22、第二导孔27b、第二电极26b。电流路径经过正温度系数材料层23两次,构成了串联2个电阻的等效电路。
封胶层28覆盖第一绝缘层21的第一侧壁S2且延伸至部分下表面S1,使得封胶层28于第一绝缘层21的下表面S1呈现第一周缘P1,而第一电极26a及第二电极26b位于第一周缘P1内(如图2c所示)。封胶层28亦可覆盖第二绝缘层25的第二侧壁S4且延伸至部分上表面S3,使得封胶层28于第二绝缘层25的上表面呈现第二周缘P2(如图2a所示)。
就此实施方式而言,无论从上视图或下视图观之,封胶层28大致上呈现中空的矩形环状,具有连续线段所围成的内周缘及外周缘,内周缘即下视图(图2c)中的第一周缘P1或上视图(图2a)中的第二周缘P2。此外,电流保护元件30经封胶层28封装后,过电流保护元件30仅第一绝缘层21的下表面S1的中央部分、第一电极26a、第二电极26b及第二绝缘层25的上表面S3的中央部分裸露于外界环境。从图2b来看,封胶层28的剖面大致上呈现两个ㄇ字型形状,开口分别向右及向左。通过此种设计,胶体得以延伸至上表面S3及下表面S1,等于是从上方及下方钳住电阻元件,这可以进一步提升过电流保护元件30的结构强度(例如:元件不易在高温环境及反复触发保护运行下产生变形)并使封胶层28稳固于电阻元件上。若封胶层28仅覆盖在第一侧壁S2及第二侧壁S4而未延伸至下表面S1及上表面S3时,封胶层28的底面及顶面会大致上与下表面S1及上表面S3齐平而无钳住的结构,不仅元件容易变形,而且封胶层28容易自与第一侧壁S2或第二侧壁S4的交界面剥离。又,若封胶层28未自第一侧壁S2或第二侧壁S4弯曲地延伸至下表面S1及上表面S3时,封胶层28与第一侧壁S2或第二侧壁S4的交界面大致上为笔直地朝向外界环境。在这种情况下,水气、粉尘、有机溶剂或其他环境因子容易从封胶层28与第一侧壁S2或第二侧壁S4的交界处渗入,影响电阻特性。相反地,封胶层28从第一侧壁S2或第二侧壁S4至下表面S1或上表面S3并非笔直地延伸,即封胶层28顺着第一绝缘层21或第二绝缘层25转角处形成近乎直角的结构,使得环境因子更难以顺着交界面渗入,可避免过电流保护元件的电阻随时间变化而升高的问题。为此目的,在一些实施例中,封胶层28于下表面S1及第一侧壁S2的位置呈现近乎直角的结构,或/及封胶层28于上表面S3及第二侧壁S4的位置呈现近乎直角的结构。也就是说,以剖视图的角度来看,封胶层28可于元件左右两侧呈现两个L型,或呈现两个ㄇ字型,两者均可避免电流保护元件的电阻随时间变化而升高的问题。另外,因应设计需求,封胶层28顺着第一绝缘层21或第二绝缘层25转角处亦可设计为弧状或增设多于一个的转角处(如图3c及图3d,下文会再详述),只要非呈现笔直延伸即可。
需特别说明的是,在图2a及图2c中,因方便说明及讨论而将封胶层28予以透明化方式描述,从而显示位于封胶层28下方的第二绝缘层25及第一绝缘层21的边缘(如第一绝缘层21的长边21a及短边21b)。应理解到,封胶层28为具一定厚度的层体覆盖于第二绝缘层25及第一绝缘层21上,使得上视图及下视图均仅能看到第二绝缘层25及第一绝缘层21的中央部分,其中所谓的中央部分是位于封胶层28覆盖绝缘层25、21的区域内。实际应用上,封胶层28的材料可为透明或不透明。在一实施例中,封胶层28的材料可为环氧树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、酚醛树脂、玻璃纤维或无机填料改性环氧树脂、玻璃纤维或无机填料改性酚醛树脂、聚胺树脂、聚氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、二亚苯基醚树脂、硅高分子、亚克力树脂、光敏树脂、无机胶或其组合。在另一实施例中,前述所提的环氧树脂可为双酚A环氧树脂或双酚F环氧树脂。
请参照图3a,为图2b的局部放大图。图3a清楚地显示第一绝缘层21的下表面S1及第一侧壁S2,而封胶层28为具有厚度T的层体。详细而言,封胶层28从电阻元件的周边延伸至第一侧壁S2,并于转角处弯曲后,覆盖且接触部分的下表面S1而未与第一电极26a接触。封胶层28的厚度T不宜过薄或过厚。在一实施例中,封胶层28的厚度T为介于0.04mm至0.08mm之间。当封胶层28的厚度T设定为低于0.04mm时,封胶层28会过薄而产生破损或导致元件的结构强度不足;或者,因其固化前具流动性的关系,过薄会使得一些预定覆盖之处造成破洞并裸露下方层体。当封胶层28的厚度T高于0.08mm时,则会导致胶体的流动性难以控制,较易流动至外接电极26且接触外接电极26,甚至可能覆盖外接电极26,以致影响元件的可焊接性。
