CN217085332U - 光电封装结构 - Google Patents

Abstract

本公开实施例涉及一种光电封装结构。该光电封装结构包含：反射元件、光学元件和第一光传递通道，第一光传递通道形成在第一元件和第二元件层叠形成的通道空间中，其中，光学元件与反射元件分别设置在第一光传递通道的相对两端，其中第一光传递通道的至少部分表面具有反射光的功能。本实用新型的目的在于提供一种光电封装结构，以至少解决光消散的问题。

Description

光电封装结构

技术领域

本实用新型涉及一种光电封装结构。

背景技术

在现有的硅光子(SiPh)封装结构中，发光元件发出的光会透过镜子 (Mirror)进行耦光作业，来自光纤阵列元件(FAU)与光子集成电路(PIC) 之间的光传导路径是开放式(Open environment)的路径，光传导过程中会有光消散、光受干扰或粒子(particle)掉落等影响耦光效率的因素。

实用新型内容

针对相关技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种光电封装结构，以至少解决光消散的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种光电封装结构，包含：反射元件；光学元件；第一光传递通道，形成在第一元件和第二元件层叠形成的通道空间中；其中，光学元件与反射元件分别设置在第一光传递通道的相对两端，第一光传递通道的至少部分表面具有反射光的功能。

优选地，第一光传递通道具有上下相对的第一表面和第二表面，第一表面在第二表面上方，其中，第一表面和第二表面具有反射光的功能。

优选地，从第一表面向第二表面俯视方向来看，第二表面与反射元件具有部分重叠。

优选地，在沿着从光学元件到反射元件的方向剖切的第一光传递通道的横截面上，光学元件和反射元件与第一表面和第二表面形成狭缝。

优选地，第一元件为重布线层，第二元件为衬底，第一表面由覆盖重布线层的底面的光反射层所构成，第二表面由覆盖衬底的上表面的光反射层所构成。从而可以解决倘若光自光学元件射出无法直接射向反射元件，而是先射向第一光传递通道的衬底以及重布线层表面时，光反射层能减少光被衬底及重布线层的表面干扰造成的强度损耗。

优选地，从第一表面向第二表面俯视方向来看，第一表面并未延伸至反射元件的投影位置，以露出重布线层中形成的一贯通开口而形成为第二光传递通道，其中，第一光传递通道传导的光，经由反射元件改变光行进方向进入第二光传递通道传导。

优选地，光子集成电路有源面朝向重布线层并通过连接凸块电连接在重布线层上，光子集成电路的有源面上的光栅从重布线层的贯通开口露出，以使得经由第二光传递通道传导的光射向光栅。

优选地，光学元件为光纤阵列元件，反射元件为反射镜。

优选地，重布线层上还设置有与光子集成电路横向并排的电子集成电路。

优选地，电子集成电路的有源面朝向重布线层并通过连接凸块电连接在重布线层上。

优选地，电子集成电路的有源面背离重布线层并通过键合线电连接在重布线层上。

优选地，重布线层包括叠置在一起的顶部重布线层和底部重布线层，顶部重布线层面向光子集成电路，光学元件为连接至衬底的光纤阵列元件，其中，光纤阵列元件在横向方向上与顶部重布线层直接物理接触而与底部重布线层间隔开，或者光纤阵列元件在横向方向上与顶部重布线层和底部重布线层均间隔开。

优选地，光电封装结构，还包括：位于光子集成电路和电子集成电路与重布线层之间的底部填充层。

优选地，重布线层与衬底之间的填充层、重布线层与电子集成电路和光子集成电路之间的底部填充层、重布线层中的介电层、光学元件与衬底之间的粘着层、以及衬底，均采用非金属材料。

优选地，重布线层与衬底之间的填充层、重布线层与电子集成电路和光子集成电路之间的底部填充层、重布线层中的介电层、光学元件与衬底之间的粘着层、以及衬底，均采用有机光敏材料或非光敏液体或干膜材料。

优选地，重布线层中的金属线和与金属线连接的导电柱、重布线层与电子集成电路和光子集成电路之间的连接凸块、第一光传递通道中的覆盖在衬底及重布线层表面的光反射层、以及衬底的背离重布线层的一侧的连接件，均为金属材料。

