CN217839099U - 掩膜板支撑框架及掩膜板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了掩膜板支撑框架及掩膜板，包括拉伸焊接在掩膜板框架上的支撑架，所述支撑架为整体开模形成的一体式支撑架，所述一体式支撑架包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条和竖向支撑条，所述遮挡条上设置有用于焊接掩膜条的预留位，所述预留位上设置有减重机构。本实用新型通过取消一体化掩膜板支撑框架纵向方向边缘两条支撑条，由此减小掩膜板框架长边方向张力，取消纵向方向支撑条的位置做微刻蚀并对应张网更薄支撑条，用以解决现有边缘混色不良问题。

Description

掩膜板支撑框架及掩膜板

技术领域

本实用新型涉及掩膜板技术领域，具体涉及掩膜板支撑框架及掩膜板。

背景技术

掩膜支撑框架用于精密金属掩膜的张网，支撑掩膜主要分为CH方式和一体化方式，目前，一体化支撑已经成为国内的主流方式，然而，其也存在一定的缺陷，由于一体化支撑一次性张网的特点，其掩膜片边缘四角的拉力远远大于中间部位，因此，容易造成掩膜框架形变量大，或拉力不对称导致的变形或潜在变形风险，使得在后续FMM张网使用过程中出现问题，并容易造成一体化掩膜存在边缘混色不良现象。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供掩膜板支撑框架及掩膜板，取消一体化掩膜板支撑框架纵向方向边缘两条支撑条，由此减小掩膜板框架长边方向张力，取消纵向方向支撑条的位置做微刻蚀并对应张网更薄支撑条，用以解决现有边缘混色不良问题。

掩膜板支撑框架，包括拉伸焊接在掩膜板框架上的支撑架，所述支撑架为整体开模形成的一体式支撑架，所述一体式支撑架包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条和竖向支撑条，所述遮挡条上设置有用于焊接掩膜条的预留位，所述预留位上设置有减重机构。

进一步地，所述减重机构为沿平行于支撑条的方向开设在所述遮挡条一侧上的微蚀刻凹槽，以使掩膜条嵌置在所述微蚀刻凹槽内。

进一步地，所述减重机构为沿平行于支撑条的方向对称开设在遮挡条两侧的两组微蚀刻凹槽。

进一步地，所述各支撑条均匀间隔设置，两组微蚀刻凹槽分别距各自相对的支撑条之间的距离L1与各支撑条之间的距离L2相等。

进一步地，所述掩膜条的厚度与微蚀刻凹槽深度相同，以使掩膜条内嵌与所述微蚀刻凹槽时，所述掩膜条的顶面与遮挡条的顶面齐平。

进一步地，所述微蚀刻凹槽的深度为30～40μm。

进一步地，所述支撑条的厚度与所述遮挡条的厚度相同，均为80～100μm。

进一步地，所述支撑架为具有磁力的磁条。

一种掩膜板，包括掩膜板支撑框架以及覆盖于所述掩膜板支撑框架上的掩膜片，所述掩膜层包括多个金属掩膜单元。

本实用新型具有的有益效果：

1、由于取消了边缘位置的支撑条，张网时，对应位置的拉力相应减小，从而减小整体拉力；完成一体化掩膜板支撑框架张网后，在原支撑条位置单独张网两条掩膜条。掩膜条厚度为h1，由于单条掩膜条的厚度小于一体化掩膜板支撑框架厚度，因此，张网拉力减小(长边方向的拉力)，从而减小掩膜板框架形变，进而解决FMM(精细金属掩膜板)张网出现非矩形形态的异形形变和后续使用时由于平坦度或受力不均等因素导致的PPA变化，单独张网的支撑条有助于支撑条贴合FMM，进而解决边缘混色不良的问题；

2、本实用新型的支撑条是具有磁力的磁条，使得支撑条不仅起到支撑作用，同时还可吸附住掩膜基板，在与玻璃基板贴合之前就缓解掩膜基板存在的皱褶现象，当蒸镀系统的磁力部件下降吸附时，掩膜基板可以更加紧密的与玻璃基板贴合在一起，从而避免了混色、蒸镀成膜材料厚度不均等蒸镀不良情况的发生。

附图说明

图1为本实用新型的支撑架整体结构示意图；

图2为本实用新型的掩膜板结构示意图；

图3为本实用新型的微蚀刻凹槽示意图；

图4为本实用新型的掩膜条嵌置与微蚀刻凹槽时剖面结构示意图；

图5为本实用新型的掩膜版结构示意图；

附图说明：1-支撑架，11-遮挡条，12-支撑条，2-掩膜条，3-微蚀刻凹槽， 4-掩膜板框架，5-掩膜层，51-掩膜单元。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。

另外，为了清楚和简洁起见，可能省略了对公知的结构、功能和配置的描述。本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对本文描述的示例进行各种改变和修改。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

实施例1

掩膜板支撑框架，包括拉伸焊接在掩膜板框架4上的支撑架1，所述支撑架 1为整体开模形成的一体式支撑架1，所述一体式支撑架1包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条11和竖向支撑条12，所述遮挡条11上设置有用于焊接掩膜条2 的预留位，所述预留位上设置有减重机构。

在现有技术中，大多采用的是交错设置的支撑条12，各支撑条12交错在一起形成支撑网。这种单片精密金属掩膜版在拼焊时，需要先将支撑条12焊接到金属框架上，起到支撑作用，然后在将精密金属掩膜搭载在支撑条12上，进行焊接。然而采用此种CH方式往往需要支撑条12的数量越多，越要花大量时间进行拉网焊接；由于交叉排列的支撑条12，存在大量缝隙，蒸镀时有机材料会进入这些缝隙中，浪费材料，并且不容易清理；单条支撑条12拼焊，支持条交叉重叠，由于厚度的叠加，导致精密金属掩膜版焊接后表面平整度差异大。

具体的，所述掩膜板框架4的中部为中空区；

所述支撑架1包括多根遮挡条11及支撑条12，其中所述遮挡条11沿第一方向跨设于所述框架的中空区，所述支撑条12沿第二方向跨设于所述框架的中空区，以构成掩膜版支撑框架；所述支撑条12、遮挡条11的两端分别与所述掩膜板框架4连接；所述第一方向与所述第二方向交叉。优选的，所第一方向为横向方向，所述第二方向为竖向方向。

多个金属掩膜，所述金属掩膜位于所述掩膜版支撑框架上方，所述金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区，所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述掩膜板框架4连接，多个所述金属掩膜沿着所述第二方向依次排列。

本申请采用一体制作成型的镂空网格结构的金属掩膜版支撑框架，完全可以取代现有技术的支撑条12，在焊接到掩膜版支撑框架上时，只需要一次拉网，一次焊接，可以大大提高生产效率；而且一体成型的金属掩膜版无缝隙，解决了现有技术支撑条12交叉处残留有机材料问题。另外，由于整个支撑用掩膜版支撑框架只有一个厚度，保证后期的多片精密金属掩膜能搭载在同一个平面上，使整个金属掩膜版表面的平整度大大提高。

本申请取消了在原一体化掩膜板支撑框架纵向方向边缘两条支撑条12，并在对应位置做微刻蚀，为了整体减小拉力，优化掩膜版支撑框架受力，可同时在遮挡条多部位进行微刻蚀。

由于取消了边缘位置的支撑条12，张网时，对应位置的拉力相应减小，从而减小整体拉力；完成一体化掩膜板支撑框架张网后，在原支撑条12位置单独张网两条掩膜条2。由于单条掩膜条2的厚度小于一体化掩膜板支撑框架厚度，因此，张网拉力减小。

即通过减小长边方向的拉力，减小掩膜版框架形变，进而解决FMM(精细金属掩膜板)张网出现非矩形形态的异形形变和后续使用时由于平坦度或受力不均等因素导致的PPA变化。单独张网的支撑条12有助于支撑条12贴合FMM，从而解决边缘混色不良的问题。

实施例2

在实施例1的基础上，所述减重机构为沿平行于支撑条12的方向开设在所述遮挡条11一侧上的微蚀刻凹槽3，以使掩膜条2嵌置在所述微蚀刻凹槽3内。

在一种实施例中，所述减重机构为沿平行于支撑条12的方向对称开设在遮挡条11两侧的两组微蚀刻凹槽3。

本领域技术人员可以理解的是，所述减重机构还可以为沿平行于支撑条12 的方向开设在遮挡条11多处的多组微蚀刻凹槽3。

具体的，所述掩膜条2的厚度与微蚀刻凹槽3深度相同，以使掩膜条2内嵌与所述微蚀刻凹槽3时，所述掩膜条2的顶面与遮挡条11的顶面齐平。

具体的，所述微蚀刻凹槽3的深度为30～40μm。

具体的，所述支撑条12的厚度与所述遮挡条11的厚度相同，均为80～100 μm。

具体的，所述支撑架1为具有磁力的磁条。

具体的，所述各支撑条12均匀间隔设置，两组微蚀刻凹槽3分别距各自相对的支撑条12之间的距离L1与各支撑条12之间的距离L2相等，优选的，各遮挡条11均匀间隔设置。

优选的，所述支撑条12与所述遮挡条11相互垂直设置。

优选的，所述支撑条12具有长方体结构。

优选的，所述遮挡条11具有长方体结构。

所述支撑条12及所述各所述遮挡条11连接形成网状结构，这样，用于提高所述掩膜支撑结构的整体结构的稳定性。

所述微蚀刻凹槽3通过蚀刻工艺形成。

优选的，本申请将减重机构沿平行于支撑条12的方向对称开设在遮挡条11 两侧，即微蚀刻凹槽3设置在所述支撑条12的外侧，并在所述微蚀刻凹槽3内通过张网拉伸工艺分别嵌置掩膜片，当将掩膜片贴合在遮挡条11上时，掩膜片与遮挡条11的连接交叉位置处，为掩膜片的无效掩膜区，也即掩膜片与遮挡条 11通过微蚀刻凹槽3于连接交叉位置处实现扣接的效果，类似于榫卯结构，以实现牢靠地扣接效果。也就是说，掩膜片和遮挡条11通过微蚀刻凹槽3相对齐，能够减轻掩膜片与遮挡条11在连接交叉位置处厚度较大的问题，从而能够有效缓解掩膜片和遮挡条11在连接交叉位置处的变形问题，即掩膜片和遮挡条11在连接交叉位置处不易发生变形问题，如此，当将掩膜片放置在遮挡条11上时，能够使遮挡条11与掩膜板贴合地更加紧密。

实施例3

一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板支撑框架以及覆盖于所述掩膜板支撑框架上的掩膜片，所述掩膜层5包括多个金属掩膜单元51。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。

Claims (9)

1.掩膜板支撑框架，其特征在于，包括拉伸焊接在掩膜板框架(4)上的支撑架(1)，所述支撑架(1)为整体开模形成的一体式支撑架(1)，所述一体式支撑架(1)包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条(11)和竖向支撑条(12)，所述遮挡条(11)上设置有用于焊接掩膜条(2)的预留位，所述预留位上设置有减重机构。

2.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述减重机构为沿平行于支撑条(12)的方向开设在所述遮挡条(11)一侧上的微蚀刻凹槽(3)，以使掩膜条(2)嵌置在所述微蚀刻凹槽(3)内。

3.根据权利要求2所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述减重机构为沿平行于支撑条(12)的方向对称开设在遮挡条(11)两侧的两组微蚀刻凹槽(3)。

4.根据权利要求3所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，各支撑条(12)均匀间隔设置，两组微蚀刻凹槽(3)分别距各自相对的支撑条(12)之间的距离L1与各支撑条(12)之间的距离L2相等。

5.根据权利要求2所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述掩膜条(2)的厚度与微蚀刻凹槽(3)深度相同，以使掩膜条(2)内嵌与所述微蚀刻凹槽(3)时，所述掩膜条(2)的顶面与遮挡条(11)的顶面齐平。

6.根据权利要求5所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述微蚀刻凹槽(3)的深度为30～40μm。

7.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述支撑条(12)的厚度与所述遮挡条(11)的厚度相同，均为80～100μm。

8.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述支撑架(1)为具有磁力的磁条。

9.一种掩膜板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项掩膜板支撑框架以及覆盖于所述掩膜板支撑框架上的掩膜层(5)，所述掩膜层(5)包括多个金属掩膜单元(51)。

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