CN217588848U - 一种解决腐蚀均匀性的装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种解决腐蚀均匀性的装置，包括反应容器，所述反应容器内设置有反应容器，所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片并能够升降的旋转吸盘，升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头。该装置解决了浓酸腐蚀速率过快，导致的腐蚀不均问题。

Description

一种解决腐蚀均匀性的装置

技术领域

本实用新型涉及一种解决腐蚀均匀性的装置。

背景技术

为了降低减薄后产品损伤，改善减薄后产品翘曲程度，现有技术是通过浓酸腐蚀来实现。但随之而来的问题也极具凸显，因浓酸腐蚀剧烈，过程中产生大量的热，反应非常剧烈。采用普通的槽式清洗设备作业后，无法有效去除及剥离反映过程中的副反应物，堆积在产品表面，形成“橘皮”及发雾等腐蚀不均匀，存在发花现象。此腐蚀工艺无法达到量产，无法广泛应用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种解决腐蚀均匀性的装置，该装置解决了浓酸腐蚀速率过快，导致的腐蚀不均问题。

本实用新型的技术方案在于：一种解决腐蚀均匀性的装置，包括反应容器，所述反应容器内设置有反应容器，所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片并能够升降的旋转吸盘，升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头。

进一步地，所述反应容器的升降腔下部立式安装有由升降机构驱动升降的电机，所述电机的输出端与旋转吸盘相连接。

进一步地，所述升降机构为立式气缸、电缸或丝杆。

进一步地，所述旋转吸盘经真空管与抽真空设备相连接。

进一步地，所述升降腔的侧壁自下而上依次设置有若干个环形回收凹腔，所述摆动喷头上设置有与环形回收凹腔数目相同的输出管路。

进一步地，所述环形回收凹腔自下而上依次为化剂回收凹腔、清洗液回收凹腔、烘干回收凹腔，所述化剂回收凹腔的数目至少一个。

进一步地，所述升降腔的侧壁自下而上设置有三个化剂回收凹腔。

进一步地，所述摆动喷头上设置的输出管路为去离子水管路、氮气管路以及至少一路化剂喷淋管路。

进一步地，所述摆动喷头上设置有三路化剂喷淋管路。

与现有技术相比较，本实用新型具有以下优点：

1. 该装置针对产品腐蚀均匀性进行优化，打破固有工艺模式，彻底解决了浓酸腐蚀速率过快，导致的腐蚀不均问题，提高了均匀性，提高了制程能力；

2. 通过此设备装置，掌握独特旋转腐蚀工艺搭配技术，取得技术领先，有利于快速抢占市场；

3. 该装置大大改善了人员作业过程中酸性气氛侵害，同时降低劳动强度。

附图说明

图1为现有槽式浸泡式腐蚀槽的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图中：1-硅晶片 10-反应容器 11-升降腔 12-第一化剂回收凹腔 13-第二化剂回收腔 14-第三化剂回收腔 15-清洗液回收凹腔 16-烘干回收凹腔 20-旋转吸盘21-电机 22-真空管 30-摆动喷头 31-第一化剂喷淋管路 32-第二化剂喷淋管路33-第三化剂喷淋管路 34-去离子水管路 35-氮气管路。

具体实施方式

为让本实用新型的上述特征和优点能更浅显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下，但本实用新型并不限于此。

参考图2

一种解决腐蚀均匀性的装置，包括反应容器10，所述反应容器内设置有升降腔11，所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片1并能够升降的旋转吸盘20，升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头30。从而在旋转吸盘旋过程中，通过摆动喷头左右摆动进行持续喷液或气体。

本实施例中，为了实现旋转吸盘的旋转以及升降，所述反应容器的升降腔下部立式安装有由升降机构驱动升降的电机21，所述电机的输出端与旋转吸盘相连接。

本实施例中，所述升降机构为立式气缸、电缸或丝杆等可以驱动电机连同旋转吸盘一起升降的机构。

本实施例中，为了实现旋转吸盘能够吸附硅晶片，所述旋转吸盘经真空管22与抽真空设备相连接。

本实施例中，为了更好的回收各个化剂以便重复利用，所述升降腔的侧壁自下而上依次设置有若干个环形回收凹腔，所述摆动喷头上设置有与环形回收凹腔数目相同的输出管路。各个输出管路喷淋不同的化剂、去离子或氮气。

本实施例中，所述环形回收凹腔自下而上依次为化剂回收凹腔、清洗液回收凹腔、烘干回收凹腔，所述化剂回收凹腔的数目至少一个。优选地，自下而上依次设置有第一化剂回收凹腔12、第二化剂回收腔13、第三化剂回收腔14、清洗液回收凹腔15、烘干回收凹腔16。同时可根据使用需求设置两个化剂回收凹腔、四个化剂回收凹腔，乃至多个化剂回收凹腔。

本实施例中，所述化剂回收凹腔、清洗液回收凹腔、烘干回收凹腔均经管路与对应的回收液箱相连接，以便化剂、去离子水回收利用。

本实施例中，所述摆动喷头上设置的输出管路为去离子水管路、氮气管路以及至少一路化剂喷淋管路。优选地，摆动喷头上设置有第一化剂喷淋管路31、第二化剂喷淋管路32、第三化剂喷淋管路33、一路去离子水管路34以及一路氮气管路35。化剂喷淋管路、去离子水管路以及氮气管路的输出端均设置有喷头。根据旋转吸盘所在凹腔的位置开启对应的管路进行工作。三路化剂喷淋管路输出的化剂溶度不同，所述化剂可为酸液。

本实施例中，为了在防止腐蚀过程中化剂从第一化剂回收凹腔落地地面或设备上，在反应容器的下方还设置有承接箱。

工作原理：

改进前，腐蚀温度20±2℃，整筐腐蚀，腐蚀过程中腐蚀液与产品反应剧烈，副反应物残留表面，导致腐蚀不均与及沾污。

改进后，通过电机带动旋转吸盘，从而使产品旋转（400rpm-800rpm），旋转过程中，摆动喷头进行持续喷液（左右摆动，10cm直径）。采用升降式腐蚀方式，旋转吸盘位于第一化剂回收凹腔位置时，第一化剂喷淋管路喷淋第一化剂进行腐蚀（腐蚀温度30±5℃），同时在旋转吸盘旋转的过程中其上的化剂随离心力甩到第一化剂回收凹腔内以便回收，并防止腐蚀副反应物滞留在硅晶片表面。腐蚀后依次上升至第二化剂回收腔&第三化剂回收腔。腐蚀完毕后，旋转吸盘带着硅晶片上升至清洗液回收凹腔所在位置进行冲水，并通过清洗液回收凹腔回收清洗液。冲水完毕后旋转吸盘带着硅晶片上升至烘干回收凹腔，氮气管路进行输出氮气吹干，并且滞留在硅晶片表面的清洗液也被甩入烘干回收凹腔中进行回收。

文中使用了“第一”、“第二”等词语来限定零部件的话，本领域技术人员应该知晓：“第一”、“第二”的使用仅仅是为了便于描述上对零部件进行区别如没有另行声明外，上述词语并没有特殊的含义。

另外，上述本实用新型公开的任一技术方案中所应用的用于表示位置关系或形状的术语除另有声明外其含义包括与其近似、类似或接近的状态或形状。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。

Claims (9)

1.一种解决腐蚀均匀性的装置，包括反应容器，其特征在于，所述反应容器内设置有升降腔，所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片并能够升降的旋转吸盘，升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头。

2.根据权利要求1所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述反应容器的升降腔下部立式安装有由升降机构驱动升降的电机，所述电机的输出端与旋转吸盘相连接。

3.根据权利要求2所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述升降机构为立式气缸、电缸或丝杆。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述旋转吸盘经真空管与抽真空设备相连接。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述升降腔的侧壁自下而上依次设置有若干个环形回收凹腔，所述摆动喷头上设置有与环形回收凹腔数目相同的输出管路。

6.根据权利要求5所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述环形回收凹腔自下而上依次为化剂回收凹腔、清洗液回收凹腔、烘干回收凹腔，所述化剂回收凹腔的数目至少一个。

7.根据权利要求6所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述升降腔的侧壁自下而上设置有三个化剂回收凹腔。

8.根据权利要求6或7所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述摆动喷头上设置的输出管路为去离子水管路、氮气管路以及至少一路化剂喷淋管路。

9.根据权利要求8所述的一种解决腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述摆动喷头上设置有三路化剂喷淋管路。

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