优选地，电子集成电路和光子集成电路之间通过焊球或者立柱或者以金属和金属直接连接的方式互连在一起。

优选地，重布线层包括叠置在一起的顶部重布线层和底部重布线层，其中，覆盖在顶部重布线层的底面上的光反射层构成第一表面，或者覆盖在底部重布线层的底面上的光反射层构成第一表面。

优选地，沿着俯视电子集成电路和光子集成电路的方向，衬底呈方形或圆形。

优选地，通道空间的表面由光反射层围绕，以使第一光传递通道的表面能反射光。

优选地，所述反射镜包括镜子以及覆盖在镜子表面的光反射层。

优选地，镜子的横截面为梯形，梯形的侧壁与底部形成的夹角为10°至80°。

本实用新型光电封装结构中所提供的第一光传递通道以及其至少部分表面具有反射光的功能，可以解决光传导过程中光消散的问题，此外，传递的光射向具有反射光功能的表面相比于不具有反射光功能的表面而言能减小光传输时被干扰造成的强度损耗。

附图说明

图1示出了现有的一种硅光子封装结构的截面示意图。

图2为本申请的一种实施例的光电封装结构的截面示意图。

图3至图29为形成光电封装结构的示例性方法步骤图。

图30示出了本申请的一种实施例的光电封装结构的示意截面图。

图30A为图30中虚线区域的放大图。

图31至图37为光电封装结构的多个不同实施例的截面示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本实用新型的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本实用新型。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本实用新型。此外，本实用新型可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

图1示出了现有的一种硅光子封装结构。发光元件70(例如光纤阵列元件)沿着第一光传导路径10和第二光传导路径20进行传导，其中，第二光传导路径20的光经由镜子30的反射面反射至光栅传感器90进入现有光子集成电路80。参见图1，现有光子集成电路80的有源面朝向背离线路层60的一侧通过连接键合线50与线路层60进行连接，发光元件70传导至现有光子集成电路80的光处于一个开放的环境，即，光传导路径是开放式的路径，从而导致通过第一光传导路径10传导的光没有传导至镜子30 的反射面由此而造成了光消散、粒子掉落、以及对发光元件70传导至现有光子集成电路80的光栅传感器90的光信号造成干扰(例如，噪音等环境干扰)的问题，这会影响耦光效率。

以下将结合附图，对本申请的光电封装结构的实施例进行具体阐述。

图2为光电封装结构的一种实施例的截面示意图。图2的光电封装结构10具有反射元件(例如反射镜600)、光学元件(例如光纤阵列元件1100) 以及第一光传递通道1200，其中，第一元件(例如重布线层1300)和第二元件(例如衬底500)层叠形成为通道空间。重布线层1300包括顶部重布线层200和底部重布线层400，重布线层1300为扇出重布线层(FORDL)，顶部重布线层200包括有第一介电层204、导电柱208、金属线210，底部重布线层400包括有第二介电层402、导电贯通孔406、导电线路408，在底部重布线层400的底面覆盖有第一光反射层409，第一光反射层409作为第一表面具有反射光的功能。衬底500的上表面覆盖有具有反射光的功能的第二光反射层510以作为第二表面。在衬底500和重布线层1300层叠形成的通道空间中形成有第一光传递通道1200，该通道空间中衬底500上覆盖的第二光反射层510以及重布线层1300上覆盖的第一光反射层409作为第一光传递通道的光反射面。反射镜600和光纤阵列元件1100分别设置在第一光传递通道1200的相对两端，例如图2所示的，第一光传递通道 1200所提供的光传导路径并非如图1所示的不期望的开放式光传导路径，光纤阵列元件1100发出的光，在第一光传递通道1200中传递时受到保护，经过第一光传递通道1200的第一光反射层409和第二光反射层510反射后传递到反射镜600。第一光传递通道1200解决了光纤阵列元件1100发出的光沿着第一光传递通道1200传导时产生的光消散和粒子掉落的问题。在一个实施例中，第一光反射层409和第二光反射层510围绕着前述层叠形成的通道空间而形成第一光传递通道1200。