请继续参照图3b,为图2c的局部放大图。第一绝缘层21的下表面S1的边缘具有长边21a及短边21b,且第一电极26a与短边21b相距第一距离D1,及第一电极26a与长边21a相距第二距离D2。本实用新型通过将外接电极26设置较为远离第一绝缘层21的边缘(包括长边21a及短边21b),得以在第一绝缘层21的下表面S1预留足够的空间供封胶层28覆盖,且封胶层28不会接触外接电极26,或至多仅接触外接电极26的侧面。
根据本实用新型,第一电极26a与第一绝缘层21的下表面S1的边缘相距2mil(密耳)至9mil。也就是说,第一距离D1及第二距离D2的数值范围设定于2mil至9mil之间,并于后续试验中意外地发现可有效降低阻值变化率同时维持良好的焊接性。第一距离D1及第二距离D2的数值范围过小或过大都会产生问题。举例来说,当第一距离D1或第二距离D2低于2mil时,封胶层28进行涂覆时易沾到外接电极26,影响元件的焊接面积及可焊接性。并且,当第一距离D1或第二距离D2低于2mil时,也会使得封胶层28无法于第一绝缘层21的下表面S1覆盖一定面积,除了有前述易受环境因子于界面渗入的情况,也较易受环境温度的影响。当第一距离D1高于9mil时,外接电极26为维持一定的焊接区域宽度W以焊接至电路板,会相对使得第一电极26a与第二电极26b彼此靠近,造成距离D3变得更短(参见图2b),导致电弧效应产生的几率随之提升。另外,本实用新型的发明人经研究试验得知,距离D3至少要大于正温度系数材料23的厚度,才足以防止电弧效应的产生,其中距离D3可例如为0.23mm。按上述说明,在一实施例中,第一距离D1或第二距离D2可例如为2.41mil至6.35mil、3.31mil至8.25mil、2.88mil至5.40mil,或3.87mil至6.41mil。在另一实施例中,第一距离D1或第二距离D2可例如为3.26mil至5.45mil、5.58mil至7.30mil、3.15mil至4.40mil,或4.32mil至6.10mil。若为更加确保封装结构的胶体的连续性且提升元件的结构强度,可进一步增加第一距离D1或第二距离D2,例如第一距离D1或第二距离D2可以为5.45mil至6.35mil、7.30mil至8.25mil、4.40mil至5.40mil,或6.10mil至6.41mil。
另外,除了以长度来调整第一距离D1及/或第二距离D2,亦能以相对比例来调整第一距离D1及/或第二距离D2。根据本实用新型,若以长边21a的长度为100%计,第一距离D1占长边21a的长度的百分比可以为5%至16%。若以短边21b的长度为100%计,第二距离D2占短边21b的长度的百分比可以为9%至27%。也就是说,第一距离D1的长度除以长边21a的长度为5%至16%,而第二距离D2的长度除以短边21b的长度为9%至27%。更具体而言,本实施方式可应用于各种尺寸(或形状因数)的过电流保护元件,例如尺寸(形状因数)为0402、0603、0805、1206或其他尺寸(形状因数)的SMD过电流保护元件。举例来说,当过电流保护元件30尺寸为0402时,其长边21a介于40mil与50mil间,而短边21b介于20mil与30mil间;并且,过电流保护元件30具有第一距离D1为5.74%至15.12%,以及第二距离D2为10.48%至27.61%。当过电流保护元件30尺寸为0603时,其长边21a介于60mil与70mil间,而短边21b介于30mil与40mil间;并且,过电流保护元件30具有第一距离D1为4.94%至12.31%,以及第二距离D2为9.46%至23.57%。当过电流保护元件30尺寸为0805时,其长边21a介于80mil与90mil间,而短边21b介于50mil与60mil间;并且,过电流保护元件30具有第一距离D1为3.56%至6.67%,以及第二距离D2为5.43%至10.19%。当过电流保护元件30尺寸为1206时,其长边21a介于120mil与130mil间,而短边21b介于60mil与70mil间;并且,过电流保护元件30具有第一距离D1为3.00%至4.97%,以及第二距离D2为5.95%至9.86%。
