CN218416186U - 一种强迫换流四桥臂可控硅pwm软启动器 - Google Patents

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谢仕宏
梁力
孟彦京
杨智浩
梁荣茂
李博涛
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Abstract

本实用新型公开了一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,属于交直交变频器技术领域。现有的交直交变频器启动器存在启动转矩较低、功率开关器件多、成本变高的问题。本实用新型提供一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,包括整流电路、滤波电路、逆变电路,整流电路和逆变电路分别与电源和负载相连,整流电路的输入端和电源三相A、B、C相连,输出端与滤波电路相连,滤波电路的输出端分别与逆变电路的输入端、电机的W相连接,逆变电路的输出端与电机的U、V两相连接,采用PWM信号控制可控硅进行强迫换流,可实现有级调压,变频调速,有效地减少了功率开关器件数量,降低了生产成本,提高了软启动器的控制性能。

Description

一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器
技术领域
本实用新型属于交直交变频器技术领域,具体涉及一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器。
背景技术
交直交变频器广泛应用于驱动三相交流异步电动机,一般传统的交直交变频器主要是由整流器和逆变器组成,整流部分为二极管三相桥式不可控整流,这样的整流器一般结构简单,性能可靠,易于维护。逆变器是由IGBT组成的三相桥式电路,广泛的应用于市场。由于电机直接启动时冲击电流较大,通常都要采用软启动器进行启动,这样也可以防止电机回馈电流对电网造成冲击。传统晶闸管调压软启动器的启动转矩较低,难以适用于大功率电机的带载启动,用传统交直交变频器启动又存在功率开关器件多,造成设备体积增大、成本变高、价格更贵等诸多缺点,导致交直交变频器用于大功率电机的软启动应用市场竞争力较弱。
发明内容
本实用新型的目的在于解决现有技术中的问题,提供一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器。
为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案予以实现:
一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,包括整流电路、滤波电路、逆变电路,所述整流电路和逆变电路分别与电源和负载相连,所述滤波电路的输入端与整流电路的输出端连接,所述滤波电路的输出端分别与逆变电路的输入端、电机的W相连接,所述逆变电路的输出端与电机的U、V两相连接。
所述整流电路为三相桥式半控整流电路,用于实现有级调压,包括可控硅T1、T2、T3和二极管D1、D2、D3,所述可控硅T1、T2、T3的阳极分别与二极管D1、D2、D3的阴极连接。
所述滤波电路包括滤波电容C1、C2和滤波电感L1、L2,所述滤波电容C1的正极与可控硅T1、T2、T3的阴极连接,所述滤波电容C1的负极与滤波电容C2的正极连接,所述滤波电路的输出端通过滤波电感L1、滤波电感L2与逆变电路连接,所述滤波电容C1和滤波电容C2的容量相同,所述滤波电容C1和滤波电容C2的中点E与电机的W相连接,所述逆变电路输出的U、W相之间的线电压和V、W相之间的线电压相位互差60°。
所述逆变电路包括主换流电路和辅助换流电路,
所述主换流电路包括可控硅T4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T7、二极管D4、二极管D5、二极管D6和二极管D7,所述可控硅T4的阴极与可控硅T7的阳极连接,所述可控硅T4的阳极与二极管D4的阴极连接,所述可控硅T7的阴极与二极管D7的阳极连接,所述可控硅T6的阴极与可控硅T5的阳极连接,所述可控硅T6的阳极与二极管D6的阴极连接,所述可控硅T5的阴极与二极管D5的阳极连接,
所述辅助换流电路包括可控硅T4A、可控硅T5A、可控硅T6A、可控硅T7A、电感L3、电感L4、电容C3和电容C4
所述可控硅T4的阳极和可控硅T4A的阳极连接,所述可控硅T7的阴极和可控硅T7A的阴极连接,所述可控硅T4A的阴极、可控硅T7A的阳极均与电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端与电感L3连接,所述电感L3的另一端连接电机U相,
所述可控硅T6的阳极和可控硅T6A的阳极连接,所述可控硅T5的阴极和可控硅T5A的阴极连接,所述可控硅T6A的阴极、可控硅T5A的阳极均与电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端与电感L4连接,所述电感L4的另一端连接电机V相,
所述可控硅T4、可控硅T4A、可控硅T7、可控硅T7A、可控硅T5、可控硅T5A、可控硅T6、可控硅T6A的门极与控制器连接,用于接收控制信号,
