CN218568839U - 光发射器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种发光器件，包括：基板，具有表面，且在该表面上形成有导电线路；光阻隔围墙结构，压制于基板的四周于其表面形成封闭空间；光发射芯片，于光阻隔围墙结构内设置于基板的表面上，通过导电线路与该基板电性连接；及透光封胶结构，于光阻隔围墙结构内压制于光发射芯片及基板表面，光阻隔围墙结构的高度不低于透光封胶结构的高度。有效解决现有发光器件可能存在的侧面漏光、器件出射光角度过大等技术问题。

Description

光发射器件

技术领域

本实用新型涉及光器件技术领域，尤其是一种光发射器件。

背景技术

随着光电技术的发展，利用光学原理实现生理参数测量的产品得以发展，应用领域也逐步拓展，例如，在穿戴设备中配置光学感应模块，获取佩戴者的相应参数，对佩戴者进行实时监测。但是在该光学感应模块中，一般将内部的发射器和接收器水平排布，在发射器发射出去的光信号经由皮肤反射被接收器接收的过程中，由于发射器可能存在的侧面漏光、器件出射光角度过大等原因，接收器在接收反射光的同时可能同时接收来自发射器侧面出射的光信号，从而影响后端数据的分析结果。

实用新型内容

为了克服以上不足，本实用新型提供了一种发光器件，有效解决现有发光器件可能存在的侧面漏光、器件出射光角度过大等技术问题。

本实用新型提供的技术方案为：

一方面，本实用新型提供了一种发光器件，包括：

基板，具有表面，且在该表面上形成有导电线路；

光阻隔围墙结构，压制于所述基板的四周于其表面形成封闭空间；

光发射芯片，于所述光阻隔围墙结构内设置于所述基板的表面上，通过导电线路与该基板电性连接；及

透光封胶结构，于所述光阻隔围墙结构内压制于所述光发射芯片及基板表面，所述光阻隔围墙结构的高度不低于所述透光封胶结构的高度。

本实用新型提供的发光器件及其制备方法，在光发射芯片表面压制的透光封胶结构，并通过对该透光封胶结构进行光学设计控制光发射芯片的出光角度，避免出射光线角度过大；同时在基板四周围设光阻隔围墙结构，避免发光器件侧面漏光。在该发光器件中，结合于光发射芯片表面压制的透光封胶结构和围于基板四周的光阻隔围墙结构，同时解决发光器件侧面漏光与出射光线角度过大问题，实际应用中，发光器件的出射光线角度最小可到20°。

附图说明

图1为一实例中发光器件俯视图；

图2为如图1所示实例中发光器件俯视图A-A处剖面侧视图；

图3为围墙结构模具俯视图；

图4为如图3所示围墙结构模具俯视图B-B处剖面侧视图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。

本实用新型提供的发光器件，包括：基板，具有表面，且在该表面上形成有导电线路；光阻隔围墙结构，压制于基板的四周于其表面形成封闭空间；光发射芯片，于光阻隔围墙结构内设置于基板的表面上，通过导电线路与该基板电性连接；及透光封胶结构，于光阻隔围墙结构内压制于光发射芯片及基板表面。

在本实施例中，基板用于支撑发光器件中的其他组件，通过其表面配置的导电线路实现与光发射芯片的电性连接。导电线路根据发光器件中的光发射芯片的数量(如1个、2个等甚至更多)设计，确保光发射芯片按照需求排布即可。基板的材料可根据实际需求进行选用，如选用双面覆铜的BT板或FR4板等。对于发光器件中需配置的光发射芯片的组合选型和数量均根据应用需求进行选定，如芯片组合方案一般为525nm/660nm/590nm/730nm/850nm/940nm其中的1种或多种波段以上任何组合，数量可配置1～8颗，即单个发光器件中最多配置8颗光发射芯片。

光阻隔围墙结构设于基板的四周，非中间位置或其他位置，以在基板表面形成封闭空间。光发射芯片在该光阻隔围墙结构内设置，且配置不低于透光封胶结构的高度，厚度在0.9～1.1mm，确保光发射芯片出射的光线不会从发光器件侧面漏出。在选材上，该光阻隔围墙结构可由黑色不透光(400～1100nm)树脂材料压制而成。

透光封胶结构于基板表面设置于光阻隔围墙结构形成的封闭空间内，且覆盖基板表面配置的光发射芯片。该透光封胶结构的设置除了保护光发射芯片之外，同时基于光学设计形成不同的光学结构，达到减小光发射芯片光线出射角度的目的。在选材上，该透光封胶结构可由无色透明的树脂材料压制而成。

由于透光封胶结构通过压膜的方式压制于基板表面，是以，当单个发光器件中包括多颗规则排列于基板表面的光发射芯片时，该透光封胶结构通过预先配置的封胶结构模具采用一体成型的方式压制于该多颗发射芯片表面。在形成的透光封胶结构中，包括芯片区域封胶体及芯片围边区域封胶体，其中，芯片区域封胶体于光发射芯片表面压制，芯片围边区域封胶体于基板表面围于芯片区域封胶体压制。在实际应用中，封胶结构模具可根据发光器件具体的发光需求进行设计，这里不做具体限定。如，为减小光发射芯片的光出射角度，实例中可将一次封胶结构模具设计为具备小角度收光的球形透镜，将发光器件的光出射角度缩小至20°。

一实例中，如图1和2所示(图1为发光器件俯视图，图2为图1A-A处剖面侧视图)，发光器件中配置有6颗红外芯片3，该6颗红外芯片3规则排列于基板2表面，通过电极线5和基板表面配置的导电线路实现与基板的电性连接；基板及红外芯片表面压制有透光封胶结构，且透光封胶结构表面为球形透镜4；基板四周围有光阻隔围墙结构1。

