CN216928565U - 一种大功率芯片的热沉模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种大功率芯片的热沉模块,属于半导体封装领域,该热沉模块包括底座、设置在所述底座一面的散热组件以及封盖在所述散热组件远离所述底座的一面的盖板,所述散热组件包括若干片叠置的栅板,所述栅板上开设有若干个格栅槽;相邻的两个所述栅板上的格栅槽错位设置构成液体流通的流道;所述底座上开设有两个分别与所述流道的两端连通的流通口。该热沉模块能够有效地增大与液体的接触面积,进而增大散热面积,从而有效地提高散热效率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域,尤其涉及一种大功率芯片的热沉模块。
背景技术
目前市面上常用的用于脉冲工作模式的半导体激光器芯片的热沉是针翅型热沉,其通过盖板将半导体芯片上的热量传导到针翅上,通过流入液体将针翅上的热量带走进行散热,但针翅与液体接触面较小,大大影响芯片的散热效率。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种大功率芯片的热沉模块,旨在解决背景技术中提出的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种大功率芯片的热沉模块,该热沉模块包括底座、设置在所述底座一面的散热组件以及封盖在所述散热组件远离所述底座的一面的盖板,所述散热组件包括若干片叠置的栅板,所述栅板上开设有若干个格栅槽;
相邻的两个所述栅板上的格栅槽错位设置构成液体流通的流道;
所述底座上开设有两个分别与所述流道的两端连通的流通口。
优选的,所述底座、栅板和所述盖板均采用金属材料制成。
优选的,所述底座、栅板和所述盖板均采用紫铜制成。
优选的,所述散热组件与所述底座之间、所述散热组件与所述盖板之间和相邻的两个所述栅板之间的接触面为平整光滑面,所述接触面真空焊接为一体,构成连续的金属。
优选的,所述栅板设置共有10~30片。
优选的,所述栅板的厚度为0.2~0.5mm。
优选的,所述格栅槽的宽度为0.25~0.60mm,相邻的两个所述格栅槽之间的间距为0.25~1mm。
该热沉模块能够有效地增大与液体的接触面积,进而增大散热面积,从而有效地提高散热效率。
附图说明
图1是一种大功率芯片的热沉模块的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供一种大功率芯片的热沉模块,如图1所示,该热沉模块包括底座1、设置在所述底座1一面的散热组件2以及封盖在所述散热组件2远离所述底座1的一面的盖板3。
所述散热组件2包括若干片叠置的栅板21,所述栅板21的厚度为0.2~0.5mm;所述栅板21上开设有若干个格栅槽211,所述格栅槽211的宽度为0.25~0.60mm,相邻的两个所述格栅槽211之间的间距为0.25~1mm。
相邻的两个所述栅板21上的格栅槽211错位设置构成液体流通的流道;所述底座1上开设有两个分别与所述流道的两端连通的流通口11。
其中,所述底座1、栅板21和所述盖板3均采用金属材料制成;所述散热组件2与所述底座1之间、所述散热组件2与所述盖板3之间和相邻的两个所述栅板21之间均为真空焊接。
需要说明的是,为了提高热传导效率,底座1与栅板21之间、两栅板21之间和栅板21与盖板3之间的接触面平整光滑,使构件之间能够紧密贴合,在经过真空焊接后,相邻两构件之间的接触面消失,使得相邻的两构件融合为一个整体,构成连续的金属,从而使得热量能够进行快速传导,提高热传导效率。
使用时,将芯片焊接在盖板3上,从其中一个流通口11通入液体,液体进入流道内,液体经由流道,与格栅槽211的槽壁和盖板3接触,将热量带走进行散热,从另一个流筒口11流出,从而完成芯片散热。
与传统的翅针型热沉相比,能够有效地增大与液体的接触面积,进而增大散热面积,从而有效地提高散热效率。
其中,为了有效地提高散热效率,所述底座1、栅板21和所述盖板3均可以采用紫铜制成。
另外,为了有效地保证流道的深度,从而提高散热效率,所述栅板21设置共有10~30片。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种大功率芯片的热沉模块,所述热沉模块包括底座(1)、设置在所述底座(1)一面的散热组件(2)以及封盖在所述散热组件(2)远离所述底座(1)的一面的盖板(3),其特征在于,所述散热组件(2)包括若干片叠置的栅板(21),所述栅板(21)上开设有若干个格栅槽(211);
相邻的两个所述栅板(21)上的格栅槽(211)错位设置构成液体流通的流道;
所述底座(1)上开设有两个分别与所述流道的两端连通的流通口(11)。
2.如权利要求1所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述底座(1)、栅板(21)和所述盖板(3)均采用金属材料制成。
3.如权利要求2所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述底座(1)、栅板(21)和所述盖板(3)均采用紫铜制成。
4.如权利要求2所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述散热组件(2)与所述底座(1)之间、所述散热组件(2)与所述盖板(3)之间和相邻的两个所述栅板(21)之间的接触面均平整光滑面,所述接触面真空焊接为一体,构成连续的金属。
5.如权利要求1所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述栅板(21)设置共有10~30片。
6.如权利要求5所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述栅板(21)的厚度为0.2~0.5mm。
7.如权利要求6所述的大功率芯片的热沉模块,其特征在于,所述格栅槽(211)的宽度为0.25~0.60mm,相邻的两个所述格栅槽(211)之间的间距为0.25~1mm。
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CN202123387915.7U CN216928565U (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种大功率芯片的热沉模块 |
Publications (1)
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CN202123387915.7U Active CN216928565U (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种大功率芯片的热沉模块 |
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- 2021-12-29 CN CN202123387915.7U patent/CN216928565U/zh active Active
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