CN216980603U - 一种紫外led支架及器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种紫外LED支架及器件，所述紫外LED支架包括基板和围坝，所述围坝固定在所述基板的顶面上；所述基板的顶面上设置有顶部电极，所述顶部电极设置在所述围坝所成型的包围圈内；所述围坝的内壁为凹凸结构。通过将围坝的内壁设置为凹凸结构，增加了封装层的结合面积，提高了封装层与基板的结合力，使得紫外LED器件在封装氟树脂材料作为封装层时，满足了封装需求，同时减少了氟树脂材料的使用量，降低了封装成本，保证了紫外LED器件的气密性，可靠性高。

Description

一种紫外LED支架及器件

技术领域

本实用新型主要涉及LED封装技术领域，具体涉及一种紫外LED支架及器件。

背景技术

目前紫外LED器件主要是在带杯的金属或者陶瓷支架上面封装石英玻璃，这种封装形式能比较大的减免了紫外线对有机材料的破坏作用，当LED 芯片直接发光照射在空气或者保护气体当中，再经由石英玻璃发出光线，这会导致LED芯片所产生的紫外光线在照射到空气时会造成过多的全反射，过多的全反射会导致整个紫外LED器件出光效率低下，剩余光线再透过石英玻璃也存在一部分光线的损失。同时石英玻璃和支架是采用胶水粘结而成，紫外线对胶水具有很强的破坏性，在长时间紫外线的照射下胶水容易开裂，造成紫外LED器件的可靠性降低。

针对以上所存在的问题，现有技术中通过将氟树脂材料在带杯的支架上点胶封装成型封装层，使得紫外LED器件可以抵挡UVC紫外线的破坏，这种方式可以提高紫外LED器件的出光效率，但是氟树脂材料与基板的结合力差，使得基于氟树脂材料成型的封装层也容易在结合面处出现缝隙，导致紫外LED器件气密性差，甚至出现封装层从基板脱落的情况，导致紫外LED器件可靠性低，且氟树脂材料价格昂贵，若使用高围坝基板点胶封装，会使得氟树脂材料用料过多从而导致封装成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种紫外LED支架及器件，该紫外LED器件通过在围坝内壁设置凹凸结构，增大封装层与基板的结合力，使得低围坝的支架能通过封装较少的氟树脂材料来提高紫外LED器件的可靠性。

本实用新型提供了一种紫外LED支架，所述紫外LED支架包括基板和围坝，所述围坝固定在所述基板的顶面上；

所述基板的顶面上设置有顶部电极，所述顶部电极设置在所述围坝所成型的包围圈内；

所述围坝的内壁为凹凸结构。

可选的实施方式，所述顶部电极与所述围坝之间设置有结合层，所述顶部电极与所述结合层之间形成有第一填充部；和/或

所述结合层与所述围坝之间形成有第二填充部。

可选的实施方式，所述顶部电极的轮廓外形为凹凸结构；和/或

所述结合层的轮廓外形为凹凸结构。

可选的实施方式，所述基板上设置有导电通孔，所述基板的底面上设置有底部电极，所述顶部电极和所述底部电极通过所述导电通孔连接。

可选的实施方式，所述围坝的高度为H1，所述顶部电极的高度为h1，所述H1和所述h1之间的关系为：H1-h1≥30μm。

可选的实施方式，所述基板的材质为陶瓷或塑料。

可选的实施方式，所述围坝和所述顶部电极上覆盖有反射层，所述反射层为镀金层、镀银层或镀铝层。

可选的实施方式，所述基板上设置有至少一个配合孔，所述配合孔为盲孔。

本实用新型还提供了一种紫外LED器件，所述紫外LED器件包括紫外 LED支架、LED芯片和封装层；

所述LED芯片固定在所述顶部电极上，所述LED芯片位于所述围坝所成型的包围圈内；

所述封装层由氟树脂形成，所述封装层位于所述围坝所成型的包围圈内，且所述封装层覆盖在所述LED芯片上。

可选的实施方式，所述封装层的厚度为H2，所述H2的取值范围为： H2≥5μm。

本实用新型提供了一种紫外LED支架及器件，通过在围坝的内壁设置凹凸结构，增加了封装层的结合面积，提高了封装层与基板的结合力，使得紫外LED器件在封装氟树脂材料作为封装层时，满足了封装需求，同时减少氟树脂材料的使用量，降低了封装成本，保证紫外LED器件的气密性，可靠性高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型实施例中紫外LED支架结构俯视示意图；

