CN217922438U - 一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构，包括下盖，下盖安装于大支撑架上，大支撑架通过大支撑架连接板滑动安装于大滑台上；所述大支撑架连接板上设置有小滑台，小滑台上滑动安装有小支撑架连接板，小支撑架连接板上安装有小支撑架，小支撑架上安装有磁流体，磁流体上连接有波纹管，波纹管的另一端与下盖相连，磁流体的轴部安装有温场支撑轴，所述磁流体的下部与旋转电机相连；本实用新型可实现碳化硅晶体设备温场支撑轴的升降及自转，相比传统拉伸移动机构稳定性好，精度高。

Description

一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构

技术领域

本实用新型涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置 的下传动机构。

背景技术

随着科学技术的发展，对晶体材料的要求越来越高，这也意味着对晶体材料的 生长工艺和生长设备的要求越来越高，晶体生长设备和生长工艺关键技术之一就是传动机构的稳定性、精度和可靠性，因此需要开发一种稳定性和精度高碳化硅晶体生长装置下传动机构。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型提供一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构，包括下盖，下盖安装于升降机构上，所述下盖安装于大支撑架上，大支撑架通过大支撑架连接板滑动安装于大滑台上；所述大支撑架连接板上设置有小滑台，小滑台上滑动安装有小支撑架连接板，小支撑架连接板上安装有小支撑架，小支撑架上安装有磁流体，磁流体上连接有波纹管，波纹管的另一端与下盖相连，磁流体的轴部安装有温场支撑轴，下盖上设置有与温场支撑轴相配合的开口，所述磁流体的下部与旋转电机相连；所述大支撑架上设置有支撑杆座，下盖上设置有与支撑杆座相配合的支撑杆，支撑杆滑动安装于支撑杆座内，支撑杆座与下盖之间的支撑杆上设置有弹簧。

优选地，所述大滑台内设置有相配合的第一丝杠和第一螺母，第一螺母与大支撑架连接板相连，所述大滑台的底部设置有大滑台电机，第一丝杠与大滑台电机相连。

优选地，所述小滑台内设置有相配合的第二丝杠和第二螺母，第二螺母与小支撑架连接板相连，所述小滑台的底部设置有小滑台电机，第二丝杠与小滑台电机相连。

优选地，所述大滑台上设置有大滑台固定板。

本实用新型的有益效果体现在：本实用新型通过升降机构与自转机构的配合，可实现碳化硅晶体设备温场支撑轴的升降及自转，采用磁流体与波纹管进行密封，结构简单，维护方便，相比传统的拉伸移动稳定性好，精度高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1为本实用新型的轴测图。

图2为本实用新型的主视图。

附图中，1、大滑台，2、大滑台固定板，3、大滑台电机，4、大支撑架连接板，5、大支撑架，6、小滑台，7、小滑台电机，8、小支撑架连接板，9、小支撑架，10、磁流体，11、波纹管，12、温场支撑轴，13、旋转电机，14、支撑杆座，15、支撑杆，16、弹簧，17、下盖。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

为了易于说明，在这里可以使用诸如“上”、“下”“左”“右”等空间相对术语，用于说明图中示出的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。应该理解的是，除了图中示出的方位之外，空间术语意在于包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被倒置，被叙述为位于其他元件或特征“下”的元件将定位在其他元件或特征“上”。因此，示例性术语“下”可以包含上和下方位两者。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

下面结合附图对本实用新型进行详细地描述：本实用新型的一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构，包括下盖17，下盖17安装于升降机构上，所述下盖17安装于大支撑架5上，大支撑架5通过大支撑架连接板4滑动安装于大滑台1上；所述大支撑架连接板4上设置有小滑台6，小滑台6上滑动安装有小支撑架连接板8，小支撑架连接板8上安装有小支撑架9，小支撑架9上安装有磁流体10，磁流体10上连接有波纹管11，波纹管11的另一端与下盖17相连，磁流体10的轴部安装有温场支撑轴12，下盖17上设置有与温场支撑轴12相配合的开口，所述磁流体10的下部与旋转电机13相连；所述大支撑架5上设置有支撑杆座14，下盖17上设置有与支撑杆座14相配合的支撑杆15，支撑杆15滑动安装于支撑杆座14内，支撑杆座14与下盖17之间的支撑杆15上设置有弹簧16。

所述大滑台1内设置有相配合的第一丝杠和第一螺母，第一螺母与大支撑架连接板4相连，所述大滑台1的底部设置有大滑台电机3，第一丝杠与大滑台电机3相连。

所述小滑台6内设置有相配合的第二丝杠和第二螺母，第二螺母与小支撑架连接板8相连，所述小滑台6的底部设置有小滑台电机7，第二丝杠与小滑台电机7相连。

所述大滑台1上设置有大滑台固定板2，大滑台固定板2可将大滑台1固定在设备机架上。

本实用新型的工作原理为：大滑台1可带动下盖17上下移动，当下盖17与设备接触闭合时，在弹簧16弹力的作用下可将下盖17往上顶，提高下盖17与碳化硅晶体设备连接的密封性，当下盖17闭合后，通过小滑台6的驱动可使温场支撑轴12完成升降动作，在升降过程中依靠波纹管11的密封来实现升降，通过旋转电机13的带动可使磁流体10进行旋转，进而带动温场支撑轴12的旋转。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (4)

1.一种碳化硅晶体生长装置的下传动机构，包括下盖（17），下盖（17）安装于升降机构上，其特征在于：所述下盖（17）安装于大支撑架（5）上，大支撑架（5）通过大支撑架连接板（4）滑动安装于大滑台（1）上；所述大支撑架连接板（4）上设置有小滑台（6），小滑台（6）上滑动安装有小支撑架连接板（8），小支撑架连接板（8）上安装有小支撑架（9），小支撑架（9）上安装有磁流体（10），磁流体（10）上连接有波纹管（11），波纹管（11）的另一端与下盖（17）相连，磁流体（10）的轴部安装有温场支撑轴（12），下盖（17）上设置有与温场支撑轴（12）相配合的开口，所述磁流体（10）的下部与旋转电机（13）相连；所述大支撑架（5）上设置有支撑杆座（14），下盖（17）上设置有与支撑杆座（14）相配合的支撑杆（15），支撑杆（15）滑动安装于支撑杆座（14）内，支撑杆座（14）与下盖（17）之间的支撑杆（15）上设置有弹簧（16）。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置的下传动机构，其特征在于：所述大滑台（1）内设置有相配合的第一丝杠和第一螺母，第一螺母与大支撑架连接板（4）相连，所述大滑台（1）的底部设置有大滑台电机（3），第一丝杠与大滑台电机（3）相连。

3.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置的下传动机构，其特征在于：所述小滑台（6）内设置有相配合的第二丝杠和第二螺母，第二螺母与小支撑架连接板（8）相连，所述小滑台（6）的底部设置有小滑台电机（7），第二丝杠与小滑台电机（7）相连。

4.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置的下传动机构，其特征在于：所述大滑台（1）上设置有大滑台固定板（2）。

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