CN218380429U - 一种定向涂层生长石墨工装 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚的支撑件和密封机构，石墨坩埚以开口朝下的方式放置于支撑件上，支撑件与石墨坩埚的开口边缘接触，密封机构包裹石墨坩埚的开口边缘和外壁并使石墨坩埚的开口外露以导入涂层原料。本实用新型通过密封机构能避免石墨坩埚的开口边缘位置生长涂层，从而保证了石墨坩埚的气密性，也能避免石墨坩埚的外壁进行不必要的涂层生长，从而避免了石墨坩埚受热不均或不按照设定温度梯度升温，进而保证石墨坩埚内SiC晶体生长完好无缺陷。

Description

一种定向涂层生长石墨工装

技术领域

本实用新型涉及石墨坩埚技术领域，具体涉及一种定向涂层生长石墨工装。

背景技术

同第一代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化液(InP)相比，第三代半导体材料碳化硅((SiC因禁带宽度大(3.2e V，约3倍于硅基材料)、临界击穿电场强度高(10倍于硅基材料)、电子饱和迁移速率大(2倍于硅基材料)、电子密度高、热导率高(3倍于硅基材料)、介电常数低，具备高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等诸多优越性能，因而能制备出在高温下运行稳定，在高电压、高频率等极端环境下更为稳定的半导体器件，是支撑固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”材料和电子元器件，可以起到减小体积简化系统，提升功率密度的作用，在半导体照明、5G通信技术、太阳能、智能电网、新能源并网、高速轨道交通、国防军工、不间断电源、新能源汽车、消费类电子、快充、无线充等战略新兴领域有非常诱人的应用前景，对节能减排、产业升级有着极其重要的作用，正成为全球半导体产业新的科技制高点和新一轮科技革命的钥匙。

物理气相传输法(Physical Vapor Transport-PVT)是目前较为成熟的大尺寸SiC晶体生长技术，即将SiC晶片贴在石墨坩埚盖上用作籽晶，石墨坩埚内装有作为生长原料的SiC粉末，生长温度控制在2273K到2773K之间，生长原料分解成气相组分后在石墨坩埚内部轴向温度梯度的驱动下输运到籽晶处结晶生长SiC晶体。然而，由于石墨坩埚材料为石墨粉采用等静压的形式压制而成，该材料为多孔状，其力学性能较差。石墨坩埚在长时间(1周左右)，高温(大于2000℃)制备温度下，首先石墨坩埚内壁面孔洞内的石墨粉随着使用时间的延长出现石墨粉末扩散至坩埚单晶生长反应腔，从而影响反应腔内Si原子和C原子比例，最终影响SiC单晶生长的纯度；其次，由于SiC单晶生长过程是属于SiC粉末先高温分解后定向生长的过程，石墨坩埚内部形成了大量的高温Si气体、SiC气体、SiC2气体，Si2C气体，一部分气体将于石墨坩埚壁面的孔洞中沉积，并在石墨坩埚的碳扩散下，在石墨坩埚壁面的孔洞内重新形成SiC相，SiC相的形成同时伴随着一部分体积的膨胀，石墨坩埚壁面的孔洞内将会产生内应力，导致石墨坩埚壁面孔洞边缘处在SiC生长应力和体积膨胀力作用下出现石墨粉颗粒的剥落，这也将影响SiC单晶生长的纯度；此外，石墨材料本身强度较低，在装有大量SiC晶体生长原料时，由于自身强度限制，在高温长时间使用的寿命较短。因此，国内外研究学者纷纷对石墨坩埚进行耐高温、阻碳涂层的设计和制备。

公号为CN113122918A的中国专利，公开了一种用于SiC晶体生长的TaC涂层坩埚及其制备方法。该发明通过包埋法在石墨坩埚表面原位生成一层TaC涂层，且TaC涂层与基体界面结合强度较高，不易发生脱落。制备TaC涂层后，坩埚使用寿命延长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。但是该方法不能控制涂层的定向生长，在石墨坩埚内壁面和外壁面均形成了一层TaC涂层。TaC涂层的设置仅为了保护石墨坩埚内壁面不被高温气体侵蚀而影响坩埚污染SiC单晶。然而采用该方法将无法只对石墨坩埚内壁面实行涂层涂敷的方法，石墨坩埚顶部放置籽晶和坩埚盖的位置需要保证绝对平整，然而涂层涂敷的平整度控制将会由于这种复杂坩埚结构受限，因此在不必要的石墨坩埚坩埚口面处涂层反而影响坩埚的气密性。此外，在石墨坩埚坩埚外壁面涂敷TaC涂层时，由于涂层与基体的热膨胀系数依然相差较大，在高温环境，且温度梯度较大的服役环境下，涂层开裂的风险较大，涂层脱落、涂层厚度不均，均导致坩埚受热不均，或不按照设定温度梯度升温，均将严重影响石墨坩埚坩埚内部SiC单晶生长；由于涂层不均匀生长于坩埚封口位置影响坩埚的气密性；由于涂层于坩埚外壁面不必要的生长导致坩埚受热不均或不按照设定温度梯度升温，从而导致坩埚内SiC晶体生长受损问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术存在的不足，提供一种定向涂层生长石墨工装，能保证石墨坩埚的涂层涂敷均匀平整不脱落，且石墨坩埚的开口气密性好。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚的支撑件和密封机构，所述石墨坩埚以开口朝下的方式放置于支撑件上，所述支撑件与石墨坩埚的开口边缘接触，所述密封机构包裹石墨坩埚的开口边缘和外壁并使石墨坩埚的开口外露以导入涂层原料。

进一步的，所述密封机构包括套装石墨坩埚的筒体，所述筒体上部设有以可拆卸的方式与筒体封闭连接的盖体，所述支撑件包括设于筒体内壁上的环形凸台，所述环形凸台与开口边缘紧密接触并与外壁、筒体和盖体之间形成密封腔室。

进一步的，所述环形凸台和开口边缘之间与盖体和筒体的上端面之间均设有密封垫片。

进一步的，所述密封垫片为柔性高纯石墨纸。

进一步的，所述环形凸台的内径小于开口边缘的内径。

进一步的，所述外壁与筒体内壁之间的间距为1.5-2.5mm，所述外壁与盖体内壁之间的间距为6-9mm。

进一步的，所述盖体上设有配重凸块，所述配重凸块卡设于筒体上端的开口中。

进一步的，所述盖体的外径大于筒体的外径。

进一步的，所述筒体上设有用于向石墨坩埚内导入涂层原料的排气通道。

进一步的，所述筒体的底部设有至少三个支撑脚，相邻两个所述支撑脚之间形成排气通道。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型通过密封机构能避免石墨坩埚的开口边缘位置生长涂层，从而保证了石墨坩埚的气密性，也能避免石墨坩埚的外壁进行不必要的涂层生长，从而避免了石墨坩埚受热不均或不按照设定温度梯度升温，进而保证石墨坩埚内SiC晶体生长完好无缺陷。

附图说明

图1为定向涂层生长石墨工装的剖面结构示意图。

图2为筒体的立体示意图。

图例说明：

1、石墨坩埚；11、开口边缘；12、外壁；2、支撑件；21、环形凸台；3、密封机构；31、筒体；311、支撑脚；32、盖体；321、配重凸块；33、密封腔室；34、密封垫片。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图1和图2所示，本实施例的定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚1的支撑件2和密封机构3，石墨坩埚1以开口朝下的方式放置于支撑件2上，支撑件2与石墨坩埚1的开口边缘11接触，密封机构3包裹石墨坩埚1的开口边缘11和外壁12并使石墨坩埚1的开口外露以导入涂层原料。通过密封机构3能避免石墨坩埚1的开口边缘11位置生长涂层，从而保证了石墨坩埚1的气密性，也能避免石墨坩埚1的外壁12进行不必要的涂层生长，从而避免了石墨坩埚1受热不均或不按照设定温度梯度升温，进而保证石墨坩埚1内SiC晶体生长完好无缺陷。

本实施例中，密封机构3包括套装石墨坩埚1的筒体31，筒体31上部设有以可拆卸的方式与筒体31封闭连接的盖体32，支撑件2包括设于筒体31内壁上的环形凸台21，环形凸台21与开口边缘11紧密接触并与外壁12、筒体31和盖体32之间形成密封腔室33。通过密封腔室33，防止了制备涂层的气氛进入到密封腔室33内，有效解决了外壁12会同时镀层的问题，保证了石墨坩埚1与筒体31尽量减少接触面积，保证了石墨坩埚1的纯度，同时避免在石墨坩埚1沉积过程中由于泄露气体的原位涂层生成导致石墨坩埚1与筒体31焊接成整体；该密封腔室33的尺寸是由石墨坩埚1和筒体31的尺寸共同决定的。

本实施例中，环形凸台21和开口边缘11之间与盖体32和筒体31的上端面之间均设有密封垫片34。通过将石墨坩埚1按照要求放置于筒体31并盖上盖体32后，能完全控制欲制备涂层仅在石墨坩埚1内壁面生长，且能完全保证石墨坩埚1的开口边缘11包括螺纹和外壁12均未沉积涂层。

本实施例中，密封垫片34为柔性高纯石墨纸。将石墨坩埚1倒扣于筒体31内时，石墨坩埚1的开口边缘11与环形凸台21之间需用纯度≤5ppm的石墨纸垫圈垫于两者之间，石墨纸厚度为1-2mm。如果将开口边缘11与支撑件2直接接触，开口边缘11与支撑件2的接触面之间仍然存在缝隙，而缝隙会导致石墨坩埚1的内壁面在制备涂层过程中气体会泄漏到密封腔室33内，从而无法防止开口边缘11、外壁12、和螺纹口表面等区域镀层的问题；其次，当开口边缘11与支撑件2直接接触时，由于支撑件2纯度无法达到石墨坩埚1的纯度要求，就算达到纯度要求，成本太高，也将不能量产，因此只能用一般纯度的支撑件2，那么支撑件2将会影响坩埚的纯度，因此不能直接接触；再者，由于支撑件2需要反复使用，在使用过程中，由于来回装配，支撑件2位置将会出现损害，从而影响支撑件2承接位置的气密性，因此为了完全保证支撑件2与石墨坩埚1装配后的气密性，需要垫一个高纯石墨纸垫片，通过石墨纸自身的柔性，在石墨坩埚1倒扣过程中利用自身重量将开口边缘11与支撑件2紧密结合，有效避免漏气的问题。在密封垫片34的选材原则是严格按照保证石墨坩埚1纯度和获取石墨坩埚1与支撑件2密封效果为原则，只有选用高纯石墨纸垫片才能保证石墨坩埚1不受污染，石墨坩埚1纯度才能得到保障；此外，只有选择柔性的石墨纸才能有效密封开口边缘11与支撑件2的间隙。

本实施例中，环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径。环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径差3-5㎜，能有效保证密封腔室33的宽度为1.5-2.5mm即可，密封腔室33的高度为6-9mm。

本实施例中，外壁12与筒体31内壁之间的间距为1.5-2.5mm，外壁12与盖体32内壁之间的间距为6-9mm。该环形凸台21的宽度必须大于等于开口边缘11，可与其宽度一致，也可比开口边缘11宽1-3mm。

本实施例中，盖体32上设有配重凸块321，配重凸块321卡设于筒体31上端的开口中。配重凸块321作用是增加盖体32对筒体31的压力，保证盖体32在筒体31顶部时有足够的重量将设置在盖体32和筒体31缝隙之间的柔性高纯石墨纸压实；配重凸块321的外径与筒体31的内径尺寸相同，或小于筒体31的内径尺寸，相差1-2mm，配重凸块321的高度为5-8㎜，盖体32盖于筒体31顶部时，配重凸块321与石墨坩埚1之间相差0.5-1mm左右。

本实施例中，盖体32的外径大于筒体31的外径。盖体32的外径较大能提高盖体32的重量，也能保证盖体32能完全盖住筒体31。盖体32的外径需要大于筒体31的外径3-5mm。

本实施例中，筒体31上设有用于向石墨坩埚1内导入涂层原料的排气通道。通过排气通道能保证石墨坩埚1涂层时，气源能形成一个稳定的循环流场，从而防止石墨坩埚1内壁面涂层时由于憋气原因，产生涂层不均匀，或者过厚生长的不利现象。

本实施例中，筒体31的底部设有至少三个支撑脚311，相邻两个支撑脚311之间形成排气通道。支撑脚311优选数量为三个，支撑脚311的宽度为筒体31周长的1/6，支撑脚311的高度为筒体31的高度的1/3～1/2。

实施例1：

本实施例选用图1中的示意图方式进行石墨坩埚1装配石墨工装，并实现TaC涂层于石墨坩埚1内壁面定向涂覆的效果，最终促使石墨坩埚1仅有内壁面进行了TaC涂层涂覆。

本实施例定向涂层生长的方法，包括以下步骤：

(1)首先对定向涂层涂覆的辅助工装进行结构设计和工装装配。

其中，一种定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚1的支撑件2和密封机构3，石墨坩埚1以开口朝下的方式放置于支撑件2上，支撑件2与石墨坩埚1的开口边缘11接触，密封机构3包裹石墨坩埚1的开口边缘11和外壁12并使石墨坩埚1的开口外露以导入涂层原料。

本实施例中，将石墨坩埚1倒扣于筒体31内时，石墨坩埚1的开口边缘11与环形凸台21之间需用纯度5ppm的石墨纸垫圈垫于两者之间，石墨纸厚度为2mm。

本实施例中，环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径。环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径差5㎜，能有效保证密封腔室33的宽度为2.5mm即可，密封腔室33的高度为9mm。

本实施例中，外壁12与筒体31内壁之间的间距为2.5mm，外壁12与盖体32内壁之间的间距为9mm。该环形凸台21的宽度必须大于等于开口边缘11，可与其宽度一致，也可比开口边缘11宽3mm。

本实施例中，盖体32上设有配重凸块321，配重凸块321卡设于筒体31上端的开口中。配重凸块321作用是增加盖体32对筒体31的压力，保证盖体32在筒体31顶部时有足够的重量将设置在盖体32和筒体31缝隙之间的柔性高纯石墨纸压实；配重凸块321的外径与筒体31的内径尺寸相同，或小于筒体31的内径尺寸，相差2mm，配重凸块321的高度为8㎜，盖体32盖于筒体31顶部时，配重凸块321与石墨坩埚1之间相差1mm左右。

本实施例中，盖体32的外径大于筒体31的外径。盖体32的外径较大能提高盖体32的重量，也能保证盖体32能完全盖住筒体31。盖体32的外径需要大于筒体31的外径5mm。

本实施例中，筒体31的底部设有三个支撑脚311，相邻两个支撑脚311之间形成排气通道。支撑脚311的宽度为筒体31周长的1/6，支撑脚311的高度为筒体31的高度的1/2。

(2)将通过设计上述石墨工装，并按照要求石墨坩埚1与石墨工装装配要求进行装配。

(3)随后将装配有辅助石墨坩埚1壁面定向涂层生长的石墨坩埚1放入化学气相沉积炉内进行TaC涂层沉积，沉积温度为1800℃，沉积时间为2h，氩气保护下进行沉积。

(4)最后发现，仅石墨坩埚1内壁面发生了TaC涂层沉积，且涂层厚度均匀，无裂纹和孔洞等缺陷。坩埚口和坩埚外壁12均未沉积涂层，且表面保持着原来的状态。

对比例1：

将石墨坩埚1直接倒扣放入化学气相沉积炉内进行TaC涂层沉积，沉积温度为1800℃，沉积时间为2h，氩气保护下进行沉积。

随后发现，石墨坩埚1所有区域均出现了TaC涂层生长，且由于没有将石墨坩埚1抬高，坩埚内部出现气流不通，出现富集于坩埚底部角落生长成凸起，整个涂层厚度均匀性较差。

对比例2：

本对比例选用图1中的示意图方式进行石墨坩埚1装配石墨工装，并实现TaC涂层于石墨坩埚1内壁面定向涂覆的效果，最终促使石墨坩埚1仅有内壁面进行了TaC涂层涂覆。

本对比例定向涂层生长的方法，包括以下步骤：

(1)首先对定向涂层涂覆的辅助工装进行结构设计和工装装配。

其中，一种定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚1的支撑件2，石墨坩埚1以开口朝下的方式放置于支撑件2上，支撑件2与石墨坩埚1的开口边缘11接触。

本对比例中，将石墨坩埚1倒扣于筒体31内时，石墨坩埚1的开口边缘11与环形凸台21之间不使用石墨纸垫圈垫于两者之间。

本对比例中，环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径。环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径差5㎜，能有效保证密封腔室33的宽度为2.5mm即可，密封腔室33的高度为9mm。

本对比例中，外壁12与筒体31内壁之间的间距为2.5mm，外壁12与盖体32内壁之间的间距为9mm。该环形凸台21的宽度必须大于等于开口边缘11，可与其宽度一致，也可比开口边缘11宽3mm。

本对比例中，盖体32上设有配重凸块321，配重凸块321卡设于筒体31上端的开口中。配重凸块321作用是增加盖体32对筒体31的压力；配重凸块321的外径与筒体31的内径尺寸相同，或小于筒体31的内径尺寸，相差2mm，配重凸块321的高度为8㎜，盖体32盖于筒体31顶部时，配重凸块321与石墨坩埚1之间相差1mm左右。

本对比例中，盖体32的外径大于筒体31的外径。盖体32的外径较大能提高盖体32的重量，也能保证盖体32能完全盖住筒体31。盖体32的外径需要大于筒体31的外径5mm。

本对比例中，筒体31的底部设有三个支撑脚311，相邻两个支撑脚311之间形成排气通道。支撑脚311的宽度为筒体31周长的1/6，支撑脚311的高度为筒体31的高度的1/2。

(2)将通过设计上述石墨工装，并按照要求石墨坩埚1与石墨工装装配要求进行装配。

(3)随后将装配有辅助石墨坩埚1壁面定向涂层生长的石墨坩埚1放入化学气相沉积炉内进行TaC涂层沉积，沉积温度为1800℃，沉积时间为2h，氩气保护下进行沉积。

(4)最后发现，石墨坩埚1口与石墨工装之间的间隙处也有涂层沉积，且石墨坩埚1与石墨工装接触部位发生粘结。石墨坩埚1口出现凹凸不平，其密封性受到影响。

对比例3：

本对比例选用图1中的示意图方式进行石墨坩埚1装配石墨工装，并实现TaC涂层于石墨坩埚1内壁面定向涂覆的效果，最终促使石墨坩埚1仅有内壁面进行了TaC涂层涂覆。

本实施例定向涂层生长的方法，包括以下步骤：

(1)首先对定向涂层涂覆的辅助工装进行结构设计和工装装配。

其中，一种定向涂层生长石墨工装，包括支撑石墨坩埚1的支撑件2和密封机构3，石墨坩埚1以开口朝下的方式放置于支撑件2上，支撑件2与石墨坩埚1的开口边缘11接触，密封机构3包裹石墨坩埚1的开口边缘11和外壁12并使石墨坩埚1的开口外露以导入涂层原料。

本对比例中，将石墨坩埚1倒扣于筒体31内时，石墨坩埚1的开口边缘11与环形凸台21之间需用纯度5ppm的石墨纸垫圈垫于两者之间，石墨纸厚度为2mm。

本对比例中，环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径。环形凸台21的内径小于开口边缘11的内径差5㎜，能有效保证密封腔室33的宽度为2.5mm即可，密封腔室33的高度为9mm。

本对比例中，外壁12与筒体31内壁之间的间距为2.5mm，外壁12与盖体32内壁之间的间距为9mm。该环形凸台21的宽度必须大于等于开口边缘11，可与其宽度一致，也可比开口边缘11宽3mm。

本对比例中，盖体32上设有配重凸块321，配重凸块321卡设于筒体31上端的开口中。配重凸块321作用是增加盖体32对筒体31的压力，保证盖体32在筒体31顶部时有足够的重量将设置在盖体32和筒体31缝隙之间的柔性高纯石墨纸压实；配重凸块321的外径与筒体31的内径尺寸相同，或小于筒体31的内径尺寸，相差2mm，配重凸块321的高度为8㎜，盖体32盖于筒体31顶部时，配重凸块321与石墨坩埚1之间相差1mm左右。

本对比例中，盖体32的外径大于筒体31的外径。盖体32的外径较大能提高盖体32的重量，也能保证盖体32能完全盖住筒体31。盖体32的外径需要大于筒体31的外径5mm。

本对比例中，筒体31的底部设有两个个支撑脚311，相邻两个支撑脚311之间形成排气通道。支撑脚311的宽度为筒体31周长的1/4，支撑脚311的高度为筒体31的高度的1/4。

(2)将通过设计上述石墨工装，并按照要求石墨坩埚1与石墨工装装配要求进行装配。

(3)随后将装配有辅助石墨坩埚1壁面定向涂层生长的石墨坩埚1放入化学气相沉积炉内进行TaC涂层沉积，沉积温度为1800℃，沉积时间为2h，氩气保护下进行沉积。

(4)最后发现，仅石墨坩埚1内壁面发生了TaC涂层沉积，但石墨坩埚1底部角落位置出现了TaC富集的凸起，这主要是由于石墨工装的支撑脚311较少，且支撑脚311预留高度较小，导致石墨坩埚1内壁面在沉积过程中，内部气体无法形成一个循环流通的状态，产生憋气沉积的现象。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例。对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型技术构思前提下所得到的改进和变换也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种定向涂层生长石墨工装，其特征在于，包括支撑石墨坩埚(1)的支撑件(2)和密封机构(3)，所述石墨坩埚(1)以开口朝下的方式放置于支撑件(2)上，所述支撑件(2)与石墨坩埚(1)的开口边缘(11)接触，所述密封机构(3)包裹石墨坩埚(1)的开口边缘(11)和外壁(12)并使石墨坩埚(1)的开口外露以导入涂层原料。

2.根据权利要求1所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述密封机构(3)包括套装石墨坩埚(1)的筒体(31)，所述筒体(31)上部设有以可拆卸的方式与筒体(31)封闭连接的盖体(32)，所述支撑件(2)包括设于筒体(31)内壁上的环形凸台(21)，所述环形凸台(21)与开口边缘(11)紧密接触并与外壁(12)、筒体(31)和盖体(32)之间形成密封腔室(33)。

3.根据权利要求2所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述环形凸台(21)和开口边缘(11)之间与盖体(32)和筒体(31)的上端面之间均设有密封垫片(34)。

4.根据权利要求3所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述密封垫片(34)为柔性高纯石墨纸。

5.根据权利要求2所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述环形凸台(21)的内径小于开口边缘(11)的内径。

6.根据权利要求2所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述外壁(12)与筒体(31)内壁之间的间距为1.5-2.5mm，所述外壁(12)与盖体(32)内壁之间的间距为6-9mm。

7.根据权利要求2所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述盖体(32)上设有配重凸块(321)，所述配重凸块(321)卡设于筒体(31)上端的开口中。

8.根据权利要求2所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述盖体(32)的外径大于筒体(31)的外径。

9.根据权利要求2-8中任一项所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述筒体(31)上设有用于向石墨坩埚(1)内导入涂层原料的排气通道。

10.根据权利要求9所述的定向涂层生长石墨工装，其特征在于，所述筒体(31)的底部设有至少三个支撑脚(311)，相邻两个所述支撑脚(311)之间形成排气通道。

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