请继续参照图3a并搭配图3b。第一电极26a具有宽度W沿长边21a延伸、长度L沿短边21b延伸以及高度H朝远离第一绝缘层21的方向延伸。在上述实施例中,封胶层28不会接触第一电极26a。然而,在本实用新型其他实施例中,即使封胶层28可能会与部分第一电极26a直接接触,通过将第一电极26a调整高度为至少50μm以上且等于或低于120μm,借此增加第一电极26a的高度,这可使得封胶层28仅接触第一电极26a的侧面,而封胶层28不会接触第一电极26a的底表面,不致对元件的可焊接性有任何负面影响。在此情况下,为了使元件30焊接至电路板时具有良好的可焊接性,宽度W为0.1mm至0.5mm,而高度L为12μm至120μm。第二电极26b可具有前述所有与第一电极2b相同的设计,而在本实用新型范围所揭示的各种数值可与第一电极2b相同或不相同。
请进一步参照图3c及图3d,为图2b其局部放大的变化图。图3c、3d与图3a的差异在封胶层28于第一绝缘层21转角处的结构。如图3c所示,封胶层28于第一绝缘层21转角处呈现弧状的剖面形状。换句话说,封胶层28采一定的弧度从第一侧壁S2延伸至下表面S1,而非采直角、锐角或钝角的方式延伸。当结构呈现如图3a近乎直角的设计时,经碰撞易因应力集中而造成裂开的情形。因此,采取具有一定弧度的设计,除了有效避免前述所提的环境因子的影响,还可进一步保护元件结构的完整性。至于图3d,在某些情况下亦可视工艺需求于第一绝缘层21的转角处进行多个转角的设计。换句话说,只要封胶层28与第一绝缘层21的第一侧壁S2的交界面非笔直延伸向外,皆在本实用新型所涵盖的范围内。
为更加了解本实用新型在封胶结构上的改良,以下就过电流保护元件的后半段制造过程进行简单说明。图4a显示现有的过电流保护元件的后半段制造过程40,而图4b则显示本实用新型的过电流保护元件的后半段制造过程50。
参照图4a,其为现有过电流保护元件的制造过程中的元件的上视图,主要说明在第一绝缘层11上经由步骤31、步骤32及步骤33形成外接电极16的过程。首先,第一导电层12、正温度系数材料层13、第二导电层14及第二绝缘层15已依序堆叠于第一绝缘层11下方。在步骤31中,是将金属片堆叠于第一绝缘层11及第二绝缘层15(参见图1a)上,再进行热压合来形成板材,该板材具有用以形成外接电极16的电极层16'。在步骤32中,在电极层16'上进行蚀刻、钻孔及电镀,或其他电导通的方式,来形成外接电极16,使得外接电极16与下方的第一导电层12电性连接。最后于步骤33中,利用刀具或激光切割或其他已知的切割技术,依虚线所示的裁切线DL,将叠层后的板材切成数个过电流保护元件10(参见图1a)(图中为方便说明仅例示四个)。需特别注意的是,在图4a的现有过电流保护元件的制造过程中,一个过电流保护元件中的外接电极16与另个相邻的过电流保护元件的的外接电极16之间仅蚀刻出一宽度,使得该蚀刻宽度大致上等于裁切工具(如刀具)的宽度。该宽度仅是为了供后续裁切步骤所需,而没有预留比裁切工具高出甚多的宽度。
参照图4b,其为本实用新型过电流保护元件的制造过程中的元件的上视图,其中第一绝缘层21、电极层26'及外接电极26亦经由如同前述步骤31、步骤32及步骤33的工艺进行,于此不再多做赞述。而相较于图4a,图4b的本实用新型元件制造过程中的蚀刻则是刻意将外接电极向内缩,造成留有前述所提的第一距离D1及第二距离D2。随后再将裁切后的数个过电流保护元件涂覆封胶层28。也就是,图4b的本实用新型元件制造过程中的蚀刻宽度大于图4a的现有过电流保护元件的制造过程中的蚀刻宽度,从而本实用新型元件在后续形成封胶层28时,封胶层28不会接触第一电极26a。或者,纵然封胶层28接触了第一电极26a,第一电极26a具有相对增加的高度,使得封胶层28不会接触第一电极26a的底表面,封胶层28仅接触第一电极26a的侧面。因此,根据本实用新型的元件封装工艺,形成封胶层28不会对元件的可焊接性有任何负面影响,且能使封胶层28于第一绝缘层21上覆盖更多面积,以阻隔环境因子的影响。
为验证本实用新型产生的技术效果,下文特举出相关实施例并汇整于表一及表二中。
表一
如表一所示,组别C1至C4为比较例C1至C4,而组别E1至E20则为实施例E1至E20。本试验选取四种不同型号的过电流保护元件进行验证,观察在留有不同的打胶(即涂覆封胶层28)距离之下,打胶后的过电流保护元件的阻值变化率及打件通过率。换句话说,比较例C1至C4,及实施例E1至E20皆有进行打胶,并测试其阻值变化率及打件通过率。详细说明如下。
