CN217507384U - Rgb-led的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种RGB‑LED的封装结构,涉及LED发光及显示模组技术领域,其红光封装体内的主发光面与主封装胶层表面的距离dR、绿光封装体内的主发光面与主封装胶层表面的距离dG以及蓝光封装体内的主发光面与主封装胶层表面的距离dB有如下关系:dR>dG≥dB;或者,dR>dB≥dG。本实用新型主要解决如何使红色光LED芯片、绿色光LED芯片和蓝色光LED芯片在LED显示模组中的出光亮度趋于一致的问题;该种RGB‑LED的封装结构,通过调整红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体与主封装胶层表面的距离,能够使红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体在LED显示模组中的出光亮度趋于一致,避免了过度的光色校正,提高了LED显示模组的亮度和显示质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED发光及显示模组技术领域,具体为一种RGB-LED的封装结构。
背景技术
LED显示模组是一种自发光显示模组,其具有亮度高、能耗低、响应速度快以及使用寿命长等优点,目前,LED显示模组技术处于快速发展的阶段。
LED显示模组中,每个像素单元均至少需要封装红(R)、绿(G)、蓝(B)三种色光的LED芯片,通过调节红、绿、蓝三种色光的LED芯片之发光强度,实现各种颜色的显示以及亮度的调节。
如图1和图2所示,现有技术中的LED显示模组,将分别通过第一封装胶层封装的红色光LED芯片10、绿色光LED芯片20以及蓝色光LED芯片30,分别焊接在PCB基板40上,并通过第二封装胶层50将红色光LED芯片10、绿色光LED芯片20以及蓝色光LED芯片30封装在PCB基板40上;其中,红色光LED芯片10的发光面到LED显示模组的出光面(第二封装胶层50表面)的距离定义为dR,绿色光LED芯片20的发光面到LED显示模组的出光面(第二封装胶层50表面)的距离定义为dG,蓝色光LED芯片30的发光面到LED显示模组的出光面(第二封装胶层50表面)的距离定义为dB。
其中,如图1所示的RGB-LED的封装结构,红色光LED芯片10采用垂直结构封装,绿色光LED芯片20和蓝色光LED芯片30则采用倒装结构封装,红色光LED芯片10、绿色光LED芯片20和蓝色光LED芯片30在其余结构相同的情况下,通常会有dR<dG=dB,即,红色光LED芯片10、绿色光LED芯片20和蓝色光LED芯片30的出光距离不同,使红色光LED芯片10的整体亮度大于绿色光LED芯片20和蓝色光LED芯片30,经过光色校正处理后,会使LED显示模组的整体亮度下降。
如图2所示的RGB-LED的封装结构,即使红色光LED芯片10采用成本和工艺难度更高的倒装结构封装,使dR=dG=dB,也会由于第一封装胶层和第二封装胶层50对于红色光、绿色光以及蓝色光的吸收率不同而影响各色光的出光亮度,同样,经过光色校正处理后,会使LED显示模组的整体亮度下降。
综上所述,如何使红色光LED芯片、绿色光LED芯片和蓝色光LED芯片在LED显示模组中的出光亮度趋于一致成为亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种RGB-LED的封装结构,能够使红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体在LED显示模组中的出光亮度趋于一致。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种RGB-LED的封装结构,包括主基板、分别焊接在所述主基板上的红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体,以及,用于将所述红光封装体、所述绿光封装体和所述蓝光封装体封装在所述主基板上的主封装胶层;所述红光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dR、所述绿光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dG以及所述蓝光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dB有如下关系:dR>dG≥dB;或者,dR>dB≥dG。
