CN217822770U - 功率模块的封装结构和车辆 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 185
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 80
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 70
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种功率模块的封装结构和车辆,所述功率模块的封装结构包括功率模块和第一散热组件,所述功率模块具有第一散热面,所述第一散热组件设置于所述第一散热面,所述第一散热组件包括散热框架、冷凝通道和散热工质,所述散热框架具有相对的蒸发端和冷凝端。所述功率模块的封装结构通过所述散热工质在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块进行散热的目的。而且所述散热框架的蒸发端靠近所述功率模块的第一散热面,可以利用所述蒸发端的整个表面来散热,增大了所述功率模块的散热面积,提高了所述功率模块的封装结构中热量的传输效率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体模块技术领域,具体地,本实用新型涉及一种功率模块的封装结构和车辆。
背景技术
功率模块是一种混合集成功率部件,具有结构紧凑、可靠性高和易于使用等优点。比如功率模块在电动汽车和混合动力汽车的应用中,对汽车的逆变器和变换器系统的性能稳定起着至关重要的作用。
而功率模块在运行过程中会产生较多的热量,传统的功率模块散热结构主要采用风冷冷却、液体冷却或者热管相变冷却的方式,以热管相变冷却的方式为例,一般为若干独立的传统重力热管插入基板的蒸发端,利用热管原理实现热交换。
但由于基板与热管导热能力的差异,导致基板与热管之间的导热能力也存在差异,给功率模块带来温度不均的问题。并且在基板的结构较多处存在较大热阻,阻碍了热管对基板的冷却效率。
实用新型内容
本实用新型实施例的一个目的是提供一种功率模块的封装结构和车辆的新技术方案。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种功率模块的封装结构,包括:
功率模块,所述功率模块具有第一散热面;
第一散热组件,所述第一散热组件设置于所述第一散热面,所述第一散热组件包括散热框架、冷凝通道和散热工质,所述散热框架具有相对的蒸发端和冷凝端,所述蒸发端靠近所述第一散热面,所述散热工质至少部分设置于所述蒸发端,所述冷凝通道连通所述蒸发端和冷凝端并将所述散热框架内部空间分隔成多个蒸发腔,所述蒸发腔用于将所述蒸发端蒸发的所述散热工质流至所述冷凝端,所述冷凝通道用于将所述冷凝端冷却的所述散热工质回流至所述蒸发端。
可选地,所述第一散热组件还包括针翅结构,所述散热框架嵌设于所述针翅结构内,所述针翅结构靠近所述第一散热面的一侧设置有热界面层,所述针翅结构远离所述第一散热面的一侧设置有多个扰流柱。
可选地,所述蒸发端蒸发的所述散热工质在所述蒸发腔中流至所述冷凝端的路径为多个。
可选地,所述蒸发腔为真空腔。
可选地,所述冷凝通道上设置有靠近所述蒸发端的第一连通口和靠近所述冷凝端的第二连通口,所述冷凝通道通过所述第一连通口和所述第二连通口与所述蒸发腔连通。
可选地,还包括第二散热组件,所述功率模块具有背离所述第一散热面的第二散热面,所述第二散热组件设置于所述第二散热面。
可选地,所述第二散热组件与所述第一散热组件相同,并且对称设置于所述功率模块的两侧。
可选地,所述功率模块包括电连接件、芯片组件和相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板靠近所述第一散热组件设置,所述第二基板靠近所述第二散热组件设置;
所述电连接件位于所述第一基板和所述第二基板之间,所述芯片组件设置于所述电连接件和所述第二基板之间。
可选地,所述第一基板包括第一散热层、第一绝缘层和第一电路层,所述第一绝缘层设置于所述第一散热层和所述第一电路层之间,所述第二基板包括第二散热层、第二绝缘层和第二电路层,所述第二绝缘层设置于所述第二散热层和所述第二电路层之间;
所述第一电路层电连接于所述电连接件,所述第二电路层电连接于所述芯片组件。
可选地,所述第一电路层包括相互分离的第一子电路层和第二子电路层,所述第二电路层包括相互分离的第三子电路层和第四子电路层,所述第一子电路层与所述第三子电路层相对,所述第二子电路层与所述第四子电路层相对;
所述电连接件包括第一电连接件、第二电连接件和第三电连接件,所述芯片组件包括第一芯片和第二芯片,所述第一电连接件和所述第一芯片位于所述第一子电路层和所述第三子电路层之间,所述第二电连接件和所述第二芯片位于所述第二子电路层与所述第四子电路层之间,所述第三电连接件被配置为电连接所述第二子电路层和所述第三子电路层。
