CN217499406U - 承载机构及成膜装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了提供一种承载机构及成膜装置，一种承载机构及成膜装置，所述承载机构通过在基座的上表面设置承载面，承载面环绕基座的中轴线布置，载盘布置于承载面的第二表面上，第二表面相对于基座的第一表面倾斜设置，使得设置于第二表面上的载盘也倾斜设置，从而减小了载盘远离基座的中轴线一端与基座的中轴线之间的间距，同时使得载盘的远离基座中轴线一端和靠近基座中轴线一端位于不同的层流高度，避免位于同一层流时上游发生反应后对下游的反应气体浓度产生影响。在成膜时，基片布置于载盘上，基片倾斜，增加了喷洒至基片远离喷嘴一端的气体的浓度，使得反应气体在基片不同位置的浓度达到均匀，从而提升成膜厚度的均匀性。

Description

承载机构及成膜装置

技术领域

本申请涉及成膜设备技术领域，具体涉及一种承载机构及成膜装置。

背景技术

现有用于金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD，Metal-organic Chemical VaporDeposition)的成膜设备中，通过喷嘴向反应腔内馈入不同的反应气体以在基片表面发生反应，以在基片上进行薄膜沉积，馈入的气体在流通的过程中，气体的浓度会随着行程的远近发生变化，一般而言，离喷嘴的出气口越远，其对应的基片表面的气体的浓度会越低，即便对喷洒的气体进行持续补充，仍无法达到使馈入的气体在基片的不同位置的浓度相对均匀的理想状态，影响成膜厚度的均匀性。

实用新型内容

本申请实施例提供一种承载机构及成膜装置，可以解决现有成膜设备中馈入的气体在基片的不同位置的浓度均匀度较差的问题。

本申请实施例提供一种承载机构，包括：基座，所述基座的上表面形成有绕所述基座的中轴线布置的承载区域；至少一载盘，用以承载基片，所述载盘布置于所述承载区域上；以及至少一沿所述中轴线延伸的第一轴体，所述基座可在所述第一轴体带动下沿所述中轴线旋转；其中，所述基座的上表面还包括与所述中轴线垂直的第一表面，所述承载区域设于所述第一表面的外侧，且所述承载区域至少包括一个平坦的第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面倾斜设置，所述载盘平行布置于所述第二表面。

可选的，所述第二表面具有接近所述第一表面的第一端及远离所述第一表面的第二端，所述第一端具有相对于所述第一表面的第一高度，所述第二端具有相对于所述第一表面的第二高度，所述第一高度小于所述第二高度。

可选的，所述第二表面相对于所述第一表面的倾斜角度不大于15°。

可选的，所述基座的上表面还包括平行于所述第一表面的第三表面，所述第三表面自所述第二表面的第二端向远离所述中轴线延伸。

可选的，所述承载区域包括沿所述承载区域的周向排布的多个所述第二表面及位于相邻所述第二表面之间的过渡面，所述过渡面为以所述中轴线为轴线的圆锥面。

可选的，所述承载区域包括多个所述第二表面，多个所述第二表面沿所述承载区域的周向依次排布，多个所述第二表面的第二端依次连接形成多边形，多个所述第二表面的第一端依次连接形成多边形，构成所述多边形的边的数量与所述第二表面的数量相一致。

可选的，还包括与所述第一轴体同轴设置的第二轴体，所述第一轴体环绕至少部分所述第二轴体，至少一所述载盘可在所述第二轴体的带动下在所述承载区域的第二表面上旋转。

可选的，所述载盘通过轴承安装在所述承载区域的第二表面上以实现所述载盘在所述第二表面上的旋转；所述基座的第一表面上盖设有用以遮盖所述第一表面的盖板。

同时，本申请实施例还提供一种成膜装置，所述成膜装置包括如前所述的承载机构，所述成膜装置还包括：腔体壁，所述腔体壁上侧开口，所述承载机构的基座布置于所述腔体壁内侧；盖体，盖设于所述腔体壁上侧的开口，所述基座与所述盖体之间形成反应腔；喷嘴，所述喷嘴伸入所述反应腔内，所述喷嘴与所述基座的中轴线同轴布置，所述喷嘴上设置有至少一个与所述反应腔连通的喷气口，所述喷气口的出气方向垂直于所述基座的中轴线；加热组件，设置于所述基座下方，所述加热组件环绕所述第一轴体。

可选的，所述基座的第二表面相对于所述基座的第一表面倾斜设置，所述载盘平行布置于所述第二表面，所述载盘相对于所述第一表面具有一个最大高度H_max，所述喷嘴的喷气口相对于所述第一表面具有一个最小高度h，H_max不小于h。

本申请的有益效果在于，提供一种承载机构及成膜装置，所述承载机构通过在基座的上表面设置承载区域，承载区域环绕基座的中轴线布置，载盘布置于承载区域的第二表面上，第二表面相对于基座的第一表面倾斜设置，使得设置于第二表面上的载盘也倾斜设置，从而减小了载盘远离基座的中轴线一端与基座的中轴线之间的间距，同时使得载盘的远离基座中轴线一端和靠近基座中轴线一端位于不同的层流高度，避免位于同一层流时上游发生反应后对下游的反应气体浓度产生影响。在成膜时，基片布置于载盘上，基片倾斜，增加了喷洒至基片远离喷嘴一端的气体的浓度，使得反应气体在基片不同位置的浓度的均匀性得到改善，从而提升成膜厚度的均匀性；

另外，通过第一轴体带动基座旋转使得基座上的载盘及其上的基片具有公转行程，通过第二轴体驱动载盘在承载区域的第二表面上旋转，使得载盘及其上的基片具有自转行程，自转与公转相结合，提升载盘上基片的各处的环境气体浓度在一个旋转周期内的相对均匀性，进一步提升成膜厚度的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种现有成膜设备中喷嘴喷出的气体的喷洒路径示意图；

图2是图1所示的现有成膜设备中喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图；

图3是另一种现有成膜设备中喷嘴喷出的气体的喷洒路径示意图；

图4时图3所示的现有成膜设备中喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图；

图5是本申请一实施例提供的承载机构的结构示意图；

图6是图5的A-A向剖视图；

图7是图6的B处放大结构示意图；

图8是本申请一实施例提供的承载机构中载盘的第一环形齿面与第二驱动端的第二环形齿面的组合结构示意图；

图9是本申请另一实施例提供的承载机构的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的成膜装置的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的成膜装置中喷嘴喷出的气体的喷洒路径示意图；

图12是图10所示的成膜装置中喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图。

图1、图3和图11中，实线为第二喷气口231b和第四喷气口231d所喷洒气体的喷洒路径，虚线为第一喷气口231a、第三喷气口231c、和第五喷气口231e所喷洒气体的喷洒路径。

附图标记说明：

100、承载机构，110、基座，1101、中轴线，110a、上表面，110b、下表面，111、第一表面，112、承载区域，1121、第二表面，1121a、第一端，1121b、第二端，1122、过渡面，112a、环槽，112b、容置槽，113、第三表面，114、凹槽，115、安装孔，116、盖板，120、载盘，121、轴承，122、凸起部，123、第一环形齿面，130、第一轴体，131、第一驱动端，140、第二轴体，141、第二驱动端，142、端齿，143、第二环形齿面；

200、成膜装置，210、腔体壁，220、盖体，221、插孔，230、喷嘴，231a、第一喷气口，231b、第二喷气口，231c、第三喷气口，231d、第四喷气口，231e、第五喷气口，240、加热组件，250、反应腔。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。

本申请实施例提供的承载机构，所述承载机构通过在基座的上表面设置承载区域，承载区域环绕基座的中轴线布置，载盘布置于承载区域的第二表面上，第二表面相对于基座的第一表面倾斜设置，使得设置于第二表面上的载盘也倾斜设置，从而减小了载盘远离基座的中轴线一端与基座的中轴线之间的间距，同时使得载盘的远离基座中轴线一端和靠近基座中轴线一端位于不同的层流高度，避免位于同一层流时上游发生反应后对下游的反应气体浓度产生影响。在成膜时，基片布置于载盘上，基片倾斜，增加了喷洒至基片远离喷嘴一端的气体的浓度，使得反应气体在基片不同位置的浓度的均匀性得到改善，从而提升成膜厚度的均匀性；另外，通过第一轴体带动基座旋转使得基座上的载盘及其上的基片具有公转行程，通过第二轴体驱动载盘在承载区域的第二表面上旋转，使得载盘及其上的基片具有自转行程，自转与公转相结合，提升载盘上基片的各处的环境气体浓度在一个旋转周期内的相对均匀性，进一步提升成膜厚度的均匀性。作为典型应用，所述承载机构可用在成膜装置中，例如MOCVD成膜装置，以对基片表面进行气相沉积。