图2是本实用新型实施例中紫外LED支架剖面结构示意图；

图3是本实用新型实施例中紫外LED器件结构俯视示意图；

图4是本实用新型实施例中紫外LED器件剖面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

一种紫外LED支架实施例

图1示出了本实用新型实施例中紫外LED支架结构俯视示意图，图2 示出了本实用新型实施例中紫外LED支架剖面结构示意图，本实用新型实施例提供的紫外LED支架包括基板1和围坝2，围坝2固定在基板1的顶面上，基板1的顶面上设置有顶部电极11，顶部电极11设置在围坝2所成型的包围圈内，围坝2的内壁为凹凸结构。

具体的，围坝2设置在基板1上，围坝2的外壁与基板1的外部形状相匹配，在俯视角度下，围坝2的内圈轮廓形状为具有上下起伏的凹凸形状。通过将围坝2的内壁设置为凹凸结构，将紫外LED支架用于紫外LED 器件成型时，在紫外LED器件封装过程中可增加封装层与围坝2的接触面积，从而增大封装层和基板1之间的结合力，可有效阻挡外部水汽的入侵，保证紫外LED器件的气密性和稳定性。

具体实施中，围坝2的内壁设置可以为齿轮状，围坝2的内壁还可以为锯齿状，围坝2的具体形状可以根据实际需要进行设置。围坝2为金属材质，采用金属材质便于内壁成型为凹凸结构，且金属材质可以阻挡紫外线对围坝2的破坏，保证紫外LED器件稳定性。在其他实施例中，在围坝 2也可以为陶瓷或者玻璃材质，围坝2的具体材质可根据实际情况进行选择。

具体的，顶部电极11与围坝2之间设置有结合层12，结合层12与顶部电极11之间形成第一填充部17，结合层12与围坝2之间形成第二填充部18；具体实施中，在紫外LED器件封装过程中封装层会填充到第一填充部17和第二填充部18中，从而增加封装层与基板1的结合力，可进一步提高紫外LED器件的气密性和稳定性。

具体实施中，顶部电极11和结合层12均是通过刻蚀基板1上的金属层形成，在刻蚀过程中，结合层12外表面可刻蚀为凹凸不平结构，从而增加结合层12的表面粗糙度，增大结合层12在器件封装后与封装层之间的结合力，提高器件封装稳定性。

进一步的，顶部电极11的轮廓外形为凹凸结构，结合层12的轮廓外形也为凹凸结构，顶部电极11和结合层12外围的轮廓形状可以为齿轮状、锯齿状等，以增加封装层与基板1的接触结合面积，从而增大封装层和基板1的结合力。

具体实施中，可以根据紫外LED器件的实际尺寸要求，将基板1上的结合层12的数量设置为多个，通过增加结合层12的数量，从而形成更多填充部，从而提高封装层与基板1的结合力。

具体的，基板1上设置有导电通孔16，基板1的底面上设置有底部电极15，顶部电极11和底部电极15通过导电通孔16连接。

具体实施中，顶部电极11包括第一顶部电极111和第二顶部电极112，第一顶部电极111与第二顶部电极112的电性相反；相应的，底部电极15 包括第一底部电极151和第二底部电极152；导电通孔16包括第一导电子通孔161和第二导电子通孔162，第一顶部电极111通过第一导电子通孔 161与第一底部电极151连接，第二顶部电极112通过第二导电子通孔162 与第二底部电极152连接，第一底部电极151和第二底部电极152用于与外部电路连接，为LED芯片提供工作电源。

具体的，围坝2的高度为H1，顶部电极11的高度为h1，H1和h1之间的关系为：H1-h1≥30μm，即围坝2的高度比顶部电极11的高度至少高 30μm，从而保证在紫外LED器件封装时，封装胶体不会溢出。优选的，围坝2与顶部电极11的高度差取值范围为：100μm≥H1-h1≥30μm，围坝2 在满足封装需求同时，还能通过设置高度低的围坝2减少紫外LED支架的制作成本。

具体的，围坝2、顶部电极11和结合层12上覆盖有反射层，反射层可以为镀金层，也可以为镀银层，也可以为镀铝层。反射层受到来自紫外LED 器件中的LED芯片侧面或者界面发出的光线时，通过反射调整出光角度，可保证LED芯片的发光效率。

具体的，基板1的材质为陶瓷或塑料；优选的，基板1的材质为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或氟树脂。采用氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或氟树脂材质的基板1，可以防止紫外线对基板1的破坏，从而保证紫外LED器件的可靠性。

