CN217399047U - 一种碳化硅晶体炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于三代半导体原料制备装置领域，提供了一种碳化硅晶体炉，包括主炉室、炉盖以及底座，所述炉盖盖合在主炉室上，且所述主炉室放置在底座上，还包括：炉盖提升系统，与炉盖连接，所述炉盖提升系统用于实现炉盖的升降；坩埚吊装系统，与底座连接，采用软轴卷扬结构，用于实现坩埚的吊装；坩埚升降系统，包括滚柱丝杠传动机构以及坩埚轴中空水冷结构；隔热系统，包括上隔热板、隔热腔以及下隔热板，且上隔热板、隔热腔以及下隔热板共同组成一个中空的圆柱腔；加热系统，包括加热电极、电极连接板以及分体式加热器；本实用新型实施例提供的一种碳化硅晶体炉，该装置结构简单，安全性能好，易于维修和保养。

Description

一种碳化硅晶体炉

技术领域

本实用新型属于三代半导体原料制备装置领域，尤其涉及一种碳化硅晶体炉。

背景技术

目前，公知的碳化硅晶体炉装置结构复杂，且不具备下水冷轴结构，装置安全性能差，不利于炉体及内部结构的维修和保养，同时炉体内部加热器采用整体结构，整体结构加热器对于内部坩埚加热均匀性差，将严重影响材料的生产质量。

为避免上述技术问题，确有必要提供一种碳化硅晶体炉以克服现有技术中的所述缺陷。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种碳化硅晶体炉，旨在解决公知的碳化硅晶体炉装置结构复杂、装置安全性能差且不利于炉体及内部结构的维修和保养。

本实用新型实施例是这样实现的，一种碳化硅晶体炉，包括主炉室、炉盖以及底座，所述炉盖盖合在主炉室上，且所述主炉室放置在底座上，还包括：

炉盖提升系统，与炉盖连接，所述炉盖提升系统用于实现炉盖的升降；

坩埚吊装系统，与底座连接，采用软轴卷扬结构，用于实现坩埚的吊装；

坩埚升降系统，包括滚柱丝杠传动机构以及坩埚轴中空水冷结构，所述滚柱丝杠传动机构用于将坩埚顶升到炉体上部，所述坩埚轴中空水冷结构用以实现红外测温仪测量坩埚底部温度；

隔热系统，包括上隔热板、隔热腔以及下隔热板，上隔热板、隔热腔以及下隔热板共同组成一个中空的圆柱腔；

加热系统，包括加热电极、电极连接板以及分体式加热器。

进一步的技术方案，所述主炉室采用圆筒形立式双层水冷、螺旋水道结构，所述主炉室的底盘单独水冷并设有下传动系统固定座；

主炉室上设置多个电极法兰接口，主炉室底部有一个传动贯穿孔，传动贯穿孔用于连接焊接波纹管，主炉室设置有一个KF200抽口法兰，KF200抽口法兰通过三通、挡板阀连接分子泵。

进一步的技术方案，所述炉盖采用双层水冷结构，炉盖上设有一个红外测温仪接口。

进一步的技术方案，所述底座采用碳钢焊接结构。

进一步的技术方案，所述坩埚吊装系统采用滚珠丝杠传动机构。

相较于现有技术，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型实施例提供的一种碳化硅晶体炉，该装置结构简单，安全性能好，易于维修和保养；

本实用新型实施例提供的一种碳化硅晶体炉，加热系统和隔热系统结构设计合理，材料受热均匀，保证生产出来的材料质量稳定可靠。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1中B区域的放大结构示意图。

附图中：加热系统1、主炉室2、炉盖提升系统3、炉盖4、坩埚吊装系统5、坩埚升降系统6、隔热系统7、底座8。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

以下结合具体实施例对本实用新型的具体实现进行详细描述。

如图1-2所示，为本实用新型提供的一种碳化硅晶体炉，包括主炉室2、炉盖4以及底座8，所述炉盖4盖合在主炉室2上，且所述主炉室2放置在底座8 上，还包括：

炉盖提升系统3，与炉盖4连接，所述炉盖提升系统3用于实现炉盖的升降；

坩埚吊装系统5，与底座8连接，采用软轴卷扬结构，用于实现坩埚的吊装；软轴行程大于1.5米；

坩埚升降系统6，包括滚柱丝杠传动机构以及坩埚轴中空水冷结构，所述滚柱丝杠传动机构升降行程大于600mm，用于将坩埚顶升到炉体上部，所述坩埚轴中空水冷结构中空孔为约50mm，底部设置石英玻璃密封，用以实现红外测温仪测量坩埚底部温度；

隔热系统7，包括上隔热板、隔热腔以及下隔热板，上隔热板、隔热腔以及下隔热板均采用石墨固化毡材料，且上隔热板、隔热腔以及下隔热板共同组成一个中空的圆柱腔,实现对加热器的保温；

加热系统1，包括加热电极、电极连接板以及分体式加热器，分体式加热器采用等静压石墨制成圆形，实现对炉体内部的坩埚的加热。

作为本实用新型的一种优选实施例，所述主炉室2采用圆筒形立式双层水冷、螺旋水道结构，所述主炉室2的底盘单独水冷并设有下传动系统固定座；

所述主炉室2炉室内部尺寸:Ф950mm×1120mm，材料采用内壁316L不锈钢，内壁厚度8mm，外壁304材质，壁厚5mm，密封圈高温区采用氟橡胶材质；主炉室2上设置6个电极法兰接口，主炉室2底部有一个传动贯穿孔，传动贯穿孔用于连接焊接波纹管，主炉室2设置有一个KF200抽口法兰，KF200抽口法兰通过三通、挡板阀连接分子泵。

作为本实用新型的一种优选实施例，所述炉盖4采用双层水冷结构，炉盖4 上设有一个红外测温仪接口；所述底座8采用碳钢焊接结构；所述坩埚吊装系统5采用滚珠丝杠传动机构。

本实用新型提供的碳化硅晶体炉，结构简单，生产成本低，结构便于维修和保养，且加热系统和隔热系统结构设计合理，材料受热均匀，保证产出的产品质量好。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种碳化硅晶体炉，包括主炉室、炉盖以及底座，所述炉盖盖合在主炉室上，且所述主炉室放置在底座上，其特征在于，还包括：

炉盖提升系统，与炉盖连接，所述炉盖提升系统用于实现炉盖的升降；

坩埚吊装系统，与底座连接，采用软轴卷扬结构，用于实现坩埚的吊装；

坩埚升降系统，包括滚柱丝杠传动机构以及坩埚轴中空水冷结构，所述滚柱丝杠传动机构用于将坩埚顶升到炉体上部，所述坩埚轴中空水冷结构用以实现红外测温仪测量坩埚底部温度；

隔热系统，包括上隔热板、隔热腔以及下隔热板，上隔热板、隔热腔以及下隔热板共同组成一个中空的圆柱腔；

加热系统，包括加热电极、电极连接板以及分体式加热器。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体炉，其特征在于，所述主炉室采用圆筒形立式双层水冷、螺旋水道结构，所述主炉室的底盘单独水冷并设有下传动系统固定座；

主炉室上设置多个电极法兰接口，主炉室底部有一个传动贯穿孔，传动贯穿孔用于连接焊接波纹管，主炉室设置有一个KF200抽口法兰，KF200抽口法兰通过三通、挡板阀连接分子泵。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体炉，其特征在于，所述炉盖采用双层水冷结构，炉盖上设有一个红外测温仪接口。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体炉，其特征在于，所述底座采用碳钢焊接结构。

5.根据权利要求1-4任一所述的碳化硅晶体炉，其特征在于，所述坩埚吊装系统采用滚珠丝杠传动机构。

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