CN217334075U - 半导体器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域。半导体器件包括芯片、下电极片、上电极片、引脚和塑封材料，下电极片焊接在芯片的底面，上电极片焊接在芯片的顶面，上电极片的顶面上开设有导流槽，引脚焊接在上电极片的底面，芯片、上电极片和引脚依次电连接，塑封材料将芯片、下电极片、上电极片和引脚连成一体。半导体器件能够提高器件的散热能力，而且制作工艺简单、引脚折弯少，制作效率高。

Description

半导体器件

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件。

背景技术

目前，常规的半导体产品一般采用双面散热或多面散热。其中，双面散热的半导体产品，散热片需要与PCB板焊接，在使用过程中，散热片的散热面积有限，致使散热能力有限，整体散热能力较差，会影响产品的可靠性。多面散热的半导体产品，制作工艺繁琐，特别是引脚的折弯要求精度较高，但是，需要靠引出端的引脚经过多个方向的折弯后才可以焊接，导致制作效率低，还有引脚脱落等风险。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，其能够提高器件的散热能力，而且制作工艺简单、引脚折弯少，制作效率高。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型提供一种半导体器件，半导体器件包括芯片、下电极片、上电极片、引脚和塑封材料，下电极片焊接在芯片的底面，上电极片焊接在芯片的顶面，上电极片的顶面上开设有导流槽，引脚焊接在上电极片的底面，芯片、上电极片和引脚依次电连接，塑封材料将芯片、下电极片、上电极片和引脚连成一体。

本实用新型的实施例提供的半导体器件的有益效果包括：

1.在芯片的顶面和底面分别焊接有上电极片和下电极片，使芯片散热能力较高，而且，上电极片的顶面上开设有导流槽，进一步提高对芯片的散热能力，提高产品的可靠性；

2.引脚焊接在上电极片的底面，芯片、上电极片和引脚依次电连接，使引脚的折弯较少，制作效率高，引脚脱落的风险低，制作的良率高，产品的稳定性好。

在可选的实施方式中，半导体器件还包括第一焊料层，第一焊料层焊接在下电极片与芯片之间。

这样，下电极片与芯片之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。

在可选的实施方式中，半导体器件还包括第二焊料层，第二焊料层焊接在芯片与上电极片之间。

这样，芯片与上电极片之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。

在可选的实施方式中，半导体器件还包括第三焊料层，第三焊料层焊接在上电极片与引脚之间。

这样，上电极片与引脚之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。

在可选的实施方式中，下电极片的底面、引脚的底面以及塑封材料的底面平齐。

这样，半导体器件的底面基本为一个平面，安装方便，特别是，下电极片的底面和引脚的底面相当于两个散热面，使器件的散热面积较大。

在可选的实施方式中，塑封材料将下电极片的底面、前侧面和后侧面露出，塑封材料将下电极片的左侧面、右侧面和顶面包覆。

这样，下电极片的底面、前侧面和后侧面相当于三个散热面，使器件的散热面积较大。

在可选的实施方式中，塑封材料将引脚的底面露出，塑封材料将引脚的前侧面、后侧面、左侧面、右侧面和顶面包覆。

在可选的实施方式中，塑封材料将上电极片的顶面、前侧面和后侧面露出，塑封材料将上电极片的左侧面、右侧面和底面包覆。

这样，上电极片的顶面、前侧面和后侧面相当于三个散热面，使器件的散热面积较大。

在可选的实施方式中，上电极片的前侧面、下电极片的前侧面以及塑封材料的前侧面平齐，上电极片的后侧面、下电极片的后侧面以及塑封材料的后侧面平齐。

这样，半导体器件的前侧面和后侧面基本为平面，器件整体外形方正，安装方便。

在可选的实施方式中，导流槽从上电极片的前侧面贯穿到后侧面。

这样，导流槽前后贯通，有利于空气在导流槽中流通，提高导流槽的散热能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型第一实施例提供的半导体器件的结构示意图。

图标：1-半导体器件；2-芯片；3-下电极片；4-上电极片；41-导流槽；5-引脚；6-塑封材料；7-第一焊料层；8-第二焊料层；9-第三焊料层。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