如图2所示，反射镜600和光纤阵列元件1100通过粘着层1500粘接在衬底500上，其中，从第一光反射层409向第二光反射层510俯视方向来看，第二光反射层510与反射镜600具有部分重叠。在一些实施例中，光纤阵列元件1100在横向方向上与顶部重布线层200和底部重布线层400 均间隔开。反射镜600包括镜子602和覆盖在镜子602的顶面和侧壁的第三光反射层604。在一些实施例中，反射镜600、光纤阵列元件1100、第一光反射层409以及第二光反射层510构成一个狭缝。从第一光反射层409 向第二光反射层510的俯视方向来看，第一光反射层409并未延伸至反射镜600的投影位置，以露出重布线层1300中的形成的一贯通开口，该贯通开口为第二光传递通道1250。第一光传递通道1200传导的光经由反射镜 600反射进入第二光传递通道1250。在重布线层1300的上方还可以设置有横向并排设置的光子集成电路900和电子集成电路800，其中，光子集成电路900和电子集成电路800通过连接凸块1002与重布线层1300电连接。光子集成电路900的有源面上还设置有从贯通开口露出的光栅1400，以使得第二光传递通道1250传导的光通过光栅1400进入光子集成电路900。在一些实施例中，底部填充层1000、填充层700、第一介电层204、第二介电层402、粘着层1500、以及衬底500中的任何一个或多个可以采用非金属材料，该非金属材料为聚酰亚胺(PI)、环氧树脂、味之素堆积膜(ABF)、聚丙烯(PP)、和/或丙烯酸。在一些实施例中，底部填充层1000、填充层 700、第一介电层204、第二介电层402、粘着层1500、以及衬底500中的任一个或多个采用有机光敏材料和/或非光敏液体和/或干膜材料。在一些实施例中，铜、金、银、铝、钯(Pd)、铂(Pt)和镍合金可以用于：(a)顶部重布线层200和底部重布线层400中的导电柱208、金属线210、导电贯通孔 406、导电线路408中的任何一个或多个，和/或(b)连接件1600，和/或 (c)带有焊料、适应耦合电浆(ACP)/各项异性导电膜(ACF)的连接凸块1002，和/或(d)第一光反射层409和第二光反射层510。在一些实施例中，物理气相沉积(PVD)、电镀、化学镀、印刷、灌封金属可以用于： (a)顶部重布线层200和底部重布线层400中的导电柱208、金属线210、导电贯通孔406、导电线路408中的任一个或多个，和/或(b)连接凸块 1002，和/或(c)连接件1600，和/或(d)第一光反射层409和第二光反射层510。衬底500的与第二光反射层510相对的面上连接有连接件1600。图3至图29为形成光电封装结构的示例性方法步骤图。在图3中，示出了载体100以及图案化形成在载体100上方的第一焊盘202。

如图4所示，在载体100上层压形成第一介电层204，并沿箭头所示方向曝光第一介电层204。

如图5所示，对第一介电层204进行显影，使得第一介电层204形成暴露部分第一焊盘202的顶面以及载体100的部分顶面的开口。采用物理气相沉积工艺(PVD)在暴露部分第一焊盘202的顶面的开口中的侧壁和底面沉积第一晶种层206，在暴露载体100的部分顶面的开口中的底面沉积第一晶种层206，以及在第一介电层204的顶面上沉积第一晶种层206。

如图6所示，在第一介电层204上形成光刻胶层300，沿箭头所示方向对光刻胶层300进行曝光蚀刻。

如图7所示，对光刻胶层300进行显影，从而形成暴露与第一焊盘202 接触的第一晶种层206的开口，在被暴露的第一晶种层206中电镀形成导电柱208和金属线210。

如图8所示，去除光刻胶层300并对第一晶种层206进行蚀刻，以去除没有位于金属线210下方的第一晶种层206。

如图9所示，在第一介电层204上方层压形成第二介电层402，并沿箭头方向对第二介电层402进行曝光处理。

如图10所示，对第二介电层402进行显影处理后，在第二介电层402 中形成暴露部分金属线210的顶面以及载体100和第一介电层204的部分顶面的开口，通过物理气相沉积工艺(PVD)在暴露金属线210的顶面开口的侧壁和底面上沉积第二晶种层404，在暴露载体100和第一介电层204 的部分顶面的开口中，在载体100的顶面和第一介电层204的顶面上沉积第二晶种层404，以及在第二介电层402的顶面上沉积第二晶种层404。