可选地,所述第一电连接件和所述第一芯片均为多个,并且所述第一电连接件和所述第一芯片一一对应设置;
和/或,所述第二电连接件和所述第二芯片均为多个,并且所述第二电连接件和所述第二芯片一一对应设置。
可选地,所述功率模块还包括第一焊接层、第二焊接层和第三焊接层;
所述第一电路层通过所述第一焊接层电连接于所述电连接件的一侧,所述芯片组件通过所述第二焊接层电连接于所述电连接件的另一侧,所述第二电路层通过所述第三焊接层电连接于所述芯片组件。
可选地,所述第一散热组件和所述功率模块之间通过塑胶形成封装。
根据本实用新型的第二方面,提供了一种车辆,包括第一方面所述的功率模块的封装结构。
本实用新型的一个技术效果在于:
本实用新型提供了一种功率模块的封装结构,所述功率模块的封装结构包括功率模块和第一散热组件,所述功率模块具有第一散热面,所述第一散热组件设置于所述第一散热面,所述第一散热组件包括散热框架、冷凝通道和散热工质,所述散热框架具有相对的蒸发端和冷凝端。所述功率模块的封装结构通过所述散热工质在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块进行散热的目的。而且所述散热框架的蒸发端靠近所述功率模块的第一散热面,可以利用所述蒸发端的整个表面来散热,增大了所述功率模块的散热面积,提高了所述功率模块的封装结构中热量的传输效率。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例,并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。
图1为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构截面图;
图2为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的封装示意图;
图3为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的第一散热组件的示意图(不包括针翅结构);
图4为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的第一散热组件的工质流向示意图一;
图5为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的第一散热组件的工质流向示意图二;
图6为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的针翅结构的示意图;
图7为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的针翅结构和散热框架配合的示意图;
图8为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的第一散热组件的示意图;
图9为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的功率模块的示意图;
图10为本实用新型实施例提供的一种功率模块的封装结构的功率模块的电路走向示意图;
图11为本实用新型实施例提供的另一种功率模块的封装结构的封装示意图。
其中:1、功率模块;11、电连接件;12、芯片组件;13、第一基板;131、第一散热层;132、第一绝缘层;133、第一电路层;14、第二基板;141、第二散热层;142、第二绝缘层;143、第二电路层;15、第一焊接层;16、第二焊接层;17、第三焊接层;2、第一散热组件;21、散热框架;22、冷凝通道;23、散热工质;24、蒸发腔;25、针翅结构;26、热界面层;27、扰流柱;3、第二散热组件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参照图1至图5,本实用新型实施例提供了一种功率模块的封装结构,所述功率模块的封装结构可以应用于车辆上,比如所述功率模块的封装结构可以作为车辆上逆变器和变换器系统的主要组件,所述功率模块的封装结构包括:
功率模块1和第一散热组件2,所述功率模块1具有第一散热面,所述功率模块1中可以设置多个芯片,芯片在运行的过程中会产生较多的热量,所述第一散热面可以将所述功率模块1中产生的热量对外散出。
参见图1,所述第一散热组件2设置于所述第一散热面,比如第一散热面可以为功率模块1的顶面,第一散热组件2设置于所述功率模块1的顶面上。所述第一散热组件2包括散热框架21、冷凝通道22和散热工质23,所述散热框架21具有相对的蒸发端和冷凝端,比如散热框架21的底端为蒸发端,散热框架21的顶端为冷凝端,所述蒸发端靠近所述第一散热面,所述散热工质23至少部分设置于所述蒸发端,以保证所述蒸发端在对所述散热工质23进行蒸发散热的稳定性。
参见图3至图5,所述冷凝通道22连通所述蒸发端和冷凝端并将所述散热框架21内部空间分隔成多个蒸发腔24。所述蒸发腔24用于将所述蒸发端蒸发的所述散热工质23流至所述冷凝端,也就是在所述功率模块1对外散热时,由于所述蒸发端靠近所述功率模块1的第一散热面,所述功率模块1散发的热量会使得所述蒸发端的散热工质23由液态汽化为汽态,所述蒸发腔24可以将所述蒸发端蒸发产生的汽态工质流至所述冷凝端,进而在所述冷凝端受冷后凝结成液态工质。所述散热框架21、冷凝通道22、散热工质23和蒸发腔24的配合形成了蒸气室结构,保证了对所述功率模块1的散热,如图4所示。
所述冷凝通道22用于将所述冷凝端冷却的所述散热工质23回流至所述蒸发端,在所述冷凝端将受冷后的散热工质23凝结成液态工质后,液态工质可以通过所述冷凝通道22流向所述蒸发端,以与所述蒸发端呈液态的所述散热工质23汇合,保证所述蒸发端在对所述散热工质23进行蒸发散热的持续性,如图5所示。
本实用新型实施例提供的所述功率模块的封装结构通过所述散热工质23在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块1进行散热的目的。而且所述散热框架21的蒸发端靠近所述功率模块1的第一散热面,可以利用所述蒸发端的整个表面来散热,增大了所述功率模块1的散热面积,提高了所述功率模块的封装结构热量的传输效率。而且所述散热工质23汽化形成的汽态工质可以在整个蒸发腔24内传递,在提高所述功率模块的封装结构散热效率的基础上,保证了所述冷凝端温度分布的均匀性。
另外,所述功率模块1中可以设置多个芯片,所述功率模块的封装结构实现所述功率模块1中芯片的有效散热时,可以降低芯片内的温差和最大热应力,提高所述功率模块1的工作性能。
可选地,参见图4和图5,所述蒸发端蒸发的所述散热工质23在所述蒸发腔24中流至所述冷凝端的路径为多个,多个所述路径之间具有夹角。比如图4的蒸发腔24中,蒸发端蒸发的散热工质23在流至冷凝端时可以竖直朝上,也可以朝向左上方向流至冷凝端,或者朝向右上方向流至冷凝端,以实现蒸发端蒸发的散热工质23在流动时的多维传热,提高了所述功率模块的封装结构的散热效率。
可选地,所述蒸发腔24为真空腔。所述蒸发腔24的真空度范围具体可以为10-5Pa至102Pa,而且所述蒸发腔24的真空度越高,也就可以使得所述散热工质23越容易被蒸发。在所述散热工质23快速蒸发的过程中便可以对所述功率模块的封装结构进行快速散热,保证所述功率模块的封装结构的性能稳定。
可选地,所述冷凝通道22上设置有靠近所述蒸发端的第一连通口和靠近所述冷凝端的第二连通口,所述冷凝通道22通过所述第一连通口和所述第二连通口与所述蒸发腔24连通。
具体地,所述冷凝通道22用于将所述冷凝端冷却的所述散热工质23回流至所述蒸发端,比如在所述冷凝端将受冷后的散热工质23凝结成液态工质后,液态工质可以通过所述冷凝通道22上的第二连通口流入所述冷凝通道22内,所述冷凝通道22内的液态工质再通过所述冷凝通道22上的第一连通口流向所述蒸发端,以与所述蒸发端呈液态的所述散热工质23汇合,保证所述蒸发端在对所述散热工质23进行蒸发散热的持续性,如图5所示。
另外,所述冷凝通道22也可以为毛细管路,毛细管路同样可以实现将所述冷凝端冷却的所述散热工质23回流至所述蒸发端,而且毛细管路的管径可以为毫米级,借助毫米级毛细管路的表面张力,可以提高所述散热工质23回流至所述蒸发端的动力,保证所述第一散热组件2对所述功率模块1的散热效率。
所述功率模块的封装结构的工作原理包括:功率模块1在运行的过程中作为热源,功率模块1散热的热量可以将散热工质23由液态工质相变为汽态工质,汽态的工质在蒸发腔24内蒸发,在冷凝端处又由汽态工质又相变为液态形成回流,通过回流路径,可以循环往复通过多维路径散热将功率模块所产生的热量散发到外界,从而提高功率模块1的性能稳定性。
可选地,参见图6至图8,所述第一散热组件2还包括针翅结构25,所述散热框架21嵌设于所述针翅结构25内,所述针翅结构25靠近所述第一散热面的一侧设置有热界面层26,所述针翅结构25远离所述第一散热面的一侧设置有多个扰流柱27。
具体地,所述针翅结构25可以为热界面结构,所述针翅结构25靠近所述第一散热面的一侧设置有热界面层26,并且所述散热框架21嵌设于所述针翅结构25内时,所述针翅结构25和所述热界面层26可以形成完整的热界面框架,以降低所述功率模块1与所述第一散热组件2之间的接触热阻,提高所述第一散热组件2对所述功率模块1的散热效率。
进一步地,所述针翅结构25远离所述第一散热面的一侧设置有多个扰流柱27(pinfin)时,也就是所述扰流柱27靠近所述散热框架21的冷凝端,所述扰流柱27的结构具有较大的传热面积和较低的热阻,在所述扰流柱27插入水道后,流动的冷却液可以即时带走来自冷凝端传递的热量,提高所述第一散热组件2的冷却效果。
可选地,参见图1和图2,所述功率模块的封装结构还包括第二散热组件3,所述功率模块1具有背离所述第一散热面的第二散热面,所述第二散热组件3设置于所述第二散热面。
具体地,所述功率模块1在运行的过程中,所述功率模块1产生的热量会在其两个相互背离的大面上向外散发,比如功率模块1通过顶部的第一散热面和底部的第二散热面对外散热。而所述第一散热组件2设置于所述第一散热面,所述第二散热组件3设置于所述第二散热面时,可以对所述功率模块1形成双面散热,提高对所述功率模块1的散热效率。
可选地,参见图1和图2,所述第二散热组件3与所述第一散热组件2相同,并且对称设置于所述功率模块1的两侧。
所述第一散热组件2通过所述散热工质23在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块1的一侧进行散热的目的。而为了保证对所述功率模块1的高效散热,可以在所述第二散热组件3中同样设置散热框架、冷凝通道和散热工质,使得所述第二散热组件3通过散热工质在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块1的另一侧进行散热,提高对所述功率模块1的散热效率。
可选地,参见图9和图10,所述功率模块1包括电连接件11、芯片组件12和相对设置的第一基板13和第二基板14,所述第一基板13靠近所述第一散热组件2设置,所述第二基板14靠近所述第二散热组件3设置;
所述电连接件11位于所述第一基板13和所述第二基板14之间,所述芯片组件12设置于所述电连接件11和所述第二基板14之间。
具体地,所述电连接件11可以为双面支撑散热电气连接件,比如电连接件11为支撑所述第一散热组件2和所述第二散热组件3的铜连接件;所述芯片组件12可以为SiC芯片,SiC芯片具有良好的击穿电压、热导率和耐高温等优良特性。而且所述芯片组件12仅仅设置于所述电连接件11的一侧时,可以仅仅通过所述第二基板14的单侧烧结,便可以对所述芯片组件12形成保护。
可选地,参见图9,所述第一基板13包括第一散热层131、第一绝缘层132和第一电路层133,所述第一绝缘层132设置于所述第一散热层131和所述第一电路层133之间,所述第二基板14包括第二散热层141、第二绝缘层142和第二电路层143,所述第二绝缘层142设置于所述第二散热层141和所述第二电路层143之间;
所述第一电路层133电连接于所述电连接件11,所述第二电路层143电连接于所述芯片组件12。
具体地,所述第一散热层131和第二散热层141可以为覆铜散热层,所述第一电路层133和第二电路层143可以为覆铜刻蚀电路层。所述第一电路层133和第二电路层143将所述电连接件11和所述芯片组件12连通后形成回路,保证了所述芯片组件12的信号传输。
在一种例子中,参见图9和图10,所述第一电路层133包括相互分离的第一子电路层和第二子电路层,所述第二电路层143包括相互分离的第三子电路层和第四子电路层,所述第一子电路层与所述第三子电路层相对,所述第二子电路层与所述第四子电路层相对;
所述电连接件11包括第一电连接件、第二电连接件和第三电连接件,所述芯片组件12包括第一芯片和第二芯片,所述第一电连接件和所述第一芯片位于所述第一子电路层和所述第三子电路层之间,所述第二电连接件和所述第二芯片位于所述第二子电路层与所述第四子电路层之间,所述第三电连接件被配置为电连接所述第二子电路层和所述第三子电路层,以形成如图9所示的功率模块1的结构,保证了所述功率模块1内部的温度均匀性。
图10给出了功率模块1的内部电路走向示意图,具体走向如下:
正极端电流P流向第二电路层143右半部分的第四子电路层,然后依次通过芯片组件12、电连接件11和第一电路层133右半部分的第二子电路层,再通过中间的第三电连接件流入第二电路层143左半部分的第三子电路层,进而分流一部分作为交流端AC引出,另一部分又通过芯片组件12、电连接件11和第一电路层133的左半部分的第一子电路层作为负极端N引出。
可选地,参见图2和图11,所述第一电连接件和所述第一芯片均为多个,并且所述第一电连接件和所述第一芯片一一对应设置;
和/或,所述第二电连接件和所述第二芯片均为多个,并且所述第二电连接件和所述第二芯片一一对应设置。
具体地,为了提高所述功率模块1的信号传输多样性,可以将所述第一电连接件和所述第一芯片的数量设置为多个,比如图2中,左侧的第一电连接件和第一芯片的数量均为两个,两个第一电连接件和两个第一芯片一一对应设置;而且图2中,右侧的第二电连接件和第二芯片的数量均为两个,两个第二电连接件和两个第二芯片一一对应设置。
在另一个实施例中,如图11所示,左侧的第一电连接件和第一芯片的数量均为三个,三个第一电连接件和三个第一芯片一一对应设置;而且图11中,右侧的第二电连接件和第二芯片的数量均为三个,三个第二电连接件和三个第二芯片一一对应设置。
可选地,参见图9和图10,所述功率模块1还包括第一焊接层15、第二焊接层16和第三焊接层17;
所述第一电路层133通过所述第一焊接层15电连接于所述电连接件11的一侧,所述芯片组件12通过所述第二焊接层16电连接于所述电连接件11的另一侧,所述第二电路层143通过所述第三焊接层17电连接于所述芯片组件12。
具体地,所述第一焊接层15、第二焊接层16和第三焊接层17可以均为热界面焊接层,而且图9中,从上到下依次层叠形成了第一电路层133、第一焊接层15、电连接件11、第二焊接层16、芯片组件12、第三焊接层17和第二电路层143,保证了所述第一电路层133和第二电路层143将所述电连接件11和所述芯片组件12连通后形成回路的稳定性。
可选地,参见图2,所述第一散热组件2和所述功率模块1之间通过塑胶形成封装。
具体地,所述第二散热组件3与所述第一散热组件2对称设置于所述功率模块1的两侧时,可以在所述功率模块1的两侧与所述第二散热组件3与所述第一散热组件2之间均通过塑胶形成封装,保证所述功率模块1的有效防护和性能稳定。
具体过程包括:
先将第一基板13、芯片组件12和电连接件11通过焊接层与第二基板14连接,然后在第一基板13和第二基板14的两侧分别组装第一散热组件2和第二散热组件3,最后在功率模块1的两侧与第二散热组件3与第一散热组件2之间均进行封装,以形成完整的功率模块的封装结构。
本实用新型实施例还提供了一种车辆,所述车辆包括所述的功率模块的封装结构。
所述车辆的功率模块的封装结构通过所述散热工质23在液态和汽态之间的相变来吸收热量,以实现对所述功率模块1进行散热的目的。而且所述散热框架21的蒸发端靠近所述功率模块1的第一散热面,可以利用所述蒸发端的整个表面来散热,增大了所述功率模块1的散热面积,提高了所述功率模块的封装结构热量的传输效率。而且所述散热工质23汽化形成的汽态工质可以在整个蒸发腔24内传递,以实现能量的多维传热,提高了所述功率模块的封装结构的散热效率,保证了所述车辆运行的稳定性。
虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (14)
1.一种功率模块的封装结构,其特征在于,包括:
功率模块(1),所述功率模块(1)具有第一散热面;
第一散热组件(2),所述第一散热组件(2)设置于所述第一散热面,所述第一散热组件(2)包括散热框架(21)、冷凝通道(22)和散热工质(23),所述散热框架(21)具有相对的蒸发端和冷凝端,所述蒸发端靠近所述第一散热面,所述散热工质(23)至少部分设置于所述蒸发端,所述冷凝通道(22)连通所述蒸发端和冷凝端并将所述散热框架(21)内部空间分隔成多个蒸发腔(24),所述蒸发腔(24)用于将所述蒸发端蒸发的所述散热工质(23)流至所述冷凝端,所述冷凝通道(22)用于将所述冷凝端冷却的所述散热工质(23)回流至所述蒸发端。
2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一散热组件(2)还包括针翅结构(25),所述散热框架(21)嵌设于所述针翅结构(25)内,所述针翅结构(25)靠近所述第一散热面的一侧设置有热界面层(26),所述针翅结构(25)远离所述第一散热面的一侧设置有多个扰流柱(27)。
3.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述蒸发端蒸发的所述散热工质(23)在所述蒸发腔(24)中流至所述冷凝端的路径为多个。
4.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述蒸发腔(24)为真空腔。
5.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述冷凝通道(22)上设置有靠近所述蒸发端的第一连通口和靠近所述冷凝端的第二连通口,所述冷凝通道(22)通过所述第一连通口和所述第二连通口与所述蒸发腔(24)连通。
6.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,还包括第二散热组件(3),所述功率模块(1)具有背离所述第一散热面的第二散热面,所述第二散热组件(3)设置于所述第二散热面。
7.根据权利要求6所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第二散热组件(3)与所述第一散热组件(2)相同,并且对称设置于所述功率模块(1)的两侧。
8.根据权利要求6所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述功率模块(1)包括电连接件(11)、芯片组件(12)和相对设置的第一基板(13)和第二基板(14),所述第一基板(13)靠近所述第一散热组件(2)设置,所述第二基板(14)靠近所述第二散热组件(3)设置;
所述电连接件(11)位于所述第一基板(13)和所述第二基板(14)之间,所述芯片组件(12)设置于所述电连接件(11)和所述第二基板(14)之间。
9.根据权利要求8所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一基板(13)包括第一散热层(131)、第一绝缘层(132)和第一电路层(133),所述第一绝缘层(132)设置于所述第一散热层(131)和所述第一电路层(133)之间,所述第二基板(14)包括第二散热层(141)、第二绝缘层(142)和第二电路层(143),所述第二绝缘层(142)设置于所述第二散热层(141)和所述第二电路层(143)之间;
所述第一电路层(133)电连接于所述电连接件(11),所述第二电路层(143)电连接于所述芯片组件(12)。
10.根据权利要求9所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一电路层(133)包括相互分离的第一子电路层和第二子电路层,所述第二电路层(143)包括相互分离的第三子电路层和第四子电路层,所述第一子电路层与所述第三子电路层相对,所述第二子电路层与所述第四子电路层相对;
所述电连接件(11)包括第一电连接件、第二电连接件和第三电连接件,所述芯片组件(12)包括第一芯片和第二芯片,所述第一电连接件和所述第一芯片位于所述第一子电路层和所述第三子电路层之间,所述第二电连接件和所述第二芯片位于所述第二子电路层与所述第四子电路层之间,所述第三电连接件被配置为电连接所述第二子电路层和所述第三子电路层。
11.根据权利要求10所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一电连接件和所述第一芯片均为多个,并且所述第一电连接件和所述第一芯片一一对应设置;
和/或,所述第二电连接件和所述第二芯片均为多个,并且所述第二电连接件和所述第二芯片一一对应设置。
12.根据权利要求9所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述功率模块(1)还包括第一焊接层(15)、第二焊接层(16)和第三焊接层(17);
所述第一电路层(133)通过所述第一焊接层(15)电连接于所述电连接件(11)的一侧,所述芯片组件(12)通过所述第二焊接层(16)电连接于所述电连接件(11)的另一侧,所述第二电路层(143)通过所述第三焊接层(17)电连接于所述芯片组件(12)。
13.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一散热组件(2)和所述功率模块(1)之间通过塑胶形成封装。
14.一种车辆,其特征在于,包括权利要求1-13任一项所述的功率模块的封装结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202221350608.3U CN217822770U (zh) | 2022-05-31 | 2022-05-31 | 功率模块的封装结构和车辆 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202221350608.3U CN217822770U (zh) | 2022-05-31 | 2022-05-31 | 功率模块的封装结构和车辆 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN217822770U true CN217822770U (zh) | 2022-11-15 |
Family
ID=83987637
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202221350608.3U Active CN217822770U (zh) | 2022-05-31 | 2022-05-31 | 功率模块的封装结构和车辆 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN217822770U (zh) |
-
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