本实用新型还提供了一种发光器件制备方法，包括：

S10提供一表面形成有导电线路的基板，基板表面的导线线路可规则排列多颗光发射芯片。

这里的基板指代整片基板，前述单个发光器件中的基板为该整片基板中的一部分。该基板用于支撑发光器件中的其他组件，通过其表面配置的导电线路实现与光发射芯片的电性连接。导电线路根据发光器件中的光发射芯片的数量(如1个、2个等甚至更多)设计，确保光发射芯片按照需求排布即可。基板的材料可根据实际需求进行选用，如选用双面覆铜的BT板或FR4板等。光发射芯片可为525nm/660nm/590nm/730nm/850nm/940nm中任一波段的发光芯片。

S20根据导电线路将光发射芯片固于基板表面，通过导电线路与基板电性连接。这里将光发射芯片固于基板表面时，包括固晶、焊线等操作。

S30于基板表面压制透光封胶结构，透光封胶结构至少覆盖光发射芯片。

透光封胶结构于基板表面设置，覆盖基板表面配置的光发射芯片。该透光封胶结构的设置除了保护光发射芯片之外，同时基于光学设计形成不同的光学结构，达到减小光发射芯片光线出射角度的目的。在选材上，该透光封胶结构可由无色透明的树脂材料压制而成。

为实现透光封胶结构的压制，在此之前还包括根据光学设计配置相应封胶结构模具的步骤。压膜过程中，将多颗光发射芯片规则排列于基板表面之后，通过预先配置的封胶结构模具采用一体成型的方式将透光封胶体压制于基板及光发射芯片表面形成透光封胶结构。在形成的透光封胶结构中，包括芯片区域封胶体及芯片围边区域封胶体，其中，芯片区域封胶体于光发射芯片表面压制，芯片围边区域封胶体于基板表面围于芯片区域封胶体压制。一实例中，为减小光发射芯片的光出射角度，将芯片区域封胶体设计为球形透镜，以此配置封胶结构模具中包括压制中与光发射芯片位置处对应的球形区域，具体参照图2中的球形透镜4，封胶结构模具适应性的配置相应的球形区域即可。

S40基于单个发光器件中包含的光发射芯片数量，对基板表面的预设切割槽进行切割形成发光器件单元。

这里预设切割槽为预先在基板表面配置的形成于不同发光器件单元之间的切割槽。在整片基板表面压膜形成透光封胶结构之后，在该预设切割槽处进行切割开槽，将发光器件单元之间的透光封胶体去除，形成独立的发光器件单元之外，为后续压制光阻隔围墙结构预留位置。由于单个发光器件中，光阻隔围墙结构围于发光器件的四周，是以在对发光器件单元之间的透光封胶体进行切割的同时，还应对整片基板四周的透光封胶体进行切割，确保每个发光器件单元的四周预留有压制光阻隔围墙结构的位置。

S50于基板表面各发光器件单元的四周分别压制光阻隔围墙结构，形成封闭空间对每个发光器件单元内的光发射芯片进行包围。

为实现光阻隔围墙结构的压制，在此之前还包括围墙结构模具的配置步骤。基于步骤S40中切割形成的切割槽，将围墙结构模具配置为如图3和图4所示(图3为俯视图，图4为图3B-B处剖面侧视图)的中空的罩体结构，其中，中空区域6对应透光封胶结构所在区域，避免压膜过程中损伤透光封胶结构；四周区域为胶道区域7，由带薄壁的腔体结构形成。压膜过程中，光阻隔胶体通过该胶道区域7压制于发光器件单元的四周，形成光阻隔围墙结构。该围墙结构模具的配置除了能够辅助压膜之外，同时能够光阻隔胶体流入透光封胶结构区域，遮盖或破坏透光封胶结构，影响发光器件的出光。对于罩体结构胶道区域腔体结构中薄壁的厚度及选材，这里均不做具体限定，只要确保该厚度下腔体结构的硬度能够完成压膜过程即可。如一实例中，该围墙结构模具选用高硬度钢材料制备，腔体薄壁的厚度为0.2mm。

由各发光器件单元内包括的光发射芯片于光阻隔围墙结构内设置，是以，为确保光发射芯片出射的光线不会从发光器件侧面漏出，该光阻隔围墙的高度应不低于透光封胶结构的高度，厚度在0.9～1.1mm。在选材上，该光阻隔围墙结构可由黑色不透光(400～1100m)树脂材料压制而成。

S60沿预设切割槽对基板进行切割，得到单颗发光器件。

对于发光器件中需配置的光发射芯片的组合选型和数量均根据应用需求进行选定，如芯片组合方案一般为525nm/660nm/590nm/730nm/850nm/940nm，其中的1种或多种波段以上任何组合，数量可配置1～8个，即单个发光器件中最多配置8颗光发射芯片。

应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (3)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

基板，具有表面，且在该表面上形成有导电线路；

光阻隔围墙结构，压制于所述基板的四周于其表面形成封闭空间；

光发射芯片，于所述光阻隔围墙结构内设置于所述基板的表面上，通过导电线路与该基板电性连接；及

透光封胶结构，于所述光阻隔围墙结构内压制于所述光发射芯片及基板表面；所述光阻隔围墙结构的高度不低于所述透光封胶结构的高度。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括多颗光发射芯片，所述多颗光发射芯片于所述光阻隔围墙结构内规则排列于基板表面，所述透光封胶结构一体成型压制于所述多颗发射芯片表面。

3.如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述透光封胶结构包括芯片区域封胶体及芯片围边区域封胶体，其中，芯片区域封胶体为压制于光发射芯片表面的球形透镜，芯片围边区域封胶体于基板表面围于芯片区域封胶体压制。

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