所述电容C3、电感L3、可控硅T4、可控硅T7、可控硅T4A、可控硅T7A用于实现电机U相换流,
所述电容C4、电感L4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T5A、可控硅T6A用于实现电机V相换流。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提供的一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,采用四开关控制,用可控硅来代替IGBT等功率器件,利用可控硅来进行强迫换流,可以实现有级调压,变频调速,有效地减少了功率开关器件的数量,减小了逆变器的体积和重量,提高了软启动器的控制性能,从而提高了变频电路的工作效率,另外,可控硅的成本比IGBT要低的多,而且控制技术上相对成熟,极大地降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型的强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器拓扑图;
图2为本实用新型的软启动器逆变电路两相相对于参考相C的输出电压波形图;
图3为本实用新型的电机达到工频50Hz时的转速波形图;
图4为本实用新型的电机稳定运行时电磁转矩波形图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述:
本实用新型实施例提供一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,参见图1,包括整流电路、滤波电路、逆变电路,所述整流电路和逆变电路分别与电源和负载相连,所述滤波电路的输入端与整流电路的输出端连接,所述滤波电路的输出端分别与逆变电路的输入端、电机的W相连接,所述逆变电路的输出端与电机的U、V两相连接。
整流电路为三相桥式半控整流电路,用于实现有级调压,包括可控硅T1、T2、T3和二极管D1、D2、D3,所述可控硅T1、T2、T3的阳极分别与二极管D1、D2、D3的阴极连接。
滤波电路包括滤波电容C1、C2和滤波电感L1、L2,所述滤波电容C1的正极与可控硅T1、T2、T3的阴极连接,所述滤波电容C1的负极与滤波电容C2的正极连接,所述滤波电路的输出端通过滤波电感L1、滤波电感L2与逆变电路连接,所述滤波电容C1和滤波电容C2的容量相同,所述滤波电容C1和滤波电容C2的中点E与电机的W相连接,所述逆变电路输出的U、W相之间的线电压和V、W相之间的线电压相位互差60°。
所述滤波电容C1和滤波电容C2的中点E与电机的W相连接,所述逆变电路输出的U、W相之间的线电压和V、W相之间的线电压相位互差60°,相对于电机而言,实际上形成了一个对称的三相波形,产生一个旋转的磁场,从而可以驱动电机转动。
所述逆变电路包括主换流电路和辅助换流电路,
所述主换流电路包括可控硅T4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T7、二极管D4、二极管D5、二极管D6和二极管D7,所述可控硅T4的阴极与可控硅T7的阳极连接,所述可控硅T4的阳极与二极管D4的阴极连接,所述可控硅T7的阴极与二极管D7的阳极连接,所述可控硅T6的阴极与可控硅T5的阳极连接,所述可控硅T6的阳极与二极管D6的阴极连接,所述可控硅T5的阴极与二极管D5的阳极连接,
所述辅助换流电路包括可控硅T4A、可控硅T5A、可控硅T6A、可控硅T7A、电感L3、电感L4、电容C3和电容C4
所述可控硅T4的阳极和可控硅T4A的阳极连接,所述可控硅T7的阴极和可控硅T7A的阴极连接,所述可控硅T4A的阴极、可控硅T7A的阳极均与电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端与电感L3连接,所述电感L3的另一端连接电机U相,
所述可控硅T6的阳极和可控硅T6A的阳极连接,所述可控硅T5的阴极和可控硅T5A的阴极连接,所述可控硅T6A的阴极、可控硅T5A的阳极均与电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端与电感L4连接,所述电感L4的另一端连接电机V相,
所述可控硅T4、可控硅T4A、可控硅T7、可控硅T7A、可控硅T5、可控硅T5A、可控硅T6、可控硅T6A的门极与控制器连接,用于接收控制信号,
所述电容C3、电感L3、可控硅T4、可控硅T7、可控硅T4A、可控硅T7A用于实现电机U相换流,
所述电容C4、电感L4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T5A、可控硅T6A用于实现电机V相换流。
本实用新型工作原理:
正弦脉宽调制的基础理论是在采样控制中,冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的同一环节上时,其效果基本相同。其中,冲量指的是窄脉冲的面积;效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
采用PWM信号控制可控硅T4、T5、T6、T7、T4A、T5A、T6A、T7A,输出电压驱动电机转动,通过改变脉冲的宽度可以控制逆变输出电压的幅值,改变调制周期可以控制逆变输出的频率。
参见图2-图4,图2为软启动器逆变电路U、V两相相对于参考相C的输出电压波形,逆变输出电压U、V互差60°,电路采用可控硅器件作为开关器件,逆变电路的基本工作方式由传统的180°方波控制创造性的改进为用PWM控制。
图3为驱动电机运行在工频50Hz时的转速,采用PWM信号控制可控硅T4、T5、T6、T7和辅助可控硅T4A、T5A、T6A、T7A,输出电压驱动电机转动,通过改变脉冲的宽度可以控制逆变输出电压的幅值,改变调制周期可以控制逆变输出的频率。
V相换流的控制方法与U相相同。以U相为例分析,U相换流电路包括可控硅T4、T7、辅助可控硅T4A、T7A、电容C3、电感L3,U相换流分为前半周期换流和后半周期换流,前半周期换流采用PWM信号控制可控硅T4、可控硅T4A,后半周期换流采用PWM信号控制可控硅T7、可控硅T7A,后半周期换流过程与前半周期相同,前半周期换流过程为:最初可控硅T4正通过全部线路电流,准备对可控硅T4进行强迫换流,电容C3被充电至Ud,初始充电由同时触发可控硅T4和可控硅T4A来建立,用可控硅T4A来开始换流,开始谐振电流在电路T4A-C3-L3-T4中建立,并从可控硅T4内流过的电流中将其减去,当可控硅T4内的电流为零时,剩余的谐振电流环形流过二极管D4,当达到峰值电流时,电容C3电压放电为零,然后开始反方向充电,在此期间二极管D4反向压降帮助可控硅T4关断,在前半个周期可控硅T4要开通关断多次,与180°方波控制不同,所以换流过程在前半个周期要发生多次,以此达到PWM控制的目的。
图4为电机稳定运行时电磁转矩波形图,电容C1和电容C2的中点E与电机的W相连接,从而逆变电路输出的U、W相之间的线电压和V、W相之间的线电压相位互差60°,相对于电机而言,实际上形成了一个对称的三相波形,产生一个旋转的磁场,从而可以驱动电机稳定转动。
以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,其特征在于,
包括整流电路、滤波电路、逆变电路,所述整流电路和逆变电路分别与电源和负载相连,所述滤波电路的输入端与整流电路的输出端连接,所述滤波电路的输出端分别与逆变电路的输入端、电机的W相连接,所述逆变电路的输出端与电机的U、V两相连接;
所述逆变电路包括主换流电路和辅助换流电路,
所述主换流电路包括可控硅T4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T7、二极管D4、二极管D5、二极管D6和二极管D7,所述可控硅T4的阴极与可控硅T7的阳极连接,所述可控硅T4的阳极与二极管D4的阴极连接,所述可控硅T7的阴极与二极管D7的阳极连接,所述可控硅T6的阴极与可控硅T5的阳极连接,所述可控硅T6的阳极与二极管D6的阴极连接,所述可控硅T5的阴极与二极管D5的阳极连接;
所述辅助换流电路包括可控硅T4A、可控硅T5A、可控硅T6A、可控硅T7A、电感L3、电感L4、电容C3和电容C4
所述可控硅T4的阳极和可控硅T4A的阳极连接,所述可控硅T7的阴极和可控硅T7A的阴极连接,所述可控硅T4A的阴极、可控硅T7A的阳极均与电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端与电感L3连接,所述电感L3的另一端连接电机U相,
所述可控硅T6的阳极和可控硅T6A的阳极连接,所述可控硅T5的阴极和可控硅T5A的阴极连接,所述可控硅T6A的阴极、可控硅T5A的阳极均与电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端与电感L4连接,所述电感L4的另一端连接电机V相,
所述可控硅T4、可控硅T4A、可控硅T7、可控硅T7A、可控硅T5、可控硅T5A、可控硅T6、可控硅T6A的门极与控制器连接,用于接收控制信号;
所述电容C3、电感L3、可控硅T4、可控硅T7、可控硅T4A、可控硅T7A用于实现电机U相换流;
所述电容C4、电感L4、可控硅T5、可控硅T6、可控硅T5A、可控硅T6A用于实现电机V相换流。
2.根据权利要求1所述的一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,其特征在于,
所述整流电路为三相桥式半控整流电路,用于实现有级调压,包括可控硅T1、T2、T3和二极管D1、D2、D3,所述可控硅T1、T2、T3的阳极分别与二极管D1、D2、D3的阴极连接。
3.根据权利要求1所述的一种强迫换流四桥臂可控硅PWM软启动器,其特征在于,
所述滤波电路包括滤波电容C1、C2和滤波电感L1、L2,所述滤波电容C1的负极与滤波电容C2的正极连接,所述滤波电路的输出端通过滤波电感L1、滤波电感L2与逆变电路连接,所述滤波电容C1和滤波电容C2的容量相同,所述滤波电容C1和滤波电容C2的中点E与电机的W相连接,所述逆变电路输出的U、W相之间的线电压和V、W相之间的线电压相位互差60°。
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