CN217691069U - 一种cmp机台晶圆清洁设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种CMP机台晶圆清洁设备，属于半导体制造领域。该设备包括机体、清洁刷、第一主动轮、第二主动轮、从动轮和至少一组加压装置，其中，加压装置设置于晶圆容置位置顶部，用于在顶部对晶圆压紧；通过设置该加压装置，使得顶部受压后晶圆与底部的从动轮之间摩擦力增大，从而避免旋转过程中的打滑情况，进而在正常晶圆表面平坦化过程下减少晶圆的磨损，最终保证了晶圆的清洁效果以及从动轮的测速精准性。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种CMP机台晶圆清洁设备。
背景技术
化学机械抛光(CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得以进行。
由此晶圆在研磨过程中稳定旋转是确保平坦化效果的重要前提，本实用新型针对现有结构CMP机台晶圆清洁相关结构做改善，实现晶圆在研磨过程中的稳定旋转，避出现各组件之间由于摩擦力不均带来的转速失控问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种CMP机台晶圆清洁设备，能够解决相关技术中CMP机台晶圆清洁相关结构内各组件之间由于摩擦力不均带来的转速失控问题。所述技术方案如下：
本实用新型实施例提供了一种CMP机台晶圆清洁设备，所述设备包括：机体、清洁刷10、第一主动轮20、第二主动轮30、从动轮40和至少一组加压装置50；
所述清洁刷10固定于所述机体顶部，所述清洁刷10对称设置于晶圆容置位置两侧并与晶圆贴近；
所述第一主动轮20与所述第二主动轮30对称设置于所述晶圆容置位置底部，用于带动所述晶圆旋转；
所述从动轮40设置于所述第一主动轮20与所述第二主动轮30之间，且所述从动轮40受所述晶圆摩擦力带动旋转，所述从动轮40用于对所述晶圆进行测速；
所述至少一组加压装置50设置于所述晶圆容置位置顶部，用于在顶部对所述晶圆压紧。
可选的，所述加压装置50由滚轮51和控制气缸52组成；
所述控制气缸52与所述滚轮51相连，所述控制气缸52在预设气压下带动所述滚轮51与所述晶圆接触，增大所述晶圆垂直向下的压力。
可选的，所述滚轮51通过连接杆53与所述控制气缸52相连；
所述连接杆53用于在所述控制气缸52带动下进而带动所述滚轮51对所述晶圆进行加压。
可选的，所述设备包括两组所述加压装置50，各组加压装置50对称设置于所述晶圆容置位置顶部。
可选的，所述设备还包括驱动装置，所述驱动装置与所述第一主动轮20和所述第二主动轮30电性相连，所述驱动装置用于驱动所述第一主动轮20和所述第二主动轮30进行旋转。
可选的，所述从动轮40还与传感器电性相连，所述传感器用于测量所述从动轮40转速。
可选的，所述加压装置50的压强范围为0.15～0.25Mpa。
本实用新型的带来的技术效果：
采用本实用新型提供的一种CMP机台晶圆清洁设备，该设备包括机体、清洁刷、第一主动轮、第二主动轮、从动轮和至少一组加压装置，其中，加压装置设置于晶圆容置位置顶部，用于在顶部对晶圆压紧；通过设置该加压装置，使得顶部受压后晶圆与底部的从动轮之间摩擦力增大，从而避免旋转过程中的打滑情况，进而在正常晶圆表面平坦化过程下减少晶圆的磨损，最终保证了晶圆的清洁效果以及从动轮的测速精准性。
附图说明
图1示出了本实用新型示例性实施例示出的一种CMP机台晶圆清洁设备的结构示意图；
图2示出了本实用新型示例性实施例示出的一种加压装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
实施例1
请参考图1，其示出了本实用新型示例性实施例示出的一种CMP机台晶圆清洁设备的结构示意图。
如图1所示，该设备包括机体、清洁刷10、第一主动轮20、第二主动轮30、从动轮40和至少一组加压装置50。
其中，机体并未在图1中示意出，机体为CMP机台晶圆清洁设备的装置载体，本申请实施例对机体的具体形态不作限定，机体需满足其结构能够容置CMP机台晶圆清洁设备的大小，且保证设备内各组件紧凑与稳固，且机体存在基本的电力传输布线，可与驱动装置等进行电力传输。
对于安装位置来看，清洁刷10固定于机体顶部，清洁刷10对称设置于晶圆容置位置两侧并与晶圆贴近。如图1所示，清洁刷10成对设置，在整机运行时，晶圆位于各清洁刷10之间并贴紧。
为了带动晶圆旋转，第一主动轮20与第二主动轮30对称设置于晶圆容置位置底部，晶圆的边缘容置于各主动轮内，从而在各主动轮转动时带动晶圆旋转。
从动轮40设置于第一主动轮20与第二主动轮30之间，且从动轮40受晶圆摩擦力带动旋转，从动轮40用于对晶圆进行测速。
然而在晶圆旋转过程中，主动轮、从动轮与晶圆之间的转速受到摩擦力影响，常出现晶圆打滑的情况，导致晶圆转速异常，从而引发设备报警，甚至影响产品品质；此外，晶圆无法与从动轮贴近导致晃动也会使主动轮磨损加剧，减少了主动轮的寿命，增加了主动轮的更换频率。
为了解决上述问题，本实用新型实施例中，设置至少一组加压装置50于晶圆容置位置顶部，用于在顶部对晶圆压紧，给其一定的压力，使其与从动轮之间摩擦力增加，转速即可恢复正常，晃动也不再出现。
综上所述，本实用新型实施例提供一种CMP机台晶圆清洁设备，该设备包括机体、清洁刷、第一主动轮、第二主动轮、从动轮和至少一组加压装置，其中，加压装置设置于晶圆容置位置顶部，用于在顶部对晶圆压紧；通过设置该加压装置，使得顶部受压后晶圆与底部的从动轮之间摩擦力增大，从而避免旋转过程中的打滑情况，进而在正常晶圆表面平坦化过程下减少晶圆的磨损，最终保证了晶圆的清洁效果以及从动轮的测速精准性。
实施例2
请参考图2，其示出了本实用新型示例性实施例示出的一种加压装置的结构示意图，在本申请实施例中，对加压装置作进一步的阐述。
如图2所示，图1中的加压装置50由滚轮51和控制气缸52组成。控制气缸52与滚轮51相连，控制气缸52在预设气压下带动滚轮51与晶圆接触，增大晶圆垂直向下的压力。
进一步的，滚轮51通过连接杆53与控制气缸52相连。连接杆53用于在控制气缸52带动下进而带动滚轮51对晶圆进行加压。
可选的，加压装置50的压强范围为0.15～0.25Mpa。
如图2所示，连接杆53的一端与滚轮51相连连接杆53的另一端与控制气缸52相连，控制气缸52可以通过弹簧作用控制连接杆53的上下作用，进而带动滚轮51进行上下作用。
在一种可能的实施方式中，设备包括两组加压装置50，各组加压装置50对称设置于晶圆容置位置顶部，从而在晶圆上方对晶圆进行均匀的施压。
可选的，设备还包括驱动装置，驱动装置与第一主动轮20和第二主动轮30电性相连，驱动装置用于驱动第一主动轮20和第二主动轮30进行旋转。
其中，驱动装置设置于机体内，基于机体内的电力传输布线与外接电源传输电力并运行驱动作用。
可选的，从动轮40还与传感器电性相连，传感器用于测量从动轮40转速。在一种可能的实施方式中，通过单独设置的传感器来测量从动轮40的转速，从而间接测得晶圆转速。
在本申请实施例中，结合图2对气压装置做了进一步阐述，实现通过从动轮间接测得晶圆转速，当晶圆转速处于不平稳状态或较低时，通过控制气缸来带动滚轮上下动作，实现对晶圆的施压，从而增加晶圆与各动轮之间的摩擦力，保持稳定。
以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述设备包括：机体、清洁刷(10)、第一主动轮(20)、第二主动轮(30)、从动轮(40)和至少一组加压装置(50)；
所述清洁刷(10)固定于所述机体顶部，所述清洁刷(10)对称设置于晶圆容置位置两侧并与晶圆贴近；
所述第一主动轮(20)与所述第二主动轮(30)对称设置于所述晶圆容置位置底部，用于带动所述晶圆旋转；
所述从动轮(40)设置于所述第一主动轮(20)与所述第二主动轮(30)之间，且所述从动轮(40)受所述晶圆摩擦力带动旋转，所述从动轮(40)用于对所述晶圆进行测速；
所述至少一组加压装置(50)设置于所述晶圆容置位置顶部，用于在顶部对所述晶圆压紧。
2.根据权利要求1所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述加压装置(50)由滚轮(51)和控制气缸(52)组成；
所述控制气缸(52)与所述滚轮(51)相连，所述控制气缸(52)在预设气压下带动所述滚轮(51)与所述晶圆接触，增大所述晶圆垂直向下的压力。
3.根据权利要求2所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述滚轮(51)通过连接杆(53)与所述控制气缸(52)相连；
所述连接杆(53)用于在所述控制气缸(52)带动下进而带动所述滚轮(51)对所述晶圆进行加压。
4.根据权利要求1至3任一所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述设备包括两组所述加压装置(50)，各组加压装置(50)对称设置于所述晶圆容置位置顶部。
5.根据权利要求1至3任一所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述设备还包括驱动装置，所述驱动装置与所述第一主动轮(20)和所述第二主动轮(30)电性相连，所述驱动装置用于驱动所述第一主动轮(20)和所述第二主动轮(30)进行旋转。
6.根据权利要求1至3任一所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述从动轮(40)还与传感器电性相连，所述传感器用于测量所述从动轮(40)转速。
7.根据权利要求1至3任一所述的CMP机台晶圆清洁设备，其特征在于，所述加压装置(50)的压强范围为0.15～0.25Mpa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220457485.7U CN217691069U (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 一种cmp机台晶圆清洁设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220457485.7U CN217691069U (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 一种cmp机台晶圆清洁设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217691069U true CN217691069U (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=83730898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202220457485.7U Active CN217691069U (zh) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 一种cmp机台晶圆清洁设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217691069U (zh) |
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2022
- 2022-03-04 CN CN202220457485.7U patent/CN217691069U/zh active Active
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