CN217203065U - 一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，涉及碳化硅晶体技术领域；包括炉体，炉体内设置有加热盘，炉体底部设置有绝缘底座，绝缘底座与加热盘相连接；炉体外部设置有加热装置，加热装置包括感应线圈，感应线圈连接有调节机构，调节机构用于调节感应线圈与绝缘底座之间的距离；感应线圈连接有电源；解决真空热压炉电阻加热易造成加热不均、或加热丝烧断造成产品报废的问题。

Description

一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉

技术领域

本实用新型属于碳化硅晶体生产技术领域，具体是一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉。

背景技术

碳化硅半导体材料使用在高温、高击穿电场、强辐射的环境下。目前，碳化硅晶体生长是生产碳化硅半导体材料的重要步骤。在碳化硅晶体生长工序，使用热压炉是减少晶体生长缺陷的必要设备。

目前的热压炉大多采用电阻式对相关部件加热，在普通的热压炉加热时，由于加热电阻设计因素，加热电阻不能根据使用要求调节石墨板上的温度分布，加热温区不能调节易造成受热件加热温度不均匀出现废品。在负压的情况下，电阻加热一方面易造成加热丝在加热过程中烧坏，使产品报废，另一方面，其热均匀性不能调节。

另外，由于在真空情况下加热，加热腔内一般热传导占主要的加热方式，原来设计的加热电阻所发出的热量不易被传导出，因此造成加热电阻损坏，从而出现产品失效的情况。且不能检验使用电阻加热所做的产品是否正常，尤其在加热丝部分失效情况下，较难验证加热的不均匀性使碳化硅生长是否达到要求。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，目的是提供一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉；解决真空热压炉电阻加热易造成加热不均、或加热丝烧断造成产品报废的问题。

本实用新型采取的技术方案为：

一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，包括炉体，所述炉体内设置有加热盘，所述炉体底部设置有绝缘底座，绝缘底座与加热盘相连接；所述炉体外部设置有加热装置，所述加热装置包括感应线圈，所述感应线圈连接有调节机构，所述调节机构用于调节感应线圈与绝缘底座之间的距离；所述感应线圈连接有电源。

进一步的，所述的调节机构包括支撑盘和调节螺丝，所述支撑盘位于感应线圈的下方，支撑盘与感应线圈通过调节螺丝相连接。

更进一步，所述支撑盘为石英支撑盘。

进一步的，绝缘底座通过连接件固定与炉体底部相连接，绝缘底座与炉体之间设置有密封圈。

进一步的，所述绝缘底座向炉体内凹陷形成支撑平台，所述支撑平台上连接有加热盘，所述感应线圈位于形成的凹槽内。

进一步的，所述绝缘底座为不透明高纯石英。

进一步的，所述加热盘为感应石墨加热盘。

进一步的，所述加热盘连接有热电偶。

进一步的，所述炉体连接有真空泵。

进一步的，所述炉体顶部连接有压盘。

本实用新型相对于现有技术所产生的有益效果为。

本实用新型的感应加热装置安装在腔体系统外面，加热结构不仅在腔体外面不对所做的产品造成影响，还能够通过调节感应圈与石墨件的各螺丝不同距离而调节加热的均匀性。尤其在制作产品的过程中，能够根据产品的特性，调整感应圈的距离，调整不同温区，满足产品的加热需求，大大提高产品的质量。

附图说明

图1为实施例所述的感应真空热压炉结构示意图。

图2是图1中加热装置的放大图。

图3是图2中B-B面视图。

其中，1为炉体，2为加热盘，3为绝缘底座，4为感应线圈，5为电源，6为支撑盘，7为调节螺丝，8为热电偶，9为真空泵，10为压盘，11为气缸。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，结合实施例和附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。下面结合实施例及附图详细说明本实用新型的技术方案，但保护范围不被此限制。

如图1-3所示，本实施例公开了一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，包括不锈钢材质的炉体1，炉体1顶部连接有压盘10，压盘10连接有气缸11；炉体1的侧壁设置有抽气口，所述的抽气口连接有真空泵9。

炉体1的底部是一个向内凹陷的绝缘底座3，绝缘底座3为不透明的高纯石英材质；绝缘底座3通过连接螺栓与炉体1底部固定连接，绝缘底座3与炉体1之间设置有密封圈。绝缘底座3与炉体1共同形成一个密闭的加热空间。

绝缘底座3的上表面与加热盘2相连接；加热盘2为感应石墨加热盘。炉体1外部设置有加热装置，加热装置包括水平设置的感应线圈4，感应线圈4连接有调节机构，调节机构包括石英材质的支撑盘6，以及调节螺丝7。支撑盘6位于感应线圈4的下方，支撑盘6与感应线圈4通过调节螺丝7相连接。调节机构用于调节感应线圈4与绝缘底座3之间的距离；感应线圈4位于绝缘底座3形成的凹槽内。感应线圈4连接有电源5。加热盘2连接有热电偶8。

具体的工作过程为：当进行正常安装后，在设备运行时，电源5产生振荡电流给感应线圈4电能，感应线圈4产生交变磁场，其上部有不透明石英材质的绝缘底座3隔离，绝缘底座3上面有受感应加热的石墨材质的加热盘2，加热盘2受感应线圈交变磁场产生感应电动势，内部产生涡电流，涡电流在石墨内产生热，使加热盘2加热。加热后的加热盘2温度由热电偶8测量，经电路控制感应电源的电流大小，控制温度。加热盘2加热的均匀性根据感应线圈4与加热盘2的距离来调节。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所做的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施方式仅限于此，对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本实用新型由所提交的权利要求书确定专利保护范围。

Claims (10)

1.一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有加热盘（2），其特征在于，所述炉体（1）底部设置有绝缘底座（3），绝缘底座（3）与加热盘（2）相连接；所述炉体（1）外部设置有加热装置，所述加热装置包括感应线圈（4），所述感应线圈（4）连接有调节机构，所述调节机构用于调节感应线圈（4）与绝缘底座（3）之间的距离；所述感应线圈（4）连接有电源（5）。

2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述的调节机构包括支撑盘（6）和调节螺丝（7），所述支撑盘（6）位于感应线圈（4）的下方，支撑盘（6）与感应线圈（4）通过调节螺丝（7）相连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述支撑盘（6）为石英支撑盘。

4.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，绝缘底座（3）通过连接件固定与炉体（1）底部相连接，绝缘底座（3）与炉体（1）之间设置有密封圈。

5.根据权利要求1或4所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述绝缘底座（3）向炉体（1）内凹陷形成支撑平台，所述支撑平台上连接有加热盘（2），所述感应线圈（4）位于形成的凹槽内。

6.根据权利要求1或4所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述绝缘底座（3）为不透明高纯石英。

7.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述加热盘（2）为感应石墨加热盘。

8.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述加热盘（2）连接有热电偶（8）。

9.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述炉体（1）连接有真空泵（9）。

10.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述炉体（1）顶部连接有压盘（10）。

Images