CN216864315U - 一种热丝底部固定的hwcvd装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及的一种热丝底部固定的HWCVD装置，它包括壳体、镀膜腔和热丝，所述壳体内设有镀膜腔，所述镀膜腔内设有衬底，所述衬底的一侧设有一排均布的热丝；所述热丝的顶端固定在镀膜腔的上腔壁上，所述热丝相对衬底的一侧设有一块挡板，所述挡板设置在热丝和衬底之间，所述热丝的底端设有陶瓷管，陶瓷管的一端连接热丝，另一端固定在挡板上，热丝的顶端和底端均固定。本实用新型对热丝底部采用陶瓷固定，在生产过程中就会减少热丝晃动使非晶硅膜生长的更均匀，陶瓷管耐高温对热丝没有损伤且保护热丝在生产过程中不会随气体等外因晃动。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏高效电池技术领域，尤其涉及一种热丝底部固定的HWCVD装置。
背景技术
单晶硅异质结太阳电池转换效率高，是光伏行业下一代大规模产业化关键技术之一。PECVD法（等离子化学气相沉积）与HWCVD法（热丝化学气相沉积）是目前沉积微晶硅薄膜与太阳电池的两大方法，HWCVD反应中气体被预先有效地分解，反应速率很大，甚至达到普通PECVD 法的10倍，而且用 HWCVD法生长的非晶硅薄膜微空洞等缺陷更少，而且光照后的稳定性也更好，但存在以下缺陷：高温热丝对衬底的热辐射效应会引起衬底温度分布不均；热丝的上部固定，下部是靠重力下垂，没有固定，很容易晃动，使得非晶硅生长不均匀。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种热丝底部固定的HWCVD装置，设置陶瓷管将热丝的底部固定，在生产过程中就会减少热丝晃动，使非晶硅膜生长的更均匀。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种热丝底部固定的HWCVD装置，它包括壳体、镀膜腔和热丝，所述壳体内设有镀膜腔，所述镀膜腔内设有衬底，所述衬底的一侧设有一排均布的热丝；所述热丝的顶端固定在镀膜腔的上腔壁上，所述热丝相对衬底的一侧设有一块挡板，所述挡板设置在热丝和衬底之间，所述热丝的底端设有陶瓷管，陶瓷管的一端连接热丝，另一端固定在挡板上，热丝的顶端和底端均固定。
一种热丝底部固定的HWCVD装置，所述衬底的另一侧设有衬底加热装置。
一种热丝底部固定的HWCVD装置，所述热丝的另一侧设有气体喷头。
一种热丝底部固定的HWCVD装置，所述壳体上分别设有进气口和抽气口，所述进气口连接气体喷头。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型对热丝底部采用陶瓷固定，在生产过程中就会减少热丝晃动使非晶硅膜生长的更均匀，陶瓷管耐高温对热丝没有损伤且保护热丝在生产过程中不会随气体等外因晃动。
附图说明
图1为本实用新型的俯视图。
图2为本实用新型的热丝的正视图。
图3为本实用新型的热丝的侧视图。
其中：
壳体1、镀膜腔2、热丝3、挡板4、衬底5、衬底加热装置6、陶瓷管7、气体喷头8、进气口9、抽气口10。
具体实施方式
实施例1：
参见图1，本实用新型涉及的一种热丝底部固定的HWCVD装置，它包括壳体1、镀膜腔2和热丝3，所述壳体1内设有镀膜腔2，所述镀膜腔2内设有热丝3和衬底5，所述衬底5的一侧设有一排均布的热丝3，所述衬底5的另一侧设有衬底加热装置6。
所述热丝3的顶端固定在镀膜腔2的上腔壁上，所述热丝3相对衬底5的一侧设有一块挡板4，所述挡板4设置在热丝3和衬底5之间，所述热丝3的底端设有陶瓷管7，陶瓷管7的一端连接热丝3，另一端固定在挡板4上，由此热丝3的顶端和底端均固定。
所述热丝3的另一侧设有气体喷头8，所述壳体1上分别设有进气口9和抽气口10，所述进气口9连接气体喷头8，抽气口10连通镀膜腔2和壳体1外部。
工作原理：
HWCVD生长技术，可制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、复合氧化物等多种薄膜，以沉积 Si 膜为例，化学气相沉积制备 Si 膜常用的气源为 SiCl4、SiHCl 3 、SiH2 Cl 2 和 SiH 4 ，它包含的热解过程和还原过程有：
SiH4 (g)→ Si(s)+2H2 (g) （热分解）SiCl4 (g)+2H 2 (g)→ Si (s)+4HCl (g)（氢还原）高温的热丝，通常为 1000℃以上，甚至在有的情形下超过 2000℃。
热丝本身也是催化剂，反应气体就在高温和催化的作用下分解，反应产物沉积于正对着热丝的衬底上，对热丝底部采用陶瓷固定，在生产过程中就会减少热丝晃动使非晶硅膜生长的更均匀，陶瓷管耐高温对热丝没有损伤且保护热丝在生产过程中不会随气体等外因晃动。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。
Claims (4)
1.一种热丝底部固定的HWCVD装置，其特征在于：它包括壳体（1）、镀膜腔（2）和热丝（3），所述壳体（1）内设有镀膜腔（2），所述镀膜腔（2）内设有热丝（3）和衬底（5），所述衬底（5）的一侧设有一排均布的热丝（3）；所述热丝（3）的顶端固定在镀膜腔（2）的上腔壁上，所述热丝（3）相对衬底（5）的一侧设有一块挡板（4），所述挡板（4）设置在热丝（3）和衬底（5）之间，所述热丝（3）的底端设有陶瓷管（7），陶瓷管（7）的一端连接热丝（3），另一端固定在挡板（4）上，热丝（3）的顶端和底端均固定。
2.根据权利要求1所述的一种热丝底部固定的HWCVD装置，其特征在于：所述衬底（5）的另一侧设有衬底加热装置（6）。
3.根据权利要求1所述的一种热丝底部固定的HWCVD装置，其特征在于：所述热丝（3）的另一侧设有气体喷头（8）。
4.根据权利要求3所述的一种热丝底部固定的HWCVD装置，其特征在于：所述壳体（1）上分别设有进气口（9）和抽气口（10），所述进气口（9）连接气体喷头（8）。
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