于本试验中,以元件的上视图的长边和短边的尺寸而言,0402的尺寸平均约42mil×23mil;0603的尺寸平均约67mil×35mil;0805的尺寸平均约81mil×53mil;1206的尺寸平均约129mil×65mil。
电极边距,指第一电极26a或第二电极26b至第一绝缘层21边缘的距离。以实施例E1来说,电极边距为2.41mil指第一电极26a的第一距离D1及第二距离D2皆为2.41mil,而第二电极26b距离长边21a及短边21b亦同样为2.41mil,其他组别以此类推。需另外说明的是,如图4a及图4b中的步骤33所示,裁切时有可能造成误差,故实际量产时并非所有的外接电极26皆与第一绝缘层21的边缘有相同的距离。举例来说,第一电极26a与第一绝缘层21的边缘相距第一距离D1及第二距离D2,其中第一距离D1可与第二距离D2相同或不相同,而在第二电极26b也是同样的情形。但为获得准确的试验结果,表一中的每个组别皆挑选电极边距相同(即外接电极26的第一距离D1等于第二距离D2)的过电流保护元件进行测试,且每个组别为取十个样本进行测量。此外,电极边距占长边比为电极边距除以长边21a并换算为百分比,电极边距占短边比则为电极边距除以短边21b并换算为百分比。
阻值变化率,用于分析经打胶后的过电流保护元件于高温高湿下的电阻值变化情形。具体来说,先将待侧样品于室温下进行测量获得第一个电阻值。其次,再将同一待测样品置于85℃且相对湿度为85%的空间中持续336小时,借此模拟高温高湿的环境。随后,将经处理的待测样品取出后于室温中静置1小时,再对其进行测量以获得第二个电阻值。第二个电阻值与第一个电阻值的差值除以第一个电阻值,换算为百分比即为阻值变化率。
打件通过率,用于分析经打胶后的过电流保护元件的外接电极在电路板的焊垫上经由焊接后的焊接良率。具体来说,打件通过的标准可为以下几点。第一,外接电极进行焊接时,其可对准焊垫而不会有平行移位(从俯视的角度观之)的情形。第二,外接电极进行焊接时,其可对准焊垫且不会有旋转偏移量(从俯视的角度观之)过大的情形。第三,经焊接后,整体过电流保护元件稳固而未有松动或不牢靠的现象。第四,若过电流保护元件侧边留有爬锡用的导通缺口(例如下文描述的图6a-6c的右导通件27a及左导通件27b),爬锡高度要达至少四分之一。
继续参照表一可知,比较例C1至比较例C4分别以型号(或形状因数)为0402、0603、0805及1206的过电流保护元件进行试验,且这四个比较例的元件皆未刻意预留打胶的距离,其电极边距仅是裁切误差所致。至于实施例E1至实施例20,同样以型号(或形状因数)为0402、0603、0805及1206的过电流保护元件进行试验,且于各种型号(或形状因数)各挑选五种不同电极边距的元件进行打胶及验证。
将比较例C1至比较例C4的过电流保护元件进行打胶并经高温高湿处理之后,可发现其阻值变化率超过20%的过电流保护元件占了33%至41%,意即每100个过电流保护元件中有33个至41个过电流保护元件的阻值变化率超过20%。另外就焊接而言,打件通过率约在88%至92%间。
将实施例E1至实施例E20的过电流保护元件进行打胶并经高温高湿处理之后,可发现其阻值变化率超过20%的过电流保护元件仅占10%至18%。另外就焊接而言,打件通过率仍可维持在九成以上,约92%至99%间。更详细地说,就实施例E1至实施例E5来看,当型号0402的电极边距设定为2.41mil至6.35mil时,阻值变化率超过20%的百分比为16%至18%,且打件通过率维持在94%至99%。就实施例E6至实施例E10来看,当型号0603的电极边距设定为3.31mil至8.25mil时,阻值变化率超过20%的百分比为10%至12%,且打件通过率维持在92%至99%。就实施例E11至实施例E15来看,当型号0805的电极边距设定为2.88mil至5.40mil时,阻值变化率超过20%的百分比为10%至14%,且打件通过率维持在92%至99%。就实施例E16至实施例E20来看,当型号1206的电极边距设定为3.87mil至6.41mil时,阻值变化率超过20%的百分比为13%至14%,且打件通过率维持在94%至99%。