本申请一实施例中，参照图5～图8，所述承载机构100包括：基座110、载盘120和第一轴体130。

基座110具有中轴线1101，而且基座110具有相对设置的上表面110a和下表面110b，基座110的上表面110a包括第一表面111和承载区域112。第一表面111与中轴线1101垂直，承载区域112环绕第一表面111，换言之，承载区域112设于第一表面111外侧，承载区域112包括至少一个平坦的第二表面1121，第二表面1121相对于第一表面111倾斜设置，具体地，参照图6，第二表面1121具有接近第一表面111的第一端1121a及远离第一表面111的第二端1121b，第一端1121a具有相对于第一表面111的第一高度H1，第二端1121b具有相对于第一表面111的第二高度H2，H1＜H2。其中，承载区域112的第二表面1121的倾斜角度为5°，在其他实现方式中，第二表面1121的倾斜角度可以为8°、10°等，具体根据使用需求选择，但不能超过15°，如超出15°，会增加载盘120与第二表面1121脱离的风险。

载盘120布置于承载区域112的第二表面1121上，载盘120用以承载基片(图中未示出)，在本实施例中，参照图5，载盘120的数量为六个，对应地，承载区域112上的第二表面1121的数量为6个，沿承载区域112的周向依次排布，每个第二表面1121上设置有一个载盘120，载盘120平行于第二表面1121布置，由于第二表面1121倾斜设置形成斜面，使得载盘120呈现倾斜设置，在其他实现方式中，载盘120的数量可以设置为两个、三个或五个等，具体根据使用需求进行选择。

第一轴体130沿基座110的中轴线1101延伸，基座110可在第一轴体130的带动下沿中轴线1101旋转，在本实施例中，第一轴体130具有第一驱动端131，第一轴体130通过第一驱动端131传动连接于基座110的下表面110b，以驱动基座110旋转，第二表面1121上的载盘120随基座110旋转，使得载盘120具有公转行程。

此外，基座110的上表面110a还包括平行于所述第一表面111的第三表面113，第三表面113自第二表面1121的第二端1121b向远离中轴线1101的方向延伸，该第三表面113主要是为了使得喷嘴出气口处的气流能够较为均匀地逸散。另外，载盘120可旋转地布置于承载区域112的第二表面1121上，在本实施例中，载盘120通过轴承121设置于第二表面1121承载区域112上，以实现载盘120的旋转，具体地，轴承121用以支撑载盘120的旋转，确保载盘120在旋转的过程中不会出现载盘120脱离等情况。所述轴承121与所述基座110之间留有间隙，使得在载盘120旋转的过程中能减小载盘120与基座110之间的摩擦力，更便于载盘120的旋转。

而为给载盘120旋转提供驱动力，本实施例提供的承载机构100还包括第二轴体140，参照图6，第二轴体140与第一轴体130同轴，第二轴体140插设于第一轴体130，第一轴体130环绕至少部分第二轴体140，第二轴体140设置有第二驱动端141，第二轴体140通过第二驱动端141驱动载盘120在承载区域112上旋转，以使得载盘120具有自转行程。

第一轴体130连接第一驱动电机(图中未示出)，第二轴体140连接第二驱动电机(图中未示出)，第一驱动电机驱动第一轴体130带动基座110旋转，使得载盘120具有公转行程，第二轴体140驱动载盘120在承载区域112上旋转，使得载盘120具有自转行程，载盘120的公转方向与自转方向相同或相反。

具体地，参照图6～图8，载盘120朝向承载区域112一面的边缘凸出设置有多个凸起部122，多个凸起部122沿载盘120周向间隔排布，该多个凸起部122配合使得载盘120具备第一环形齿面123，承载区域112上开设有与第一环形齿面123相对应的环槽112a，载盘120的多个凸起部122插设于环槽112a，且凸起部122与环槽112a的内侧壁之间留有间隙以保证载盘120自转的顺畅度。

另外，基座110的上表面110a开设有环绕中心轴线1101的凹槽114，该凹槽114的内侧底面即为所述第一表面111，承载区域112环绕凹槽114，凹槽114的内侧底面即第一表面111开设有第二轴体140同轴的安装孔115，第二轴体140插设于安装孔115并由安装孔115伸出至基座110的第一表面111上方以与第二驱动端141组配，第二驱动端141布置于凹槽114内，参照图6，环槽112a靠近安装孔115一端的至少部分与凹槽114内侧连通。

参照图6和图8第二驱动端141的外侧壁上具有多个沿第二轴体140的轴向延伸设置的端齿142，多个端齿142沿第二驱动端141的周向间隔排布以使得第二驱动端141具备第二环形齿面143，第二环形齿面143被配置为与述载盘120的第一环形齿面123相啮合，以使得载盘120在第二驱动端141的驱动下具有自转行程。参照图5，本实施例中载盘120的数量为六个，六个载盘120的第一环形齿面123分别与第二驱动端141相对应的第二环形齿面143相啮合，使得第二轴体140通过一个第二驱动端141驱动六个载盘120同步自转，提升效率。第一环形齿面123与第二环形齿面143在轴向上进行啮合，一方面不会增加径向的尺寸，也可以借助所述载盘120的自重增加啮合的可靠性，同时上下齿接的方式也便于所述基座110的拆装。

另外，参照图6，承载区域112上开设有用以容纳载盘120的容置槽112b，容置槽112b靠近凹槽114一端的至少部分与凹槽114内侧连通，环槽112a开设于容置槽112b的内侧底面，容置槽112b的槽深与载盘120的厚度相对应，使得载盘120远离承载区域112一面与基座110的上表面平齐。

此外，参照图5，由于载盘120的数量为六个，承载区域112上第二表面1121的数量即为六个，每个第二表面1121布置一个载盘120，容置槽112b开设于位于第二表面1121内侧的承载区域112上，在本实施例中，六个承载区111c沿承载区域112的周向依次排布，首尾相连形成承载区域112，具体地，参照图5，每个第二表面1121的形状为倒梯形，六个第二表面1121的侧边依次连接，六个第二表面1121的第二端1121b依次连接形成六边形形状，六个第二表面1121的第一端1121a依次连接形成六边形形状。这种多个第二表面1121依次排布、首尾相连的承载面结构，具有制造简单的优点，但梯形承载区的空间浪费较大，在载盘120的自转速度较大时，对基座110的上表面110a的气流均匀性产生影响。在其他实现方式中，当第二表面1121的数量为三个时，三个承载区域112的第一端1121a依次连接形成三角形，第二端1121b依次连接形成三角形，当第二表面1121的数量为四个时，形成方形，具体可根据实际使用需求进行选择。

在本申请另一实现方式中，参照图9，六个第二表面1121沿承载区域112的周向两两间隔设置，位于相邻两第二表面1121之间的承载区域112布置为过渡面1122，其中，过渡面1122为以基座110的中轴线1101为轴线的圆锥面，相邻两第二表面1121的第二端通过过渡面1122远离第一表面111一端连接，且过渡面1122远离第一表面111一端被布置为弧形，形成圆弧过渡，六个远离第一表面111的第一端1121a仍保持依次连接形成六边形。这种多个承载区111c间隔布置并通过过渡面1122相连的承载面的结构设计，虽然导致制造难度上升，但是在载盘120自转速度较大时，可有效降低对基座110的上表面110a的气流均匀性的影响，能够更好地减小基座110在公转过程中倾斜设置的第二表面1121对于气流的扰动，减小涡流的产生。

此外，参照图5、图6和图9，基座110的凹槽114的槽口盖设有一盖板116，盖板116可对凹槽114的槽口进行遮盖基座110的上表面110a与凹槽114对应的部分进行遮盖，从而对第二轴体140上的第二驱动端141进行封闭，并不会暴露在腔室中，减少被污染的可能性。

同时，参照图10，本申请实施例还提供一种成膜装置200，成膜装置200包括承载机构100、腔体壁210、盖体220、喷嘴230和加热组件240。

形成成膜装置200的各组件的相对位置关系以及组装方式如下：

腔体壁210上侧开口，第一轴体130由腔体壁210的下表面伸入腔体壁210内侧，第二轴体140由第一轴体130伸入腔体壁210内侧，第一轴体130外接第一驱动电机，第二轴体140外接第二驱动电机，基座110布置于腔体壁210内侧，基座110安装于第一轴体130的第一驱动端131，第二轴体140穿过第一轴体130以及基座110的安装孔115，第二驱动端141安装于第二轴体140伸出至基座110上表面110a一端，第二驱动端141位于凹槽114内，第二驱动端141通过第二环形齿面143与载盘120的第一环形齿面123相啮合。

加热组件240设置于基座110下表面110b的下方，加热组件240环绕第一轴体130设置。

盖体220可拆解地盖设于腔体壁210上表面的开口处，基座110与盖体220之间形成反应腔250，盖体220表面中部开设有与第二轴体140同轴的插孔221，喷嘴230插设于插孔221，喷嘴230一端位于插孔221外侧并接气源(图中未示出)，喷嘴230另一端伸入反应腔250内侧，喷嘴230在反应腔250内侧端布置有至少一个与反应腔250连通的喷气口，在本实施例中，参照图10，喷嘴230上喷气口的数量为五个，包括第一喷气口231a、第二喷气口231b、第三喷气口231c、第四喷气口231d和第五喷气口231e，第一喷气口231a、第二喷气口231b、第三喷气口231c、第四喷气口231d和第五喷气口231e沿喷嘴230的高度方向间隔排布，每个喷气口的出气方向与基座110的中轴线1101垂直。在其他实现方式中，喷嘴230可选用三路进气，即，喷气口的数量为三个，根据实际需求进行选择。

其中，参照图10，喷气口相对于基座110的第一表面111具有一个最小高度h，在本实施例中，该最小高度h即第一喷气口231a相对于第一表面111的高度，而由于载盘120相对于第一表面111具有一个最大高度H_max，在本实施例中，由于载盘120平行于第二表面1121布置，故而载盘120的该最大高度H_max即相当于载盘120距离中心轴线1101最远的点与第一表面111的距离，H_max≥h。

成膜装置200在使用时，开启盖体220，将基片(图中未示出)放置于载盘120上，气源向喷嘴230供气，气体通过第一喷气口231a、第二喷气口231b、第三喷气口231c、第四喷气口231d和第五喷气口231e分别喷出，例如，第二喷气口231b和第四喷气口231d喷洒的气体的气源为MO(Metal-organic，金属有机化合物)源，喷洒过程中，在反应腔250内形成如图10中实线所示的喷洒路径，图10中的虚线为第一喷气口231a、第三喷气口231c、和第五喷气口231e喷洒气体的喷洒路径，由于本实施例中的承载区域112的倾斜设置，使得载盘120也呈现倾斜设置，缩短了基片远离喷嘴230一端与喷嘴230之间的间距，从而缩短了第二喷气口231b和第四喷气口231d喷洒的气体喷洒气体的喷洒行程，结合图11和图12(图12所示为喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图)，喷洒落点距离喷气口的间距R越长，MO源的气体浓度越低，本实施例中，可缩短基片远离喷气口一端与喷气口之间的间距R，从而提升喷洒至基片远离喷嘴230一端的MO源的气体浓度，使得基片表面的反应气体浓度的均匀性得到改善，提升MOCVD工艺的成膜的均匀性。结合载盘120的公转和自转，可更加明显提升载盘120所承载的基片表面的各个位置处的反应环境的一致性，进而提高基片表面的各位位置处的成膜的一致性，以提高整体成膜的均匀性。

其中，从反应腔250的整体流场上看，其流动趋近于从喷气口到远离喷气口的并且由高到低的稳定的层流，实际上，随着反应的发生，基片表面的反应气体消耗会促使高层层流的气体补充到底层层流来，最终追溯MO源气颗粒的主要运动轨迹的话，则会呈现如图11所示的喷洒模型，倾斜设置时，更利于高层层流的反应气体扩散到基片表面，从而改善基片表面的浓度，使得反应气体在基片不同位置的浓度达到均匀。

而且，承载区域112的倾斜设置，还可减小反应腔250的截面面积，减小喷洒气体的流通截面，增大喷洒气体的浓度，另一方面，通过附壁效应，捕捉高于反应表面的MO源气到基片表面，以提基片远离喷嘴230一端的MO源的气体浓度。而基座110的上表面110a的第三表面113的设计，使得反应腔250的出气口处的气流能够较为均匀地逸散，基片不同位置的MO源的气体浓度的均匀性可以得到改善。

反观图1，图1所示是现有的一种成膜设备中喷嘴230喷出的气体的喷洒路径示意图，该喷嘴230同样为五路出气，依次为第一喷气口231a、第二喷气口231b、第三喷气口231c、第四喷气口231d和第五喷气口231e，但该成膜设备中的载盘水平布置，导致载盘上的基片远离喷嘴230一端与喷嘴之间的间距较大，结合图2(图示为喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图)，喷洒路径较长，导致喷洒至基片远离喷嘴230一端的MO源的气体浓度较低，使得基片表面较远处与较近处的反应环境存在较大差异(MO源气浓度差异)，基片在较远处与较近处的成膜表现差异较大，最终会导致基片的成膜厚度均匀性差。

而如图3所示，现有的另一种成膜设备中，喷嘴230同样为五路出气，依次为第一喷气口231a、第二喷气口231b、第三喷气口231c、第四喷气口231d和第五喷气口231e，但该现有成膜设备，通过将盖体220部分弯曲，对反应腔250形成一种“挤压”，以迫使喷洒至基片远离喷嘴230一端的MO源的气体浓度变高，虽然有一点效果，但是结合图4(图示为喷洒的MO源的气体浓度与喷洒落点距离喷气口的间距的关系曲线图)，其实际表现仍是一般。究其原因，主要是附壁效应对MO源的气体浓度分布产生了影响，在对盖体220部分弯曲后，实际上对于中间反应腔250内的层流而言，其不仅起到了“挤压”作用，还起到了“吸附”作用，导致很大一部分MO源气体(即喷洒气体)沿着盖体220内表面流动，最终也不能对基片表面的MO源的气体浓度进行有效改善。

一般而言附壁效应受喷洒气体的流速影响较大，在流速较低时，其有效影响范围能达到壁距10mm内，本申请实施例中反应腔250的大概的高度为30mm，所以该效应对于一般的低速MOCVD反应腔室影响较大。

以上对本申请实施例所提供的一种承载机构及成膜装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种承载机构，其特征在于，包括：

基座，所述基座的上表面形成有绕所述基座的中轴线布置的承载区域；

至少一载盘，用以承载基片，所述载盘布置于所述承载区域上；以及

至少一沿所述中轴线延伸的第一轴体，所述基座可在所述第一轴体带动下沿所述中轴线旋转；其中，所述基座的上表面还包括与所述中轴线垂直的第一表面，所述承载区域设于所述第一表面的外侧，且所述承载区域至少包括一个平坦的第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面倾斜设置，所述载盘平行布置于所述第二表面。

2.如权利要求1所述的承载机构，其特征在于，所述第二表面具有接近所述第一表面的第一端及远离所述第一表面的第二端，所述第一端具有相对于所述第一表面的第一高度，所述第二端具有相对于所述第一表面的第二高度，所述第一高度小于所述第二高度。

3.如权利要求1所述的承载机构，其特征在于，所述第二表面相对于所述第一表面的倾斜角度不大于15°。

4.如权利要求2所述的承载机构，其特征在于，所述基座的上表面还包括平行于所述第一表面的第三表面，所述第三表面自所述第二表面的第二端向远离所述中轴线延伸。

5.如权利要求1所述的承载机构，其特征在于，所述承载区域包括沿所述承载区域的周向排布的多个所述第二表面及位于相邻所述第二表面之间的过渡面，所述过渡面为以所述中轴线为轴线的圆锥面。

6.如权利要求2所述的承载机构，其特征在于，所述承载区域包括多个所述第二表面，多个所述第二表面沿所述承载区域的周向依次排布，多个所述第二表面的第二端依次连接形成多边形，多个所述第二表面的第一端依次连接形成多边形，构成所述多边形的边的数量与所述第二表面的数量相一致。

7.如权利要求1所述的承载机构，其特征在于，还包括与所述第一轴体同轴设置的第二轴体，所述第一轴体环绕至少部分所述第二轴体，至少一所述载盘可在所述第二轴体的带动下在所述承载区域的第二表面上旋转。

8.如权利要求7所述的承载机构，其特征在于，所述载盘通过轴承安装在所述承载区域的第二表面上以实现所述载盘在所述第二表面上的旋转；

所述基座的第一表面上盖设有用以遮盖所述第一表面的盖板。

9.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置包括如权利要求1～8任一项所述的承载机构，所述成膜装置还包括：

腔体壁，所述腔体壁上侧开口，所述承载机构的基座布置于所述腔体壁内侧；

盖体，盖设于所述腔体壁上侧的开口，所述基座与所述盖体之间形成反应腔；

喷嘴，所述喷嘴伸入所述反应腔内，所述喷嘴与所述基座的中轴线同轴布置，所述喷嘴上设置有至少一个与所述反应腔连通的喷气口，所述喷气口的出气方向垂直于所述基座的中轴线；

加热组件，设置于所述基座下方，所述加热组件环绕所述第一轴体。

10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，所述基座的第二表面相对于所述基座的第一表面倾斜设置，所述载盘平行布置于所述第二表面，所述载盘相对于所述第一表面具有一个最大高度H_max，所述喷嘴的喷气口相对于所述第一表面具有一个最小高度h，H_max不小于h。

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