CN218379071U - 侧发光灯带及终端设备 - Google Patents

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CN218379071U CN202221806592.2U CN202221806592U CN218379071U CN 218379071 U CN218379071 U CN 218379071U CN 202221806592 U CN202221806592 U CN 202221806592U CN 218379071 U CN218379071 U CN 218379071U
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Abstract

本申请提供了一种侧发光灯带及终端设备,涉及灯具技术领域。该侧发光灯带包括:第一基板、发光体和围坝。第一基板具有第一表面和第二表面;发光体设置于第一表面且与第一基板电性连接。围坝的第一侧设置于第一表面且位于发光体的一侧,围坝自第一侧朝向发光体的方向延伸或倾斜。沿第一基板的厚度方向,围坝的第二侧比发光体高0.1mm~20mm。该侧发光灯带中,可以使发光体侧面发出的光能够有效反射,可以使灯带的出光率较高。

Description

侧发光灯带及终端设备
技术领域
本申请涉及灯具技术领域,具体而言,涉及一种侧发光灯带及终端设备。
背景技术
目前的灯带大多为正发光的灯带,图1为正发光灯带的结构示意图;图2为正发光灯带的出光示意图(图2中的箭头为光路示意图)。请参阅图 1和图2,正发光灯带包括扁平状的可弯曲的基板11、多个晶片12和荧光胶层13,每个晶片12均设置在基板11上,多个晶片12沿基板11的长度方向排布,荧光胶层13覆盖晶片12。将灯带弯曲做成一些设计形状时,由于灯带的基板11呈扁平状,灯带弯曲方向受限,只能从侧面呈现出设计出的形状。当从侧面观察灯带时,发光效果不好。
因此,市面上出现了一种侧发光灯带,图3为现有技术提供的侧发光灯带的截面示意图。请参阅图3,该侧发光灯带包括灯带主体10和硅胶套 20,灯带主体10包括基板11、多个晶片12和荧光胶层13,每个晶片12 均设置在基板11上,多个晶片12沿基板11的长度方向排布,荧光胶层13 覆盖晶片12。硅胶套20为具有侧开口21的硅胶套20,硅胶套20套设在灯带主体10外,使晶片12的正上方覆盖硅胶套20,从而可以使灯带从硅胶套20的侧开口21发光。但是,使用硅胶套20包裹而成为侧发光灯带的体积偏大,不利于安装在狭窄的空间中。
因此,发明人申请一种侧发光灯带,如申请号为201921987307.X的侧发光灯带,该侧发光灯带包括基板、多个晶片、荧光胶层和围坝,每个晶片均设置在基板上,多个晶片沿基板的长度方向排布,荧光胶层覆盖在晶片上,围坝的一侧连接在基板上且位于晶片的一侧,然后朝向晶片的上方延伸,至覆盖在荧光胶层上,荧光胶层没有完全被覆盖,从而形成侧开口,该侧开口可以使灯带进行侧发光。该侧发光灯带中,由于围坝位于基板的一侧,可以减小侧发光灯带的体积。
但是,发明人继续研究发现,部分侧发光灯带的发光效率很低,安装在狭窄空间以后,除了安装口发出少量的光线以外,基本不能够看到光,出光率很低。
实用新型内容
本申请提供一种侧发光灯带及终端设备,可以使侧发光灯带的体积减小,并且出光效率较高。
第一方面,本申请实施例提供了一种侧发光灯带,包括:第一基板、发光体和围坝。第一基板具有第一表面和第二表面;发光体设置于第一表面且与第一基板电性连接。围坝的第一侧设置于第一表面且位于发光体的一侧,围坝自第一侧朝向发光体的方向延伸或者倾斜。沿第一基板的厚度方向,围坝的第二侧比发光体高0.1mm~20mm。
在上述的技术方案中,围坝设置在第一基板的一侧,不需要包裹第一基板的两个表面,可以减小发光灯带的体积。围坝朝向发光体的方向延伸或倾斜,且围坝的第二侧比发光体高0.1mm~20mm,围坝的第二侧的下方为出光口,发光体发光的时候,一部分光线在围坝处被反射至出光口,另一部分光线直接通过出光口出光,可以使发光体侧面发出的光能够有效反射,可以使灯带的出光率较高。
结合第一方面,在一些实施例中,侧发光灯带还包括挡坝,挡坝设置于第一表面且位于发光体的另一侧,沿第一基板的厚度方向,挡坝的高度低于围坝的第二侧的高度。
在上述的技术方案中,由于挡坝的设置,可以使出光光线与第一基板之间形成一定的出光角度,以便满足客户的需求。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的厚度方向,围坝的第二侧比挡坝高0.1mm~20mm。
在上述的技术方案中,挡坝的设置也不影响灯带的侧发光,可以将光线限定在一定的范围内,以便出光较为集中,从而可以使侧发光灯带的照射范围更加合理。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的厚度方向,围坝的第二侧比挡坝高0.5mm~2mm。
在上述的技术方案中,可以使更多的光从挡坝与围坝的第二侧之间出光,同时,光线也较为聚焦,可以使侧发光灯带发出的光的亮度更高。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的厚度方向,围坝的第二侧比发光体高0.5mm~2mm。
在上述的技术方案中,发光体与围坝的第二侧之间的距离更加合理,可以使发光体发出的光在围坝处的反射率较高的同时,围坝的高度相对较小,可以节约制造成本。
结合第一方面,在一些实施例中,围坝在第一表面上的正投影至少覆盖部分发光体,沿第一基板的厚度方向,发光体与发光体正上方的围坝之间的距离为0.1mm~20mm。
在上述的技术方案中,围坝的投影至少覆盖部分发光体,可以形成侧发光;而发光体与发光体正上方的围坝之间的距离为0.1mm~20mm,可以使发光体的侧面以及至少部分正面发光的光能够被有效反射,且光的衰减量较少,可以使灯带的出光率更高。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的厚度方向,发光体与发光体正上方的围坝之间的距离为0.5mm~2mm。
在上述的技术方案中,发光体与围坝之间的距离更加合理,可以使发光体发出的光在围坝处的反射率更高;同时,发光体发出的光的衰减率也更小,从而使灯带的侧发光效率更高。
结合第一方面,在一些实施例中,围坝在第一表面上的正投影全部覆盖发光体。
在上述的技术方案中,可以使发光体朝上以及朝向围坝的第一侧发出的光均能够被围坝反射,从而可以使更多的光反射从出光口出光,以便灯带发出的光更加集中。
结合第一方面,在一些实施例中,还包括导光保护层,导光保护层接触覆盖在发光体的表面,且围坝接触覆盖在导光保护层的背离第一基板的一侧。
在上述的技术方案中,导光保护层的下侧与发光体和第一基板接触,并覆盖在发光体上,一方面,可以作为围坝的支撑,方便围坝的形成;另一方面,导光保护层在导光的过程中,能够实现混光,可以使侧发光灯带的出光更加均匀。
结合第一方面,在一些实施例中,发光体包括多个,多个发光体均设置于第一表面,且多个发光体沿第一基板的长度方向排布。
在上述的技术方案中,多个发光体沿第一基板的长度方向排布,以便形成灯带,灯带的出光口为一个长条形的开口,以便实现条形的侧发光。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的长度方向,导光保护层连续覆盖在多个发光体的表面。
在上述的技术方案中,导光保护层是连续的,多个发光体发出的光均可以通过导光保护层导光、混光,可以使点光源变成线光源,从而使侧发光灯带的出光效果更好。
结合第一方面,在一些实施例中,第一基板还包括沿第一基板的宽度方向相对设置的第一边缘和第二边缘,围坝的第二侧朝向第二边缘的方向倾斜,每个发光体与第二边缘的距离为0mm~50mm。
结合第一方面,在一些实施例中,每个发光体与第二边缘的距离为1 mm~5mm。
在上述的技术方案中,发光体与第二边缘的距离更近,则发光的亮度更高;发光体与第二边缘的距离更远,则多个发光体发出的光的混光效果更好。将发光体与第二边缘的距离限定在上述范围内,可以使侧发光灯带发出的光的亮度较高的同时,发光也更加均匀。
结合第一方面,在一些实施例中,第一侧与第一边缘的距离为第一基板宽度的0%~90%。
结合第一方面,在一些实施例中,第一侧与第一边缘的距离为第一基板宽度的30%~90%。
在上述的技术方案中,围坝主要设置在第一基板的靠近第二边缘的区域,第一基板的靠近第一边缘的区域未设置围坝,在安装缝很窄小的情况下,可以从第一基板的第一边缘处将第一基板塞在安装缝中,以便进行灯带的安装。
结合第一方面,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电阻,电阻设置于第一表面,且位于第一边缘至第一侧之间。
在上述的技术方案中,制备完成的灯带通常较长,在需要安装灯带的时候,通常基于安装空间截取目标长度的灯带。电阻外露,避免在截取灯带的时候破坏电阻。
结合第一方面,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电极,电极设置于第一表面,且与第一基板电性连接,电极位于第一边缘至第一侧之间。
在上述的技术方案中,灯带的安装空间处通常设置有电源接头,电源接头会占用一定的空间,围坝也会占用一定的空间。电极和围坝都设置在第一基板的同一侧,围坝占用的空间和电源接头占用的空间位于第一基板的同一侧,可以使较小的安装空间就可以实现灯带的安装。
结合第一方面,在一些实施例中,电极包括第一电极和第二电极,第一电极设置于第一表面,且位于第一边缘至第一侧之间;第二电极设置于第二表面。
在上述的技术方案中,电源连接的时候,电源的正极连接第一电极,电源的负极连接第二电极,两个电极分别位于第一基板的两个表面,可以减少正负极反接的几率,方便灯带的安装。
结合第一方面,在一些实施例中,第一电极在第一表面上的投影与第二电极在第一表面上的投影重叠。
在上述的技术方案中,电源的正负极分别夹持在第一基板的两个表面,容易与第一电极和第二电极接触,以便对第一基板通电。
结合第一方面,在一些实施例中,第一侧与第一边缘的距离为第一基板宽度的0%~30%。
在上述的技术方案中,安装侧发光灯带的时候,通常围坝的第二侧位于安装空间的外侧,围坝的第一侧卡设在安装空间内。围坝的第一侧与第一边缘的距离很近,可以第一侧处的灯带的宽度较宽,以便卡设在安装空间内,方便侧发光灯带的安装。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,围坝在第一表面上的正投影的宽度为第一基板宽度的10%~100%。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,围坝在第一表面上的正投影的宽度为第一基板宽度的70%~100%。
在上述的技术方案中,围坝的宽度较宽,便于将灯带(围坝和第一基板)嵌设在安装空间内,以便灯带的安装。
在围坝的宽度较宽的时候,围坝可以分体形成,先点胶形成一部分围坝,再继续点胶形成另一部分围坝;也可以通过模具以挤出成型的方式一次成型宽度较宽的围坝。围坝的宽度较窄,则围坝可以一次点胶形成,也可以一次挤出成型形成。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,第一侧的宽度为第一基板宽度的10%~90%。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,第一侧的宽度为第一基板宽度的50%~70%。
在上述的技术方案中,发光体与第一边缘之间的区域中,围坝的含量较多,可以方便灯带安装的同时,使发光体在导光保护层中的路径较少,可以减少光的衰减量,以便在实现混光的同时,使灯带的出光率更高。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,第二侧与第二边缘的距离为第一基板宽度的0%~90%。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,第二侧与第二边缘的距离为第一基板宽度的0%~30%。
在上述的技术方案中,出光口靠近第二边缘,可以使经过出光口后的光线直接出光,可以在一定程度上避免第一基板挡光,可以使出光口的出光效果更好。
结合第一方面,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电阻,电阻设置于第一表面,且围坝在第一表面的正投影覆盖所述电阻。
在上述的技术方案中,电阻设置在围坝的内部,可以避免电阻外露,灯带的外观更加美观,且可以使灯带中的电流较为合适,以便灯带发光。
结合第一方面,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电极,电极设置于第二表面,且与第一基板电性连接。
在上述的技术方案中,第一基板的第一表面上主要设置围坝,第一基板的第二表面上主要设置电极,灯带中第一基板的一侧发光,另一侧用于连接电源,使灯带的安装更加方便,且可以使第一基板的宽度较窄。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,导光保护层的宽度为第一基板宽度的10%~90%。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,导光保护层的宽度为第一基板宽度的50%~90%。
在上述的技术方案中,导光保护层的含量较多,围坝的含量较少,可以方便灯带安装的同时,使灯带的成本较低(导光保护层的成本低于围坝的成本)。
结合第一方面,在一些实施例中,在靠近第二边缘的位置,围坝在第一表面上的正投影与导光保护层在第一表面上的正投影齐平。
在上述的技术方案中,围坝与导光保护层的靠近第二边缘的位置齐平,可以减少光的发散,也可以减少漏光的情况发生,可以使灯带的侧发光效果更好。
结合第一方面,在一些实施例中,在靠近第二边缘的位置,导光保护层在第一表面上的正投影超出围坝在第一表面上的正投影。
在上述的技术方案中,光线从出光口出光后,还可以继续在导光保护层中传递,可以在一定程度上增大发光角度,在需要光照散射的环境中可以安装此灯带。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,在靠近第二边缘的位置,导光保护层在第一表面上的正投影的边缘与发光体的距离为0mm~10mm。
结合第一方面,在一些实施例中,沿第一基板的宽度方向,在靠近第二边缘的位置,导光保护层在第一表面上的正投影的边缘与发光体的距离为1mm~5mm。
在上述的技术方案中,发光体发出的光经过1mm~5mm厚的导光保护层混光以后进行出光,可以使发出的光更加均匀;同时,导光保护层的含量较为合理,可以节约成本。
结合第一方面,在一些实施例中,在靠近第二边缘的位置,导光保护层与围坝之间形成缺口。
在上述的技术方案中,缺口的形成可以增大灯带的发光角度,以便可以在发光角度较大的环境中使用。
结合第一方面,在一些实施例中,发光体为晶片,导光保护层为荧光保护层。
在上述的技术方案中,晶片发出的光不均匀,通过荧光保护层的扩散以及相互反射以后,可以目的均匀的目标颜色的光。
结合第一方面,在一些实施例中,每个发光体均为晶片,不同的晶片上覆盖的荧光保护层中的荧光粉种类不同。
在上述的技术方案中,不同的荧光粉反射可以发出不同颜色的光,以便通过晶片和荧光保护层的配合,实现灯带的双色、多色等,发光颜色更多。
结合第一方面,在一些实施例中,发光体为灯珠,导光保护层为扩散保护层。
在上述的技术方案中,灯珠可以发出目标颜色的光,扩散保护层的设置,可以进行混光,使灯带发光更加均匀。
结合第一方面,在一些实施例中,灯珠包括晶片和荧光层,晶片设置于第一表面,荧光层覆盖于晶片上,扩散保护层设置于荧光层上。
在上述的技术方案中,包覆晶片的层结构为荧光层,能够实现发出目标颜色的光,与荧光层外的扩散保护层配合,可以使荧光层的量减少,减少成本;同时,还可以通过扩散保护层混光,发光也较为均匀。
结合第一方面,在一些实施例中,灯珠包括第二基板、晶片和荧光层,第二基板设置于第一表面且与第一基板电性连接,晶片设置于第二基板且与第二基板电性连接,荧光层覆盖于晶片上,扩散保护层覆盖于荧光层和第二基板上。
在上述的技术方案中,灯珠为一个完整的发光体,可以先将灯珠的第二基板连接电源,观察灯珠的发光颜色,以便选择目标颜色的灯珠进行灯带的制备,从而可以对灯带的发光颜色进行控制。
结合第一方面,在一些实施例中,每个发光体均为灯珠,不同的灯珠上覆盖的荧光层中的荧光粉种类不同。
在上述的技术方案中,不同的荧光粉反射可以发出不同颜色的光,以便通过灯珠实现灯带的双色、全彩、幻彩等,发光颜色更多。
结合第一方面,在一些实施例中,晶片为倒装晶片,晶片通过焊盘与第一基板电性连接。
在上述的技术方案中,倒装晶片的尺寸较小,安装较为方便,容易实现晶片与第一基板的电性连接。
结合第一方面,在一些实施例中,晶片为正装晶片,正装晶片通过导线与第一基板电性连接。
结合第一方面,在一些实施例中,围坝的光反射率≥5%。
在上述的技术方案中,围坝只要有一定的光反射率,就能够实现光的反射。
结合第一方面,在一些实施例中,围坝的光反射率≥10%。
在上述的技术方案中,可以使发光体发出的光在发射至围坝时,能够更多地被有效反射,以便从出光口出光,可以使侧发光灯带的出光率更高。
结合第一方面,在一些实施例中,围坝的光反射率≥20%。
第二方面,本申请实施例提供一种终端设备,包括第一方面或第二方面任一项提供的侧发光灯带。
该终端设备使用了上述侧发光灯带,发光效果更好。
结合第二方面,在一些实施例中,终端设备为汽车,汽车包括车体和安装于车体的侧发光灯带。
结合第二方面,在一些实施例中,终端设备为电脑,电脑包括机箱和安装于机箱的侧发光灯带。
结合第二方面,在一些实施例中,终端设备为灯箱,灯箱包括箱体和安装于箱体的侧发光灯带。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为正发光灯带的结构示意图;
图2为正发光灯带的出光示意图;
图3为现有技术提供的侧发光灯带的截面示意图;
图4为本申请实施例提供的侧发光灯带的第一结构示意图;
图5为本申请实施例提供的侧发光灯带的第一截面示意图;
图6为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二截面示意图;
图7为本申请实施例提供的侧发光灯带的第三截面示意图;
图8为本申请实施例提供的侧发光灯带的第四截面示意图;
图9为本申请实施例提供的侧发光灯带的第五截面示意图;
图10为本申请实施例提供的侧发光灯带的第六截面示意图;
图11为本申请实施例提供的侧发光灯带的第七截面示意图;
图12为本申请实施例提供的侧发光灯带的第八截面示意图;
图13为本申请实施例提供的侧发光灯带的第九截面示意图;
图14为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十截面示意图;
图15为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十一截面示意图;
图16为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十二截面示意图;
图17为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十三截面示意图;
图18为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十四截面示意图;
图19为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十五截面示意图;
图20为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二结构示意图;
图21为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十六截面示意图;
图22为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十七截面示意图;
图23为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十八截面示意图;
图24为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十九截面示意图;
图25为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十截面示意图;
图26为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十一截面示意图;
图27为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十二截面示意图;
图28为本申请实施例提供的侧发光灯带的组合截面示意图。
图标:11-基板;12-晶片;13-荧光胶层;10-灯带主体;20-硅胶套;21- 侧开口;
110-第一基板;111-第一表面;112-第二表面;120-发光体;130-围坝; 131-第一侧;132-第二侧;133-出光口;140-导光保护层;113-第一边缘; 114-第二边缘;150-电阻;160-电极;161-第一电极;162-第二电极;141- 缺口;121-晶片;122-荧光层;123-第二基板;170-挡坝。
具体实施方式
下面将结合附图对本申请技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本申请的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本申请的保护范围。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同;本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请;本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
在本申请实施例的描述中,技术术语“第一”“第二”等仅用于区别不同对象,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量、特定顺序或主次关系。在本申请实施例的描述中,“多个”的含义是两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
在本申请实施例的描述中,术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本申请实施例的描述中,术语“多个”指的是两个以上(包括两个),同理,“多组”指的是两组以上(包括两组),“多片”指的是两片以上(包括两片)。
在本申请实施例的描述中,技术术语“中心”“纵向”“横向”“长度”“宽度”“厚度”“上”“下”“前”“后”“左”“右”“竖直”“水平”“顶”“底”“内”“外”“顺时针”“逆时针”“轴向”“径向”“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请实施例的限制。
在本申请实施例的描述中,除非另有明确的规定和限定,技术术语“安装”“相连”“连接”“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;也可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
本申请提供一种出光率较高的侧发光灯带。图4为本申请实施例提供的侧发光灯带的第一结构示意图;图5为本申请实施例提供的侧发光灯带的第一截面示意图;图6为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二截面示意图;图7为本申请实施例提供的侧发光灯带的第三截面示意图。请参阅图4~图7,本申请提供一种侧发光灯带,包括第一基板110、发光体120和围坝130。第一基板110具有第一表面111和第二表面112;发光体120设置于第一表面111且与第一基板110电性连接。围坝130的第一侧131设置于第一表面111且位于发光体120的一侧,围坝130自第一侧131朝向发光体120的方向延伸或倾斜。沿第一基板110的厚度方向,围坝130的第二侧132比发光体120高0.1mm~20mm。
这样的侧发光灯带中,围坝130设置在第一基板110的一侧,不需要包裹第一基板110的两个表面,可以减小发光灯带的体积。围坝130朝向发光体120的方向延伸或倾斜,且围坝130的第二侧132比发光体120高 0.1mm~20mm,围坝130的第二侧132的下方为出光口133(其中,下方是指图5~图7所示的“下”,灯带安装的时候倒置或者倾斜放置,该下方并不是指通俗意义的“下”),发光体120发光的时候,一部分光线在围坝130 处被反射至出光口133,另一部分光线直接通过出光口133出光,可以使发光体120侧面发出的光能够有效反射,可以使灯带的出光率较高。
其中,第一基板110是柔性电路板,例如:FPC(Flexible Printed Circuit)板。在其他实施例中,第一基板110也可以是硬质电路板。第一基板110可以是在绝缘基材上形成线路结构,从而制作而成,也可以是购买市面上的基板,本申请不做限定。
发光体120是指:可以发出光线的部件。发光体120设置于第一表面 111且与第一基板110电性连接,可以通过给第一基板110通电,以给发光体120通电,以便发光体120发出光线。
围坝130是指:能够反射和阻挡光线的部件。请继续参阅4,图4中左侧为围坝130,右侧省略了围坝130,将发光体120暴露出来。其中,围坝130可以反射光线,本申请不限定围坝130对光线的反射量,只要能够反射光线的材料均在本申请的保护范围之内。
作为示例性地,围坝130的光反射率为5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%或99%。其中,光反射率是指:当光束接近正入射(入射角θ约等于0)时,反射率计算公式是:
Figure 1
其中,n1,n2分别是两种介质的真实折射率(即相对于真空的折射率)。折射率是指光线进入不同介质时角度发生改变的形象,用sinθ1/sinθ2来表征。θ1,θ2分别为入射角和折射角,即光线与法线的夹角。
可选地,围坝130的光反射率≥5%,能够对光进行反射。进一步地,围坝130的光反射率≥10%,可以使更多的光被围坝130反射。进一步地,围坝130的光反射率≥20%。可以进一步提高围坝130的光反射率。
示例性地,围坝130可以用围坝胶固化而成,围坝胶包括硅胶和钛白粉,钛白粉的添加量较多,围坝130的光反射率较高;钛白粉的添加量较少,围坝130的光反射率较低。可选地,硅胶可以是市面上的任意硅胶。围坝胶也可以是市面上的任意围坝胶。
请继续参阅图5~图7,围坝130的第一侧131是指:围坝130与第一基板110接触的一侧。围坝130的第一侧131位于发光体120的一侧,且围坝130自第一侧131朝向发光体120的方向延伸或者倾斜,可以使发光体120发出的光被围坝130反射。
围坝130的第二侧132是指:围坝130的远离第一基板110的一侧,围坝130的第二侧132的下方为出光口133,出光口133是指:灯带中发出光线的缺口。发光体120发出的光线以及围坝130反射的光线可以通过出光口133出光。
第一基板110的厚度方向是指:图5~图7中箭头所指上下方向,围坝 130的第二侧132比发光体120高是指:围坝130的第二侧132的高度减去发光体120的高度差D1。如图5~图7,围坝130具有朝向发光体120的下表面和背离发光体120的上表面以及连接上表面和下表面的侧面(围坝130 的第二侧132),围坝130的第二侧132的高度减去发光体120的高度差D1 为:围坝130的第二侧132的下端与发光体120的上端的高度差。围坝130 的第二侧132的高度更高,并且与围坝130朝向发光体120的方向倾斜或延伸进行配合,可以使发光体120一侧的大部分光能够被反射,以便提高出光口133的出光效率。
可选地,发光体120的上端可以是平面,也可以是弧面,或者其他不规则表面,只要是发光体120的最上端与围坝130的第二侧132的下端之间的距离为0.1mm~20mm即可。
作为示例性地,围坝130的第二侧132比发光体120高0.1mm、0.5mm、 1mm、2mm、4mm、8mm、12mm、16mm或20mm,其也可以是0.1mm~20 mm的任意值。
图8为本申请实施例提供的侧发光灯带的第四截面示意图;图9为本申请实施例提供的侧发光灯带的第五截面示意图;图10为本申请实施例提供的侧发光灯带的第六截面示意图。请参阅图8~图10,在一些实施例中,侧发光灯带还包括挡坝170。挡坝170设置于第一表面111且位于发光体 120的另一侧,沿第一基板110的厚度方向,挡坝170的高度低于围坝130 的第二侧132的高度。由于挡坝170的设置,可以使出光光线与第一基板 110之间形成一定的出光角度,以便满足客户的需求。
其中,挡坝170是指:能够反射和阻挡光线的部件。其中,挡坝170 也可以用围坝胶固化而成,挡坝170与围坝130之间能够相互反射光线,以便更多的光从出光口133出光。可选地,挡坝170和围坝130可以使用相同的围坝胶,也可以使用不同的围坝胶,本申请不做限定。在其他实施例中,挡坝170也可以不使用围坝胶固化而成,其可以直接是第一基板110上的凸出块,例如:挡坝170的材料为塑料、陶瓷等。
在一些实施例中,沿第一基板110的厚度方向,围坝130的第二侧132 比挡坝170高0.1mm~20mm。可以将光线限定在一定的范围内,以便出光较为集中,从而可以使侧发光灯带的照射范围更加合理。
围坝130的第二侧132比挡坝170高是指:围坝130的第二侧132的高度减去挡坝170的高度的差D2。如图8~图10,围坝130的第二侧132 的高度与挡坝170的高度之差D2为:挡坝170的上端与围坝130的第二侧 132的下端之间的距离。
作为示例性地,沿第一基板110的厚度方向,围坝130的第二侧132 比挡坝170高0.1mm、0.5mm、1mm、2mm、4mm、8mm、12mm、16mm 或20mm,其也可以是0.1mm~20mm范围的任意值。
可选地,沿第一基板110的厚度方向,围坝130的第二侧132比挡坝 170高0.5mm~2mm。可以使更多的光从挡坝170与围坝130的第二侧132 之间出光,同时,光线也较为聚焦,可以使侧发光灯带发出的光的亮度更高。
请参阅图5~图7,在一些实施例中,第一基板110上未设置挡坝170,则围坝130的第二侧132与第一基板110之间形成出光口133。请参阅图 8~图10,在另一些实施例中,第一基板110上设置挡坝170,则围坝130 的第二侧132与挡坝170之间形成出光口133。
请继续参阅图5~图10,在一些实施例中,沿第一基板110的厚度方向,围坝130的第二侧132比发光体120高0.5mm~2mm,围坝130的第二侧 132的高度减去发光体120的高度差D1为0.5mm~2mm。发光体120与围坝130之间的距离更加合理,可以使发光体120发出的光在围坝130处的反射率更高;同时,发光体120发出的光的衰减率也更小,从而使灯带的侧发光效率更高。
图11为本申请实施例提供的侧发光灯带的第七截面示意图,请继续参阅图6、图7、图9~图11,围坝130在第一表面111上的正投影至少覆盖部分发光体120。沿第一基板110的厚度方向,发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离为0.1mm~20mm。
请继续参阅图6和图9,围坝130在第一表面111上的投影是指图中的围坝130沿着虚线L形成的正投影,该正投影的边缘经过发光体120,也就是说,该正投影覆盖部分发光体120。发光体120安装在第一基板110上,且发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离为0.1mm~20mm,发光体120为正发光部件,部分发光体120被围坝130覆盖,可以使发光体120发出的光容易被围坝130反射,且发光体120发出的光不易衰减,以便更多的光能够通过出光口133进行侧发光。
请继续参阅图6和图9,围坝130在第一表面111上的正投影覆盖部分发光体120,发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离与D1 一致;请参阅图7和图10,围坝130在第一表面111上的正投影覆盖全部发光体120,发光体120的上端为平面,则发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离D3为:发光体120的上端与发光体120的正上方的围坝130的下表面的最大距离。请参阅图11,发光体120的上端为弧面,则发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离D3为:发光体 120的上端的弧面的最高点与其正上方的围坝130的下表面之间的距离。
作为示例性地,沿第一基板110的厚度方向,发光体120与发光体120 正上方的围坝130之间的距离D3为0.1mm、0.5mm、1mm、2mm、4mm、 8mm、12mm、16mm或20mm,其也可以是0.1mm~20mm的任意值。
请继续参阅图6、图7、图9~图11,在一些实施例中,沿第一基板110 的厚度方向,发光体120与发光体120正上方的围坝130之间的距离D3为 0.5mm~2mm。发光体120与围坝130之间的距离更加合理,可以使发光体120发出的光在围坝130处的反射率更高;同时,发光体120发出的光的衰减率也更小,从而使灯带的侧发光效率更高。
请继续参阅图7、图10和图11,围坝130在第一表面111上的正投影全部覆盖发光体120。围坝130在第一表面111上的投影是指图中的围坝 130沿着虚线L形成的正投影,该正投影的边缘位于发光体120外,也就是说,该正投影完全覆盖发光体120。可以使发光体120朝上以及朝向围坝 130的第一侧131发出的光能够被围坝130反射,从而可以使更多的光反射从出光口133出光,以便侧发光灯带发出的光更加集中。
图12为本申请实施例提供的侧发光灯带的第八截面示意图;图13为本申请实施例提供的侧发光灯带的第九截面示意图。请参阅图12和图13,在一些实施例中,侧发光灯带还包括导光保护层140,导光保护层140接触覆盖在发光体120的表面,围坝130接触覆盖在导光保护层140的背离第一基板110的一侧。
导光保护层140的下侧与发光体120和第一基板110接触,并覆盖在发光体120上,围坝130接触覆盖在导光保护层140的上方,一方面,导光保护层140可以作为围坝130的支撑,在制造灯带时方便围坝130的形成;另一方面,导光保护层140在导光的过程中,能够实现混光,可以使侧发光灯带的出光更加均匀,可以减小灯珠的排布密度。
导光保护层140是指:光线能够在层结构中传输,并且具有一定的强度,能够对发光体120进行保护的层结构。导光保护层140可以由保护胶固化后形成。
侧发光灯带含有导光保护层140,可以先制备完成导光保护层140以后,再形成围坝130。侧发光灯带不含有导光保护层140,可以先使用成型模具成型围坝130,然后将围坝130安装在第一基板110上。本申请保护的侧发光灯带可以包含导光保护层140,也可以不包含导光保护层140。
接触覆盖是指:导光保护层140与发光体120接触,围坝130与导光保护层140接触,一方面,方便导光保护层140和围坝130的制备;另一方面,方便发光体120发出的光直接在导光保护层140中传输,以便减少光的衰减量。
请继续参阅图12,在一种实施方式中,侧发光灯带未设置挡坝170,则导光保护层140覆盖在发光体120上,且位于第一基板110的第一表面 111与围坝130之间。请继续参阅图13,在另一种实施方式中,侧发光灯带设置有挡坝170,则导光保护层140覆盖在发光体120上,且位于第一基板110的第一表面111、围坝130以及挡坝170之间。
在一些实施例中,请参阅图4,发光体120包括多个,多个发光体120 均设置于第一表面111,且多个发光体120沿第一基板110的长度方向排布。多个发光体120沿第一基板110的长度方向排布,以便形成灯带,灯带的出光口133为一个长条形的开口,以便实现条形的侧发光。
请继续参阅图4,相邻两个发光体120之间的间距D4为0.5mm~3mm,可较为密集的在第一基板110上进行排布,有助于实现连续无光斑的发光效果。其中,相邻两个发光体120之间的间距D4为:左侧的发光体120的最右端与相邻的右侧的发光体120的最左端之间的距离。作为示例性地,相邻两个发光体120之间的间距D4为0.5mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5 mm或3mm,其也可以是上述范围的任意值。
在一些实施例中,沿第一基板110的长度方向,导光保护层140连续覆盖在多个发光体120的表面。导光保护层140是连续的,围坝130也是连续的,多个发光体120发出的光均可以通过导光保护层140导光、混光,可以使点光源变成线光源,从而使侧发光灯带的出光效果更好。可选地,在一些实施例中,第一基板110上设置有挡坝170,挡坝170可以是连续的,也可以是不连续的。
导光保护层140由保护胶制成,可以先将保护胶连续涂覆在多个发光体120以及发光体120之间的第一基板110上(保护胶涂一长条),然后保护胶固化,从而使导光保护层140连续覆盖在多个发光体120的表面。
在另一实施方式中,导光保护层140也可以不是连续的,每一发光体 120上覆盖导光保护层140,此时,围坝130可以是连续的(沿多个发光体 120的排布方向连续),围坝130也可以不是连续的,每一导光保护层140 上对应设置一个围坝130。可选地,在一些实施例中,第一基板110上设置有挡坝170,挡坝170可以是连续的,也可以是不连续的。
图14为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十截面示意图,请参阅图 4和图14,在一些实施例中,第一基板110还包括沿第一基板110的宽度方向相对设置的第一边缘113和第二边缘114,围坝130的第二侧132朝向第二边缘114的方向倾斜,每个发光体120与第二边缘114的距离为0 mm~50mm。
其中,第一基板110的宽度方向为图4所示的宽度方向,也就是图14 所示的左右方向。请继续参阅图14,发光体120与第二边缘114的距离D5 为:发光体120的最右侧与第二边缘114之间的距离。
作为示例性地,发光体120与第二边缘114的距离D5为0mm、1mm、 5mm、10mm、20mm、30mm、40mm或50mm,其也可以是上述范围的任意值。
可选地,每个发光体120与第二边缘114的距离D5为1mm~5mm。发光体120与第二边缘114的距离较近,则发光的亮度更高;发光体120 与第二边缘114的距离较远,则发光体120发出的光的混光效果更好。将发光体120与第二边缘114的距离限定在上述范围内,可以使侧发光灯带发出的光的亮度较高的同时,发光也更加均匀。
请继续参阅图14,在一些实施例中,第一侧131与第一边缘113的距离为第一基板110宽度的0%~90%。第一侧131与第一边缘113的距离D6:第一边缘113至第一侧131的左端之间的距离。第一基板110的宽度D7为:第一边缘113至第二边缘114之间的距离。
作为示例性地,第一侧131与第一边缘113的距离D6为第一基板110 宽度D7的0%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、 50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%或90%,其也可以是0%~90%范围的任意值。
可选地,第一侧131与第一边缘113的距离D6为第一基板110宽度 D7的30%~90%。围坝130主要设置在第一基板110的靠近第二边缘114 的区域,第一基板110的靠近第一边缘113的区域未设置围坝130,在安装缝很窄小的情况下,可以从第一基板110的第一边缘113处将第一基板110 塞在安装缝中,以便进行灯带的安装。
请继续参阅图4和图14,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电阻150,电阻150设置于第一表面111,且位于第一边缘113至第一侧131之间。制备完成的灯带通常较长,在需要安装灯带的时候,通常基于安装空间截取目标长度的灯带。电阻150外露,避免在截取灯带的时候破坏电阻150。电阻150外露,还可以使发光体120之间的间隙减小(发光体120之间不需要安装电阻150),从而可以使侧发光灯带的发光亮度更高。
在其他实施例中,电阻150还可以设置在围坝130的下方,或者设置在第一基板110的第二表面112,本申请不做限定。
在其他实施例中,除了电阻150以外,侧发光灯带上还可以设置滤波电容、恒流IC、NTC(负温度系数热敏电阻,Negative Temperature Coefficient thermistor),TVS(瞬态二极管,Transient Voltage Suppressor)等元器件,本申请不做限定。可以一部分元器件设置在围坝130的下方,一部分元器件设置在围坝130外,一部分元器件设置在第一基板110的第二表面112 等。
图15为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十一截面示意图,请参阅图4和图15,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电极160,电极160设置于第一表面111,且与第一基板110电性连接,电极160位于第一边缘113 至第一侧131之间。灯带的安装空间处通常设置有电源接头,电源接头会占用一定的空间,围坝130也会占用一定的空间。电极160和围坝130都设置在第一基板110的同一侧,围坝130占用的空间和电源接头占用的空间位于第一基板110的同一侧,可以使较小的安装空间就可以实现灯带的安装。
可选地,电极160包括第一电极161和第二电极162,第一电极161和第二电极162均位于第一边缘113至第一侧131之间。
在其他实施例中,第一电极161和第二电极162也可以均设置在第一基板110的第二表面112,本申请不做限定。
图16为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十二截面示意图,请参阅图16,在另一实施例中,电极160包括第一电极161和第二电极162,第一电极161设置于第一表面111,且位于第一边缘113至第一侧131之间;第二电极162设置于第二表面112。电源连接的时候,电源的正极连接第一电极161,电源的负极连接第二电极162,两个电极160分别位于第一基板 110的两个表面,可以减少正负极反接的几率,方便灯带的安装。
请继续参阅图16,在一些实施例中,第一电极161在第一表面111上的投影与第二电极162在第一表面111上的投影重叠,即图14中,第一电极161和第二电极162均位于两条虚线之间,且两侧与两条虚线重合。电源的正负极分别夹持在第一基板110的两个表面,容易与第一电极161和第二电极162接触,以便对第一基板110通电。在其他实施例中,第一电极161在第一表面111上的投影与第二电极162在第一表面111上的投影也可以不重叠。在其他实施例中,第一电极161和第二电极162也可以设置在第一基板110的第二表面112,本申请不做限定。
图17为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十三截面示意图,请继续参阅图17,在一些实施例中,第一侧131与第一边缘113的距离D6为第一基板110宽度D7的0%~30%。安装侧发光灯带的时候,通常围坝130的第二侧132(出光口133)位于安装空间的外侧,围坝130的第一侧131卡设在安装空间内。围坝130的第一侧131与第一边缘113的距离很近,可以第一侧131处的灯带的宽度较宽,以便卡设在安装空间内,方便侧发光灯带的安装。
例如:第一侧131与第一边缘113之间的距离D6为0,则第一侧131 位于第一边缘113处,也就是说,围坝130的第一侧131设置于第一基板 110的第一边缘113;又例如:第一侧131与第一边缘113的距离D6为第一基板110的宽度D7的0.1倍,则第一侧131与第一边缘113之间的距离 D6相对于第一基板110的宽度D7也较小,说明第一侧131设置于第一基板110的靠近第一边缘113的位置。
作为示例性地,第一侧131与第一边缘113的距离D6为第一基板110 宽度D7的0%、2%、4%、6%、8%、10%、15%、20%、25%或30%,其也可以是上述范围的任意值。
请继续参阅图17,在一些实施例中,沿第一基板110的宽度方向,围坝130在第一表面111上的正投影的宽度为第一基板110宽度的 10%~100%。围坝130在第一表面111上的正投影的宽度D8为:围坝130 在第一表面111上的正投影的左侧与右侧之间的距离。
作为示例性地,围坝130在第一表面111上的正投影的宽度D8为第一基板110宽度D7的10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或100%。
可选地,沿第一基板110的宽度方向,围坝130在第一表面111上的正投影的宽度D8为第一基板110宽度D7的70%~100%。围坝130的宽度较宽,便于将灯带(围坝130和第一基板110)嵌设在安装空间内,以便灯带的安装。
例如:D8与D7一致,则围坝130的最左侧基本与第一基板110的第一边缘113齐平,围坝130的最右侧基本与第一基板110的第二边缘114 齐平。示例性地,D8为D7的0.7倍,则围坝130的宽度比第一基板110 的宽度小一些,但是,其差别也不是很大,方便灯带的安装。
图18为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十四截面示意图,请参阅图18,在一些实施例中,沿第一基板110的宽度方向,第一侧131的宽度为第一基板110宽度的10%~90%。其中,第一侧131的宽度D9为:第一侧131的左侧至第一侧131的右侧之间的距离。
作为示例性地,第一侧131的宽度D9为第一基板110宽度D7的10%、 20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%,其也可以是上述范围的任意值。
可选地,沿第一基板110的宽度方向,第一侧131的宽度D9为第一基板110宽度D7的50%~90%。发光体120与第一边缘113之间的区域中,围坝130的含量较多,导光保护层140的含量较少,可以方便灯带安装的同时,使发光体120在导光保护层140中的路径较少,可以减少光的衰减量,以便在实现混光的同时,使灯带的出光率更高。
图19为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十五截面示意图,请参阅图19,在一些实施例中,沿第一基板110的宽度方向,第二侧132与第二边缘114的距离为第一基板110宽度的0%~90%。第二侧132与第二边缘 114的距离D10为:围坝130的正投影的最右侧与第二边缘114之间的距离。
作为示例性地,第二侧132与第二边缘114的距离D10为第一基板110 宽度D7的0%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%,其也可以是上述范围的任意值。
可选地,沿第一基板110的宽度方向,第二侧132与第二边缘114的距离D10为第一基板110宽度D7的0%~30%。出光口133靠近第二边缘 114,可以使经过出光口133后的光线直接出光,可以在一定程度上避免第一基板110挡光,可以使出光口133的出光效果更好。
请继续参阅图19,示例性地,第二侧132与第二边缘114的距离D10 为0,则第二侧132位于第二边缘114处,也就是说,围坝130的第二侧 132在第一基板110的第一表面111上的正投影与第一基板110的第二边缘 114齐平。又例如:第二侧132与第二边缘114的距离D10为第一基板110 的宽度D7的0.3倍,则第二侧132与第二边缘114之间的距离D10相对于第一基板110的宽度D7也较小,说明第二侧132设置于第一基板110的靠近第二边缘114的位置,出光口133的出光效果好。
图20为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二结构示意图,图21为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十四截面示意图,请参阅图20和图21,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电阻150,电阻150设置于第一表面 111,且围坝130在第一表面111的正投影覆盖所述电阻150。电阻150设置在围坝130的内部,可以避免电阻150外露,灯带的外观更加美观,且可以使灯带中的电流较为合适,以便灯带发光。
请参阅图20,图20中左侧为围坝130,右侧省略了围坝130,将发光体120和电阻150暴露出来。电阻150是指:在第一基板110连接电源以后,由于电阻150的设置,可以在第一基板110上形成合适的电流,以便该电流通过发光体120,使发光体120发光。
在其他实施例中,电阻150还可以设置在第一基板110的第一表面111 的右侧或者第一基板110的第二表面112等,本申请不做限定。
在其他实施例中,除了电阻150以外,侧发光灯带上还可以设置滤波电容、恒流IC、NTC(负温度系数热敏电阻,Negative Temperature Coefficient thermistor),TVS(瞬态二极管,Transient Voltage Suppressor)等元器件,本申请不做限定。可以一部分元器件设置在围坝130的下方,一部分元器件设置在围坝130外,一部分元器件设置在第一基板110的第二表面112 等。
请继续参阅图21,在一些实施例中,侧发光灯带还包括电极160,电极160设置于第二表面112,且与第一基板110电性连接。主要是通过电极 160连接电源,以对第一基板110通电,第一基板110的第一表面111上主要设置围坝130,第一基板110的第二表面112上主要设置电极160,灯带中第一基板110的一侧发光,另一侧用于连接电源,使灯带的安装更加方便,且可以使第一基板110的宽度较窄。
可选地,电极160包括第一电极161和第二电极162,第一电极161和第二电极162均设置于第二表面112。
在其他实施例中,第一电极161和第二电极162也可以均设置在第一基板110的第一表面111,或分别设置在第一基板110的第一表面111和第二表面112,本申请不做限定。
图22为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十七截面示意图,请参阅图22,在一些实施例中,沿第一基板110的宽度方向,导光保护层140的宽度为第一基板110宽度的10%~90%。导光保护层140的宽度D11为:导光保护层140在第一表面111上的正投影的最左侧至最右侧之间的距离。
作为示例性地,导光保护层140的宽度D11为第一基板110宽度D7 的10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%,其也可以是上述范围的任意值。
可选地,沿第一基板110的宽度方向,导光保护层140的宽度为第一基板110宽度的50%~90%。围坝130的含量较少,导光保护层140的含量较多,可以方便灯带安装的同时,使灯带的成本较低(导光保护层140的成本低于围坝130的成本)。
图23为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十八截面示意图,请参阅图23,在一些实施例中,在靠近第二边缘114的位置,围坝130在第一表面111上的正投影与导光保护层140在第一表面111上的正投影齐平。
请继续参阅图23,围坝130在第一表面111上的正投影的右侧与导光保护层140在第一表面111上的正投影的右侧齐平,围坝130与导光保护层140的靠近第二边缘114的位置齐平,可以减少光的发散,也可以减少漏光的情况发生,可以使灯带的侧发光效果更好。
请继续参阅图23,围坝130在第一表面111上的正投影的右侧与导光保护层140在第一表面111上的正投影的右侧齐平,且该正投影的右侧正好位于第二边缘114处。下面对发光体120与第二边缘114的距离与发光量的影响进行说明请参阅表1:
表1发光体与第二边缘的距离与发光量的关系
Figure DEST_PATH_GDA0003848885070000281
从表1可以看出,发光体120距离第二边缘114越近,发光越亮;发光体120距离第二边缘114越远,发光越暗。
图24为本申请实施例提供的侧发光灯带的第十九截面示意图,请参阅图24,在一些实施例中,在靠近第二边缘114的位置,导光保护层140在第一表面111上的正投影超出围坝130在第一表面111上的正投影。
请继续参阅图24,导光保护层140在第一表面111上的正投影的右侧朝右超出围坝130在第一表面111上的正投影,光线从出光口133出光后,还可以继续在导光保护层140中传递,可以在一定程度上增大发光角度,在需要光照散射的环境中可以安装此灯带。
请继续参阅图23和图24,在一些实施例中,沿第一基板110的宽度方向,在靠近第二边缘114的位置,导光保护层140在第一表面111上的正投影的边缘与发光体120的距离为0mm~10mm。导光保护层140在第一表面111上的正投影的边缘与发光体120的距离D12为:沿第一基板110的宽度方向,发光体120的右侧与导光保护层140在第一表面111上的正投影的右侧之间的距离。
作为示例性地,沿第一基板110的宽度方向,在靠近第二边缘114的位置,导光保护层140在第一表面111上的正投影的边缘与发光体120的距离为0mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、 9mm或10mm,其也可以是上述范围的任意值。
可选地,沿第一基板110的宽度方向,在靠近出光口133的位置,导光保护层140在第一表面111上的正投影的边缘与发光体120的距离D12 为1mm~5mm。发光体120发出的光经过1mm~5mm厚的导光保护层140 混光以后进行出光,可以使发出的光更加均匀。
请继续参阅图23和图24,在一些实施例中,在靠近第二边缘114的位置,导光保护层140与围坝130之间形成缺口141。缺口141的形成可以增大灯带的发光角度,以便可以在发光角度较大的环境中使用。
图25为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十截面示意图,请参阅图25,在另一实施例中,围坝130、导光保护层140和第一基板110的第二边缘114齐平,可以防止光过于发散以及漏光的情况,以增强侧发光的效果,发光更加集中。
在一些实施例中,发光体120为晶片121,导光保护层140为荧光保护层。晶片121发出的光不均匀,通过荧光保护层的扩散以及相互反射以后,可以获得均匀的目标颜色的光。
荧光保护层主要是由荧光胶固化而成,荧光胶中含有硅胶和荧光粉,荧光胶可以是市面上的任意荧光胶。当晶片121发出的光照射在荧光保护层的荧光粉上时,特定波长的荧光粉相互反射后得到目标波长的光,从而得到目标颜色的光。
在其他实施例中,发光体120为晶片时,导光保护层140也可以为普通的硅胶保护层,其依然可以发光。
可选地,每个发光体120均为晶片121,不同的晶片121上覆盖的荧光保护层中的荧光粉种类不同。不同的荧光粉反射可以发出不同颜色的光,以便通过晶片121和荧光保护层的配合,实现灯带的双色、多色等,发光颜色更多。
例如:灯带为双色灯带,沿第一基板110的长度方向,可以在第一基板110上布置两排晶片,一排晶片上涂覆含有第一种荧光粉的荧光保护层,另一排晶片上涂覆含有第二种荧光粉的荧光保护层,从而可以得到双色灯带。
在另一实施例中,发光体120为灯珠,导光保护层140为扩散保护层。灯珠可以发出目标颜色的光,扩散保护层的设置,可以进行混光,使灯带发光更加均匀。
扩散保护层主要是由扩散胶固化而成,扩散胶中含有硅胶和扩散粉,扩散胶可以是市面上的任意扩散胶。当光照射在扩散保护层中,被扩散粉相互反射以后,可以使光更加均匀。
图26为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十一截面示意图,请参阅图26,在一些实施例中,灯珠包括晶片121和荧光层122,晶片121设置于第一表面111,荧光层122覆盖于晶片121上,扩散保护层设置于荧光层122上。包覆晶片121的层结构为荧光层122(荧光层122的材料包括硅胶和荧光粉),能够实现发出目标颜色的光,与荧光层122外的扩散保护层配合,可以使荧光层122的量减少,减少成本;同时,还可以通过扩散保护层混光,发光也较为均匀。
图27为本申请实施例提供的侧发光灯带的第二十二截面示意图,请参阅图27,在一些实施例中,灯珠包括第二基板123、晶片121和荧光层122,第二基板123设置于第一表面111且与第一基板110电性连接,晶片121 设置于第二基板123且与第二基板123电性连接,荧光层122覆盖于晶片 121上,扩散保护层覆盖于荧光层122和第二基板123上。灯珠为一个完整的发光体120,灯珠制作成灯带之前和之后,发光颜色不会发生变化,在制作成灯带前,将灯珠的第二基板123连接电源,对灯珠的发光颜色进行测试和筛选,以便于筛选出颜色一致的灯珠,这样制作的灯带的颜色均匀性更好。本申请中,灯珠或晶片均可以为市面上购买的任意灯珠或晶片,也可以制备得到灯珠或晶片。
其中,第二基板123可以是柔性电路板或硬质电路板,其可以与第一基板110的材料相同,也可以与第一基板110的材料不同,本申请不做限定。
在一些实施例中,每个发光体120均为灯珠,不同的灯珠上覆盖的荧光层122中的荧光粉种类不同。不同的荧光粉反射可以发出不同颜色的光,以便通过灯珠实现灯带的双色、全彩、幻彩等,发光颜色更多。
例如:灯带为双色灯带,则一部分灯珠的荧光层122内具有第一种荧光粉,另一部分灯珠的荧光层122内具有第二种荧光粉;又例如:灯带为全彩灯带,可以直接选择不同颜色的灯珠或不同颜色的晶片;再例如:灯带为幻彩灯带,可以通过IC控制系统进行单点控制,以分别控制不同的灯珠或不同的晶片发光。
在其他实施例中,发光体120为灯珠时,灯珠的晶片上的还可以不设置荧光层,直接设置硅胶保护层,然后将导光保护层140设置成荧光保护层;或,灯珠的晶片上设置硅胶保护层,然后将导光保护层140也设置成硅胶保护层,通过灯珠内的晶片发出原色光。
在一些实施例中,不同的灯珠或/和不同的晶片121可以间隔设置在第一基板110上(沿第一基板110的长度方向设置),也可以一部分并排设置在第一基板110上(沿第一基板110的宽度方向设置),以便实现灯带的双色、全彩、幻彩等,发光颜色更多。
在一些实施例中,晶片121为倒装晶片,倒装晶片通过焊盘与第一基板110电性连接。倒装晶片的尺寸较小,安装较为方便,容易实现晶片121 与第一基板110的电性连接。
在另一实施例中,晶片121为正装晶片,正装晶片通过导线与第一基板110电性连接。
图28为本申请实施例提供的侧发光灯带的组合截面示意图,请参阅图 28,在其他实施例中,发光体120可以靠近围坝130的第二侧132(如图 28中的(a)和(c)),可以使侧发光灯带发出的光更亮,且照光范围更广;发光体120也可以远离围坝130的第二侧132(如图28中的(b)、(d)和 (e)),可以使发光体120发出的光更加集中,但亮度相对较低,以便将侧发光灯带安装在一些照射范围较小的环境中;围坝130的宽度与第一基板 110的宽度基本一致,且上表面基本水平(如图28中的(c)、(d)、(e)和 (f)),可以使侧发光灯带的整体厚度较为一致,以便可以将侧发光灯带安装在缝隙中,并卡设在缝隙中,方便侧发光灯带的安装。
上述的侧发光灯带可以任意变形,可以单独使用,比如:做发光字;还可以安装在其他部件中,作为终端设备的发光部件。
例如:终端设备为汽车,汽车包括车体和安装于车体的侧发光灯带。终端设备为电脑,电脑包括机箱和安装于机箱的侧发光灯带。终端设备为灯箱,灯箱包括箱体和安装于箱体的侧发光灯带。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (50)

1.一种侧发光灯带,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板具有第一表面和第二表面;
发光体,所述发光体设置于所述第一表面且与所述第一基板电性连接;
围坝,所述围坝的第一侧设置于所述第一表面且位于所述发光体的一侧,所述围坝自所述第一侧朝向所述发光体的方向延伸或者倾斜;
沿所述第一基板的厚度方向,所述围坝的第二侧比所述发光体高0.1mm~20mm。
2.根据权利要求1所述的侧发光灯带,其特征在于,还包括挡坝,所述挡坝设置于所述第一表面且位于所述发光体的另一侧;沿所述第一基板的厚度方向,所述挡坝的高度低于所述围坝的所述第二侧的高度。
3.根据权利要求2所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的厚度方向,所述围坝的第二侧比所述挡坝高0.1mm~20mm。
4.根据权利要求3所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的厚度方向,所述围坝的第二侧比所述挡坝高0.5mm~2mm。
5.根据权利要求1~4任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的厚度方向,所述围坝的第二侧比所述发光体高0.5mm~2mm。
6.根据权利要求1~4任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,所述围坝在所述第一表面上的正投影至少覆盖部分所述发光体,沿所述第一基板的厚度方向,所述发光体与所述发光体正上方的所述围坝之间的距离为0.1mm~20mm。
7.根据权利要求6所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的厚度方向,所述发光体与所述发光体正上方的所述围坝之间的距离为0.5mm~2mm。
8.根据权利要求6所述的侧发光灯带,其特征在于,所述围坝在所述第一表面上的正投影全部覆盖所述发光体。
9.根据权利要求1~4任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,还包括导光保护层,所述导光保护层接触覆盖在所述发光体的表面,且所述围坝接触覆盖在所述导光保护层的背离所述第一基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的侧发光灯带,其特征在于,所述发光体包括多个,多个所述发光体均设置于所述第一表面,且多个所述发光体沿所述第一基板的长度方向排布。
11.根据权利要求10所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的长度方向,所述导光保护层连续覆盖在多个所述发光体的表面。
12.根据权利要求11所述的侧发光灯带,其特征在于,所述第一基板还包括沿所述第一基板的宽度方向相对设置的第一边缘和第二边缘,所述围坝的所述第二侧朝向所述第二边缘的方向倾斜,每个所述发光体与所述第二边缘的距离为0mm~50mm。
13.根据权利要求12所述的侧发光灯带,其特征在于,每个所述发光体与所述第二边缘的距离为1mm~5mm。
14.根据权利要求12所述的侧发光灯带,其特征在于,所述第一侧与所述第一边缘的距离为所述第一基板宽度的0%~90%。
15.根据权利要求14所述的侧发光灯带,其特征在于,所述第一侧与所述第一边缘的距离为所述第一基板宽度的30%~90%。
16.根据权利要求15所述的侧发光灯带,其特征在于,所述侧发光灯带还包括电阻,所述电阻设置于所述第一表面,且位于所述第一边缘至所述第一侧之间。
17.根据权利要求15所述的侧发光灯带,其特征在于,所述侧发光灯带还包括电极,所述电极设置于所述第一表面,且与所述第一基板电性连接,所述电极位于所述第一边缘至所述第一侧之间。
18.根据权利要求17所述的侧发光灯带,其特征在于,所述电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极设置于所述第一表面,且位于所述第一边缘至所述第一侧之间;所述第二电极设置于所述第二表面。
19.根据权利要求18所述的侧发光灯带,其特征在于,所述第一电极在所述第一表面上的投影与所述第二电极在所述第一表面上的投影重叠。
20.根据权利要求14所述的侧发光灯带,其特征在于,所述第一侧与所述第一边缘的距离为所述第一基板宽度的0%~30%。
21.根据权利要求20所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述围坝在所述第一表面上的正投影的宽度为所述第一基板宽度的10%~100%。
22.根据权利要求21所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述围坝在所述第一表面上的正投影的宽度为所述第一基板宽度的70%~100%。
23.根据权利要求21所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述第一侧的宽度为所述第一基板宽度的10%~90%。
24.根据权利要求23所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述第一侧的宽度为所述第一基板宽度的50%~90%。
25.根据权利要求12所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述第二侧与所述第二边缘的距离为所述第一基板宽度的0%~90%。
26.根据权利要求25所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述第二侧与所述第二边缘的距离为所述第一基板宽度的0%~30%。
27.根据权利要求26所述的侧发光灯带,其特征在于,所述侧发光灯带还包括电阻,所述电阻设置于所述第一表面,且所述围坝在所述第一表面的正投影覆盖所述电阻。
28.根据权利要求26所述的侧发光灯带,其特征在于,所述侧发光灯带还包括电极,所述电极设置于所述第二表面,且与所述第一基板电性连接。
29.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述导光保护层的宽度为所述第一基板宽度的10%~90%。
30.根据权利要求29所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,所述导光保护层的宽度为所述第一基板宽度的50%~90%。
31.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,在靠近所述第二边缘的位置,所述围坝在所述第一表面上的正投影与所述导光保护层在所述第一表面上的正投影齐平。
32.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,在靠近所述第二边缘的位置,所述导光保护层在所述第一表面上的正投影超出所述围坝在所述第一表面上的正投影。
33.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,在靠近所述第二边缘的位置,所述导光保护层在所述第一表面上的正投影的边缘与所述发光体的距离为0mm~10mm。
34.根据权利要求33所述的侧发光灯带,其特征在于,沿所述第一基板的宽度方向,在靠近所述第二边缘的位置,所述导光保护层在所述第一表面上的正投影的边缘与所述发光体的距离为1mm~5mm。
35.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,在靠近所述第二边缘的位置,所述导光保护层与所述围坝之间形成缺口。
36.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,所述发光体为晶片,所述导光保护层为荧光保护层。
37.根据权利要求36所述的侧发光灯带,其特征在于,每个所述发光体均为晶片,不同的晶片上覆盖的荧光保护层中的荧光粉种类不同。
38.根据权利要求12~28任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,所述发光体为灯珠,所述导光保护层为扩散保护层。
39.根据权利要求38所述的侧发光灯带,其特征在于,所述灯珠包括晶片和荧光层,所述晶片设置于所述第一表面,所述荧光层覆盖于所述晶片上,所述扩散保护层设置于所述荧光层上。
40.根据权利要求38所述的侧发光灯带,其特征在于,所述灯珠包括第二基板、晶片和荧光层,所述第二基板设置于所述第一表面且与所述第一基板电性连接,所述晶片设置于所述第二基板且与所述第二基板电性连接,所述荧光层覆盖于所述晶片上,所述扩散保护层覆盖于所述荧光层和所述第二基板上。
41.根据权利要求39或40所述的侧发光灯带,其特征在于,每个所述发光体均为灯珠,不同的所述灯珠上覆盖的荧光层中的荧光粉种类不同。
42.根据权利要求37、39或40所述的侧发光灯带,其特征在于,所述晶片为倒装晶片,所述晶片通过焊盘与所述第一基板电性连接。
43.根据权利要求37、39或40所述的侧发光灯带,其特征在于,所述晶片为正装晶片,所述正装晶片通过导线与所述第一基板电性连接。
44.根据权利要求1~4任一项所述的侧发光灯带,其特征在于,所述围坝的光反射率≥5%。
45.根据权利要求44所述的侧发光灯带,其特征在于,所述围坝的光反射率≥10%。
46.根据权利要求45所述的侧发光灯带,其特征在于,所述围坝的光反射率≥20%。
47.一种终端设备,其特征在于,包括权利要求1~46任一项所述的侧发光灯带。
48.根据权利要求47所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备为汽车,所述汽车包括车体和安装于所述车体的所述侧发光灯带。
49.根据权利要求47所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备为电脑,所述电脑包括机箱和安装于所述机箱的所述侧发光灯带。
50.根据权利要求47所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备为灯箱,所述灯箱包括箱体和安装于所述箱体的所述侧发光灯带。
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