就阻值变化率进行探讨,其原因在于,封胶层28除了覆盖至第一绝缘层21的转角处外,更进一步爬行至第一绝缘层21的下表面S1。此种结构使得环境因子更不易从第一绝缘层21及封胶层28的交界之处渗入过电流保护元件30的内部。另就打件通过率来看,可发现同样有打胶的情形下,实施例E1至实施例E20普遍皆略高于比较例C1至C4,其因在于比较例C1至C4电极边距过低,故比较例C1至C4打胶时封胶层28不仅容易沾到电极且会溢出外接电极26的边缘。当溢出外接电极26边缘的封胶层28固化后,会造成外接电极26的底面不平整,焊接时容易偏移。相反地,若先预留一定距离用于打胶,封胶层28可较为平整地爬行于下表面S1上,使得结构上较为对称且整齐。综上所述,考量误差的影响,只要将电极边距设定为约2mil至约9mil之间并进行打胶,将可维持良好的打件通过率同时降低阻值变化率。
此外,将封胶层28涂覆到下表面S1或上表面S2亦有益于品质上的控管。传统上,为讲求量产的效率,工艺中主要仅对元件的上表面或下表面(如图2a的上视图及图2c的下视图)以感光元件(如CCD)快速照相并检查缺陷。故封胶层28仅涂覆至第一侧壁S2或第二侧壁S4时,感光元件无法检查其封胶层28是否有缺陷。若将封胶层28进一步涂覆至下表面S1或上表面S2,可使得封胶层28于第一绝缘层21或第二绝缘层26覆盖足够的空间予以检查缺陷。并且,封胶层28若于第一绝缘层21或第二绝缘层26产生缺陷(如涂覆不均产生破洞),通常在过电流保护元件30的第一侧壁S2或第二侧壁S4产生缺陷的几率也较高。据此,本实用新型的结构设计亦有益于品质上的控管。
接着,请参照表二,为更进一步验证本实用新型在结构上所做的改良,故将电极边距不对称的过电流保护元件进行打胶并同样检验其阻值变化率及打件通过率。
表二
表二中关于型号(或形状因数)、阻值变化率及打件通过率的定义与表一相同,在此不多做赞述,差别在于电极边距的设定。左边距、右边距、上边距及下边距分别指外接电极26与第一绝缘层21的左侧边缘、右侧边缘、上侧边缘及下侧边缘的距离。更具体而言,以图2c为例,左边距指第二电极26b与左方短边21b的距离;右边距指第一电极26a与右方短边21b的距离;上边距指第一电极26a及第二电极26b与上方长边21a的距离;而下边距指第一电极26a及第二电极26b与下方长边21a的距离。表一中将外接电极26与第一绝缘层21的边缘四周的距离设定为相同,但在表二中则反之。在各个型号(或形状因数)中,分别验证三种不同的电极边距情形。例如,在实施例E21、实施例E24、实施例E27及实施例E30中,左边距约等于右边距,但上边距不等于下边距;在实施例E22、实施例E25、实施例E28及实施例E31中,左边距不等于右边距,但上边距约等于下边距;在实施例E23、实施例E26、实施例E29及实施例E32中,左边距不等于右边距,而上边距亦不等于下边距。
由表二可观察到,尽管第一电极26a及第二电极26b结构上设定为不对称,只要将电极边距设定在本实用新型所述的2mil至9mil间,即可维持良好的打件通过率同时降低阻值变化率。也就是说,在实施例E21至实施例E32,阻值变化率超过20%的过电流保护元件其百分比占约10%至17%,而打件通过率维持在96%至99%。促成其具有较佳特性的理由与表一同,在此不多做赞述。
请接着参照图5a至图5c,为本实用新型的过电流保护元件的立体示意图。在图5a至图5c中,第一绝缘层21、第一导电层22、正温度系数材料层23、第二导电层24、第二绝缘层25、第一电极26a、第二电极26b、封胶层28皆已于前述所讨论过,在此不另做说明。请先参照图5a,图5a中的上图示意过电流保护元件60的第二绝缘层25朝上时的立体图,而图5a中的下图方则示意外接电极26朝上时的立体图。过电流保护元件60的第一电极26a及第二电极26b与第一绝缘层21的边缘有明显的距离,且尚未涂覆封胶层28。其次参照图5b,过电流保护元件70与过电流保护元件60的结构实质上相同,差别在于过电流保护元件70外围以封胶层28进行包覆。由图5b中的上图可知,封胶层在第二绝缘层25上仅沿其周围的上表面进行覆盖,而露出第二绝缘层25的中央区域。在图5b中的下图中,封胶层28同样覆盖于第一绝缘层21的下表面的周围上并露出中央区域,且不与第一电极26a及第二电极26b接触。最后为图5c,过电流保护元件80与过电流保护元件70的结构实质上相同,差别在于第一电极26a及第二电极26b与第一绝缘层21其中两边的距离变长,且第一电极26a及第二电极26b的高度增加。外接电极26与第一绝缘层21的边缘距离拉长时,为避免第一电极26a及第二电极26b之间距离过近,故可视需求将其宽度降低而高度增加。又或者是,增高的第一电极26a及第二电极26b可使焊接区域面积变大,若封胶层28意外接触到第一电极26a或第二电极26b的侧面时,第一电极26a及第二电极26b仍有足够的焊接面积。
最后请参照图6a至图6e,为本实用新型的第二实施方式。此实施方式用于说明本实用新型亦可应用于具有两侧爬锡缺口的SMD过电流保护元件。其中,图6a为过电流保护元件90的上视图或下视图(在此实施方式中,因元件的上表面和下表面相同,所以上视图和下视图相同),图6b为图6a沿BB虚线的剖视图,而图6c则是沿CC虚线的剖视图。
在图6b中,过电流保护元件90包含电阻元件、外接电极26及封胶层28。电阻元件具有由下而上堆叠的第一绝缘层21、第一导电层22、正温度系数材料层23、第二导电层24及第二绝缘层25,且具有左缺口及右缺口位于电阻元件左端部及右端部。第一绝缘层21具有下表面S1及第一侧壁S2,其中第一侧壁S2连接下表面S1。第二绝缘层25具有相对于下表面S1的上表面S3,及连接上表面S3的第二侧壁S4。左缺口位于电阻元件的左端部,由左端部的下表面S1延伸至上表面S3。右缺口位于电阻元件的右端部,亦由右端部的下表面S1延伸至上表面S3。就外观而言,电阻元件大致上为六面体结构,包含上下表面及四个侧面(左右缺口所处的侧面及前后侧面)。电阻元件的上表面即为第二绝缘层25的上表面S3,而电阻元件的下表面则为第一绝缘层21的下表面S1。此外,经堆叠后,夹于第一绝缘层21与第二绝缘层25之间的第一导电层22、正温度系数材料层23以及第二导电层24仅有四个侧边裸露于外界环境。此四个侧边所形成的侧面即与第一绝缘层21的第一侧壁S2及第二绝缘层25的第二侧壁S4共同形成电阻元件的四个侧面。第一绝缘层21、正温度系数材料层23、第二绝缘层25及封胶层28的组成可与前述图2a至图2c所讨论的过电流保护元件30相同,在此不多做赞述。
外接电极26具有第一电极26a及第二电极26b。第一电极26a设置于右端部的上表面S3及下表面S1且第一电极26a的上表面完全接触下表面S1,第一电极26a电性连接第二导电层24。第二电极26b设置于左端部的上表面S3及下表面S1且第二电极26b的下表面完全接触上表面S3,第二电极26b电性连接第一导电层22。据此,第一电极26a与第二电极26b设置于两端且彼此电气隔离。另参照图6a及图6c,过电流保护元件90还包含右导通件27a及左导通件27b。右导通件27a设置于右缺口,而左导通件27b设置于左缺口。第一电极26a通过右导通件27a连接第二导电层24并与第一导电层22电性隔离,而第二电极26b通过左导通件27b连接第一导电层22并与第二导电层24电性隔离。
参见图6a和图6b,封胶层28覆盖第一绝缘层21的第一侧壁S2且延伸至部分下表面S1,使得封胶层28于第一绝缘层21的下表面S1形成不连续的周缘,意即第一周缘段P3加上第二周缘段P4(如图6a所示)。并且,第一电极26a及第二电极26b位于周缘所围起的区域内。封胶层28亦可覆盖第二侧壁S4且延伸至部分上表面S3,使得封胶层28于第二绝缘层25的上表面S3形成不连续的周缘,亦即第一周缘段P3加上第二周缘段P4。并且,第一电极26a及第二电极26b位于周缘所围起的区域内,借此电阻元件仅上表面S3的中央部分及下表面S1的中央部分裸露于外界环境。须说明的是,此实施方式的过电流保护元件为对称结构,故其上视图及下视图皆如同图6a。
请回头参照图6a,第一绝缘层21的下表面S1具有二条长边21a、21a'及二条短边21b、21b',其中上侧的短边21b、21b'连接长边21a且下侧的短边21b、221b'连接长边21a',而周缘段P3沿着长边21a延伸至上侧的二条短边21b、21b'且周缘段P4沿着长边21a'延伸至下侧的二条短边21b、21b'。由于封胶层28在下表面S1上的二条短边21b、21b'不连续地延伸而连接左导通件27b及右导通件27a,使得位于下表面S1的左导通件27b及右导通件27a未被封胶层28完全覆盖。更详细而言,第一绝缘层21的下表面S1具有上下两侧的长边21a及长边21a',及左右两侧的短边21b及短边21b'。因左端部具有左缺口,故短边21b实质上非为直线,在接近中段的部分具有弧度。右端部具有左缺口,故短边21b'实质上亦非为直线,并于接近中段的部分具有弧度。在一实施例中,从图6a观之,缺口可具有半圆形或椭圆形的形状。当封胶层28涂覆于过电流保护元件90时,会因为缺口的缘故而在左端部及右端部呈现不连续的胶层。换句话说,在左端部之处,封胶层28沿短边21b直线延伸覆盖于第一绝缘层21的部分下表面S1及部分的左导通件27b。并且,因缺口之故,前述沿短边21b的直线延伸为非连续的直线延伸。而在右端部之处,封胶层28则沿短边21b'直线延伸覆盖于第一绝缘层21的部分下表面S1及部分的左导通件27b。同样因缺口之故,前述沿短边21b'的直线延伸亦为非连续的直线延伸。
请参照图6d及图6e,分别为图6b及图6a的局部放大图。过电流保护元件90亦具有特定的外接电极26的宽度W、高度H及长度L。而在位置上,第一电极26a(或第二电极26b,未示出)与第一绝缘层21(或第二绝缘层25,未示出)亦分别与短边21b、21b'及与长边21a、21a'相距第一距离D1及第二距离D2。宽度W、高度H、长度L、第一距离D1及第二距离D2可如前述所讨论,在此不多做赞述。
尽管本实用新型技术内容以上述第一和第二实施方式的过电流保护元件来例示说明,而本实用新型不限于此,只要SMD过电流保护元件在形成封胶层后可有效阻隔外界环境以降低阻值变化率,同时维持良好的元件可焊接性,这样的SMD电流保护元件均为本实用新型所涵盖。例如,本实用新型申请人于2005年12月27日申请的专利证书号TWI282696中揭示的各种SMD过电流保护元件,该些SMD电流保护元件均为本实用新型所涵盖,该专利在此亦并入本文作为参考。
由以上可知,本实用新型通过增加外接电极26距离过电流保护元件边缘的距离,使得外接电极26焊接区域所处的表面可涂覆封胶层28,且封胶层28未触及外接电极26,或仅接触外接电极26的侧面。相较于现有的侧面封装而言,增加上述距离可避免封胶层28溢胶而覆盖于外接电极上的问题。并且,增加上述距离亦有利于增加工艺容忍度,些许过量的封胶层不致对元件的可焊接性造成问题,提高元件产品良率。而在采用本实用新型的结构设计并增加绝缘层上封胶面积的同时,更发现阻值变化率有显著的降低。
本实用新型的技术内容及技术特点已揭示如上,然而本领域技术人员仍可能基于本实用新型的启示及揭示而作种种不背离本实用新型构思的替换及修饰。因此,本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示者,而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰,并为以下的权利要求所涵盖。
Claims (19)
1.一种过电流保护元件,其特征在于,包含:
一电阻元件,具有由下而上堆叠的一第一绝缘层、一第一导电层、一正温度系数材料层、一第二导电层及一第二绝缘层,其中该第一绝缘层具有一下表面及一第一侧壁与该下表面连接,且该下表面穿设一第一导孔及一第二导孔;
一外接电极,具有一第一电极及一第二电极,该第一电极及该第二电极置于该下表面,分别通过该第一导孔及该第二导孔电性连接该第一导电层,其中该第一电极与该第二电极电气隔离;以及
一封胶层,覆盖该第一绝缘层的该第一侧壁且延伸至部分该下表面,使得该封胶层于该第一绝缘层的该下表面呈现一第一周缘,而该第一电极及该第二电极位于该第一周缘内。
2.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其特征在于,经堆叠后该第一导电层、该正温度系数材料层以及该第二导电层的裸露部分共同形成一侧面,且该封胶层覆盖于该侧面上。
3.根据权利要求2所述的过电流保护元件,其特征在于,该第二绝缘层具有相对于该下表面的一上表面以及连接该上表面的一第二侧壁,且该封胶层进一步覆盖该第二侧壁且延伸至部分该上表面,使得该封胶层于该第二绝缘层的该上表面呈现一第二周缘,借此该电阻元件仅该上表面的中央部分及该下表面的中央部分裸露于外界环境。
4.根据权利要求3所述的过电流保护元件,其特征在于,该封胶层覆盖该第一绝缘层的部分下表面且未与该第一电极及该第二电极接触。
5.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一电极与该第一绝缘层的该下表面的一边缘相距2mil至9mil。
6.根据权利要求5所述的过电流保护元件,其特征在于,该封胶层具有一厚度为0.04mm至0.08mm。
