CN216624198U - 一种用于栅极分隔线的刻蚀机构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，刻蚀机构包括接地件、第一电极件、至少一个绝缘件以及第二电极件。绝缘件位于接地件与第一电极件之间，以使第一电极件与接地件之间具有间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。绝缘件与接地件和/或第一电极件连接，且使接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线；第二电极件与第一电极件对应设置，且两者之间形成操作空间。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

Description

一种用于栅极分隔线的刻蚀机构

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于栅极分隔线的刻蚀机构。

背景技术

3D NAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。为了得到堆叠式的3D NAND存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，在堆叠结构上刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽，利用刻蚀形成的栅极分割槽将堆叠结构分隔成存储器阵列中的存储区域，并在栅极分割槽内形成导电通道。

在栅极分割槽的刻蚀工艺中,刻蚀电极刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽时，刻蚀电极应带有足够的负电以便增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀高深宽比的栅极分割槽的能力。

刻蚀机台上的支撑架与刻蚀电极连接且为刻蚀电极提供直流电，这种直流电可增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀能力。支撑架与负电极连通，同时与刻蚀电极连通，进而使得刻蚀电极带有负电，刻蚀电极与接地件接触会导致刻蚀电极的电势降低，所以应避免刻蚀电极与接地件接触。但刻蚀电极上聚集过多的静电会击穿组成堆叠结构的晶片导致堆叠结构损坏，因此刻蚀电极应与接地件间设置有距离合适的间隙使得刻蚀电极与接地件进行感应连通，进而将刻蚀电极上的静电与大地连通。相关技术中，确保刻蚀电极与接地件间设置有距离合适的间隙进而避免两者接触的结构设置存在技术难度。

实用新型内容

本申请实施例提供一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，能够确保刻蚀电极与接地件间设置有距离合适的间隙进而避免两者接触。

本申请实施例提供了一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，刻蚀机构包括接地件、第一电极件、至少一个绝缘件以及第二电极件。绝缘件位于接地件与第一电极件之间，以使第一电极件与接地件之间具有间隙；绝缘件与接地件和/或第一电极件连接，且使接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线。第二电极件与第一电极件对应设置，且第一电极件与第二电极件之间形成操作空间。

基于本申请实施例中的刻蚀机构，第一电极件接收刻蚀机台的支撑架提供的直流电，这种直流电可增加第一电极件内的等离子体的密度，进而加强第一电极件的刻蚀能力。绝缘件设置在第一电极件与接地件之间，使第一电极件与接地件之间形成间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

绝缘件与接地件连接，或绝缘件与第一电极件连接，或绝缘件与接地件以及第一电极件同时连接，使接地件与第一电极件装配过程中，接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线，进而使接地件与第一电极件之间设置有间隙，避免接地件与第一电极件接触。

第一电极件与第二电极件对应设置且两者之间形成用于刻蚀堆叠结构形成栅极分隔槽的操作空间，在操作空间内，第一电极件在堆叠结构上刻蚀形成栅极分隔槽，避免对周围操作环境造成影响以及对操作人员的安全造成威胁。

在一些实施例中，第一电极件上靠近接地件的一侧设置有第一安装槽，接地件的至少部分位于第一安装槽，绝缘件位于第一安装槽内，且位于接地件的部分的外周面与第一安装槽的内壁面之间。

基于上述实施例，接地件的至少部分放置在第一安装槽内，利于第一电极件与接地件的组装，以便绝缘件设置在第一安装槽内且位于第一安装槽的内壁面与接地件的外周面之间，进而使接地件的外周面与第一安装槽的内壁面间隔设置，避免第一电极件与接地件接触，同时应确保第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，便于第一电极件与接地件感应连通，使第一电极件上的静电通过接地件与大地连通。

在一些实施例中，绝缘件包括第一部分以及第二部分，第一安装槽的内壁面包括第一底壁及连接第一底壁的第一内侧壁，接地件具有面向第一底壁的端面、及面向第一内侧壁的第一外周面，第一部分位于端面与第一底壁之间，第二部分位于第一外周面与第一内侧壁之间。

基于上述实施例，绝缘件的第一部分位于端面与第一底壁之间，第二部分位于第一外周面与第一内侧壁之间，使第一电极件与接地件间隔设置，进而避免第一电极件与接地件接触。

在一些实施例中，接地件具有靠近第一电极件的第一表面，第一表面设置有第二安装槽，第一电极件的至少部分位于第二安装槽，绝缘件位于第二安装槽内，且位于第一电极件的部分的外周面与第二安装槽的内壁面之间。

基于上述实施例，第一电极件的至少部分放置在第二安装槽内，利于第一电极件与第二安装槽的组装，以便绝缘件设置在第二安装槽内且位于第一电极件与接地件之间，使第一电极件的外周面与第二安装槽的内壁面之间形成间隙，进而避免第一电极件与接地件接触；同时确保第一电极件的外周面与第二安装槽的内壁面之间设置有距离合适的间隙，以便第一电极件与接地件感应连通，使第一电极件上的静电通过接地件与大地连通。

在一些实施例中，第一电极件包括第一主体部以及第一凸出部，第一主体部位于接地件的第一表面所在的一侧且具有面向接地件的第二表面，第二表面包括第一区域和绕设于第一区域外围的第二区域，第一凸出部的一端连接第一区域，另一端朝远离第一主体部的方向延伸且位于第二安装槽。

绝缘件包括第三部分以及第四部分，第二安装槽的内壁面包括第二底壁及连接第二底壁的第二内侧壁，第三部分位于第二内侧壁与第一凸出部的第二外周面之间，第四部分位于第一表面位于第二安装槽外围的部分与第二区域之间。

基于上述实施里例，绝缘件的第三部分位于第二内侧壁与第一凸出部的第二外周面之间，第四部分位于第一表面位于第二安装槽外围的部分与第二区域之间，使第一电极件与接地件间隔设置，以便绝缘件设置在接地件与第一电极件之间，避免第一电极件与接地件接触。

在一些实施例中，绝缘件的数量为一个，且绝缘件绕接地件的中轴线方向环设；或，绝缘件的数量为多个，多个绝缘件绕接地件的中轴线方向间隔设置。

基于上述实施例，绝缘件位于第一电极件与接地件之间，用以将第一电极件与接地件间隔。绝缘件的数量可以为一个，且绝缘件绕接地件的中轴线方向环设且围设在接地件的周侧与第一电极件接触位置，进而避免第一电极件与接地件接触。

绝缘件的数量可以为多个，多个绝缘件绕接地件的中轴线方向间隔设置，间隔设置的多个绝缘件位于第一电极件与接地件之间，进而避免第一电极件与接地件接触。

在一些实施例中，接地件与第一电极件之间设置有定位件，定位件包括第一定位部和第二定位部，第一定位部与接地件连接，第二定位部与第一电极件抵接。

基于上述实施例，定位件的第一定位部与接地件连接，第二定位部与第一电极件抵接，使得第一电极件沿第一电极件的中轴线的方向与接地件间隔设置，进而避免沿第一电极件的中轴线的方向上第一电极件与接地件接触。

在一些实施例中，第一电极件上设置有让位孔，让位孔沿平行于第一电极件的中轴线的方向贯穿第一电极件；

第二定位部包括连接第一定位部的第五部分以及连接第五部分且远离第一定位部的第六部分，第五部分与第一电极件靠近接地件的一侧抵接，第六部分位于让位孔内。

基于上述实施例，第二定位部的第一定位部分与第一电极件靠近接地件的一侧抵接，以对第一电极件沿第一电极件的中轴线的方向进行定位；第二定位部分位于让位孔内，以对第一电极件沿第一电极件的中轴线的垂直的方向进行定位，进而使得第一电极件沿第一电极件的中轴线的方向与接地件间隔设置。

在一些实施例中，接地件上靠近第一电极件的一侧设置有定位槽，第一定位部位于定位槽。

基于上述实施例，定位件的第一定位部位于定位槽内，第二定位部分与第一电极件抵接，使得第一电极件与接地件沿第一电极件的中轴线的方向间隔设置，进而避免沿第一电极件的中轴线的方向上第一电极件与接地件接触。

在一些实施例中，定位槽呈环状，第一定位部呈与定位槽适配的环状；或者，第一定位部的数量为多个，多个第一定位部间隔设置在定位槽内。

基于上述实施例，定位槽设置在接地件上靠近第一电极件的一侧，定位槽呈环状，定位件包括与定位槽适配的环状；或者定位件的数量为多个，多个定位件的第一定位部间隔设置在环状的定位槽内；第二定位部与第一电极件抵接，使第一电极件与接地件之间沿第一电极件的中轴线的方向间隔设置，进而避免第一电极件与接地件接触。

由于上述技术方案运用，本申请与现有技术相比具有下列优点：

第一电极件接收刻蚀机台的支撑架提供的直流电，这种直流电可增加第一电极件内的等离子体的密度，进而加强第一电极件的刻蚀能力。绝缘件设置在第一电极件与接地件之间，使第一电极件与接地件之间形成间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

绝缘件与接地件连接，或绝缘件与第一电极件连接，或绝缘件与接地件以及第一电极件同时连接，使接地件与第一电极件装配过程中，接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线，进而使接地件与第一电极件之间设置有间隙，避免接地件与第一电极件接触。

第一电极件与第二电极件对应设置且两者之间形成用于刻蚀堆叠结构形成栅极分隔槽的操作空间，在操作空间内，第一电极件在堆叠结构上刻蚀形成栅极分隔槽，避免对周围操作环境造成影响以及对操作人员的安全造成威胁。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例中的用于栅极分隔线的刻蚀机构的整体结构示意图；

图2为图1中接地件的结构示意图；

图3为图1中第一电极件的结构示意图；

图4为图1中A处放大结构示意图；

图5为图1中B处放大结构示意图；

图6为图1中接地件、第一电极件以及绝缘件配合的结构示意图；

图7为图5中沿A-A处的剖面视图；

图8为第二电极件的结构示意图；

图9为本申请一实施例中的用于栅极分隔线的刻蚀机构的另一实施例的整体结构示意图；

图10为图9中接地件的结构示意图；

图11为图9中第一电极件的结构示意图；

图12为图9中C处放大结构示意图；

图13为图9中接地件、第一电极件、绝缘件以及定位件配合的结构示意图；

图14为图13中沿B-B处的剖面视图。

附图标记：

1、接地件；11、端面；12、第一外周面；13、第一表面；14、第二安装槽；141、第二底壁；142、第二内侧壁；15、第二主体部；16、第二凸出部；17、定位槽；

2、第一电极件；21、第一安装槽；211、第一底壁；212、第一内侧壁；22、第一主体部；221、第二区域；23、第一凸出部；231、第二外周面；24、让位孔；

3、绝缘件；31、第一部分；32、第二部分；33、第三部分；34、第四部分；

4、第二电极件；41、置物槽；

5、定位件；51、第一定位部；52、第二定位部；521、第五部分；522、第六部分；

6、间隙。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

相关技术中，3D NAND存储器的制作工艺中需要在硅衬底上形成堆叠结构，在堆叠结构上刻蚀形成高深宽比的栅极分隔槽，栅极分割槽将堆叠结构分开形成阵列中的存储区域。

请参照图1，第一电极件2需带有足够的负电，以便增加第一电极件2上等离子体的密度，进而加强第一电极件2的刻蚀高深宽比的栅极分割槽的能力。但应避免第一电极件2与接地件1接触，第一电极件2与接地件1接触会与接地件1形成通路，导致第一电极件2上的电势降低，进而第一电极件2上的等离子的密度降低。但是第一电极件2上聚集过多的静电会击穿组成堆叠结构的晶片，导致晶片的损坏，因此第一电极件2应与接地件1进行感应连通将静电与大地连通。相关技术中，确保第一电极件2与接地件1间设置有距离合适间隙6进而避免两者接触的结构设置存在技术难度。

为解决第一电极与接地件1间设置有距离合适的间隙6进而避免两者接触的结构设置存在技术难度的问题，本申请实施例提供一种用于栅极分隔线的刻蚀机构。

在本申请实施例中，请参照图1-图3，用于栅极分隔线的刻蚀机构包括接地件1、第一电极件2、至少一个绝缘件3以及第二电极件4。绝缘件3位于接地件1与第一电极件2之间，以使第一电极件2与接地件1之间具有间隙6；绝缘件3与接地件1和/或第一电极件2连接，且使接地件1的中轴线与第一电极件2的中轴线共线；第二电极件4与第一电极件2对应设置，且第一电极件2与第二电极件4之间形成操作空间。

基于本申请中的刻蚀机构，第一电极件2接收刻蚀机台的支撑架提供的直流电，这种直流电可增加第一电极件2内的等离子体的密度，进而加强第一电极件2的刻蚀能力。

请参照图1以及图3，第一电极件2可设置为具有一定厚度的盘状，第一电极件2靠近接地件1的一侧上开设有第一安装槽21，第一安装槽21的内壁面包括第一底壁211及连接第一底壁211的第一内侧壁212。第一安装槽21的开口形状可设置为圆形，第一安装槽21的中轴线与第一电极件2的中轴线共线。

