CN217361578U - 一种led封装结构及封装器件 - Google Patents

Abstract

一种LED封装结构及封装器件，LED封装结构包括基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；所述第二封装层设置于所述流道中。通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。

Description

一种LED封装结构及封装器件

技术领域

本实用新型属于LED技术领域，具体的涉及一种LED封装结构及封装器件。

背景技术

随着照明技术的发展，LED光源像素化，智慧型矩阵式照明以及显示成为发展趋势，迫切需要导入高动态对比的光源器件，特别是在车用智能照明及显示领域上，对光源提出了更高亮度与更佳对比效果的要求。现有技术通过将多个芯片分别进行独立封装后再贴装在PCB上,再采用黑色遮光材料进行隔绝，或者不同像素之间直接填充黑色遮光材料来提高对比度。目前的方案存在以下不足：

1、将多个芯片进行独立封装后再贴装在PCB板上，一方面由于封装后的LED 结构尺寸较大，进而限制了整个PCB板的尺寸；另一方面，贴装后不同像素之间间距较大，较难实现高分辨率像素显示，出光不均匀。

2、直接填充黑色遮光材料，由于黑色材料的吸光作用，最后封装亮度将会大幅度下降。

实用新型内容

为了克服现有技术的上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种LED封装结构及封装器件，旨在解决现有技术存在的封装尺寸大、封装亮度下降的问题。

本实用新型为达到其目的，所采用的技术方案如下：

一种LED封装结构，包括：

基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；

所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；

所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；

所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；

所述第二封装层设置于所述流道中。

优选的，所述光转换层为倒梯形结构，所述流道为梯形结构。

优选的，所述光转换层与所述发光二极管单元的正上方的表面直接接触，相邻的所述光转换层互不接触且独立设置。

优选的，相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02-2mm。

优选的，所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度一致，所述第二封装层的高度与所述光转换层的高度一致。

优选的，还包括围墙胶，所述围墙胶设于所述基板，并将所述发光二极管单元包围。

优选的，所述发光二极管单元与光转换层之间设有第三封装层。

优选的，所述第一封装层为具有高反射率添加剂的热固性硅胶，所述第二封装层为具有高阻光添加剂的热固性硅胶。

本实用新型还公开了一种封装器件，包括多个由发光二极管单元和光转换层组成的像素点，所述像素点具有上述所述的LED封装结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供的LED封装结构及封装器件，通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的第一实施例的俯视方向示意图。

图2为本发明的第一实施例的结构剖视图。

图3为本发明的第二实施例的结构剖视图。

附图标记说明：

1-基板，2-围墙胶，3-发光二极管单元，4-光转换层，5-第一封装层，6- 第二封装层，7-第三封装层。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例一：

由图1至图2所示，一种LED封装结构，包括基板1、围墙胶2、发光二极管单元3、光转换层4、第一封装层5和第二封装层6；

其中发光二极管单元3的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于基板1 表面，围墙胶2设于基板1，并将发光二极管单元3包围；

光转换层4与发光二极管单元3的正上方的表面直接接触，相邻的光转换层4互不接触且独立设置，相邻的光转换层4之间形成流道，具体的，光转换层4为倒梯形结构，流道为梯形结构；

第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5的高度与发光二极管单元3的高度一致，第二封装层6的高度与光转换层4的高度一致。

其中，相邻的发光二极管单元3之间的间距为0.02-2mm，第一封装层5为具有高反射率添加剂的热固性硅胶，第二封装层6为具有高阻光添加剂的热固性硅胶。

实施例二：

由图3所示，一种LED封装结构，包括基板1、围墙胶2、发光二极管单元 3、光转换层4、第一封装层5、第二封装层6和第三封装层7；

其中发光二极管单元3的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于基板1 表面，围墙胶2设于基板1，并将发光二极管单元3包围；

光转换层4与发光二极管单元3的正上方，第三封装层7设于发光二极管单元3与光转换层4之间，相邻的光转换层4互不接触且独立设置，相邻的光转换层4之间形成流道，具体的，光转换层4为倒梯形结构，流道为梯形结构；

第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5的高度与发光二极管单元3的高度一致，第二封装层6的高度与光转换层4的高度一致。

其中，相邻的发光二极管单元3之间的间距为0.02-2mm，第一封装层5为具有高反射率添加剂的热固性硅胶，第二封装层6为具有高阻光添加剂的热固性硅胶。

本实用新型还包括一种封装器件，包括多个由发光二极管单元3和光转换层4组成的像素点，像素点具有上面提及的实施例一和实施例二的LED封装结构。

本实用新型公开的实施例，不同于chip LED封装于PCB上的方案，通过点胶的方式将不同发光单元进行隔绝，减少相邻两个发光单元出现的混光现象，保证了面光源的一致均匀性，同时可实现小间距的高像素封装。

在不同像素之间的间隙，芯片层填充白胶反射层，光转换层4填充黑胶吸光层，光转换层4呈倒梯形结构，同时通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。

使用现有封装工艺即可以实现封装，无需额外molding工艺，工序简单，成本低。

于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、等方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：

基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；

所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；

所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；

所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；

所述第二封装层设置于所述流道中。

2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述光转换层为倒梯形结构，所述流道为梯形结构。

3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，所述光转换层与所述发光二极管单元的正上方的表面直接接触，相邻的所述光转换层互不接触且独立设置。

4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02-2mm。

5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度一致，所述第二封装层的高度与所述光转换层的高度一致。

6.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，还包括围墙胶，所述围墙胶设于所述基板，并将所述发光二极管单元包围。

7.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述发光二极管单元与光转换层之间设有第三封装层。

8.一种封装器件，其特征在于，包括多个由发光二极管单元和光转换层组成的像素点，所述像素点具有权利要求1-7任一项所述的LED封装结构。

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