CN217334385U - 天线装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种天线装置以及具备该天线装置的电子设备。天线装置(101)构成在电子设备，该电子设备具备：壳体，具有导电性的框架(10)；和第1供电电路(1)以及电路基板(20)，容纳在该壳体内。辐射元件包含框架(10)的一部分和电路基板(20)的接地导体(20G)。框架(10)的一部分具有第1导体部(11)以及第2导体部(12)。第2导体部(12)与电路基板(20)的接地导体(20G)导通。第1导体部(11)具有第1端(FE)以及第2端(SE)，第2端(SE)靠近第2导体部(12)，第1供电电路(1)经由变压器型匹配电路(31)与第1导体部(11)连接。而且，在第1导体部(11)的第2端(SE)与第2导体部(12)之间形成有电容部(CP)。

Description

天线装置以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及设置在电子设备内的天线装置，特别是，涉及具备具有导体的环路部的辐射元件的天线装置以及具备该天线装置的电子设备。

背景技术

在智能电话、便携式通信终端等电子设备中，有时利用壳体的一部分作为天线装置的辐射元件的一部分。

在智能电话、便携式通信终端等中，为了能够适用于例如几百MHz 至几GHz的通信频带，要求能够跨宽频带使用的天线装置。

对天线装置的宽频带化而言重要的要素之一是供电电路和辐射元件的阻抗匹配。适合于这样的供电电路和辐射元件的阻抗匹配的、能够跨宽频带进行给定的阻抗变换的变压器型匹配电路例如示于专利文献1。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6048593号公报

实用新型内容

实用新型要解决的技术问题

在智能电话、便携式通信终端等电子设备中，如果利用壳体的一部分作为辐射元件的一部分，则会降低电子设备中的天线装置的占有率，有利于小型化。

图42是在电路基板构成的环路天线的概略结构图。电路基板具有形成有接地导体的接地区域GND和未形成接地导体的非接地区域NGA，在该非接地区域NGA形成有环路导体图案PL。而且，在电路基板设置有与环路导体图案PL连接的供电电路FS。

可是，若想要对像这样辐射元件为环路状的环路天线应用上述变压器型匹配电路，则因为环路天线自身在其构造上电感性(以下，称为“L性”。) 大，所以基于变压器型匹配电路的阻抗变换效果变得有限。也就是说，产生可得到给定的阻抗变换比的频带窄这样的应解决的技术问题。关于其详细的作用，将在后面示出。

此外，虽然也能够通过金属框架来构成上述辐射元件，但是天线空间会变大。此外，如果想要在5G(5^th Generation)等中应用于MIMO (multiple-input and multiple-output)天线，则需要将多个辐射元件配置在智能电话等的壳体内，难以实现。

上述的技术问题并不限于构成典型的环路天线的天线装置以及具备该天线装置的电子设备，在作为辐射元件而具有从供电部到接地部形成环路的环路部的天线装置以及具备该天线装置的电子设备中也是同样的。

本实用新型是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供一种虽然具备具有环路部的辐射元件却仍具有宽频带特性的天线装置以及具备该天线装置的电气设备。

用于解决技术问题的技术方案

作为本公开的一个例子的天线装置构成在电子设备，所述电子设备具备：壳体，具有导电性的框架；和第1供电电路以及电路基板，容纳于该壳体，所述天线装置具备：第1辐射元件；和阻抗匹配电路，连接在所述第1供电电路与所述第1辐射元件之间，使所述第1供电电路和所述第1 辐射元件的阻抗匹配。所述阻抗匹配电路具有包含相互进行磁场耦合的第 1线圈以及第2线圈的变压器型匹配电路，所述电路基板具有接地导体，所述框架具有第1导体部以及第2导体部，所述第1辐射元件包含所述第 1导体部以及所述接地导体，所述第2导体部与所述接地导体导通，所述第1导体部具有第1端以及第2端，由所述第1供电电路、所述阻抗匹配电路、所述第1导体部以及所述接地导体构成环路，在所述第2端与所述第2导体部之间形成有电容部。

作为本公开的一个例子的电子设备具备：辐射元件；供电电路；电路基板；阻抗匹配电路，连接在所述辐射元件与所述供电电路之间；和壳体，将所述辐射元件、所述阻抗匹配电路以及所述供电电路包含在内部，在所述电子设备中，所述阻抗匹配电路具有包含相互进行磁场耦合的第1线圈以及第2线圈的变压器型匹配电路，所述壳体具有导电性的框架，所述电路基板具有接地导体，所述框架具有第1导体部以及第2导体部，所述辐射元件包含所述第1导体部以及所述接地导体，所述第2导体部与所述接地导体导通，所述第1导体部具有第1端以及第2端，由所述供电电路、所述阻抗匹配电路、所述第1导体部以及所述接地导体构成环路，所述供电电路经由所述阻抗匹配电路与所述第1导体部连接，所述第2端靠近所述第2导体部，在所述第2端与所述第2导体部之间形成有电容部。

此外，作为本公开的一个例子的电子设备具备：第1辐射元件；供电电路；电路基板；阻抗匹配电路，连接在所述第1辐射元件与所述供电电路之间；和壳体，将所述第1辐射元件、所述阻抗匹配电路以及所述供电电路包含在内部，在所述电子设备中，所述阻抗匹配电路具有包含相互进行磁场耦合的第1线圈以及第2线圈的变压器型匹配电路，所述电路基板具有接地导体，所述框架具有第1导体部以及第2导体部，所述第1辐射元件包含所述第1导体部以及所述接地导体，所述第2导体部与所述接地导体导通，所述第1导体部具有第1端以及第2端，由所述供电电路、所述阻抗匹配电路、所述第1导体部以及所述接地导体构成环路，所述供电电路经由所述阻抗匹配电路与所述第1导体部连接，所述第2端靠近所述第2导体部，在所述第2端与所述第2导体部之间形成有电容部。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到虽然具备具有环路部的天线元件却仍具有宽频带特性的天线装置以及具备该天线装置的电气设备。此外，因为被附加了在第1导体部的第2端与第2导体部之间产生的电容部，所以可谋求得到给定的频率特性所需的第1辐射元件的缩短化。

附图说明

图1是第1实施方式的天线装置101以及具备该天线装置101的电子设备201的俯视图。

图2是图1所示的电子设备201的Y-Y部分的剖视图。

图3是电子设备的天线装置101部分的俯视图。

图4是天线装置101的等效电路图。

图5是示出半波长环路天线的基波谐振下的电场强度分布的图。

图6(A)是变压器型匹配电路31的电路图，图6(B)是其等效电路图。

图7(A)是变压器型匹配电路31的电路图，图7(B)、图7(C) 是作为比较例的阻抗匹配电路。

图8(A)是L性大的天线元件的从供电电路观察的反射系数(S11)，图8(B)是将该天线元件的从供电电路观察的阻抗表示在史密斯圆图上的图。

图9(A)是L性小的天线元件的从供电电路观察的反射系数(S11)，图9(B)是将该天线元件的从供电电路观察的阻抗表示在史密斯圆图上的图。

图10是第1实施方式涉及的另一个变压器型匹配电路32的电路图。

图11是第2实施方式涉及的电子设备的天线装置102部分的俯视图。

图12是天线装置102的等效电路图。

图13(A)是第3实施方式涉及的电子设备的天线装置103A部分的俯视图，图13(B)是第3实施方式涉及的电子设备的天线装置103B部分的俯视图。

图14是示意性地示出阻抗匹配电路30的作用的图。

图15(A)是示出第3实施方式涉及的天线装置的、特别是阻抗匹配电路的结构的图。图15(B)是示出将图15(A)所示的变压器型匹配电路31的输入侧和输出侧连接为相反的关系的天线装置的结构的图。图15 (C)是示出图15(A)、图15(B)中的匹配电路41、42、43的变形例以及具体例的图。

图16是示出第3实施方式涉及的天线装置的另一个阻抗匹配电路的结构的图。

图17是第4实施方式涉及的电子设备的天线装置104部分的俯视图。

图18是天线装置104的等效电路图。

图19是第5实施方式涉及的电子设备的天线装置105A部分的俯视图。

图20是第5实施方式涉及的电子设备的另一个天线装置105B部分的俯视图。

图21是第6实施方式涉及的电子设备的天线装置106A部分的俯视图。

图22是第6实施方式涉及的电子设备的另一个天线装置106B部分的俯视图。

图23是第7实施方式涉及的电子设备的天线装置107部分的俯视图。

图24是图23中的阻抗匹配电路30的等效电路图。

图25是示出天线装置107的插入损耗的频率特性和比较例的天线装置的插入损耗的频率特性的图。

图26是示出第8实施方式涉及的天线装置108的结构的图。

图27是天线装置108的俯视图。

图28是天线装置108以及具备该天线装置108的电子设备208的俯视图。

图29是示出第8实施方式涉及的天线装置108的、从第1供电电路 1以及第2供电电路2观察的反射系数的频率特性的图。

图30是示出第9实施方式涉及的天线装置109A的结构的图。

图31是天线装置109A的俯视图。

图32(A)是示出第9实施方式涉及的天线装置109A的从第1供电电路1观察的反射系数的频率特性的图。图32(B)是示出作为比较例的、第8实施方式中所示的天线装置108的从第1供电电路1以及第2供电电路2观察的反射系数的频率特性的图。

图33是示出第9实施方式涉及的另一个天线装置109B的结构的图。

图34是天线装置109B的俯视图。

图35是示出第10实施方式涉及的天线装置110A的结构的图。

图36是示出第10实施方式涉及的另一个天线装置110B的结构的图。

图37是示出第10实施方式涉及的又一个天线装置110C的结构的图。

图38是示出对电抗元件进行选择的开关电路的图。

图39是示出第11实施方式涉及的天线装置的、特别是第1导体部 11以及第2导体部12的构造的俯视图。

图40(A)是第11实施方式涉及的另一个天线装置的俯视图。图40 (B)是图40(A)中的Y-Y部分的剖视图。

图41(A)是第11实施方式涉及的又一个天线装置的俯视图。图41 (B)是卸下了图41(A)的电路基板20的状态下的俯视图。图41(C) 是图41(A)中的Y-Y部分的剖视图。

图42是在电路基板构成的环路天线的概略结构图。

具体实施方式

《第1实施方式》

图1是第1实施方式的天线装置101以及具备该天线装置101的电子设备201的俯视图。其中，表示了卸下了壳体的上半部分的状态。该电子设备201具备电路基板20和将其包含在内部的壳体100。壳体100具有导电性的框架10。天线装置101包含框架10的一部分和电路基板20的一部分。在电路基板20构成了后面示出的供电电路。

图2是图1所示的电子设备201的Y-Y部分的剖视图。在电路基板 20的上表面形成有接地导体20G。该接地导体20G与壳体100的导体部电连接。电路基板20是多层基板，但是在图2中，对于内部的层省略了图示。

图3是电子设备的天线装置101部分的俯视图。不过为了说明的便利，是如图2中双点划线所示地将框架10放倒，并将电路基板20和框架10 排列在同一平面的状态下的俯视图。

电路基板20具有形成了接地导体20G的区域和未形成接地导体20G 的非接地部20N。

在该例子中，框架10由金属板构成。在框架10的一部分形成有第1 导体部11以及第2导体部12。在该第1导体部11以及第2导体部12的相互相邻的位置形成有电容部CP。在该例子中，在第1导体部11与第2 导体部12之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙GAP1形成了电容部CP。

第2导体部12与电路基板20的接地导体20G导通。第1导体部11 具有第1端FE以及第2端SE，第2端SE靠近第2导体部12。更详细地，第2端SE比第1端FE靠近第2导体部12。

第1导体部11处于与电路基板20的非接地部20N对置的位置，并离开接地导体20G。第2导体部12与电路基板20的接地导体20G导通。

在第1导体部11，经由变压器型匹配电路31所形成的阻抗匹配电路连接有第1供电电路1。在该例子中，在第1导体部11的第2端SE或其附近，经由阻抗匹配电路连接有第1供电电路1。更详细地，对第1导体部11经由阻抗匹配电路连接第1供电电路1的位置是与第1端FE相比更靠近第2端SE的位置。

通过第1供电电路1、变压器型匹配电路31所形成的阻抗匹配电路、第1导体部11以及接地导体20G构成环路。也就是说，天线元件包含框架10的一部分和电路基板20的接地导体20G。

图4是天线装置101的、从变压器型匹配电路31起经由第1导体部 11到接地导体20G的部分所对应的、基波谐振频率附近的等效电路图。该天线装置101的天线元件是环路天线的一种。在具有金属框架的壳体中，从设计、强度等出发，能够狭缝较少地实现的环路天线是合适的。在变压器型匹配电路31与在狭缝状的间隙GAP1产生的电容部CP之间构成电感分量Lant1，由第1导体部11以及接地导体20G构成天线元件的电感分量Lant2、Lant3以及电容分量Cm。另外，在等效电路中省略了电阻分量。

环路天线一般从供电点到接地点以λ/2进行谐振，因此与以λ/4进行谐振的单极天线相比，用于实现相同的谐振频率的天线长度变长。因此，成为L性高的天线。但是，在本实施方式中，通过图4的CP可产生使谐振频率下降的效果，与其相应地，能够使天线长度变短，因此可抑制L 性。

图5是示出半波长环路天线的基波谐振下的电场强度分布的图。示出了从图3所示的变压器型匹配电路31的输出部经由第1导体部11到对接地导体20G的接点部的分布，电场在中间点变得最大。电容部CP在电场分布的最大位置附近。

另外，第1导体部11与第2导体部12之间的狭缝状的间隙GAP1 形成在金属制的框架10，因此能够容易地增大间隙GAP1的对置面积，例如与形成在柔性基板的导体图案、LDS(Laser Direct Structuring)的导体图案所形成的电容器相比，可得到大的电容。

图6(A)是变压器型匹配电路31的电路图，图6(B)是其等效电路图。如图6(A)所示，该变压器型匹配电路31具备与第1供电电路1 连接的第1线圈L1和与第1线圈L1耦合的第2线圈L2。变压器型匹配电路31是如下的自耦变压器，即，第1线圈L1和第2线圈L2串联连接，将第1线圈L1和第2线圈L2的串联连接电路的两端作为第1输入输出端口，将第2线圈L2的两端作为第2输入输出端口。在图6(A)中，端子(P1-G)间为第1输入输出端口，端子(P2-G)间为第2输入输出端口。

变压器型匹配电路31是经由互感M将第1线圈L1和第2线圈L2 强耦合的变压器型电路。如图6(B)所示，该变压器型匹配电路31能够等效变换为由三个电感元件Z1、Z2、Z3构成的T型电路。

若用L1表示图6(A)所示的第1线圈L1的电感，用L2表示第2 线圈L2的电感，用M表示互感，则图6(B)的第1电感元件Z1的电感为L1+M，第2电感元件Z2的电感为-M，第3电感元件Z3的电感为L2+M。因此，阻抗变换比为(L1+L2+2M)：L2。例如，在第1供电电路1侧为50Ω且天线侧为5Ω时，进行10：1的阻抗变换。一般来说，环路天线与供电电路相比天线阻抗低，因此通过使用可得到像这样大的阻抗变换比的变压器型匹配电路31，从而容易进行阻抗匹配。

端子(P1-G)间的电感为L1+L2+2M，因此能够通过匝数少的第 1线圈L1以及第2线圈实现高的阻抗变换比。因此，能够抑制变压器型匹配电路31的电阻分量，能够抑制插入损耗。

在此，示出变压器型匹配电路31和由LC电路构成的阻抗匹配电路的特性差。图7(A)是变压器型匹配电路31的电路图，图7(B)、图7 (C)是作为比较例的阻抗匹配电路。

图8(A)是L性大的天线元件的从供电电路观察的反射系数(S11)，图8(B)是将该天线元件的从供电电路观察的阻抗表示在史密斯圆图上的图。此外，图9(A)是L性小的天线元件的从供电电路观察的反射系数(S11)，图9(B)是将该天线元件的从供电电路观察的阻抗表示在史密斯圆图上的图。图8(A)、图8(B)、图9(A)、图9(B)中的线A、B、C对应于图7(A)、图7(B)、图7(C)的各阻抗匹配电路的特性。此外，图8(A)、图8(B)、图9(A)、图9(B)中的线D是没有阻抗匹配电路的状态下的特性。

伴随着频率的上升，L性大的天线元件的阻抗在图8(B)中沿着线 D从Dp1点移动到Dp2点。例如，Dp1点的电抗为-100Ω，Dp2点的电抗为+100Ω。其差200Ω对应于天线元件的L性的大小。

关于L性大的天线元件，在图7(B)、图7(C)所示的由LC电路构成的阻抗匹配电路中，如在图8(A)、图8(B)中线B、C所示，进行阻抗匹配的频带窄。此外，即使进行基于图7(A)所示的变压器型匹配电路31的阻抗变换，也如图8(A)、图8(B)中线A所示，进行阻抗匹配的频带窄。也就是说，虽然是变压器型匹配电路，但是与由LC电路构成的阻抗匹配电路没有大的差异。

在L性小的天线元件中，在图7(B)、图7(C)所示的由LC电路构成的阻抗匹配电路中，如图9(A)、图9(B)中图线B、C所示，虽然进行阻抗匹配的频带稍微扩大，但是史密斯圆图上的轨迹直接受到LC 的频率特性的影响而延长，仍是窄带特性。在利用图7(A)所示的变压器型匹配电路31进行阻抗变换的情况下，如图9(A)、图9(B)中线A 所示，进行阻抗匹配的频带宽。在图9(A)所示的例子中，跨越3GHz 至5GHz以上进行阻抗匹配。

像这样，对于使用变压器型匹配电路31进行第1供电电路1和天线元件的阻抗变换而言，天线元件的L性小是重要的。根据本实施方式，如图3、图4所示，天线元件的电容分量C因电容部CP而增加，包含了该电容分量C的天线元件整体的L性小。因此，通过基于变压器型匹配电路31的阻抗变换，能够跨宽频带使第1供电电路1和天线元件阻抗匹配。

图10是本实施方式涉及的另一个变压器型匹配电路32的电路图。如图10所示，该变压器型匹配电路32具备与第1供电电路1连接的第1 线圈L1和与第1线圈L1耦合的第2线圈L2。由该第1线圈L1和第2 线圈L2构成了变压器。在图10中，端子(P1-G)间为第1输入输出端口，端子(P2-G)间为第2输入输出端口。

变压器型匹配电路31是经由互感M将第1线圈L1和第2线圈L2 强耦合的变压器。

像这样，也可以使用相互进行磁场耦合的第1线圈L1以及第2线圈 L2分离的构造的变压器型匹配电路32。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出对第1导体部11的供电位置与第1实施方式中所示的例子不同的天线装置。

图11是第2实施方式涉及的电子设备的天线装置102部分的俯视图。与在第1实施方式中图3所示的例子同样地，是将图2所示的框架10放倒，并将电路基板20和框架10排列在同一平面的状态下的俯视图。

电路基板20具有形成了接地导体20G的区域和未形成接地导体20G 的非接地部20N。框架10由金属板构成。在框架10的一部分形成有第1 导体部11以及第2导体部12。在该第1导体部11以及第2导体部12的相互相邻的位置形成有电容部CP。在该例子中，在第1导体部11与第2 导体部12之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙GAP1形成电容部 CP。

第2导体部12与电路基板20的接地导体20G导通。第1导体部11 具有第1端FE以及第2端SE，第2端SE靠近第2导体部12。

第1导体部11处于与电路基板20的非接地部20N对置的位置，并离开接地导体20G。第2导体部12与电路基板20的接地导体20G导通。

在第1导体部11，经由变压器型匹配电路31所形成的阻抗匹配电路连接有第1供电电路1。在该例子中，在比第1导体部11的第2端SE向第1端FE方向仅返回了距离P的供电位置Pf，经由阻抗匹配电路连接有第1供电电路1。也就是说，从对第1导体部11的供电位置Pf起，第1 导体部11向第2导体部12方向仅突出了距离P。电容部CP在从对第1 导体部11的(对环路的)供电位置Pf离开4分之1波长的位置或离开4 分之1波长的位置的附近。其它结构如第1实施方式中所示。

图12是天线装置102的、从变压器型匹配电路31经由第1导体部 11到接地导体20G的部分所对应的、基波谐振频率附近的等效电路图。该天线装置102的天线元件是环路天线的一种。在变压器型匹配电路31 与在狭缝状的间隙GAP1产生的电容部CP之间构成电感分量Lant1，由第1导体部11以及接地导体20G构成天线元件的电感分量Lant2、Lant3 以及电容分量Cm。另外，在等效电路中省略了电阻分量。

根据本实施方式，从对第1导体部11的供电位置Pf到第2端SE，导体部扩展地存在，因此从供电位置Pf到第2端SE的导体部的电流变小，能够使电压(电场)最大点集中于距离P的突出部附近。由此，能够在电压(电场)强度高的地方附加基于电容部CP的电容，附加该电容的效果提高。

像该例子那样，对第1导体部11的供电位置Pf并不限于第1导体部 11的第2端SE或其附近。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出具备与至此为止示出的结构不同的阻抗匹配电路的天线装置。

图13(A)是第3实施方式涉及的电子设备的天线装置103A部分的俯视图，图13(B)是第3实施方式涉及的电子设备的天线装置103B部分的俯视图。均在第1导体部11经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路30包含变压器型匹配电路31和设置在其前级的匹配电路41以及设置在后级的匹配电路42。其它结构如第1实施方式以及第2实施方式中所示。

匹配电路41、42例如是包含串行连接的电感器和分路连接到接地的电容器的LC电路、包含串行连接的电容器和分路连接到接地的电感器的 LC电路。在匹配电路42也可以包含调整天线的谐振频率的电抗元件(L、 C)。

虽然在天线装置103A的例子中，示出了将变压器型匹配电路31以及匹配电路41、42设置于非接地部20N的例子，但是它们也可以设置在接地导体20G的形成部。此外，也可以像天线装置103B那样，将包含对天线的谐振频率进行调整的元件的匹配电路42配置在非接地部20N，并将变压器型匹配电路31以及包含分路连接的匹配电路41配置在接地导体 20G的形成部。

图14是示意性地示出阻抗匹配电路30的作用的图。在图14中，轨迹S0、S1、S2是将跨越天线元件的使用频带对频率进行了扫描时的、从第1供电电路1观察的阻抗的轨迹表示在史密斯圆图上的轨迹。轨迹S0 表示通过匹配电路42进行了阻抗匹配的状态下的阻抗的位移。轨迹S1 表示通过变压器型匹配电路31进行了阻抗变换的状态下的阻抗的位移。像这样，通过变压器型匹配电路31，阻抗轨迹的圆弧被缩小化。进而，轨迹S2表示通过匹配电路41进行了阻抗匹配的状态下的阻抗的位移。在该例子中，匹配电路41包含分路连接的电容器以及串行连接的电感器，如图14所示，进行阻抗匹配。由此，阻抗轨迹被缩小化，并且转移到史密斯圆图的中央。

虽然在以上所示的例子中，在变压器型匹配电路31的前级以及后级设置了LC电路，但是也可以仅在前级或仅在后级设置LC电路。由此，与仅基于变压器型匹配电路31的特性相比，能够谋求阻抗匹配的宽频带化。

也可以像这样在变压器型匹配电路31的前级、后级或前后级设置LC 电路。

图15(A)是示出第3实施方式涉及的天线装置的、特别是阻抗匹配电路的结构的图。第1辐射元件11R是由第1导体部11以及接地导体20G 构成的辐射元件。在该第1辐射元件11R，经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路30包含变压器型匹配电路 31、设置在其前级的匹配电路41、设置在后级的匹配电路42、以及连接在变压器型匹配电路31与接地之间的匹配电路43。

图15(A)中的匹配电路41包含串行地连接的电感器和分路地连接的电容器。匹配电路42、匹配电路43也包含电感器、电容器、或电感器以及电容器。

虽然在图15(A)所示的例子中，匹配电路42示出分路连接到接地，但是也可以是没有该分路连接的电路。此外，虽然在图15(A)所示的例子中，匹配电路43示出两个端子与接地连接，但是该匹配电路43也可以是只是串联连接在变压器型匹配电路31与接地之间的电路。在由连接在变压器型匹配电路31与接地之间的电感器构成了匹配电路43的情况下，该电感器不与第1线圈L1以及第2线圈L2进行磁耦合，因此能够通过匹配电路43的电感对阻抗变换比以及阻抗匹配进行微调。

图15(B)是将图15(A)所示的变压器型匹配电路31的输入侧和输出侧连接为相反的关系的例子。在第1辐射元件11R的阻抗比第1供电电路1的阻抗高的情况、从变压器型匹配电路31对第1辐射元件11R 侧观察的阻抗由于从变压器型匹配电路31到第1辐射元件11R的布线的影响而等效地看上去高的情况下，也可以像这样构成提高阻抗的阻抗匹配电路。

在图15(C)中，示出图15(A)、图15(B)中的匹配电路42、43 的具体例。此外，在图15(C)中，示出与图15(A)、图15(B)所示的匹配电路41不同的匹配电路41的例子。像这样，匹配电路42也可以构成第1辐射元件11R的谐振频率的调整用电路。此外，也可以在变压器型匹配电路31的前级的匹配电路41具备分路连接的电感器。

图16是示出第3实施方式涉及的天线装置的另一个阻抗匹配电路的结构的图。在第1辐射元件11R经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路30包含变压器型匹配电路32、设置在其前级的匹配电路41、设置在后级的匹配电路42、以及连接在变压器型匹配电路32与接地之间的匹配电路43。

如本实施方式所示，阻抗匹配电路也可以包含变压器型匹配电路31、 32和LC电路。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，示出设置于框架10的第1导体部11的结构与至此为止示出的例子不同的天线装置。

图17是第4实施方式涉及的电子设备的天线装置104部分的俯视图。在第1导体部11，经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路30包含变压器型匹配电路31和设置在其前级的匹配电路41以及设置在后级的匹配电路42。

在第1导体部11的第1端FE与第3导体部13之间形成有缺口形状部11N。其它结构如第3实施方式中所示。

图18是天线装置104的、从阻抗匹配电路30经由第1导体部11到接地导体20G的部分所对应的、基波谐振频率附近的等效电路图。该天线装置104的天线元件是环路天线的一种。在阻抗匹配电路30与在狭缝状的间隙GAP1产生的电容部CP之间构成电感分量Lantl，并由第1导体部11以及接地导体20G构成天线元件的电感分量Lant2、Lant3以及电容分量Cm。另外，在等效电路中省略了电阻分量。

在本实施方式中，在第1导体部11的第1端FE与第3导体部13之间形成有缺口形状部11N，因此第1导体部11和电路基板20的非接地部 20N的周围的连接点(短路点)SP被确定在狭窄的区域。因此，即使在第3导体部13设置有其它天线元件的一部分，也能够将第1导体部11 从上述其它天线元件分离。也就是说，不是将框架10作为天线装置104 专用，而是能够利用为除其以外的天线装置的天线元件的一部分。

《第5实施方式》

在第5实施方式中，对在环路天线的环路中具备电抗电路的天线装置进行例示。

图19是第5实施方式涉及的电子设备的天线装置105A部分的俯视图。在第1导体部11，经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路30包含变压器型匹配电路31和设置在其前级的匹配电路41以及设置在后级的匹配电路42。

在第1导体部11的第2端SE与第2导体部12之间形成有间隙GAP1，在第1导体部11的第1端FE与第3导体部13之间形成有间隙GAP2。而且，在第1导体部11的第1端FE与接地之间连接有电抗电路51。也就是说，电抗电路51被插入到环路天线的环路中。

电抗电路51包含多个电抗元件X和对其中任一者进行选择的开关 SW。在该例子中，通过针对开关SW的控制信号选择电抗元件X，从而天线的谐振频率移动，构成覆盖更宽的频带的天线装置。

图20是第5实施方式涉及的电子设备的另一个天线装置105B部分的俯视图。在该天线装置105B中，代替图19所示的电抗电路51而具备可变电抗元件52。可变电抗元件52例如是电容由施加电压决定的可变电容元件。在该例子中，天线的谐振频率根据施加电压而移动，构成覆盖更宽的频带的天线装置。

《第6实施方式》

在第6实施方式中，对在环路天线附加了电抗电路的天线装置进行例示。

图21是第6实施方式涉及的电子设备的天线装置106A部分的俯视图。在第1导体部11经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。

在第1导体部11的第2端SE与第2导体部12之间形成有间隙GAP1。在第1导体部11的第1端FE与第2端SE之间和接地之间连接有电抗电路51。也就是说，电抗电路51连接在环路天线的环路的给定位置与接地之间。

电抗电路51包含多个电抗元件X和对其中任一者进行选择的开关 SW。在该例子中，通过针对开关SW的控制信号选择电抗元件X，从而天线的谐振频率移动，构成覆盖更宽的频带的天线装置。

图22是第6实施方式涉及的电子设备的另一个天线装置106B部分的俯视图。在该天线装置106B中，代替图21所示的电抗电路51而具备可变电抗元件52。可变电抗元件52例如是电容由施加电压决定的可变电容元件。在该例子中，天线的谐振频率根据施加电压而移动，构成覆盖更宽的频带的天线装置。

《第7实施方式》

在第7实施方式中，对具备具有分路连接的电感器的阻抗匹配电路的天线装置进行例示。

图23是第7实施方式涉及的电子设备的天线装置107部分的俯视图。图24是图23中的阻抗匹配电路30的等效电路图。在第1导体部11，经由阻抗匹配电路30连接有第1供电电路1。在该例子中，阻抗匹配电路 30包含变压器型匹配电路31和电感器L0。其它结构如第1实施方式以及第2实施方式中所示。

变压器型匹配电路31是串联连接了第1线圈L1和第2线圈L2的自耦变压器，阻抗匹配电路30具有与第2线圈L2串联连接的电感器L0。也就是说，阻抗匹配电路30是如下的电路，即，将第1线圈L1、第2线圈L2以及电感器L0的串联连接电路的两端作为第1输入输出端口，并将第2线圈L2以及电感器L0的串联连接电路的两端作为第2输入输出端口。

若仅通过由第1线圈L1以及第2线圈L2构成的自耦变压器来构成阻抗匹配电路30，则存在如下情况，即，在天线元件(包含框架10的一部分和电路基板20的接地导体20G而构成的辐射元件)的阻抗高的频率区域中，第2线圈L2的电感分量起作用，阻抗匹配电路进行像高通滤波器那样的动作。在本实施方式中，通过在相对于接地进行分路连接的第2 线圈L2串联连接电感器L0，从而能够在上述天线元件的阻抗高的频率区域中提高上述分路路径的阻抗。其结果是，能够抑制上述高通滤波器那样的动作。

图25是示出天线装置107的不包含由反射造成的损耗的插入损耗IL 的频率特性和比较例的天线装置的不包含由反射造成的损耗的插入损耗 IL的频率特性的图。在图25中，线A是天线装置107的特性，线B是未设置图23所示的电感器L0时的天线装置的特性。

在图25的线B所示的例子中，若没有电感器L0，则由于上述的高通滤波器那样的动作，低于3.5GHz的频率区域中的插入损耗会变大。相对于此，在本实施方式中，如图25的线A所示，能够抑制天线元件的阻抗高的区域中的插入损耗的增大。

本实施方式的阻抗匹配电路30可等效地表示为如图24所示，因此阻抗匹配电路30的阻抗变换比为(L1+L2+2M+L0)∶(L2+L0)。因此，通过适当地决定电感器L0的电感，从而还能够调整阻抗匹配电路30的阻抗的变换比。

变压器型匹配电路31和电感器L0可以是独立的元件，也可以一体形成在同一元件。

《第8实施方式》

在第8实施方式中，对具备第2辐射元件的天线装置以及电子设备进行例示。

图26是示出第8实施方式涉及的天线装置108的结构的图。该天线装置108包含第1天线装置108A以及第2天线装置108B。第1天线装置108A包含第1辐射元件11R、电容部CP以及阻抗匹配电路30。第2 天线装置108B包含第2辐射元件12R。

另外，也可以在图26中用双点划线示出的位置插入电抗元件来调整天线的特性。

图27是天线装置108的俯视图。与在第1实施方式中图3等所示的表示方法同样地，该图是将电路基板20和框架10排列在同一平面的状态下的俯视图。图28是天线装置108以及具备该天线装置108的电子设备 208的俯视图。电子设备208具备：具有导电性的框架10的壳体100；和容纳于该壳体100的第1供电电路1、第2供电电路2以及电路基板20。此外，天线装置108具备第1导体部11、第2导体部12以及阻抗匹配电路30。

电路基板20具有形成了接地导体20G的区域和未形成接地导体20G 的非接地部20N1、20N2。

在该例子中，框架10由金属板构成。在框架10的一部分形成有第1 导体部11、第2导体部12以及第4导体部14。在第1导体部11以及第 2导体部12的相互相邻的位置形成有电容部CP。在该例子中，在第1导体部11与第2导体部12之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙GAP1 形成了电容部CP。

图26所示的第1辐射元件11R包含图27所示的第1导体部11以及接地导体20G，第2辐射元件12R包含第2导体部12。更具体地，由第 1导体部11以及接地导体20G构成第1辐射元件11R。此外，由第2导体部12以及接地导体20G构成第2辐射元件12R。

由第1供电电路1、阻抗匹配电路30、第1导体部11以及接地导体 20G构成环路，第1辐射元件11R构成环路天线。该第1辐射元件11R 的结构与在第1实施方式中示出的天线装置101等相同。在第8实施方式中，由第2供电电路2、第2导体部12以及接地导体20G构成环路，第 2辐射元件12R构成环路天线。

图29是示出第8实施方式涉及的天线装置108的、从第1供电电路 1以及第2供电电路2观察的反射系数的频率特性的图。在图29中，分别地由A1示出第1辐射元件11R的特性，由A2示出第2辐射元件12R 的特性。在该例子中，通过第1辐射元件11R以及阻抗匹配电路30可在低频段侧跨宽频带得到辐射效率高的特性。此外，通过第2辐射元件12R 在高频段侧也得到辐射效率高的特性。

在图29所示的例子中，使由第1辐射元件11R以及阻抗匹配电路30 构成的天线作为低频段侧的天线而发挥作用，并使由第2辐射元件12R 构成的天线作为高频段侧的天线而发挥作用，但是关于高低也可以是相反的关系。

此外，在图29所示的例子中，辐射效率高的频带分离为低频段侧和高频段侧，但是这两个频带也可以部分地重叠。

根据本实施方式，第2导体部12被用作第2辐射元件的一部分，因此能够提高[天线带宽/占有金属框架等的导体部长度]。也就是说，能够实现小型且宽频带的天线装置。

《第9实施方式》

在第9实施方式中，对具备第2辐射元件的天线装置进行例示。

图30是示出第9实施方式涉及的天线装置109A的结构的图。该天线装置109A包含第1辐射元件11R、第2辐射元件12R、电容部CP以及阻抗匹配电路30。

另外，也可以在图30中用双点划线示出的位置插入电抗元件而调整天线的特性。

图31是天线装置109A的俯视图。与在第1实施方式中图3等所示的表示方法同样地，该图是将电路基板20和框架10排列在同一平面的状态下的俯视图。天线装置109A具备第1导体部11、第2导体部12以及阻抗匹配电路30。

电路基板20具有形成了接地导体20G的区域和未形成接地导体20G 的非接地部20N1、20N2。

在该例子中，框架10由金属板构成，在框架10的一部分形成有第1 导体部11、第2导体部12以及第4导体部14。在第1导体部11与第2 导体部12之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙GAP1形成了电容部CP。

与第8实施方式中所示的天线装置不同，包含第2导体部12以及接地导体20G的第2辐射元件12R是无供电辐射元件。

图32(A)是示出第9实施方式涉及的天线装置109A的从第1供电电路1观察的反射系数的频率特性的图。图32(B)是关于不具备作为无供电辐射元件的第2辐射元件12R的情况下的比较例的天线装置示出从其第1供电电路1观察的反射系数的频率特性的图。

比较图32(A)所示的特性和图32(B)所示的特性A1可明确，通过具备作为无供电辐射元件的第2辐射元件12R，从而可跨宽频带得到辐射效率高的特性。

图33是示出第9实施方式涉及的另一个天线装置109B的结构的图。该天线装置109B包含第1辐射元件11R、第2辐射元件12R、电容部CP 以及阻抗匹配电路30。

图34是天线装置109B的俯视图。与在第1实施方式中图3等所示的表示方法同样地，该图是将电路基板20和框架10排列在同一平面的状态下的俯视图。天线装置109B具备第1导体部11、第2导体部12以及阻抗匹配电路30。

电路基板20具有形成了接地导体20G的区域和未形成接地导体20G 的非接地部20N1、20N2。

在框架10的一部分形成有第1导体部11以及第2导体部12。在第1 导体部11与第2导体部12之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙 GAP1形成了电容部CP。

第2导体部12的两端与接地导体20G导通，由第2导体部12和接地导体20G构成无供电的环路天线。像这样，无供电辐射元件也可以是环路天线。

《第10实施方式》

在第10实施方式中，对具备第2辐射元件以及开关的天线装置进行例示。

图35是示出第10实施方式涉及的天线装置110A的结构的图。该天线装置110A包含第1辐射元件11R、第2辐射元件12R、电容部CP、阻抗匹配电路30以及开关SW。开关SW根据控制信号对是将第1供电电路1连接到阻抗匹配电路30还是连接到第2辐射元件12R进行切换。

该天线装置110A不具备图26所示的天线装置108中的第2供电电路2，根据开关SW的选择，具有向第1辐射元件11R进行供电的状态和向第2辐射元件12R进行供电的状态。第1辐射元件11R和第2辐射元件12R的谐振频带不同，通过根据所希望的通信频带对开关SW进行选择，从而能够跨宽频带使用天线装置110A。

另外，也可以将图35中的开关SW置换为双工器。如果是开关SW，则在某个时间连接某一者，但是如果是双工器，则能够抑制第1辐射元件 11R和第2辐射元件12R的干扰并且进行同时连接，对于两个辐射元件所覆盖的频带中的载波聚合等是有效的。

图36是示出第10实施方式涉及的另一个天线装置110B的结构的图。该天线装置110B包含第1辐射元件11R、第2辐射元件12R、电容部CP、阻抗匹配电路30以及开关SW。

在第2辐射元件12R的第1端连接有第2供电电路2，在第2辐射元件12R的第2端与接地之间插入有开关SW。

开关SW根据控制信号而成为导通/开路状态。也就是说，对是将第 2辐射元件12R的第2端接地还是开路进行切换。

图37是示出第10实施方式涉及的又一个天线装置110C的结构的图。该天线装置110C也包含第1辐射元件11R、第2辐射元件12R、电容部 CP、阻抗匹配电路30以及开关SW。

在第2辐射元件12R的第1端连接有第2供电电路2，第2辐射元件 12R的第2端接地，在第2辐射元件12R的第1端与第2端之间和接地之间连接有开关SW。

开关SW根据控制信号而成为导通/开路状态。也就是说，对是将第 2辐射元件12R的第1端与第2端之间的给定点接地还是开路进行切换。

在天线装置110B、110C中的任一者中，第2辐射元件12R的辐射效率高的频带均根据开关SW的导通/开路的状态而移动。因此，通过根据所希望的通信频带对开关SW进行选择，从而能够跨宽频带使用天线装置 110B、110C。

另外，虽然在图36、图37中示出了在电路图上具备对导通/开路进行切换的开关SW的例子，但是还可以构成除了导通/开路的切换以外对电抗元件进行选择的开关电路。图38是其一个例子。在图38的例子中，在开关SW与接地之间连接有电抗元件X1、X2。电抗元件X1、X2是电感器、电容器。像这样，也可以构成为通过切换电抗，从而使天线的辐射效率高的频带移动。

此外，也可以在图36、图37中用双点划线示出的位置插入电抗元件来调整天线的特性。

《第11实施方式》

在第11实施方式中，对在第1导体部11的第2端与第2导体部12 之间形成的电容部的几个构造进行例示。

图39是示出第11实施方式涉及的天线装置的、特别是第1导体部 11以及第2导体部12的构造的俯视图。该图39是将电路基板20和框架10排列在同一平面的状态下的俯视图。在第1导体部11与第2导体部12 之间形成有狭缝状的间隙GAP1，由该间隙GAP1形成了电容部CP。像这样，也可以不通过间隙GAP1的间隔而通过框架10的高度方向上的尺寸来设定电容部CP的电容。

图40(A)是第11实施方式涉及的另一个天线装置的俯视图。图40 (B)是图40(A)中的Y-Y部分的剖视图。框架10包含金属框架10M 和被覆在其外表面的绝缘性树脂膜10R。金属框架10M的下端部与金属焊盘10P导通。在电路基板20形成有布线图案20W，这些布线图案20W 经由弹簧销20P与金属焊盘10P导通。在图40(B)所示的例子中，在下方配置有显示面板60。

在该图40(A)、图40(B)所示的例子中，在形成于电路基板20 的两个布线图案20W之间形成有电容部CP。像这样，也可以通过该布线图案20W的间隔以及长度来设定电容部CP的电容。

图41(A)是第11实施方式涉及的又一个天线装置的俯视图。图41 (B)是卸下了图41(A)的电路基板20的状态下的俯视图。图41(C) 是图41(A)中的Y-Y部分的剖视图。该剖面构造与图40(B)所示的例子相同。也就是说，框架10包含金属框架10M和被覆在其外表面的绝缘性树脂膜10R，金属框架10M的下端部与金属焊盘10P导通。此外，在电路基板20形成有布线图案20W，这些布线图案20W经由弹簧销20P 与金属焊盘10P导通。

在该图41(A)、图41(B)、图41(C)所示的例子中，在金属框架 10M所导通的两个金属焊盘10P之间形成有电容部CP。像这样，也可以通过该金属焊盘10P的间隔以及长度来设定电容部CP的电容。

最后，本实用新型并不限于上述的实施方式。能够由本领域技术人员适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含与权利要求书等同的范围内的从实施方式进行的变形以及变更。

例如，也可以将各实施方式中所示的特征分别进行组合来实施。

此外，在以上所示的例子中，示出了基本结构部为环路天线的天线装置，但是只要是具有由供电电路、阻抗匹配电路、第1导体部以及接地导体形成的环路部的天线装置，就能够应用本实用新型。

附图标记说明

C：电容分量；

CP：电容部；

FE：第1导体部的第1端；

GAP1、GAP2：间隙；

GND：接地区域；

L0：电感器；

L1：第1线圈；

L2：第2线圈；

Lantl、Lant2、Lant3：天线的电感分量；

M：互感；

NGA：非接地区域；

Pf：供电位置；

PL：环路导体图案；

P1：第1输入输出端口的端子；

P2：第2输入输出端口的端子；

S0、S1、S2：轨迹；

SE：第1导体部的第2端；

SW：开关；

X：电抗元件；

Z1：第1电感元件；

Z2：第2电感元件；

Z3：第3电感元件；

1：第1供电电路；

2：第2供电电路；

10：框架；

10M：金属框架；

10P：金属焊盘；

10R：绝缘性树脂膜；

11：第1导体部；

11N：缺口形状部；

11R：第1辐射元件；

12R：第2辐射元件；

12：第2导体部；

13：第3导体部；

14：第4导体部；

20：电路基板；

20G：接地导体；

20P：弹簧销；

20W：布线图案；

20N、20N1、20N2：非接地部；

30：阻抗匹配电路；

31、32：变压器型匹配电路；

41、42、43：匹配电路；

51：电抗电路；

52：可变电抗元件；

60：显示面板；

100：壳体；

101、102、103A、103B、104、105A、105B、106A、106B、108、 109A、109B、110A、110B、110C：天线装置；

201、208：电子设备。

Claims (17)

1.一种天线装置，构成在电子设备，所述电子设备具备：壳体，具有导电性的框架；和第1供电电路以及电路基板，容纳于该壳体，

所述天线装置的特征在于，具备：

第1辐射元件；和

阻抗匹配电路，连接在所述第1供电电路与所述第1辐射元件之间，使所述第1供电电路和所述第1辐射元件的阻抗匹配，

所述阻抗匹配电路具有包含相互进行磁场耦合的第1线圈以及第2线圈的变压器型匹配电路，

所述电路基板具有接地导体，

所述框架具有第1导体部以及第2导体部，

所述第1辐射元件包含所述第1导体部以及所述接地导体，

所述第2导体部与所述接地导体导通，

所述第1导体部具有第1端以及第2端，

由所述第1供电电路、所述阻抗匹配电路、所述第1导体部以及所述接地导体构成环路，

在所述第2端与所述第2导体部之间形成有电容部。

2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

具备：第2辐射元件，连接所述电子设备具备的第2供电电路，作为供电辐射元件而发挥作用。

3.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

具备：第2辐射元件，与所述第1辐射元件耦合，作为无供电辐射元件而发挥作用。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述电容部是形成在所述第1导体部与所述第2导体部之间的狭缝状的间隙。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

对所述第1导体部经由阻抗匹配电路连接所述第1供电电路的位置是与所述第1端相比更靠近所述第2端的位置。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

对所述第1导体部经由阻抗匹配电路连接所述第1供电电路的位置处于所述第1导体部的所述第1端与所述第2端之间。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述框架还具备第3导体部，

在所述第1导体部的所述第1端与所述第3导体部之间形成有缺口形状部。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述框架还具备第3导体部，

在所述第1导体部的所述第1端与所述第3导体部之间形成有间隙，

在所述第1导体部的所述第1端与接地之间连接有电抗电路。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

在所述第1导体部的所述第1端与所述第2端之间的点和接地之间连接有电抗电路。

10.根据权利要求8所述的天线装置，其特征在于，

所述电抗电路包含通过来自外部的控制信号选择的开关和与该开关连接的多个电抗元件。

11.根据权利要求8所述的天线装置，其特征在于，

所述电抗电路是通过来自外部的控制信号控制电抗值的可变电抗元件。

12.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述阻抗匹配电路包含与所述变压器型匹配电路的前级或后级中的至少一者连接的LC电路。

13.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述变压器型匹配电路是如下的自耦变压器：所述第1线圈和所述第2线圈串联连接，将所述第1线圈和所述第2线圈的串联连接电路的两端作为第1输入输出端口，将所述第2线圈的两端作为第2输入输出端口。

14.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述变压器型匹配电路是串联连接了所述第1线圈和所述第2线圈的自耦变压器，

所述阻抗匹配电路具有与所述第2线圈串联连接的电感器，

所述阻抗匹配电路是如下的电路：将所述第1线圈、所述第2线圈以及所述电感器的串联连接电路的两端作为第1输入输出端口，将所述第2线圈以及所述电感器的串联连接电路的两端作为第2输入输出端口。

15.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述电容部在产生于所述环路的电压分布的最大位置或最大位置附近。

16.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述电容部在从对所述环路的供电位置离开4分之1波长的位置或离开4分之1波长的位置的附近。

17.一种电子设备，具备：辐射元件；供电电路；电路基板；阻抗匹配电路，连接在所述辐射元件与所述供电电路之间；和壳体，将所述辐射元件、所述阻抗匹配电路以及所述供电电路包含在内部，

所述电子设备的特征在于，

所述阻抗匹配电路具有包含相互进行磁场耦合的第1线圈以及第2线圈的变压器型匹配电路，

所述壳体具有导电性的框架，

所述电路基板具有接地导体，

所述框架具有第1导体部以及第2导体部，

所述辐射元件包含所述第1导体部以及所述接地导体，

所述第2导体部与所述接地导体导通，

所述第1导体部具有第1端以及第2端，

由所述供电电路、所述阻抗匹配电路、所述第1导体部以及所述接地导体构成环路，

所述供电电路经由所述阻抗匹配电路与所述第1导体部连接，

所述第2端靠近所述第2导体部，在所述第2端与所述第2导体部之间形成有电容部。

Images