第一实施例

请参照图1，本实施例提供一种半导体器件1，半导体器件1包括芯片2、下电极片3、上电极片4、引脚5、塑封材料6、第一焊料层7、第二焊料层8和第三焊料层9。

下电极片3焊接在芯片2的底面，上电极片4焊接在芯片2的顶面，这样，在芯片2的顶面和底面分别焊接有上电极片4和下电极片3，使芯片2实现双面散热。

上电极片4的顶面上开设有导流槽41，进一步提高对芯片2的散热能力，提高产品的可靠性。优选地，导流槽41从上电极片4的前侧面贯穿到后侧面。这样，导流槽41前后贯通，有利于空气在导流槽41中流通，提高导流槽41的散热能力。

引脚5焊接在上电极片4的底面，芯片2、上电极片4和引脚5依次电连接，塑封材料6将芯片2、下电极片3、上电极片4和引脚5连成一体，使引脚5的折弯较少，制作效率高，引脚5脱落的风险低，制作的良率高，产品的稳定性好。

第一焊料层7焊接在下电极片3与芯片2之间。这样，下电极片3与芯片2之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。第二焊料层8焊接在芯片2与上电极片4之间。这样，芯片2与上电极片4之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。第三焊料层9焊接在上电极片4与引脚5之间。这样，上电极片4与引脚5之间连接强度较高，而且二者之间的电性连接效果较好。

塑封材料6将引脚5的底面露出，塑封材料6将引脚5的前侧面(图1中正视的侧面)、后侧面、左侧面、右侧面和顶面包覆。这样，引脚5的底面相当于一个散热面，使器件的散热面积较大。

下电极片3的底面、引脚5的底面以及塑封材料6的底面平齐。这样，半导体器件1的底面基本为一个平面，安装方便，特别是，保证下电极片3的底面和引脚5的底面相当于两个散热面，使器件的散热面积较大。

上电极片4的顶面与塑封材料6的顶面平齐。这样，半导体器件1的顶面基本为一个平面，安装方便，特别是，保证上电极片4的顶面相当于一个散热面，使器件的散热面积较大。

塑封材料6将下电极片3的底面、前侧面和后侧面露出，塑封材料6将下电极片3的左侧面、右侧面和顶面包覆。这样，下电极片3的底面、前侧面和后侧面相当于三个散热面，使器件的散热面积较大。

塑封材料6将上电极片4的顶面、前侧面和后侧面露出，塑封材料6将上电极片4的左侧面、右侧面和底面包覆。这样，上电极片4的顶面、前侧面和后侧面相当于三个散热面，使器件的散热面积较大。

上电极片4的前侧面、下电极片3的前侧面以及塑封材料6的前侧面平齐，上电极片4的后侧面、下电极片3的后侧面以及塑封材料6的后侧面平齐。这样，半导体器件1的前侧面和后侧面基本为平面，器件整体外形方正，安装方便。

综上，半导体器件1上具有七个散热面，分别是下电极片3的前侧面、后侧面、底面，引脚5的底面，上电极片4的前侧面、后侧面、顶面。上电极片4和下电极片3裸露在空气中的侧面较多，增加了实际的散热面积，提升了产品的散热能力，降低产品因散热原因导致失效的几率，提升产品的寿命。这样，半导体器件1的散热能力较高，器件的可靠性好。

本实用新型的实施例提供的半导体器件1的有益效果包括：

1.在芯片2的顶面和底面分别焊接有上电极片4和下电极片3，使芯片2散热能力较高，而且，上电极片4的顶面上开设有导流槽41，进一步提高对芯片2的散热能力，提高产品的可靠性；

2.引脚5焊接在上电极片4的底面，芯片2、上电极片4和引脚5依次电连接，使引脚5的折弯较少，制作效率高，引脚5脱落的风险低，制作的良率高，产品的稳定性好；

3.半导体器件1的上电极片4上开设有导流槽41，下电极片3采用类似半塑封电极片，上电极片4和下电极片3先比现有器件的散热能力增加了2～3倍以上，而且，上电极片4和下电极片3裸露在空气中的侧面较多，增加了实际的散热面积，提升了产品的散热能力，降低产品因散热原因导致失效的几率，提升产品的寿命；