上述技术方案中,所述红光封装体包括第一封装体基板和焊接在所述第一封装体基板上的第一LED单元,所述第一封装体基板焊接在所述主基板上;所述绿光封装体包括第二封装体基板和焊接在所述第二封装体基板上的第二LED单元,所述第二封装体基板焊接在所述主基板上;所述蓝光封装体包括第三封装体基板和焊接在所述第三封装体基板上的第三LED单元,所述第三封装体基板焊接在所述主基板上。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一封装体基板之厚度hR、所述绿光封装体的第二封装体基板之厚度hG以及所述蓝光封装体的第三封装体基板之厚度hB有如下关系:hR<hB≤hG;或者,hR<hG≤hB。
上述技术方案中,所述主基板上设置有对应于所述红光封装体的第一焊盘、对应于所述绿光封装体的第二焊盘以及对应于所述蓝光封装体的第三焊盘;所述红光封装体的第一封装体基板焊接在所述第一焊盘上,所述绿光封装体的第二封装体基板焊接在所述第二焊盘上,所述蓝光封装体的第三封装体基板焊接在所述第三焊盘上;所述第一焊盘的厚度lR、所述第二焊盘的厚度lG以及所述第三焊盘的厚度lB有如下关系:lR<lB≤lG;或者,lR<lG≤lB。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一LED单元、所述绿光封装体的第二LED单元以及所述蓝光封装体的第三LED单元均能够设置为垂直结构或者倒装结构中的一种。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一LED单元设置为垂直结构,所述绿光封装体的第二LED单元和所述蓝光封装体的第三LED单元则设置为倒装结构。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一LED单元包括第一发光结构层和至少两个第一芯片电极,至少一个所述第一芯片电极设置在所述第一发光结构层的顶面,其余的所述第一芯片电极设置在所述第一发光结构层的底面,设置在所述第一发光结构层之底面的第一芯片电极焊接在所述第一封装体基板上,设置在所述第一发光结构层之顶面的第一芯片电极通过金线与所述第一封装体基板连接;所述绿光封装体的第二LED单元包括第二发光结构层和至少两个第二芯片电极,所有的所述第二芯片电极均设置在所述第二发光结构层的底面并焊接在所述第二封装体基板上;所述蓝光封装体的第三LED单元包括第三发光结构层和至少两个第三芯片电极,所有的所述第三芯片电极均设置在所述第三发光结构层的底面并焊接在所述第三封装体基板上。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一封装体基板的底部设有第一基板电极,所述第一基板电极焊接在所述主基板上;所述绿光封装体的第二封装体基板的底部设有第二基板电极,所述第二基板电极焊接在所述主基板上;所述蓝光封装体的第三封装体基板的底部设有第三基板电极,所述第三基板电极焊接在所述主基板上。
上述技术方案中,所述红光封装体还包括用于将所述第一LED单元封装在所述第一封装体基板上的第一封装胶层;所述绿光封装体还包括用于将所述第二LED单元封装在所述第二封装体基板上的第二封装胶层;所述蓝光封装体还包括用于将所述第三LED单元封装在所述第三封装体基板上的第三封装胶层。
上述技术方案中,所述红光封装体的第一封装胶层、所述绿光封装体的第二封装胶层以及所述蓝光封装体的第三封装胶层均能够设置为透明封装胶层或半透明封装胶层中的一种。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的RGB-LED的封装结构,使红光封装体的出光距离大于绿光封装体和蓝光封装体,通过调整红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体与主封装胶层表面的距离,能够消除垂直结构封装对红光封装体的出光距离的影响,也能够消除封装胶层对于红色光、绿色光以及蓝色光的吸收率不同而产生的影响,使红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体在LED显示模组中的出光亮度趋于一致,避免了过度的光色校正,提高了LED显示模组的亮度和显示质量。
