CN218123348U - 一种可调节去胶均一性的气体分散盘 - Google Patents
一种可调节去胶均一性的气体分散盘 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种可调节去胶均一性的气体分散盘，包括底盘，底盘上设有第一通孔，底盘设有一凹槽，所述第一通孔均匀分布在底盘及其凹槽中，所述凹槽中装有一内嵌组件，所述内嵌组件包括若干个内嵌圆环，所述内嵌圆环上设有与第一通孔对应的第二通孔，当旋转内嵌圆环时，能够使第一通孔和第二通孔重合、半重合或错开，以此来实现在不同环上形成不同孔径的通孔。本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型基于去胶腔室优化了气体分散盘结构设计，使得设备既可以满足去胶速率的要求，也保证了晶圆表面去胶均一性的能力，增加了设备的不同尺寸晶圆的兼容性和不同工艺制程的受众性，使得设备性价比大大提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及气体分散盘，尤其涉及一种可调节去胶均一性的气体分散盘。
背景技术
在晶圆生产制造的过程中，等离子去胶设备是部分生产工艺中不可或缺的重要设备，随着制造工艺要求的不断精益，相应设备需求及工艺要求不断提高。
针对现有的等离子体去胶设备采用的气体分散盘(如图4所示)，孔径单一不能实时调节，且加工后存在不可逆状态，从而导致刻蚀晶圆表面的均匀性不佳。需要增加成本反复加工实验，降低了设备的性能指标，增加了处理产品的不良风险，降低了设备工艺制程的稳定性。
因此，研发一种可调节去胶均一性的气体分散盘，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型是为了解决上述不足，提供了一种可调节去胶均一性的气体分散盘。
本实用新型的上述目的通过以下的技术方案来实现：一种可调节去胶均一性的气体分散盘，包括底盘，底盘上设有第一通孔，底盘设有一凹槽，所述第一通孔均匀分布在底盘及其凹槽中，所述凹槽中装有一内嵌组件，所述内嵌组件包括若干个内嵌圆环，所述内嵌圆环上设有与第一通孔对应的第二通孔，当旋转内嵌圆环时，能够使第一通孔和第二通孔重合、半重合或错开，以此来实现在不同环上形成不同孔径的通孔。
进一步地，若干个内嵌圆环之间一环套一环，依次嵌入底盘的凹槽中，且各内嵌圆环上端面与底盘边沿上端面均相平。
进一步地，所述底盘呈圆形。
进一步地，所述凹槽呈圆形。
本实用新型采用优化气体分散盘的结构设计实现可调节去胶均一性能力。气体分散盘采用双层内嵌式结构，内嵌组件又分成若干个内嵌圆环，形成多环式结构，不仅每个内嵌环可加工不同孔径的通孔，而且每个内嵌环还可以旋转，以此调节第一通孔和第二通孔的重合度/错开度，优化等离子体通入气体分散盘的通孔孔径与晶圆表面光刻胶的作用密度。采用这种多环式可独立旋转的结构设计，可控制等离子体在晶圆表面的分布密度，面对不同尺寸晶圆及工艺需求的客户，可以现场实时调节晶圆刻蚀均匀性，来提升设备的制程和兼容能力。
本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型基于去胶腔室优化了气体分散盘结构设计，使得设备既可以满足去胶速率的要求，也保证了晶圆表面去胶均一性的能力，增加了设备的不同尺寸晶圆的兼容性和不同工艺制程的受众性，使得设备性价比大大提高。具体为：
1、可调节气体分散盘的孔径大小，满足不同尺寸晶圆均一性需求；
2、内嵌式独立环形的可旋转结构，可调节与底盘通孔重合孔径的范围，解决了产品不可逆加工的弊端。
附图说明
图1是本实用新型的分解结构示意图。
图2是本实用新型的俯视图。
图3是可调节去胶均一性半导体固胶装置示意图。
图4是传统气体分散盘的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步详述。
如图1所示，一种可调节去胶均一性的气体分散盘，包括底盘1，底盘1上设有第一通孔2，底盘1设有一凹槽3，所述第一通孔2均匀分布在底盘及其凹槽3中，所述凹槽3中装有一内嵌组件4，所述内嵌组件4包括若干个内嵌圆环5，所述内嵌圆环5上设有与第一通孔2对应的第二通孔6，当旋转内嵌圆环5时，能够使第一通孔2和第二通孔6重合、半重合或错开，以此来实现在不同环上形成不同孔径的通孔。
进一步地，若干个内嵌圆环5之间一环套一环，依次嵌入底盘1的凹槽3中，且各内嵌圆环5上端面与底盘1边沿上端面均相平。
进一步地，所述底盘1呈圆形。
进一步地，所述凹槽3呈圆形。
本实用新型采用优化气体分散盘的结构设计实现可调节去胶均一性能力。气体分散盘采用双层内嵌式结构，内嵌组件又分成若干个内嵌圆环，形成多环式结构，不仅每个内嵌环可加工不同孔径的通孔，而且每个内嵌环还可以旋转，以此调节第一通孔和第二通孔的重合度/错开度，优化等离子体通入气体分散盘的通孔孔径与晶圆表面光刻胶的作用密度。采用这种多环式可独立旋转的结构设计，可控制等离子体在晶圆表面的分布密度，面对不同尺寸晶圆及工艺需求的客户，可以现场实时调节晶圆刻蚀均匀性，来提升设备的制程和兼容能力。如图3所示，为可调节去胶均一性半导体固胶装置示意图，图中a为制程腔体，b为气体分散盘，c为等离子体，d为晶圆。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种可调节去胶均一性的气体分散盘，包括底盘，底盘上设有第一通孔，其特征在于：底盘设有一凹槽，所述第一通孔均匀分布在底盘及其凹槽中，所述凹槽中装有一内嵌组件，所述内嵌组件包括若干个内嵌圆环，所述内嵌圆环上设有与第一通孔对应的第二通孔，当旋转内嵌圆环时，能够使第一通孔和第二通孔重合、半重合或错开，以此来实现在不同环上形成不同孔径的通孔。
2.根据权利要求1所述的一种可调节去胶均一性的气体分散盘，其特征在于：若干个内嵌圆环之间一环套一环，依次嵌入底盘的凹槽中，且各内嵌圆环上端面与底盘边沿上端面均相平。
3.根据权利要求1所述的一种可调节去胶均一性的气体分散盘，其特征在于：所述底盘呈圆形。
4.根据权利要求1所述的一种可调节去胶均一性的气体分散盘，其特征在于：所述凹槽呈圆形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221002224.2U CN218123348U (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 一种可调节去胶均一性的气体分散盘 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221002224.2U CN218123348U (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 一种可调节去胶均一性的气体分散盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN218123348U true CN218123348U (zh) | 2022-12-23 |
Family
ID=84494918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221002224.2U Active CN218123348U (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 一种可调节去胶均一性的气体分散盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218123348U (zh) |
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2022
- 2022-04-28 CN CN202221002224.2U patent/CN218123348U/zh active Active
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