如图11所示，在部分第二晶种层404上方层压形成部分光刻胶层302，并对部分光刻胶层302沿箭头方向进行曝光处理。

如图12所示，对部分光刻胶层302进行显影处理，从而形成暴露与金属线210接触的第二晶种层404的开口，在该被暴露的第二晶种层404中电镀形成导电贯通孔406和导电线路408。导电线路408与导电贯通孔406 在该步骤中均是通过电镀一起形成的，区分二者是为了描述方便。

如图13所示，在部分光刻胶层302和导电线路408的上方层压形成厚的光刻胶层304并对厚的光刻胶层304进行曝光处理。

如图14所示，对厚的光刻胶层304进行显影处理，从而形成暴露位于导电贯通孔406上方的导电线路408的顶面的开口，在该开口中电镀形成焊料410。

如图15所示，去除厚的光刻胶层304，并采用回流制造对光电封装结构的中间部件12进行热处理。

如图16所示，在热处理工序完成后，形成凸块412，采用化学药剂对第二晶种层404进行蚀刻，以去除没有位于导电线路408下方的第二晶种层404。

如图17所示，去除载体100，使得位于第一介电层204中的第一焊盘202暴露出来。

如图18所示，在图中示出的虚线位置处锯切以进行切割。该锯切切断了第一介电层204。

如图19所示，示出了切割后形成的包括底部重布线层400和顶部重布线层200的重布线层1300，重布线层1300中保留的贯通开口1360可以在本实用新型中用作第二光传递通道。未与凸块412连接的导电线路408和第二晶种层404在本实用新型中被用作第一光反射层409。在一些实施例中，贯通开口1360可以由光刻或者电镀工艺形成。

如图20所示，衬底500中形成有第三晶种层508和位于第三晶种层 508上的导电件，该导电件包括竖直部和位于竖直部上方的横向部。为方便描述，竖直部可以称之为导电孔502，横向部中用以与图19中的重布线层1300的凸块412连接的部分称为第二焊盘504，横向部中用以在例如图 23中用作第一光传递通道1200的光反射层的部分称之为第二光反射层 510。在衬底500的形成有第二焊盘504的相对侧面上形成有与导电孔502 电连接的第三焊盘506。

如图21所示，用真空连接头3000将反射镜600通过粘着层1500连接在衬底500上，其中，反射镜600的底面部分覆盖第二光反射层510，反射镜600有镜子602和覆盖镜子602的顶面和侧壁的第三光反射层604。在一些实施例中，粘着层的材料1500为胶。

如图22所示，用真空连接头3000将重布线层1300通过凸块412与第二焊盘504电连接层叠放置在衬底500上方。

如图23所示，用毛细管4000填充位于重布线层1300和衬底500之间连接有凸块412的一侧的空隙，填充至朝向凸块412的反射镜600的第三光反射层604的面为止，从而形成填充层700。填充层700可以对反射镜 600和凸块412的固定起到保护作用。显然可以理解，重布线层1300与衬底500层叠形成有通道空间。在一个示例中在该通道空间中围绕通道空间形成光反射层，从而在该通道空间中形成第一光传递通道1200。其中，凸块412的厚度和反射镜600的厚度相同，这为通道空间的形成提供了足够的空间。

如图24所示，用真空连接头3000将第一个芯片通过连接凸块1002电连接至顶部重布线层200上的第一焊盘202，连接凸块1002包括有微凸块 10022，焊料球10024。第一个芯片在本图中示出为电子集成电路800。

如图25所示，用真空连接头3000将最后一个芯片通过连接凸块1002 电连接至顶部重布线层200上的第一焊盘202，最后一个芯片在本图中示出为光子集成电路900。光子集成电路900的有源面上的光栅1400对准重布线层1300的贯通开口。参见图24和图25，电子集成电路800和光子集成电路900翻转，通过连接凸块1002与重布线层1300连接方式避免了已知合格芯片(KGD)的损失。

如图26所示，对形成光电封装结构的中间部件16进行加热固化处理，图中两个箭头是加热的示意。

如图27所示，用毛细管4000填充位于电子集成电路800和光子集成电路900与重布线层1300之间的空隙、以及电子集成电路800和光子集成电路900之间的空隙，从而形成底部填充层1000。底部填充层1000可以使得连接凸块1002的连接受到保护。

如图28所示，翻转图27，使第三焊盘506位于衬底的上表面，形成连接件1600与第三焊盘506电连接。

如图29所示，将光纤阵列元件1100通过粘着层1500连接至衬底500 的边缘并与第二焊盘504连接。这使得光纤阵列元件1100与衬底500连接时被允许具有低的旋转准确性。连接后形成为如图2所示的光电封装结构 10。

图30示出了本申请的光电封装结构的示意截面图。电子集成电路800 和光子集成电路900的横向尺寸为几十微米至几百微米，电子集成电路800 和光子集成电路900的厚度为20微米至100微米。参见图30，顶部重布线层200或底部重布线400的厚度h1为5微米至20微米。衬底500的厚度h2为20微米至200微米。填充层700的厚度h3等于反射镜600的厚度为20微米至200微米。第一光传递通道1200的厚度h4为5微米至50微米。连接件1600的直径为30微米至200微米，连接件1600的间距为50 微米至400微米。连接凸块1002的直径为10微米至30微米，连接凸块1002间距为15微米至60微米，第二焊盘504的线宽为2微米，间距为2 微米。

图30A为图30中虚线区域的放大图。图中示出了第一光反射层409 的厚度h5其中，第二晶种层404的厚度为0.2微米至5微米，导电线路408 的厚度为1微米至20微米。图中还示出了第二光反射层510的厚度h6，其中，第二光反射层510中的第三晶种层508的厚度为0.2微米至5微米，第二光反射层510中的位于第三晶种层508上方的第二层503的厚度为1微米至20微米。反射镜600的镜子的横截面为梯形，梯形的侧壁与底部形成的夹角θ为10°至80°。

图31为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。电子集成电路 800的有源面背离重布线层1300并通过键合线1700电连接在重布线层 1300上，该键合线采用的金属可以是例如Cu、Pt、Ag、Au、焊料、Al、 Ni合金。优选地，还可以翻转电子集成电路800，将翻转后的电子集成电路800与重布线层1300使用焊料互连，与参见图2描述的采用焊料球10024 的连接相同。进一步优选地，可以理解，对于多个光电封装结构，其中一个光电封装结构的电子集成电路800与重布线层1300连接可以采用图2的焊料连接方式，另一个光电封装结构的电子集成电路800与重布线层1300 连接可以采用参见图31的翻转电子集成电路800后的键合线互连。

图32为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。光纤阵列元件 1100在横向方向上与顶部重布线层200直接物理接触而与底部重布线层 400间隔开，这与图2不同。

图33为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。光子集成电路 900和电子集成电路800与重布线层1300之间的底部填充层1000为多次填充形成的，当然也可以一次性填充形成。

图34为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。焊料球10022被替换为立柱10026，立柱10026可以为高的焊料柱。

图35为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。电子集成电路 800和光子集成电路900与重布线层1300的顶部重布线层200的连接方式是例如焊料球、立柱、和/或金属对金属直接连接。其中，金属对金属直接连接例如是铜对铜、铜对铝、金对铜、银对银、金对银、银对金、铝对金等等。所述采用焊料球10024连接例如参见图24的描述，所述采用立柱10026连接参见图34的描述。

图36为光电封装结构的另一个实施例的截面示意图。覆盖在顶部重布线层200的底面上的第一光反射层409构成第一光传递通道1200的光反射面。图2中的第一光传递通道1200的空间为底部重布线层400与衬底500 之间的间隙，相比于图2，图36示例中第一光传递通道1200的空间为所述间隙再额外加上底部重布线层400所占据的空间。显然图36示例中第一光传递通道1200的空间比图2的示例更大。可以理解，第一光传递通道 1200的空间可以构造成图2和/或图36的所示空间形式。

图37示出了方形的面板级(panel level，PNL)载体3700和圆形的晶圆级(waferlevel，WL)载体3702，在一些实施例中，本申请的多个电子集成电路800可以排列在PNL载体3700或WL载体3702上，然后多个电子集成电路800一同转移到多个单元的RDL 1300(多个单元RDL 1300下的衬底500也可以排列在PNL载体或WL载体上)上，以批量形成本申请的光电封装结构。光子集成电路900也可以使用与电子集成电路800相似的方式完成批量转移。

图31至图37的未描述的部分，与参见图2以及图3至图29描述的光电装结构的特征以及形成方法均相同。

根据以上可知，本实用新型光电封装结构中所提供的第一光传递通道以及其至少部分表面具有反射光的功能，可以解决光传导过程中光消散的问题，此外，传递的光射向具有反射光功能的表面相比于不具有反射光功能的表面而言能减小光传输时被干扰造成的强度损耗。更进一步，在衬底与重布线层层叠的通道空间形成可以进行光传导的第一光传递通道，第一光传递通道的一端设置有光纤阵列元件，另一端设置有反射镜，在重布线层中形成一贯通开口为第二光传递通道，光子集成电路的有源面通过连接凸块连接在重布线层上，光子集成电路的光栅从重布线层的贯通开口露出，光纤阵列元件传导至光子集成电路的光在第一光传递通道传导，通过反射镜改变光行进方向在第二光传递通道传导，通过光栅进入光子集成电路内，相比于光在开放式路径传导时，本实用新型实施例显然可以改善影响耦光效率的因素，例如光消散、光被衬底及重布线层的表面干扰造成的强度损耗和粒子掉落等。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种光电封装结构，其特征在于，包含：

反射元件；

光学元件；

第一光传递通道，形成在第一元件和第二元件层叠形成的通道空间中；

其中，所述光学元件与所述反射元件分别设置在所述第一光传递通道的相对两端，所述第一光传递通道的至少部分表面具有反射光的功能。

2.根据权利要求1所述的光电封装结构，其特征在于，所述第一光传递通道具有上下相对的第一表面和第二表面，所述第一表面在所述第二表面上方，其中，所述第一表面和所述第二表面具有反射光的功能。

3.根据权利要求2所述的光电封装结构，其特征在于，从所述第一表面向所述第二表面俯视方向来看，所述第二表面与所述反射元件具有部分重叠。

4.根据权利要求3所述的光电封装结构，其特征在于，在沿着从所述光学元件到所述反射元件的方向剖切的所述第一光传递通道的横截面上，所述光学元件和所述反射元件与所述第一表面和所述第二表面形成狭缝。

5.根据权利要求2所述的光电封装结构，其特征在于，所述第一元件为重布线层，所述第二元件为衬底，所述第一表面由覆盖所述重布线层的底面的光反射层所构成，所述第二表面由覆盖所述衬底的上表面的光反射层所构成。

6.根据权利要求5所述的光电封装结构，其特征在于，从所述第一表面向所述第二表面俯视方向来看，所述第一表面并未延伸至所述反射元件的投影位置，以露出所述重布线层中形成的一贯通开口而形成为第二光传递通道，

其中，所述第一光传递通道传导的光，经由所述反射元件改变光行进方向进入所述第二光传递通道传导。

7.根据权利要求1所述的光电封装结构，其特征在于，所述光学元件为光纤阵列元件，所述反射元件为反射镜。

8.根据权利要求6所述的光电封装结构，其特征在于，还包括：

光子集成电路，设置在所述重布线层上，所述光子集成电路的有源面朝向所述重布线层并通过连接凸块电连接所述重布线层，

所述光子集成电路的有源面上的光栅从所述重布线层的所述贯通开口露出，以使得经由所述第二光传递通道传导的光射向所述光栅。

9.根据权利要求8所述的光电封装结构，其特征在于，所述重布线层上还设置有与所述光子集成电路横向并排的电子集成电路。

10.根据权利要求9所述的光电封装结构，其特征在于，所述重布线层包括叠置在一起的顶部重布线层和底部重布线层，

其中，覆盖在所述顶部重布线层的底面上的光反射层构成所述第一表面，或者覆盖在所述底部重布线层的底面上的光反射层构成所述第一表面。

11.根据权利要求7所述的光电封装结构，其特征在于，所述反射镜包括镜子以及覆盖在镜子表面的光反射层，所述镜子的横截面为梯形。

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