CN217522814U

CN217522814U - 声表面波器件、多工器及射频前端模组

Info

Publication number: CN217522814U
Application number: CN202221146840.5U
Authority: CN
Inventors: 王华磊; 刘旻俊; 杜波; 倪建兴
Original assignee: Ruishi Chuangxin Chongqing Technology Co ltd
Current assignee: Ruishi Chuangxin Chongqing Technology Co ltd
Priority date: 2022-05-13
Filing date: 2022-05-13
Publication date: 2022-09-30
Anticipated expiration: 2032-05-13

Abstract

本实用新型涉及一种声表面波器件、多工器及射频前端模组，该声表面波器件包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；其中，所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面，所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内。在本实用新型中，将IDT电极形成在凹槽内(即IDT电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(也即减小杂波)，提高声表面波器件的Q值。

Description

声表面波器件、多工器及射频前端模组

技术领域

本实用新型属于射频滤波技术领域，涉及一种声表面波器件、多工器及射频前端模组。

背景技术

声表面波器件(即SAW器件)是通信设备的关键器件，其中，SAW器件主要包括压电基底和IDT电极，但是，IDT电极通常设置在压电基底的上表面，这种设置方式会降低SAW器件的Q值。

实用新型内容

本实用新型提供一种声表面波器件、多工器及射频前端模组，旨在解决现有技术中因IDT电极通常设置在压电基底的上表面，而导致声表面波器件的Q值降低的问题。

本实用新型实施例提供一种声表面波器件，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内；所述IDT电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。

可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.5-2.167。

可选的，所述IDT电极的厚度H为0.06λ-0.12λ，λ为IDT电极的电极周期。

可选的，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距L为0.06λ-0.13λ，λ为IDT电极的电极周期。

可选的，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的YX切角为40°-55°。

可选的，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22°-38°。

可选的，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。

可选的，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。

可选的，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ-1λ；其中，λ为IDT电极的电极周期。

本实用新型实施例还提供一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底以及IDT电极；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽；所述IDT电极形成在所述凹槽内；所述IDT电极的厚度小于所述凹槽的深度。

可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.2-1.2。

可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.7-1.1。

可选的，所述IDT电极的厚度H为0.06λ-0.11λ，λ为IDT电极的电极周期。

可选的，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。

可选的，所述IDT电极指的宽度与λ/2的比值在0.35-0.7之间，λ为IDT电极的电极周期。

本实用新型实施例还提供一种多工器，包括上述任意一项所述的声表面波器件。

本实用新型实施例还提供一种射频前端模组，包括上述任意一项所述的声表面波器件。

在本实用新型实施例提供的声表面波器件、多工器及射频前端模组中，将IDT电极形成在凹槽内(即IDT电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(即减小杂波)，提高声表面波器件的Q值。

附图说明

图1是本实用新型一实施例提供的一种声表面波器件的剖面示意图；

图2是本实用新型一实施例提供的另一种声表面波器件的剖面示意图；

图3是本实用新型一实施例提供的声表面波器件的IDT电极的示意图；

图4是本实用新型一实施例提供的一种声表面波器件的阻抗曲线图；

图5是本实用新型一实施例提供的另一种声表面波器件的阻抗曲线图；

图6是本实用新型一实施例提供的一种声表面波器件的压电基底的厚度与Q值的关系图；

图7是本实用新型一实施例提供的另一种声表面波器件的压电基底的厚度与Q值的关系图；

图8是本实用新型一实施例提供的声表面波器件的压电基底的厚度与声速的关系图；

图9是本实用新型一实施例提供的声表面波器件的压电基底的厚度与机电耦合系数的关系图；

图10是本实用新型一实施例提供的一种声表面波器件的压电基底的YX切角与Q值的关系图；

图11是本实用新型一实施例提供的另一种声表面波器件的压电基底的YX切角与Q值的关系图；

图12是本实用新型实施例提供的一种声表面波器件的制备方法的流程示意图；

图13是本实用新型另一实施例提供的声表面波器件的剖面示意图；

图14是本实用新型另一实施例提供的声表面波器件的导纳曲线图；

图15是现有技术中的一种的声表面波器件的导纳曲线图；

图16是现有技术中的另一种的声表面波器件的导纳曲线图；

图17是本实用新型另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与机电耦合系数的关系图；

图18是本实用新型另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与声速的关系图；

图19是本实用新型另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与Q值的关系图；

图20是本实用新型实施例提供的另一种声表面波器件的制备方法的流程示意图一；

图21是本实用新型实施例提供的另一种声表面波器件的制备方法的流程示意图二。

说明书中的附图标记如下：

10、声表面波器件；1、衬底；2、布拉格反射层；3、压电基底；31、凹槽；4、IDT电极；41、电极指；42、汇流条；5、光刻胶层。

具体实施方式

为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一

如图1和图2所示，在实施例一中，声表面波器件10包括衬底1、布拉格反射层2、压电基底3以及IDT电极4。其中，布拉格反射层2设置在衬底1的上表面，压电基底3设置在布拉格反射层2的上表面，即压电基底3、布拉格反射层2以及衬底1三者由上而下依次叠置。另外，压电基底3的上表面设有凹槽31，IDT电极4形成在凹槽31内，即IDT电极4可以是通过填充导电材料等方式形成在凹槽31内，本实施例不做限定。其中，IDT电极4与凹槽31的底面接触。导电材料可以是金属或合金，优选的，导电材料可以是Al、Cu等密度小于或等于Cu密度的金属或其合金。

在本实施例中，将IDT电极4填充在凹槽31内(即IDT电极4下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(即减小杂波)，提高声表面波器件10的Q值。另外，在本实施例中，声表面波器件10设置有布拉格反射层2，其实际是一IHP-SAW器件(其中，IHP为Incredible High Performance的缩写)，从而可以进一步提高声表面波器件10的Q值。同时，相比于普通的IHP-SAW器件而言(普通的IHP-SAW器件中IDT电极不下沉，此时，IDT电极4其直接制备在压电基底3的上表面)，本实施例的优势还在于采用相同工艺条件达到相同IDT指宽的条件下，使声速变大，进而可以把声表面波器件10的频段做的更高。

如图3所示，IDT电极4包括多个电极指41和汇流条42，各电极指41的宽度可以是相同的，各电极指41的一端均与汇流条连接，凹槽31的形状与IDT电极4匹配，其具有与电极指41一一对应的多个第一凹陷部和与汇流条42对应的第二凹陷部，制备完成后，各电极指41以及汇流条42分别嵌设在对应的凹陷部内。

如图1所示，在实施例一的一种可实现的实施方式中，IDT电极4的厚度可以是等于凹槽31的深度，IDT电极4的厚度是指在上下方向上IDT电极4的尺寸大小，此时，IDT电极4完全填充凹槽31，IDT电极4与压电基底3的上表面平齐。但是在该方式中，会因为声速变化很大的情况，改变各个模态的声波的声速，造成很多模态诸如体波和横向杂波对主模的影响，使得对声表面波器件10的Q值的提升无法达到预定值。

对此，如图2所示，在实施例一的一种改进的实施方式中，可以把IDT电极4的厚度设置的小于凹槽31的深度，以解决上述问题。此时，IDT电极4不完全填充凹槽31，IDT电极4的上方还具有一部分空腔，其上表面与压电基底3的上表面之间还有一定高度差。在该方式中，由于IDT电极4的厚度与凹槽31的深度不同，其所改变的声速也不尽相同，这样还可以改善完全IDT电极4完全填充凹槽31时所带来的声速和频率偏移过大的问题，增大机电耦合系数，提高声表面波器件10的Q值。

实施例二

实施例二是在实施例一的基础上对IDT电极以及压电基底3等做的进一步优化。

在实施例二中，IDT电极4的材质的密度小于或等于铜的密度，具体的，IDT电极4的材质可以是铝、铜等金属，或者是以上述金属为主体的合金。

在实施例二中，IDT电极4的厚度在0.06λ-0.12λ之间，这样可以减少杂波，提高声表面波器件10的Q值，其中，λ为IDT电极4的电极周期。如图3所示，IDT电极4在一平面上的正投影中，在IDT电极4的各电极指41的排布方向上，相邻两个电极指41的投影的中线之间的间距即为电极周期。另外，不管IDT电极4是否完全填充凹槽31，H都可设置在0.06λ-0.08λ之间，以提高声表面波器件10的Q值。另外，IDT电极4不完全填充凹槽31时，IDT电极4的厚度H优选为0.06λ-0.08λ；IDT电极4完全填充凹槽31时，IDT电极4厚度优选是0.07λ-0.12λ。

如图4所示，该图示出的是IDT电极4完全填充凹槽31时的阻抗曲线图，阻抗曲线图是电阻曲线的倒数，在该图中，横坐标是频率，纵坐标是阻抗以10为底的对数，曲线代表的是不同的IDT电极4厚度，其中，频率的单位为MHZ，厚度的单位为λ。从该图可以看出，当IDT电极4的厚度H为0.06λ、0.065λ、0.07λ、0.075λ以及0.08λ时，可以减少杂波，提高声表面波器件10的Q值。

如图5所示，该图示出的是IDT电极4不完全填充凹槽31时的阻抗曲线图，该图中，曲线代表不同的IDT电极4厚度(单位是λ)。从该图可以看出，当IDT电极4的厚度H为0.07λ、0.075λ以及0.08λ时，可以减少杂波，提高声表面波器件10的Q值。另外，从该图可以看出，谐振点(图中A区域)和反谐振点(图中B区域)间基本没有杂波，虽然谐振点的右侧有一个较强的杂波，但是只要控制压电基底3厚度，让其远离反谐振点大于100MHz，则不会影响后续滤波器的设计。

在实施例二中，IDT电极4的上表面与压电基底3的上表面之间的间距L为0.06λ-0.13λ，即IDT电极4上方的空腔的深度为0.06λ-0.13λ，这样设置也可以进一步提高声表面波器件10的Q值。另外，不管IDT电极4是否完全填充凹槽31，L都可以是在0.06λ-0.13λ之间，以提高声表面波器件10的Q值。进一步的，L的取值可以是0.06λ-0.07λ或者0.11λ-0.13λ。优选的，L的取值在0.06λ-0.07λ之间。

在实施例一中，H和L之间也相互关联，其中，当L/H的范围为设置在0.5-2.167之间时，可以使声表面波器件10具有更高的Q值。优选的，L/H的范围为0.75-1.67。

在实施例二中，压电基底3的厚度为0.2λ-0.7λ，这样可以使声表面波器件10具有更高的Q值。另外，不管IDT电极4是否完全填充凹槽31，压电基底3的厚度均可以是在0.2λ-0.7λ之间，以提高声表面波器件10的Q值。优选的，压电基底3的厚度设置在0.3λ-0.4λ之间，此时声表面波器件10的Q值更高。

如图6所示，该图示出了压电基底3的厚度与Q值之间的一种关系图，其中，虚线代表的是IDT电极4完全填充凹槽31时二者之间的关系曲线，实线代表的是现有技术中IDT电极4不下沉时二者之间的关系曲线。

如图7所示，该图示出了压电基底3的厚度与Q值之间的另一种关系图，其中，实线代表的是IDT电极4不完全填充凹槽31时二者之间的关系曲线，虚线代表的是现有技术中IDT电极4不下沉时二者之间的关系曲线。

另外，在图6和图7中，横坐标代表压电基底3的厚度(单位是λ)，纵坐标为声表面波器件10的Q值(单位是dB)。

如图8所示，该图中横坐标代表压电基底3的厚度(单位是λ)，纵坐标代表声速(单位为m/s)，虚线为IDT电极4不完全填充凹槽31时的曲线，实线为IDT电极4完全填充凹槽31时的曲线，点画线为现有技术中IDT电极4不下沉时的曲线。在IHP-SAW中，压电基底3的厚度对声速的影响比较大。在本实施例中，压电基底3设置在0.2λ-0.7λ之间时，还可以在相同工艺条件达到相同IDT电极的指宽时，使声速更大，进而可以把滤波器的频段做的更高，这相当于减小了工艺难度。根据图中结果可看出，对于一般的IHP-SAW(即IDT电极不下沉)，它的声速在3800m/s左右，而同样参数的IDT电极4下沉结构的IHP-SAW，IDT电极4完全填充凹槽31时的声速在4000m/s左右，IDT电极4不完全填充凹槽31时的声速在4100m/s左右。

如图9所示，该图中横坐标代表压电基底3的厚度(单位是λ)，纵坐标代表机电耦合系数，虚线为IDT电极4不完全填充凹槽时的曲线，实线为IDT电极4完全填充凹槽时。在本实施例中，压电基底3设置在0.2λ-0.7λ之间时，IDT电极4下沉设置还可以提高机电耦合系数。

在实施例二的一种可实现的实施方式中，压电基底3的材质为钽酸锂LiTaO₃，压电基底3的YX切角为40°-55°。作为优选的，压电基底3可以采用YX切角为40°-45°。相比于现有技术中IDT电极4没有下沉的IHP-SAW结构，在保持机电耦合系数基本一致的情况下，IDT电极4下沉设计可以提高Q值。

在实施例二的另一种可实现的实施方式中，压电基底3的材质为铌酸锂LiNbO₃，压电基底3的YX切角为28°-38°。作为优选的，压电基底3可以采用YX切角为30°-34°。

如图10所示，该图示出了压电基底3的YX切角与Q值之间的一种关系图，其中，实线代表的是IDT电极4不完全填充凹槽31时二者之间的关系，虚线代表的是现有技术中IDT电极4不下沉时二者之间的关系。

如图11所示，该图示出了压电基底3的YX切角与Q值之间的另一种关系图，其中，实线代表的是IDT电极4完全填充凹槽31时二者之间的关系，虚线代表的是现有技术中IDT电极4不下沉时二者之间的关系。

另外，在图10和图11中，横坐标代表压电基底3的YX切角的大小(单位是°)，纵坐标为声表面波器件10的Q值(单位是dB)。

在实施例二中，布拉格反射层2的材质可以是硅氧化物或者氮化铝等，同时布拉格反射层2也可以是多层结构。另外，布拉格反射层2的厚度可以是0.2λ-1λ。优选的，布拉格反射层2的厚度为0.25λ-0.4λ。优选的，布拉格反射层2为厚度为0.3λ的硅氧化物。

在实施例二中，衬底1的材质可以是硅。

如图12所示，针对实施例一和实施例二，可以采用以下方法制备声表面波器件10，该方法包括以下步骤：步骤S1、在衬底1的上表面制备布拉格反射层2；步骤S2、在布拉格反射层2的上表面制备压电基底3；步骤S3、对所述压电基底3进行图案化处理，以在所述压电基底3的上表面形成凹槽31；步骤S4、在凹槽31内形成IDT电极4，其中，IDT电极4的厚度小于或等于凹槽31的深度。

在步骤S4中，可以通过溅射法使凹槽31内填充厚度小于或等于凹槽深度的导电材料，以形成IDT电极4。

步骤S3包括：步骤S31、在压电极基底的上表面设置光刻胶层5；步骤S32、对光刻胶层5进行图案化处理；步骤S33、从图案化后的光刻胶层5处，对压电基底3进行图案化处理，以在压电基底3的上表面形成凹槽31。此时，步骤S4的制备包括：步骤S41、在凹槽内填充金属层；步骤S42、去除光刻胶层5。其中，在步骤S32中，可以通过曝光、显影等工艺对光刻胶层5进行图案化处理；在步骤S33中，可以通过化学药水蚀刻的方式对压电基底3进行图案化处理。

实施例三

如图13所示，在实施例三中，声表面波器件10包括压电基底3以及IDT电极4；其中，压电基底3的上表面设有凹槽31，IDT电极4形成在凹槽31内，且IDT电极4的厚度小于凹槽31的深度。在实施例三中，声表面波器件10未设置实施例一中的布拉格反射层2，且实施例三中IDT电极4不完全填充凹槽31。其中，在实施例三中，IDT电极4可以是通过填充导电材料等方式形成在凹槽31内，本实施例不做限定。另外，IDT电极4与凹槽31的底面接触，导电材料可以是金属或合金，优选的，导电材料可以是Al、Cu等密度小于或等于Cu密度的金属或其合金。在本实施例中，将IDT电极4填充在凹槽31内(即IDT电极4下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(即减小杂波)，提高声表面波器件10的Q值。

参考图14至图16所示，图14示出的是本实施例中IDT电极4不完全填充凹槽31时的导纳曲线图；图15示出的是，IDT电极4完全填充凹槽31时的导纳曲线图；图15示出的是，IDT电极4不下沉时的导纳曲线图。图14、图15以及图16中，横坐标都代表是频率，纵坐标都是导纳以10为底的对数，不同曲线代表的是不同的IDT电极4厚度，其中，频率的单位为MHZ，厚度的单位为λ。

从图16中可以看出，当IDT电极不下沉时，无法形成反谐振点；或者说反谐振点Q值太低，谐振点和反谐振点处杂波很密集，而且峰值很大。

从图15中可以看出，当IDT电极下沉并完全填充凹槽31时，虽然效果比IDT电极不下沉时好，但是谐振点处以然会存在一些杂波，且谐振点和反谐振点之间也不平整，且反谐振点右侧杂波明显变多变陡。

从图14中可以看出，当IDT电极下沉并不完全填充凹槽31时，谐振点处完全没有杂波，反谐振点处虽然有杂波，但是杂波很小。其最终效果明显优于IDT电极完全下沉的效果。

实施例四

实施例四是在实施例三的基础上对IDT电极4以及压电基底3等做的进一步优化。

在实施例四中，IDT电极4的材质的密度也小于或等于铜的密度，具体的，IDT电极4的材质可以是铝、铜等金属，或者是以上述金属为主体的合金。

在实施例四中，IDT电极4的厚度H为0.06λ-0.11λ，这样可以减少杂波，提高声表面波器件10的Q值。比如参考图14和图15，当H为0.075λ、0.08λ、0.085λ、0.09λ、0.10λ、0.105λ、0.11λ时，声表面波器件10都具有很少具有杂波。优选的，H为0.085λ-0.095λ。

如图17所示，该图示出的是IDT电极4厚度与机电耦合系数之间的关系图，其中，图中横坐标为IDT电极4的厚度(单位是λ)，纵坐标为机电耦合系数。从该图中可以看出，H在0.085λ-0.095λ之间时，机电耦合系数在0.20左右，此时适合超宽带器件，因此，IDT电极4采用这一厚度范围设置，可以提高声表面器件10的Q值。

如图18所示，该图示出的是IDT电极4厚度与声速之间的关系图，其中，声速越大，工作频段越高。另外，图中横坐标为IDT电极4的厚度(单位为λ)，纵坐标为声速(单位为m/s)，实线为IDT电极4不完全填充凹槽31时的曲线，虚线为IDT电极4完全填充凹槽31时的曲线，点画线为现有技术中IDT电极4不下沉时的曲线。在实施例中，IDT电极4厚度对声速影响较大。从该图中可以看出，H在0.085λ-0.095λ之间时，IDT电极4下沉设计时，声表面波器件10也具有较大的声速，且IDT电极4不完全填充凹槽31时声表面波器件的声速大于IDT电极4完全填充凹槽31时声表面波器件的声速。

如图19所示，该图示出的是IDT电极4厚度与声表面波器件的Q值之间的关系图，其中，图中横坐标为IDT电极4的厚度(单位是λ)，纵坐标为Q值(单位是dB)，实线为IDT电极4不完全填充凹槽31时的曲线，虚线为IDT电极4完全填充凹槽31时的曲线，从图中可以看出，H在0.085λ-0.095λ之间时，IDT电极4不完全填充凹槽31时声表面波器件10也具有较高的Q值。

在实施例四中，H和L之间也相互关联，其中，当L/H的范围为设置在0.2-1.2之间时，可以使声表面波器件10具有更高的Q值。作为优选的，L/H的范围为设置在0.7-1.1之间时，声表面波器件10的Q值更高。其中，图14中对应的L/H为0.8。

在实施例四中，IDT电极4的上表面与压电基底3的上表面之间的间距L可以为0.012λ-0.144λ，即IDT电极4上方的空腔的深度为0.012λ-0.144λ，这样设置也可以进一步提高声表面波器件10的Q值。优选的，L的取值可以为0.0455λ-0.121λ。

在实施例四中，压电基底3的材质为铌酸锂LiNbO₃。压电基底3的YX切角为22°-38°。优选的，XY切角为30°-34°。其中，图14中曲线所对应的压电基底3的的材质为铌酸锂LiNbO₃，XY切角为31°。

在实施例四中，压电基底3的厚度设置为0.2λ-0.7λ，以便使声表面波器件10具有更高的Q值。

在实施例四中，IDT电极4的电极指的宽度D与λ/2的比值在0.35-0.7之间，即占空比2D/λ的比值在0.35-0.7之间。优选的，在0.45-0.57之间。其中，IDT电极4的电极指41的宽度是指，在各电极指41的排布方向上，电极指41的尺寸大小。另外，图14中对应的占空比为0.55。

如图20所示，针对实施例三和实施例四，可以采用以下方法制备声表面波器件10，该方法包括以下步骤：步骤S1’、对压电基底3进行图案化处理，以在压电基底3的上表面形成凹槽31；步骤S2’、在凹槽31内形成IDT电极4，其中，IDT电极4的厚度小于凹槽31的深度。

在步骤S2’中，可以通过溅射法使凹槽31内填充厚度小于凹槽深度的导电材料，以形成IDT电极4。

如图21所示，步骤S1’包括：步骤S11’、在压电极基底的上表面设置光刻胶层；步骤S12’、对光刻胶层进行图案化处理；步骤S13’、从图案化后的光刻胶层处，对压电基底3进行图案化处理，以在压电基底3的上表面形成凹槽31。此时，步骤S2’制备包括：步骤S21’、在凹槽31内填充导电材料，以形成IDT电极4；步骤S22’、去除光刻胶层。其中，在步骤S12’中，可以通过曝光、显影等工艺对光刻胶层进行图案化处理；在步骤S13’中，可以通过化学药水蚀刻的方式对压电基底3进行图案化处理。

本实用新型实施例还提供了一种多工器，该多工器包括上述任意一实施例所述的声表面波器件10。其中，多工器可以是双工器、三工器等，本实施例在此不做限定。

本实用新型实施例还提供了一种射频前端模组，该射频前端模组包括上述任意一实施例所述的声表面波器件10。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，

所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内；

所述IDT电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.5-2.167。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度H为0.06λ-0.12λ，λ为IDT电极的电极周期。

4.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距L为0.06λ-0.13λ，λ为IDT电极的电极周期。

5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的YX切角为40°-55°。

6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22°-38°。

7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。

8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。

9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ-1λ；其中，λ为IDT电极的电极周期。

10.一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底以及IDT电极；其中，

所述压电基底的上表面设有凹槽；

所述IDT电极形成在所述凹槽内；

所述IDT电极的厚度小于所述凹槽的深度。

11.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.2-1.2。

12.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.7-1.1。

13.根据权利要求10-12任一项所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度H为0.06λ-0.11λ，λ为IDT电极的电极周期。

14.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22°-38°。

15.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。

16.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极指的宽度与λ/2的比值在0.35-0.7之间，λ为IDT电极的电极周期。

17.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。

18.一种多工器，其特征在于，包括权利要求1-17任意一项所述的声表面波器件。

19.一种射频前端模组，其特征在于，包括权利要求1-17任意一项所述的声表面波器件。