附图说明
图1为现有技术中的其中一种RGB-LED的封装结构。
图2为现有技术中的另外一种RGB-LED的封装结构。
图3为本实用新型实施例一的RGB-LED的封装结构。
图4为本实用新型实施例二的RGB-LED的封装结构。
图5为本实用新型实施例三的RGB-LED的封装结构。
附图标记为:
1、主基板;11、第一焊盘;12、第二焊盘;13、第三焊盘;2、红光封装体;21、第一LED单元;211、第一发光结构层;212、第一芯片电极;213、金线;22、第一封装体基板;221、第一基板电极;23、第一封装胶层;3、绿光封装体;31、第二LED单元;311、第二发光结构层;312、第二芯片电极;32、第二封装体基板;321、第二基板电极;33、第二封装胶层;4、蓝光封装体;41、第三LED单元;411、第三发光结构层;412、第三芯片电极;42、第三封装体基板;421、第三基板电极;43、第三封装胶层;5、主封装胶层;10、红色光LED芯片;20、绿色光LED芯片;30、蓝色光LED芯片;40、PCB基板;50、第二封装胶层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一:
本实施例提供一种RGB-LED的封装结构,能够应用在LED显示模组上。
请参阅图3,该种RGB-LED的封装结构包括主基板1、分别焊接在主基板1上的红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4,以及,用于将红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4封装在主基板1上的主封装胶层5。
其中,主基板1为PCB(Printed Circuit Board,印刷电路板),主基板1用于为该种RGB-LED的封装结构提供机械支撑基础和电能及信号基础;通过封装在主基板1上的一组红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4,构成LED显示模组中的一个像素单元。
具体地,红光封装体2包括第一封装体基板22和焊接在第一封装体基板22上的第一LED单元21,第一封装体基板22焊接在主基板1上;绿光封装体3包括第二封装体基板32和焊接在第二封装体基板32上的第二LED单元31,第二封装体基板32焊接在主基板1上;蓝光封装体4包括第三封装体基板42和焊接在第三封装体基板42上的第三LED单元41,第三封装体基板42焊接在主基板1上。
其中,第一封装体基板22、第二封装体基板32以及第三封装体基板42均为BT(Bismaleimide Triazine)基板或者玻璃基板,第一封装体基板22、第二封装体基板32以及第三封装体基板42分别作为红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4的机械支撑基础和电能及信号基础。
其中,红光封装体2的第一LED单元21、绿光封装体3的第二LED单元31以及蓝光封装体4的第三LED单元41均能够设置为垂直结构或者倒装结构中的一种,即,第一LED单元21、第二LED单元31以及第三LED单元41均可以根据实际需要,分别设置为垂直结构或者倒装结构。
出于制造工艺难度和成本控制的考虑,在更为可行的实施例中,红光封装体2的第一LED单元21设置为垂直结构,以降低制造工艺难度并控制成本,绿光封装体3的第二LED单元31和蓝光封装体4的第三LED单元41则设置为倒装结构。
具体地,红光封装体2的第一LED单元21包括第一发光结构层211和至少两个第一芯片电极212,第一发光结构层211即为第一LED单元21中的半导体结构层,至少一个第一芯片电极212设置在第一发光结构层211的顶面,其余的第一芯片电极212设置在第一发光结构层211的底面,设置在第一发光结构层211之底面的第一芯片电极212焊接在第一封装体基板22上,设置在第一发光结构层211之顶面的第一芯片电极212通过金线213与第一封装体基板22连接,即,金线213的两端分别焊接在第一芯片电极212和第一封装体基板22上;本实施例中,第一LED单元21包括两个第一芯片电极212,分别对应正负极,其中一个第一芯片电极212设置在第一发光结构层211的顶面,另一个第一芯片电极212设置在第一发光结构层211的底面;绿光封装体3的第二LED单元31包括第二发光结构层311和至少两个第二芯片电极312,第二发光结构层311即为第二LED单元31中的半导体结构层,所有的第二芯片电极312均设置在第二发光结构层311的底面并焊接在第二封装体基板32上;本实施例中,第二LED单元31包括两个第二芯片电极312,分别对应正负极;蓝光封装体4的第三LED单元41包括第三发光结构层411和至少两个第三芯片电极412,第三发光结构层411级为第三LED单元41中的半导体结构层,所有的第三芯片电极412均设置在第三发光结构层411的底面并焊接在第三封装体基板42上;本实施例中,第三LED单元41包括两个第三芯片电极412,分别对应正负极。
其中,第一LED单元21的第一发光结构层211之顶面即为红光封装体2内的主发光面,第二LED单元31的第二发光结构层311之顶面即为绿光封装体3内的主发光面,第三LED单元41的第三发光结构层411之顶面即为蓝光封装体4内的主发光面。
进一步具体地,红光封装体2的第一封装体基板22的底部设有第一基板电极221,第一基板电极221焊接在主基板1上,本实施例中,第一基板电极221在第一封装体基板22的底部设置有两个,分别对应正负极;绿光封装体3的第二封装体基板32的底部设有第二基板电极321,第二基板电极321焊接在主基板1上,本实施例中,第二基板电极321在第二封装体基板32的底部设置有两个,分别对应正负极;蓝光封装体4的第三封装体基板42的底部设有第三基板电极421,第三基板电极421焊接在主基板1上,本实施例中,第三基板电极421在第三封装体基板42的底部设置有两个,分别对应正负极。
主基板1上设置有对应于红光封装体2的第一焊盘11、对应于绿光封装体3的第二焊盘12以及对应于蓝光封装体4的第三焊盘13;红光封装体2的第一封装体基板22焊接在第一焊盘11上,绿光封装体3的第二封装体基板32焊接在第二焊盘12上,蓝光封装体4的第三封装体基板42焊接在第三焊盘13上;具体是,主基板1在每个像素单元中分别设置有两个第一焊盘11、两个第二焊盘12以及第三焊盘13,第一封装体基板22的两个第一基板电极221分别焊接在两个第一焊盘11上,第二封装体基板32的两个第二基板电极321分别焊接在两个第二焊盘12上,第三封装体基板42的两个第三基板电极421分别焊接在两个第三焊盘13上。
在本实施例中,第一焊盘11、第二焊盘12以及第三焊盘13的厚度相同。
红光封装体2内的主发光面与主封装胶层5表面的距离dR、绿光封装体3内的主发光面与主封装胶层5表面的距离dG以及蓝光封装体4内的主发光面与主封装胶层5表面的距离dB有如下关系:
dR>dG≥dB;或者,
dR>dB≥dG。
具体地,红光封装体2的第一封装体基板22之厚度hR、绿光封装体3的第二封装体基板32之厚度hG以及蓝光封装体4的第三封装体基板42之厚度hB有如下关系:
hR<hB≤hG;或者,
hR<hG≤hB。
即,在本实施例中,通过调节第一封装体基板22、第二封装体基板32以及第三封装体基板42之厚度关系的方式,实现dR>dG≥dB或者dR>dB≥dG的关系。
进一步地,红光封装体2还包括用于将第一LED单元21封装在第一封装体基板22上的第一封装胶层23;绿光封装体3还包括用于将第二LED单元31封装在第二封装体基板32上的第二封装胶层33;蓝光封装体4还包括用于将第三LED单元41封装在第三封装体基板42上的第三封装胶层43。
具体地,红光封装体2的第一封装胶层23、绿光封装体3的第二封装胶层33以及蓝光封装体4的第三封装胶层43均能够设置为透明封装胶层或半透明封装胶层中的一种;在更为可行的实施例中,考虑到红色光、绿色光以及蓝色光对封装胶层的穿透力,第一封装胶层23使用半透明封装胶层,例如添加了墨色的环氧树脂,第二封装胶层33和第三封装胶层43则使用透明封装胶层,例如透明的环氧树脂。
需要说明的是,主封装胶层5也为透明封装胶层。
该种RGB-LED的封装结构,在制造时,将第一LED单元21的其中一个第一芯片电极212依极性焊接在第一封装体基板22上,使用金线213连接另一个第一芯片电极212和第一封装体基板22,并使用半透明封装胶形成第一封装胶层23,将第一LED单元21封装在第一封装体基板22上,形成红光封装体2;将第二LED单元31的两个第二芯片电极312依极性焊接在第二封装体基板32上,并使用透明封装胶形成第二封装胶层33,将第二LED单元31封装在第二封装体基板32上,形成绿光封装体3;将第三LED单元41的两个第三芯片电极412依极性焊接在第三封装体基板42上,并使用透明封装胶形成第三封装胶层43,将第三LED单元41封装在第三封装体基板42上,形成蓝光封装体4;然后,将红光封装体2的两个第一基板电极221依极性焊接在主基板1的两个第一焊盘11上,将绿光封装体3的两个第二基板电极321依极性焊接在主基板1的两个第二焊盘12上,将蓝光封装体4的两个第三基板电极421依极性焊接在主基板1的两个第三焊盘13上;最后,使用透明封装胶形成主封装胶层5,将红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4封装在主基板1上。
本实用新型的RGB-LED的封装结构,使红光封装体2的出光距离大于绿光封装体3和蓝光封装体4,通过调整红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4与主封装胶层5表面的距离,能够消除垂直结构封装对红光封装体2的出光距离的影响,也能够消除封装胶层对于红色光、绿色光以及蓝色光的吸收率不同而产生的影响,使红光封装体2、绿光封装体3和蓝光封装体4在LED显示模组中的出光亮度趋于一致,避免了过度的光色校正,提高了LED显示模组的亮度和显示质量。
实施例二:
请参阅图4,本实施例提供一种RGB-LED的封装结构,与实施例一中提供的RGB-LED的封装结构相比,区别点在于:
在本实施例中,红光封装体2的第一封装体基板22、绿光封装体3的第二封装体基板32以及蓝光封装体4的第三封装体基板42之厚度相同。
主基板1上同样设置有对应于红光封装体2的第一焊盘11、对应于绿光封装体3的第二焊盘12以及对应于蓝光封装体4的第三焊盘13;红光封装体2的第一封装体基板22焊接在第一焊盘11上,绿光封装体3的第二封装体基板32焊接在第二焊盘12上,蓝光封装体4的第三封装体基板42焊接在第三焊盘13上;具体是,主基板1在每个像素单元中分别设置有两个第一焊盘11、两个第二焊盘12以及第三焊盘13,第一封装体基板22的两个第一基板电极221分别焊接在两个第一焊盘11上,第二封装体基板32的两个第二基板电极321分别焊接在两个第二焊盘12上,第三封装体基板42的两个第三基板电极421分别焊接在两个第三焊盘13上。
第一焊盘11的厚度lR、第二焊盘12的厚度lG以及第三焊盘13的厚度lB有如下关系:
lR<lB≤lG;或者,
lR<lG≤lB。
即,在本实施例中,通过调节第一焊盘11、第二焊盘12以及第三焊盘13之厚度关系的方式,实现dR>dG≥dB或者dR>dB≥dG的关系。
本实施例提供的RGB-LED的封装结构,其余部分均与实施例一中提供的RGB-LED的封装结构一致,此处不再赘述。
实施例三:
请参阅图5,本实施例提供一种RGB-LED的封装结构,与实施例一中提供的RGB-LED的封装结构相比,区别点在于:
红光封装体2未有设置第一封装胶层23,绿光封装体3未有设置第二封装胶层33,蓝光封装体4未有设置第三封装胶层43。
通过主封装胶层5,直接封装红光封装体2及其上的第一LED单元21、绿光封装体3及其上的第二LED单元31,以及,蓝光封装体3及其上的第三LED单元31。
本实施例提供的RGB-LED的封装结构,其余部分均与实施例一中提供的RGB-LED的封装结构一致,此处不再赘述。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种RGB-LED的封装结构,包括主基板、分别焊接在所述主基板上的红光封装体、绿光封装体和蓝光封装体,以及,用于将所述红光封装体、所述绿光封装体和所述蓝光封装体封装在所述主基板上的主封装胶层;其特征在于,
所述红光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dR、所述绿光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dG以及所述蓝光封装体内的主发光面与所述主封装胶层表面的距离dB有如下关系:
dR>dG≥dB;或者,
dR>dB≥dG。
2.根据权利要求1所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体包括第一封装体基板和焊接在所述第一封装体基板上的第一LED单元,所述第一封装体基板焊接在所述主基板上;
所述绿光封装体包括第二封装体基板和焊接在所述第二封装体基板上的第二LED单元,所述第二封装体基板焊接在所述主基板上;
所述蓝光封装体包括第三封装体基板和焊接在所述第三封装体基板上的第三LED单元,所述第三封装体基板焊接在所述主基板上。
3.根据权利要求2所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一封装体基板之厚度hR、所述绿光封装体的第二封装体基板之厚度hG以及所述蓝光封装体的第三封装体基板之厚度hB有如下关系:
hR<hB≤hG;或者,
hR<hG≤hB。
4.根据权利要求2所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述主基板上设置有对应于所述红光封装体的第一焊盘、对应于所述绿光封装体的第二焊盘以及对应于所述蓝光封装体的第三焊盘;
所述红光封装体的第一封装体基板焊接在所述第一焊盘上,所述绿光封装体的第二封装体基板焊接在所述第二焊盘上,所述蓝光封装体的第三封装体基板焊接在所述第三焊盘上;
所述第一焊盘的厚度lR、所述第二焊盘的厚度lG以及所述第三焊盘的厚度lB有如下关系:
lR<lB≤lG;或者,
lR<lG≤lB。
5.根据权利要求2所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一LED单元、所述绿光封装体的第二LED单元以及所述蓝光封装体的第三LED单元均能够设置为垂直结构或者倒装结构中的一种。
6.根据权利要求5所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一LED单元设置为垂直结构,所述绿光封装体的第二LED单元和所述蓝光封装体的第三LED单元则设置为倒装结构。
7.根据权利要求6所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一LED单元包括第一发光结构层和至少两个第一芯片电极,至少一个所述第一芯片电极设置在所述第一发光结构层的顶面,其余的所述第一芯片电极设置在所述第一发光结构层的底面,设置在所述第一发光结构层之底面的第一芯片电极焊接在所述第一封装体基板上,设置在所述第一发光结构层之顶面的第一芯片电极通过金线与所述第一封装体基板连接;
所述绿光封装体的第二LED单元包括第二发光结构层和至少两个第二芯片电极,所有的所述第二芯片电极均设置在所述第二发光结构层的底面并焊接在所述第二封装体基板上;
所述蓝光封装体的第三LED单元包括第三发光结构层和至少两个第三芯片电极,所有的所述第三芯片电极均设置在所述第三发光结构层的底面并焊接在所述第三封装体基板上。
8.根据权利要求2-7任一所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一封装体基板的底部设有第一基板电极,所述第一基板电极焊接在所述主基板上;
所述绿光封装体的第二封装体基板的底部设有第二基板电极,所述第二基板电极焊接在所述主基板上;
所述蓝光封装体的第三封装体基板的底部设有第三基板电极,所述第三基板电极焊接在所述主基板上。
9.根据权利要求2-7任一所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体还包括用于将所述第一LED单元封装在所述第一封装体基板上的第一封装胶层;
所述绿光封装体还包括用于将所述第二LED单元封装在所述第二封装体基板上的第二封装胶层;
所述蓝光封装体还包括用于将所述第三LED单元封装在所述第三封装体基板上的第三封装胶层。
10.根据权利要求9所述的RGB-LED的封装结构,其特征在于:所述红光封装体的第一封装胶层、所述绿光封装体的第二封装胶层以及所述蓝光封装体的第三封装胶层均能够设置为透明封装胶层或半透明封装胶层中的一种。
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2022
- 2022-05-19 CN CN202221208479.4U patent/CN217507384U/zh active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |