CN217746476U - 一种泛半导体的低氮尾气处理器 - Google Patents
一种泛半导体的低氮尾气处理器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217746476U CN217746476U CN202221968744.9U CN202221968744U CN217746476U CN 217746476 U CN217746476 U CN 217746476U CN 202221968744 U CN202221968744 U CN 202221968744U CN 217746476 U CN217746476 U CN 217746476U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tail gas
- nitrogen
- spray
- pan
- water tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims abstract description 124
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 102000044159 Ubiquitin Human genes 0.000 claims 1
- 108090000848 Ubiquitin Proteins 0.000 claims 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 45
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N) 2 O 3 Chemical class 0.000 description 1
- 239000005922 Phosphane Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- FXOCTISBMXDWGP-UHFFFAOYSA-N dichloro(silyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH](Cl)Cl FXOCTISBMXDWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000064 phosphane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/30—Controlling by gas-analysis apparatus
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/343—Heat recovery
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/75—Multi-step processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/77—Liquid phase processes
- B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/10—Single element gases other than halogens
- B01D2257/106—Ozone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/40—Nitrogen compounds
- B01D2257/402—Dinitrogen oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/40—Nitrogen compounds
- B01D2257/404—Nitrogen oxides other than dinitrogen oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种泛半导体的低氮尾气处理器，属于泛半导体的尾气处理技术领域，解决了现有技术中一氧化氮的去除率较低、尾气处理设备的整体体积较大的问题。该低氮尾气处理器包括外壳以及设于外壳内的热分解腔、热氧化腔、冷却器和臭氧发生器；外壳上开设尾气进口和尾气出口，尾气进口依次通过热分解腔、热氧化腔和冷却器与尾气出口连接；臭氧发生器的注入口位于尾气的流动路径上。该低氮尾气处理器可用于泛半导体的尾气处理。
Description
技术领域
本实用新型属于泛半导体的尾气处理技术领域，尤其涉及一种泛半导体的低氮尾气处理器。
背景技术
近年来，由于社会经济快速发展，以半导体、太阳能光伏、平板显示和LED为代表的泛半导体产业迅猛发展。但是在相关产品的生产过程中会产生大量的尾气，这些尾气普遍具有易燃、有毒、高温室效应等性质，处理不当会产生严重的安全事故，造成重大经济损失，也会对人和环境造成严重威胁，必须将这些有害气体无害化处理后才能排放到环境中去。
通常对于这些气体的无害化处理方法是将气体通入高温反应腔，有害气体在高温(>1000℃)下与氧气进行反应，有害气体反应生成危险性较低的产物排放到后续处理系统中。在高温氧化反应过程中，会生成大量氮氧化物副产物。氮氧化物主要指NO和NO2，在大气中易形成酸雾和光化学烟雾，同样需要去除。
现有技术中，氮氧化物无法通过酸洗塔有效去除，因此，对于NOx均是独立设置去除氮氧化物的设备，利用高温还原等技术去除尾气中的NOx，采用上述技术，对于一氧化氮的去除率较低。
实用新型内容
鉴于以上分析，本实用新型旨在提供一种泛半导体的低氮尾气处理器，解决了现有技术中一氧化氮的去除率较低、尾气处理设备的整体体积较大的问题。
本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的：
本实用新型提供了一种泛半导体的低氮尾气处理器，包括外壳以及设于外壳内的热分解腔、热氧化腔、冷却器和臭氧发生器；外壳上开设尾气进口和尾气出口，尾气进口依次通过热分解腔、热氧化腔和冷却器与尾气出口连接；臭氧发生器的注入口位于尾气的流动路径上。
进一步地，冷却器为喷淋塔或换热器。
进一步地，喷淋塔包括水箱、喷淋箱以及设于喷淋箱内的多个喷淋嘴和多个填料层，水箱的进气口与热氧化腔的出气口连接，水箱的出气口与喷淋箱的进气口连接，水箱内盛装喷淋液；沿喷淋箱的进气端至出气端方向，多个喷淋嘴和填料层交替设置。
进一步地，水箱包括箱体、水箱喷嘴和循环泵，水箱喷嘴设于箱体内喷淋液面的上方，箱体的出液口通过循环泵与水箱喷嘴的进液口连接。
进一步地，臭氧发生器的注入口设于水箱内喷淋液面的上方和/或喷淋塔的出气口处。
进一步地，臭氧发生器设于喷淋塔的出气口处；臭氧发生器的数量为多个；每个臭氧发生器均对应一个注入口，多个注入口沿喷淋塔的周向和/或轴向布置；或者，多个臭氧发生器公用一个注入口，多个臭氧发生器的供气管路串联和/或并联，多个供气管与一个注入口连接。
进一步地，换热器包括换热箱和换热管，热氧化腔的出气口依次通过换热箱和换热管与尾气出口连接，换热箱的箱壁内和换热管的管壁内均设有冷却介质。
进一步地，臭氧发生器的注入口设于换热管的出气口处。
进一步地，还包括与尾气出口连通的臭氧销毁器。
进一步地，还包括设于尾气出口的进气端的NOX检测器。
与现有技术相比，本实用新型至少可实现如下有益效果之一：
A)本实用新型提供的泛半导体的低氮尾气处理器中，在尾气的流动路径上设有臭氧发生器，通过臭氧与尾气中的NO反应，能够将NO转化为易溶于水的高价态氮氧化物，从而实现尾气的低氮化处理，具有对现有结构改造小、费用低、效率高等特点。
B)本实用新型提供的泛半导体的低氮尾气处理器中，由于臭氧发生器置于外壳内，能够提高上述泛半导体的低氮尾气处理器的集成性，进而能够减小泛半导体的低氮尾气处理器的整体体积。
本实用新型的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本实用新型的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
图1为本实用新型实施例一提供的泛半导体的低氮尾气处理器的其中一种结构示意图；
图2为本实用新型实施例一提供的泛半导体的低氮尾气处理器的另一种结构示意图。
附图标记：
1-外壳；2-热分解腔；3-臭氧发生器；4-尾气进口；5-尾气出口；6-水箱；61-箱体；62-水箱喷嘴；63-循环泵；7-喷淋箱；8-喷淋嘴；9-填料层；10-换热箱；11-换热管；12-冷却介质；13-臭氧销毁器；14-NOX检测器；15-热氧化腔。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本实用新型的优选实施例，其中，附图构成本实用新型的一部分，并与本实用新型的实施例一起用于阐释本实用新型的原理。
实施例一
本实施例提供了一种泛半导体的低氮尾气处理器，参见图1至图2，包括外壳1以及设于外壳1内的热分解腔2、热氧化腔15、冷却器和臭氧发生器3，外壳1上开设尾气进口4和尾气出口5，尾气进口4依次通过热分解腔2、热氧化腔15和冷却器与尾气出口5连接，臭氧发生器3的注入口位于尾气的流动路径上。
实施时，尾气从尾气进口4流入热分解腔2，在热分解腔2中，尾气被加热至1400℃以上，尾气中的部分有害气体转变为无害气体或者易溶于水的气体，经过热分解腔2的尾气温度升高；热分解处理后的尾气进入热氧化腔15，热氧化腔15中通入压缩空气、氧气中的一种气体，尾气与氧气接触、充分混合进行化学反应，同样会将部分尾气转变为无害气体或者易溶于水的气体；经过反应处理后的尾气经过冷却器后温度降低，经过尾气出口5排出外壳1。在热分解和热氧化过程中，会生成一定量的氮氧化物(例如，NO和NO2)，氮氧化物中的NO和NO2不易溶于水，上述尾气处理过程中或者经过冷却处理后，尾气在经过臭氧发生器3的注入口时，尾气中的NO和NO2与臭氧发生反应生成易溶于水的高价态的氮氧化物(例如，N2O3、N2O5)，从而完成NOx的去除。由于待处理尾气总流量(200～3000L/min)和加热量是固定的，生成的氮氧化物总量也是固定的。臭氧发生器312产生发生臭氧与NOX的摩尔比为0.5～3，基本上能够去除100％的NO和NO2。
需要说明的是，尾气的成分包括硅烷、二氯二硅烷、四乙氧基硅烷、磷烷、氯气、三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫、甲烷、乙烷、氯化氢、氩气、氨气、笑气、四氟化硅、硼烷、砷烷和氮气等气体的一种或多种。
具体反应式如下：
3NO+2O3＝3NO2+3O2
4NO+2O3＝2N2O3+2O2
2NO+O3＝N2O5
与现有技术相比，本实用新型的泛半导体的低氮尾气处理器中，在尾气的流动路径上设有臭氧发生器3，通过臭氧与尾气中的NO反应，能够将NO转化为易溶于水的高价态氮氧化物，从而实现尾气的低氮化处理，具有对现有结构改造小、费用低、效率高等特点。
此外，由于臭氧发生器3置于外壳1内，能够提高上述泛半导体的低氮尾气处理器的集成性，进而能够减小泛半导体的低氮尾气处理器的整体体积。
为了能够提高NO、NO2与臭氧的反应均匀性，上述注入口的数量为多个，例如，2～4个。
为了能够实现臭氧发生器3的安装，臭氧发生器3可以通过相互配合的螺栓和螺孔与外壳1可拆卸固定连接。示例性地，上述外壳1上设有安装板，臭氧发生器3上设有安装凸起，安装板和安装凸起上均设有螺孔，螺杆穿过安装板上的螺孔和安装凸起上的螺孔，从而实现臭氧发生器3的安装。
对于冷却器种类的选择，具体来说，可以为喷淋塔或换热器。
具体来说，采用喷淋塔作为冷却器，本实施例的泛半导体的低氮尾气处理器的结构参见图1，喷淋塔包括水箱6、喷淋箱7以及设于喷淋箱7内的多个喷淋嘴8和多个填料层9，水箱6的进气口与热氧化腔15的出气口连接，水箱6的出气口与喷淋箱7的进气口连接，水箱6内盛装喷淋液，喷淋塔内喷淋液包括但不限于氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钾等，沿喷淋箱7的进气端至出气端方向，多个喷淋嘴8和填料层9交替设置，这样，通过填料层9能够去除尾气中的固体颗粒物，通过喷淋嘴8能够吸收易溶于水的气体。
对于水箱6的结构，具体来说，其包括箱体61、水箱喷嘴62和循环泵63，水箱喷嘴62设于箱体61内喷淋液面的上方，箱体61的出液口通过循环泵63与水箱喷嘴62的进液口连接，通过循环泵63将喷淋液供入水箱喷嘴62中。
基于上述结构，臭氧发生器3的注入口可以设于水箱6内喷淋液面的上方和/或喷淋塔的出气口处。
对于臭氧发生器3设于喷淋塔的出气口处、且臭氧发生器的数量为多个的情况，臭氧发生器3可以采用如下布置方式：
其中一种布置方式，每个臭氧发生器3均对应一个注入口，多个注入口沿喷淋塔的周向和/或轴向布置；
另一种布置方式，多个臭氧发生器3公用一个注入口，多个臭氧发生器3的供气管路串联和/或并联，多个供气管与一个注入口连接。
需要说明的是，当臭氧发生器3的注入口设于水箱6内喷淋液面的上方时，与臭氧发生反应后的尾气在后续经过喷淋箱7的过程中，生成的易溶于水的高价态的氮氧化物可以被喷淋箱7内的喷淋液吸收，进而被反流至水箱6内，因此，在喷淋箱7后无需再设置额外的喷淋设备，但是，当臭氧发生器3的注入口设于喷淋塔的出气口时，在后续处理中，可以通过将尾气出口5与其他喷淋设备连接，通过喷淋吸收易溶于水的高价态氮氧化物。
采用换热器作为冷却器，本实施例的泛半导体的低氮尾气处理器的结构参见图2，换热器包括换热箱10和换热管11，热氧化腔15的出气口依次通过换热箱10和换热管11与尾气出口5连接，换热箱10的箱壁内和换热管11的管壁内均设有冷却介质12。
基于上述结构，臭氧发生器3的注入口可以设于换热管11的出气口处。
需要说明的是，当臭氧发生器3的注入口设于换热管11的出气口处，在后续处理中，可以通过将尾气出口5与其他喷淋设备连接，通过喷淋吸收易溶于水的高价态氮氧化物。
考虑到在反应初期或者气流不稳定时，不可避免地会造成臭氧的外溢，因此，上述泛半导体的低氮尾气处理器还包括与尾气出口5连通的臭氧销毁器13，臭氧销毁器13内置促进臭氧分解的蜂窝状多孔材料，该材料包括Mn、Co、Fe的氧化物或混合物。这样，通过臭氧销毁器13能够去除多余的、未反应的臭氧，基本上能够避免臭氧外溢现象造成不必要的腐蚀、安全和环境问题。
为了能够实时了解泛半导体的低氮尾气处理器对于NO、NO2的处理效果，上述泛半导体的低氮尾气处理器还包括设于尾气出口5的进气端的NOX检测器14，通过NOX检测器14能够实时尾气出口5处的NO、NO2，进而能够了解泛半导体的低氮尾气处理器对于NO、NO2的处理效果。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，包括外壳以及设于外壳内的热分解腔、热氧化腔、冷却器和臭氧发生器；
所述外壳上开设尾气进口和尾气出口，所述尾气进口依次通过热分解腔、热氧化腔和冷却器与尾气出口连接；
所述臭氧发生器的注入口位于尾气的流动路径上。
2.根据权利要求1所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述冷却器为喷淋塔或换热器。
3.根据权利要求2所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述喷淋塔包括水箱、喷淋箱以及设于喷淋箱内的多个喷淋嘴和多个填料层，所述水箱的进气口与热氧化腔的出气口连接，所述水箱的出气口与喷淋箱的进气口连接，所述水箱内盛装喷淋液；
沿喷淋箱的进气端至出气端方向，多个喷淋嘴和填料层交替设置。
4.根据权利要求3所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述水箱包括箱体、水箱喷嘴和循环泵，所述水箱喷嘴设于箱体内喷淋液面的上方，所述箱体的出液口通过循环泵与水箱喷嘴的进液口连接。
5.根据权利要求3所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述臭氧发生器的注入口设于水箱内喷淋液面的上方和/或喷淋塔的出气口处。
6.根据权利要求5所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述臭氧发生器设于喷淋塔的出气口处；
所述臭氧发生器的数量为多个；
每个臭氧发生器均对应一个注入口，多个注入口沿喷淋塔的周向和/或轴向布置；或者，多个臭氧发生器公用一个注入口，多个臭氧发生器的供气管路串联和/或并联，多个供气管与一个注入口连接。
7.根据权利要求2所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述换热器包括换热箱和换热管，所述热氧化腔的出气口依次通过换热箱和换热管与尾气出口连接，所述换热箱的箱壁内和换热管的管壁内均设有冷却介质。
8.根据权利要求7所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述臭氧发生器的注入口设于换热管的出气口处。
9.根据权利要求1至8任一项所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，还包括与尾气出口连通的臭氧销毁器。
10.根据权利要求1至8任一项所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，还包括设于尾气出口的进气端的NOX检测器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221968744.9U CN217746476U (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | 一种泛半导体的低氮尾气处理器 |
| KR2020230001580U KR20240000212U (ko) | 2022-07-28 | 2023-07-28 | 범용 반도체의 저질소 배기 가스 처리기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221968744.9U CN217746476U (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | 一种泛半导体的低氮尾气处理器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217746476U true CN217746476U (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=83876671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221968744.9U Active CN217746476U (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | 一种泛半导体的低氮尾气处理器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240000212U (zh) |
| CN (1) | CN217746476U (zh) |
-
2022
- 2022-07-28 CN CN202221968744.9U patent/CN217746476U/zh active Active
-
2023
- 2023-07-28 KR KR2020230001580U patent/KR20240000212U/ko unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240000212U (ko) | 2024-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5952984B1 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| CN101543723B (zh) | 一种含酸性气体的氮氧化物废气处理工艺 | |
| CN115193234B (zh) | 一种no去除器和半导体尾气处理设备 | |
| CN104359113B (zh) | 一种废气、废液焚烧系统及方法 | |
| CN107051144A (zh) | 一种含氰有机废气的处理方法及系统 | |
| CN102974200B (zh) | 一种氮氧化物废气处理装置及氮氧化物废气处理方法 | |
| CN109821373A (zh) | 一种等离子体废气处理装置及方法 | |
| CN105854554A (zh) | 臭氧低温氧化脱硝工艺及系统 | |
| CN103977681A (zh) | 一种高浓度氮氧化物烟气的脱硝方法 | |
| CN114225671B (zh) | 一种氮氧化物尾气处理工艺 | |
| US3960507A (en) | Apparatus for removing nitrogen oxides from a contaminated gas containing the same | |
| CN106000076B (zh) | 一种用氯化铁固体颗粒从气流中去除一氧化氮的方法 | |
| CN106000029B (zh) | 一种光激发电解同时脱硫脱硝脱汞的方法及装置 | |
| CN217746476U (zh) | 一种泛半导体的低氮尾气处理器 | |
| CN114923193B (zh) | 一种有害气体燃烧反应器 | |
| CN214210029U (zh) | 一种高温废气处理装置 | |
| CN111603891A (zh) | 一种烟气吸收洗涤系统和方法 | |
| CN217119830U (zh) | 一种尾气等离子处理吸收设备 | |
| CN216693559U (zh) | 急冷及碱洗一体式设备 | |
| CN214552500U (zh) | 一种化工用尾气吸收装置 | |
| CN106039913B (zh) | 一种烟气净化系统 | |
| CN111964083B (zh) | 一种用于处理成分复杂废气的处理设备 | |
| CN213032185U (zh) | 一种气体吸收罐 | |
| CN210993616U (zh) | 一种节间外循环低压硝烟吸收装置 | |
| CN214862525U (zh) | 一种脱硝剂气体聚能器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |