CN216849874U - 一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，包括用于放置晶圆的支撑件、阻挡件，所述支撑件的形状为圆弧状或环状，所述阻挡件设于所述支撑件的外边缘，所述阻挡件的上表面高于所述支撑件的上表面。本实用新型解决了现有技术存在的晶圆边缘厚度数据不均匀导致的良率下降等不足。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体是一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构。
背景技术
在半导体熔炉设备中，为了在晶圆形成膜质而使用的零件有QTZ TUBE(QTZ管)、BOAT(晶舟)、底座等。
使用的零件中，BOAT对在熔炉设备内部形成膜质之后被确认为结果物的厚度和颗粒等输出数据(OUT PUT DATA)造成很多影响。
根据放置晶圆的BOAT的插槽(SLOT)形态，特别是厚度数据，发生了很多变化。
此时变化的数据在在工厂(IN FAB)中，在后续刻蚀工艺对CD数据造成影响，在晶圆制造(FAB OUT)后对良率造成影响。
如果在晶圆处理过程(IN WAFER)中厚度分布不良的话，刻蚀后有诱发CD不良，诱发良率下降的问题。
本发明是将放置晶圆的BOAT的插槽形状制作得与晶圆的形状随形，大小做得比晶圆实物更宽，可以调整厚度分布，有颗粒减少效果。
实用新型内容
为克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，解决现有技术存在的晶圆边缘厚度数据不均匀导致的良率下降等不足。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是：
一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，包括用于放置晶圆的支撑件、阻挡件，所述支撑件的形状为圆弧状或环状，所述阻挡件设于所述支撑件的外边缘，所述阻挡件的上表面高于所述支撑件的上表面。
所述支撑件的形状为圆弧状或环状，这便于与晶圆形状随形，阻挡件便于阻挡晶圆的滑落，对晶圆起到限位作用。具体使用时，采用所述支撑件的外边缘直径的晶圆，即可很好地实现晶圆边缘厚度均匀，解决现有技术存在的晶圆边缘厚度数据不均匀导致的良率下降等不足。
作为一种优选的技术方案，所述支撑件的圆心角的范围为(180°，360°]。
这样的结构有利于保持晶圆放置的稳定性。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件的数量为3个或4个。
这进一步便于阻挡晶圆的滑落。
作为一种优选的技术方案，若所述阻挡件的数量为3个，2个距离最远的阻挡件的距离为所述支撑件的直径，2个距离最远的阻挡件至另1个阻挡件的距离相同；若所述阻挡件的数量为4个，则相邻的阻挡件之间的距离相同。
这样的设置，使得均匀地对晶圆实施阻挡。
作为一种优选的技术方案，所述支撑件包括相互连接的内侧支撑部、外侧定位部，内侧支撑部的上表面低于外侧定位部的上表面，内侧支撑部与外侧定位部的交界边缘为的形状为圆弧状或环状。
外侧定位部有利于进一步对晶圆实行限位。
作为一种优选的技术方案，内侧支撑部的外边缘至内侧支撑部的内边缘距离小于外侧定位部的外边缘至外侧定位部的内边缘距离。
这有利于更好地对晶圆实行限位。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件的形状为圆柱状。
这便于减少对晶圆边缘的磨损。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件与所述支撑件的外边缘固定连接。
固定连接使本实用新型稳定性好。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件与所述支撑件的外边缘焊接连接。
焊接连接更便于提高本实用新型的稳定性。
本实用新型相比于现有技术，具有以下有益效果：
(1)本实用新型很好地可很好地实现晶圆边缘厚度均匀，解决现有技术存在的晶圆边缘厚度数据不均匀导致的良率下降等不足；
(2)本实用新型便于阻挡晶圆的滑落，便于对晶圆实行限位，便于减少对晶圆边缘的磨损，稳定性好。
附图说明
图1为现有技术的一个晶舟结构的结构示意图(已放置晶圆)；
图2为图1的俯视图；
图3为图1的俯视图(已放置晶圆)；
图4为本实用新型的结构示意图(已放置晶圆)；
图5为图1的俯视图；
图6为图1的俯视图(已放置晶圆)。
附图中标记及相应的零部件名称：1、支撑件，2、阻挡件，11、内侧支撑部，12、外侧定位部。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例1
如图1至图6所示，一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，包括用于放置晶圆的支撑件1、阻挡件2，所述支撑件1的形状为圆弧状或环状，所述阻挡件2设于所述支撑件1的外边缘，所述阻挡件2的上表面高于所述支撑件1的上表面。
所述支撑件1的形状为圆弧状或环状，这便于与晶圆形状随形，阻挡件2便于阻挡晶圆的滑落，对晶圆起到限位作用。具体使用时，采用所述支撑件1的外边缘直径的晶圆，即可很好地实现晶圆边缘厚度均匀，解决现有技术存在的晶圆边缘厚度数据不均匀导致的良率下降等不足。
作为一种优选的技术方案，所述支撑件1的圆心角的范围为(180°，360°]。
这样的结构有利于保持晶圆放置的稳定性。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件2的数量为3个或4个。
这进一步便于阻挡晶圆的滑落。
作为一种优选的技术方案，若所述阻挡件2的数量为3个，2个距离最远的阻挡件2的距离为所述支撑件1的直径，2个距离最远的阻挡件2至另1个阻挡件2的距离相同；若所述阻挡件2的数量为4个，则相邻的阻挡件2之间的距离相同。
这样的设置，使得均匀地对晶圆实施阻挡。
作为一种优选的技术方案，所述支撑件1包括相互连接的内侧支撑部11、外侧定位部12，内侧支撑部11的上表面低于外侧定位部12的上表面，内侧支撑部11与外侧定位部12的交界边缘为的形状为圆弧状或环状。
外侧定位部12有利于进一步对晶圆实行限位。
作为一种优选的技术方案，内侧支撑部11的外边缘至内侧支撑部11的内边缘距离小于外侧定位部12的外边缘至外侧定位部12的内边缘距离。
这有利于更好地对晶圆实行限位。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件2的形状为圆柱状。
这便于减少对晶圆边缘的磨损。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件2与所述支撑件1的外边缘固定连接。
固定连接使本实用新型稳定性好。
作为一种优选的技术方案，所述阻挡件2与所述支撑件1的外边缘焊接连接。
焊接连接更便于提高本实用新型的稳定性。
实施例2
如图1至图6所示，作为实施例1的进一步优化，本实施例包含了实施例1的全部技术特征，除此之外，本实施例还包括以下技术特征：
可以应用于Memory DRAM,FLASH,LOGIC Device。本发明可以用于使用Memory熔炉工序的所有设备。
本实用新型是将放置晶圆的晶舟的插槽形状制作成和晶圆形状一样，大小制作得比晶圆实物更宽，可以调节厚度分布，具有颗粒减少效果
环形的支撑件1(RING ROD)与晶圆形状随形，支撑件1的直径设计得比晶圆大；可以防止晶圆的边缘不良，可以调节厚度一致。从而防止由厚度不良导致发生的不良，预防防止晶圆边缘厚度不良，预防边缘颗粒不良
移动晶圆时，利用真空镊子时保持移动稳定性。
如上所述，可较好地实现本实用新型。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，包括用于放置晶圆的支撑件(1)、阻挡件(2)，所述支撑件(1)的形状为圆弧状或环状，所述阻挡件(2)设于所述支撑件(1)的外边缘，所述阻挡件(2)的上表面高于所述支撑件(1)的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述支撑件(1)的圆心角的范围为(180°，360°]。
3.根据权利要求2所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述阻挡件(2)的数量为3个或4个。
4.根据权利要求3所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，若所述阻挡件(2)的数量为3个，2个距离最远的阻挡件(2)的距离为所述支撑件(1)的直径，2个距离最远的阻挡件(2)至另1个阻挡件(2)的距离相同；若所述阻挡件(2)的数量为4个，则相邻的阻挡件(2)之间的距离相同。
5.根据权利要求4所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述支撑件(1)包括相互连接的内侧支撑部(11)、外侧定位部(12)，内侧支撑部(11)的上表面低于外侧定位部(12)的上表面，内侧支撑部(11)与外侧定位部(12)的交界边缘为的形状为圆弧状或环状。
6.根据权利要求5所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，内侧支撑部(11)的外边缘至内侧支撑部(11)的内边缘距离小于外侧定位部(12)的外边缘至外侧定位部(12)的内边缘距离。
7.根据权利要求1至6任一项所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述阻挡件(2)的形状为圆柱状。
8.根据权利要求7所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述阻挡件(2)与所述支撑件(1)的外边缘固定连接。
9.根据权利要求7所述的一种半导体熔炉设备中用于形成膜质的晶舟结构，其特征在于，所述阻挡件(2)与所述支撑件(1)的外边缘焊接连接。
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