4.本实施例的半导体器件1可以有多种焊接方式：下电极片3的底面和引脚5的底面组合进行焊接；下电极片3的前侧面和上电极片4的前侧面组合进行焊接；下电极片3的后侧面和上电极片4的后侧面组合进行焊接，直接在上电极片4和下电极片3上进行焊接，无需折弯，无需其他步骤，生产效率高，成本低而且不影响产品散热，根据不同PCB板空间及不同客户需求选择合适的焊接方式进行生产。

第二实施例

本实施例提供一种半导体器件1的制造方法，主要用于制造第一实施例提供的半导体器件1，方法包括以下步骤：

步骤一：将下电极片3与引脚5放置在烧结治具中，并盖上烧结治具盖板，实现定位。

步骤二：在框架载片台上依次放置第一焊料层7、芯片2、第三焊料层9进行组装，其中，根据芯片2的版面大小，选择大小合适的第一焊料层7进行组装。

步骤三：在芯片2上方放置第二焊料层8，其中，根据芯片2的版面大小，选择大小合适的第二焊料层8进行组装。

步骤四：放置一体带有导流槽41的上电极片4，将组装好产品的烧结治具传送至真空烧结炉中进行真空烧结，烧结好，将后产品装入料盒。其中，芯片2、上电极片4和引脚5依次电连接。

步骤五：将烧结好的产品，使用环氧塑封料对产品进行热固性模具塑封固化，形成塑封材料6。

步骤六：将塑封固化完的产品进行切筋成形并分散。

步骤七：将产品进行高温存储、TC试验、回流焊等工序，剔除早期失效品。

步骤八：将产品进行表面处理，产品测试编带，包装发货。

本实施例提供的半导体器件1的制造方法的有益效果包括：

上电极片4的顶面上开设有导流槽41，进一步提高对芯片2的散热能力，提高产品的可靠性；引脚5的折弯较少，制作效率高，引脚5脱落的风险低，制作的良率高，产品的稳定性好。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括芯片(2)、下电极片(3)、上电极片(4)、引脚(5)和塑封材料(6)，所述下电极片(3)焊接在所述芯片(2)的底面，所述上电极片(4)焊接在所述芯片(2)的顶面，所述上电极片(4)的顶面上开设有导流槽(41)，所述引脚(5)焊接在所述上电极片(4)的底面，所述芯片(2)、所述上电极片(4)和所述引脚(5)依次电连接，所述塑封材料(6)将所述芯片(2)、所述下电极片(3)、所述上电极片(4)和所述引脚(5)连成一体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一焊料层(7)，所述第一焊料层(7)焊接在所述下电极片(3)与所述芯片(2)之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二焊料层(8)，所述第二焊料层(8)焊接在所述芯片(2)与所述上电极片(4)之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第三焊料层(9)，所述第三焊料层(9)焊接在所述上电极片(4)与所述引脚(5)之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极片(3)的底面、所述引脚(5)的底面以及所述塑封材料(6)的底面平齐。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述塑封材料(6)将所述下电极片(3)的底面、前侧面和后侧面露出，所述塑封材料(6)将所述下电极片(3)的左侧面、右侧面和顶面包覆。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述塑封材料(6)将所述引脚(5)的底面露出，所述塑封材料(6)将所述引脚(5)的前侧面、后侧面、左侧面、右侧面和顶面包覆。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述塑封材料(6)将所述上电极片(4)的顶面、前侧面和后侧面露出，所述塑封材料(6)将所述上电极片(4)的左侧面、右侧面和底面包覆。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上电极片(4)的前侧面、所述下电极片(3)的前侧面以及所述塑封材料(6)的前侧面平齐，所述上电极片(4)的后侧面、所述下电极片(3)的后侧面以及所述塑封材料(6)的后侧面平齐。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述导流槽(41)从所述上电极片(4)的前侧面贯穿到后侧面。

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