CN218274598U - 一种提高电流能力的对称碳化硅mosfet - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：第一栅极绝缘层设于碳化硅衬底上侧面；第二栅极绝缘层设于碳化硅衬底下侧面；第一栅极金属层设于第一栅极绝缘层上；第二栅极金属层设于第二栅极绝缘层上；第一N型区设于碳化硅衬底左侧，第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；第一源极金属层连接至第一源区；第二源极金属层连接至第二源区；第一漏极金属层连接至第三源区；以及，第二漏极金属层连接至第四源区，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET。
背景技术
SiC器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。在当下对于SiC器件的研究还主要集中在纵向功率器件中，对于SiC集成电路的研究还相对较少。尤其是对于集成电路中横向器件的器件结构研究更少，仅就最基础的对称横向器件集成做研究。
现有技术中存在SiC器件本征载流子浓度较低，饱和迁移率较低的问题。故在高速小尺寸集成电路中存在器件响应速度慢，相同驱动能力要求下器件的尺寸更大。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题，在于提供，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
本实用新型是这样实现的：一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：
碳化硅衬底，
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述碳化硅衬底上侧面；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设于所述碳化硅衬底下侧面；
第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二栅极绝缘层上；
第一N型区，所述第一N型区设于所述碳化硅衬底左侧，所述第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；
第二N型区，所述第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，所述第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；
第一源极金属层，所述第一源极金属层连接至第一源区；
第二源极金属层，所述第二源极金属层连接至第二源区；
第一漏极金属层，所述第一漏极金属层连接至第三源区；
以及，第二漏极金属层，所述第二漏极金属层连接至第四源区。
进一步地，所述碳化硅衬底为P型。
进一步地，所述第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区均为N+型。
本实用新型的优点在于：
一、在MOSFET的上下方的栅氧靠近体内层表面构建导电沟道，同时构建的沟道可以提高器件的电流能力，增加器件驱动能力；
二、器件的源极和漏极是完全对称的结构，器件的源极和漏极可以调换使用；
四、器件在上下表面分别有单独的MOSFET结构，其上表面或者下表面的MOSFET结构损坏对另外一个导电机制没有影响，只是电流能力下降一半，器件可以继续降额使用，提高了可靠性。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的原理示意图。
图2是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的横截面图。
图3是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图一。
图4是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图二。
图5是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图三。
图6是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图四。
图7是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图五。
图8是本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法流程图六。
具体实施方式
请参阅图1和图2所示，本实用新型一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：
碳化硅衬底101，所述碳化硅衬底101为P型；
第一栅极绝缘层102，所述第一栅极绝缘层102设于所述碳化硅衬底101上侧面；
第二栅极绝缘层103，所述第二栅极绝缘层102设于所述碳化硅衬底101下侧面；
第一栅极金属层104，所述第一栅极金属层104设于所述第一栅极绝缘层102上；
第二栅极金属层105，所述第二栅极金属层105设于所述第二栅极绝缘层103上；
第一N型区106，所述第一N型区106设于所述碳化硅衬底101左侧，所述第一N型区106内设有上下对称的第一源区1061以及第二源区1062；
第二N型区107，所述第二N型区107设于所述碳化硅衬底101右侧，所述第二N型区107内设有上下对称的第三源区1071以及第四源区1072，所述第一源区1061、第二源区1062、第三源区1071以及第四源区1072均为N+型；
第一源极金属层108，所述第一源极金属层108连接至第一源区1061；
第二源极金属层109，所述第二源极金属层109连接至第二源区1062；
第一漏极金属层110，所述第一漏极金属层110连接至第三源区1071；
以及，第二漏极金属层111，所述第二漏极金属层111连接至第四源区1072。
该MOSFET属于横向器件，源极和漏极可以调换位置。该MOSFET中有两个横向MOSFET结构，分别位于MOSFET的上表面和下表面，上下表面的MOSFET结构可以提高器件的电流能力。该MOSFET在提高器件的电流能力的同时，在器件上表面或者下表面的MOSFET结构损坏时，另外一个MOSFET结构还可以继续工作，可以降额使用，增加了器件的可靠性。该器件在器件尺寸缩小之后仍然具有使用价值。在器件尺寸缩小之后，衬底尺寸下降，上下对称栅可以增加器件的栅控能力，对器件的状态控制更精确。
如图1至8所示，本实用新型的MOSFET的制造方法，具体包括如下步骤：
步骤1：在碳化硅衬底101上方形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底101进行离子注入，在碳化硅衬底101下方形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底101进行离子注入，最终形成第一N型区106以及第二N型区107，所述碳化硅衬底101为P型；
步骤2：在碳化硅衬底101上方重新形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔区域对第一N型区106以及第二N型区107进行离子注入，形成第一源区1061以及第三源区1071，在碳化硅衬底101下方重新形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻形成通孔，通过通孔区域对第一N型区106以及第二N型区107进行离子注入，形成第二源区1062以及第四源区1072；所述第一源区1061、第二源区1062、第三源区1071以及第四源区1072均为N+型；
步骤3：在碳化硅衬底101上方重新形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底101进行氧化，形成第一栅极绝缘层102；在碳化硅衬底101下方重新形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底101进行氧化，形成第二栅极绝缘层103；
步骤4：重新形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔对第一源区1061淀积，形成第一源极金属层108，重新形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻形成通孔，通过通孔对第二源区1062淀积，形成第二源极金属层109；
步骤5：重新形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔对第三源区1071淀积，形成第一漏极金属层110，重新形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻形成通孔，通过通孔对第四源区1072淀积，形成第二漏极金属层111；
步骤6：重新形成第一阻挡层a，并对第一阻挡层a蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成第一栅极金属层104，重新形成第二阻挡层b，并对第二阻挡层b蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成第二栅极金属层105。
该制造方法，也可以先用上述过程完成单面的MOSFET器件结构制造，之后再完成另外一面的MOSFET器件结构制造。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
Claims (3)
1.一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
碳化硅衬底，
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述碳化硅衬底上侧面；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设于所述碳化硅衬底下侧面；
第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二栅极绝缘层上；
第一N型区，所述第一N型区设于所述碳化硅衬底左侧，所述第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；
第二N型区，所述第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，所述第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；
第一源极金属层，所述第一源极金属层连接至第一源区；
第二源极金属层，所述第二源极金属层连接至第二源区；
第一漏极金属层，所述第一漏极金属层连接至第三源区；
以及，第二漏极金属层，所述第二漏极金属层连接至第四源区。
2.如权利要求1所述的一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅衬底为P型。
3.如权利要求1所述的一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，其特征在于，所述第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区均为N+型。
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