7.根据权利要求6所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一绝缘层的该下表面具有一长边及一短边,且该第一电极与该短边相距一第一距离,及该第一电极与该长边相距一第二距离,其中:
以该长边的长度为100%计,该第一距离为5%至16%;以及
以该短边的长度为100%计,该第二距离为9%至27%。
8.根据权利要求7所述的过电流保护元件,其特征在于,该长边介于40mil至50mil,以及该短边介于20mil至30mil,且:
以该长边的长度为100%计,该第一距离为5.74%至15.12%;以及
以该短边的长度为100%计,该第二距离为10.48%至27.61%。
9.根据权利要求7所述的过电流保护元件,其特征在于,该长边介于60mil至70mil,以及该短边介于30mil至40mil,且:
以该长边的长度为100%计,该第一距离为4.94%至12.31%;以及
以该短边的长度为100%计,该第二距离为9.46%至23.57%。
10.根据权利要求7所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一电极具有一宽度沿该长边延伸,以及一高度朝远离该第一绝缘层的方向延伸,其中该宽度为0.1mm至0.5mm,而该高度为12μm至120μm。
11.根据权利要求10所述的过电流保护元件,其特征在于,该封胶层覆盖该第一绝缘层的部分下表面且接触该第一电极的侧面,且该第一电极具有一高度为50μm至120μm。
12.根据权利要求11所述的过电流保护元件,其特征在于,该第二电极与该第一绝缘层的该下表面的一边缘相距2mil至9mil。
13.根据权利要求12所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一电极与该第二电极沿该长边相距一第三距离,该第三距离大于0.23mm。
14.一种过电流保护元件,其特征在于,包含:
一电阻元件,具有由下而上堆叠的一第一绝缘层、一第一导电层、一正温度系数材料层、一第二导电层及一第二绝缘层,且具有一左缺口及一右缺口位于该电阻元件相对的一左端部及一右端部,其中:
该第一绝缘层具有一下表面及连接该下表面的一第一侧壁;
该第二绝缘层具有一上表面及连接该上表面的一第二侧壁;
该左缺口位于该电阻元件的一左端部,由该下表面延伸至该上表面;以及
该右缺口位于该电阻元件的一右端部,由该下表面延伸至该上表面;
一外接电极,具有一第一电极及一第二电极,该第一电极设置于该右端部的该上表面及该下表面且电性连接该第二导电层,及该第二电极设置于该左端部的该上表面及该下表面且电性连接该第一导电层,该第一电极与该第二电极彼此电气隔离;以及
一封胶层,覆盖该第一绝缘层的该第一侧壁且延伸至部分该下表面,使得该封胶层于该第一绝缘层的该下表面形成不连续的一周缘,且该第一电极及该第二电极位于该周缘所围起的区域内。
15.根据权利要求14所述的过电流保护元件,其特征在于,经堆叠后该第一导电层、该正温度系数材料层以及该第二导电层的裸露部分共同形成一侧面,且该封胶层覆盖于该侧面上。
16.根据权利要求15所述的过电流保护元件,其特征在于,该封胶层进一步覆盖该第二侧壁且延伸至部分该上表面,使得该封胶层于该第二绝缘层的该上表面形成不连续的一周缘,且该第一电极及该第二电极位于该周缘所围起的区域内,借此该电阻元件仅部分的该上表面及部分的该下表面裸露于外界环境。
17.根据权利要求14所述的过电流保护元件,其特征在于,还包含一左导通件设置于该左缺口,及一右导通件设置于该右缺口,其中该第一电极通过该右导通件连接该第二导电层并与该第一导电层电性隔离,而该第二电极通过该左导通件连接该第一导电层并与该第二导电层电性隔离。
18.根据权利要求17所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一绝缘层的该下表面具有二条长边及二条短边连接该二条长边,而该周缘沿着该二条长边延伸至该二条短边,且分别于该二条短边不连续地延伸并连接该左导通件及该右导通件,使得位于该下表面的该左导通件及该右导通件未被封胶层完全覆盖。
19.根据权利要求14所述的过电流保护元件,其特征在于,该第一电极与该第一绝缘层的该下表面的一边缘相距2mil至9mil。
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