具体的，基板1上设置有至少一个配合孔，配合孔为盲孔；在本实施例中，基板1上设置有两个配合孔，分别为第一配合孔13和第二配合孔14，第一配合孔13和第二配合孔14为盲孔，在紫外LED器件封装时，封装层能够沿第一配合孔13和第二配合孔14填充到基板1的内部，从而增大了基板1和封装层的结合面积，保证封装层与基板1稳固结合；在其他实施例中，基板1上可以设置多个配合孔结构，配合孔的设置数量也可根据实际需求进行设定。

一种紫外LED器件实施例

图3示出了本实用新型实施例中紫外LED器件的结构俯视示意图，图 4示出了本实用新型实施例中紫外LED器件的剖面结构示意图。本实用新型实施例提供的紫外LED器件包括如上所述的紫外LED支架、LED芯片3 和封装层4；LED芯片3设置在顶部电极11上，LED芯片3位于围坝2所成型的包围圈内；封装层4由氟树脂形成，封装层4位于围坝2所成型的包围圈内，且封装层4覆盖在LED芯片3上。

具体的，在紫外LED器件封装时，氟树脂通过点胶的方式点涂到基板 1的顶面上，氟树脂填充到围坝2所成型的包围圈内，氟树脂覆盖LED芯片3、顶部电极11和结合层12，氟树脂填充到第一填充部17和第二填充部18中，并沿着第一配合孔13和第二配合孔14，填充在基板1内，在氟树脂固化成型成封装层4后，围坝2的内壁凹凸结构，增加了氟树脂与围坝2的接触面积，第一填充部17、第二填充部18以及配合孔增大了氟树脂与基板1的接触面积，从而提高封装层4与基板1的结合稳定性，保证紫外LED器件封装的气密性。

具体的，氟树脂能够抵挡紫外LED芯片3发出的紫外线光对有机物的破坏，氟树脂成型的封装层4可保护紫外LED器件，使封装层4直接与LED 芯片3接触，保证LED芯片3的发光效率。

具体的，封装层4的厚度为H2，H2的取值范围为：H2≥5μm，保证封装层4能够覆盖到基板1表面，保障紫外LED器件的气密性的同时，提高紫外LED器件的出光效率。

综上，本实用新型实施例提供一种紫外LED支架及器件，通过在围坝的内壁上设置凹凸结构，增加氟树脂与围坝的结合面积，满足了矮围坝结构的支架封装需求，减少氟树脂的用量，减少封装器件的成本，提高了封装层与基板以及围坝的结合力，保证紫外LED器件的气密性。在基板上设置结合层，通过结合层与顶极电极以及围坝之间形成第一填充部和第二填充部，增加氟树脂的结合面积，而且在基板上还设置有配合孔，增大封装层与基板的结合力。紫外LED器件具有很好的气密性，紫外LED器件封装的稳定性高，封装成本低。

另外，以上对本实用新型实施例所提供的一种紫外LED支架及器件进行了详细介绍，本文中应采用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种紫外LED支架，其特征在于，所述紫外LED支架包括基板和围坝，所述围坝固定在所述基板的顶面上；

所述基板的顶面上设置有顶部电极，所述顶部电极设置在所述围坝所成型的包围圈内；

所述围坝的内壁为凹凸结构。

2.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述顶部电极与所述围坝之间设置有结合层，所述顶部电极与所述结合层之间形成有第一填充部；和/或

所述结合层与所述围坝之间形成有第二填充部。

3.如权利要求2所述的紫外LED支架，其特征在于，所述顶部电极的轮廓外形为凹凸结构；和/或

所述结合层的轮廓外形为凹凸结构。

4.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述基板上设置有导电通孔，所述基板的底面上设置有底部电极，所述顶部电极和所述底部电极通过所述导电通孔连接。

5.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述围坝的高度为H1，所述顶部电极的高度为h1，所述H1和所述h1之间的关系为：H1-h1≥30μm。

6.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述基板的材质为陶瓷或塑料。

7.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述围坝、所述顶部电极上覆盖有反射层，所述反射层为镀金层、镀银层或镀铝层。

8.如权利要求1所述的紫外LED支架，其特征在于，所述基板上设置有至少一个配合孔，所述配合孔为盲孔。

9.一种紫外LED器件，其特征在于，所述紫外LED器件包括权利要求1至8任一项所述的紫外LED支架、LED芯片和封装层；

所述LED芯片固定在所述顶部电极上，所述LED芯片位于所述围坝所成型的包围圈内；

所述封装层由氟树脂形成，所述封装层位于所述围坝所成型的包围圈内，且所述封装层覆盖在所述LED芯片上。

10.如权利要求9所述的紫外LED器件，其特征在于，所述封装层的厚度为H2，所述H2的取值范围为：H2≥5μm。

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