在其他实施例中，第一电极件2的形状不做限制，可根据实际的情况进行设置。且设置在第一电极件2上的第一安装槽21的位置以及第一安装槽21的开口形状不做具体的限制，可根据实际的需求进行设置。

第一底壁211上设置有让位孔24，且让位孔24的开口形状可设置为圆形，让位孔24的中轴线与第一电极件2的轴线共线，且让位孔24贯穿第一电极件2。

在其他实施例中，让位孔24在第一底壁211上的位置以及让位孔24的开口形状不做限制，可根据实际的情况进行设置。

请参照图1、图2以及图4，接地件1包括第二主体部15以及第二凸出部16，第二主体部15可设置为具有一定厚度的盘状，第二主体部15包括面向第一底壁211的端面11以及面向第一内侧壁212的第一外周面12。绝缘件3包括第一部分31以及第二部分32，绝缘件3的第一部分31位于端面11与第一底壁211之间，第二部分32位于第一外周面12与第一内侧壁212之间，进而使第一电极件2与接地件1间隔设置。

第二凸出部16的形状可设置为柱状，第二凸出部16的轴线与第二主体部15的轴线共线，第二凸出部16的一端与第二主体部15的端面11固定连接，另一端沿远离第二主体部15的方向延伸。在其他实施例中，第二凸出部16的一端与第二主体部15的端面11也可卡接、螺接或者一体化成型。

柱状的第二凸出部16套设在让位孔24内，第二凸出部16的中轴线与让位孔24的中轴线共线，且第二凸出部16的外周面与让位孔24的内侧壁间隔设置，以使第二凸出部16与让位孔24装配过程中，第二凸出部16的周侧面与让位孔24的内侧壁之间设置有足够的调节余量，避免第二主体部15套设在第一安装槽21内时，第二主体部15的外周面与第一安装槽21的内侧壁接触。

在一些实施例中，第二凸出部16的形状可根据让位孔24的形状进行设置，满足第二凸出部16的外周面与让位孔24的内侧壁间隔设置，使得第二主体部15与第一安装槽21装配过程中具有一定的调节余量即可。

在其他实施例中，第一安装槽21在第一电极件2上的位置不做限制，第一安装槽21可开设在第一电极件2上远离接地件1的一侧，满足接地件1与第一电极件2之间设置有距离合适的间隙6，使得第一电极件2与接地件1可感应连通即可。

在其他实施例中，第一安装槽21的形状可根据第二主体部15的形状进行设置，满足第二主体部15的外侧面与第一安装槽21的内侧壁之间设置有间隙6即可。

在一些实施例中，请参照图1、图6以及图7，绝缘件3位于第一安装槽21内，且位于第二主体部15与第一电极件2之间，进而使第二主体部15的外周面与第一安装槽21的内壁面之间设置有间隙6。第一电极件2与接地件1装配过程中，第二凸出部16穿设于让位孔24内，且朝第二主体部15运动，第二凸出部16的外周面与让位孔24的内侧壁间隔设置，使得第二主体部15装配于第一安装槽21时，第二主体部15的外周面与第一安装槽21的内侧壁之间具有一定的调节余量，避免第一电极件2在朝向第二主体部15移动过程中，第二主体部15与第一安装槽21的内壁面接触，进而使得第二主体部15位于第一安装槽21内，且第二凸出部16位于让位孔24内。

请参照图1、图6以及图7，绝缘件3的整体的形状可设置为环状，且环状的绝缘件3的截面为“L”型，“L”型绝缘件3的包括第一部分31以及第二部分32，第一部分31位于第二主体部15的端面11与第一安装槽21的第一底壁211之间，第二部分32位于第二主体部15的第一外周面12与第一安装槽21的第一内侧壁212之间，使第二主体部15的端面11与第一安装槽21的第一底壁211间隔设置，以及第二主体部15的第一周侧面与第一安装槽21的第一内侧壁212间隔设置，进而使接地件1与第一电极件2间隔设置，避免第一电极件2与接地件1接触使第一电极件2的电势降低，导致第一电极件2的等离子体的密度降低。

同时第一电极件2与接地件1之间设置有距离合适的间隙6，使第一电极件2与接地件1感应连通，进而将第一电极件2上的静电通过接地件1与大地连通，避免第一电极件2上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

在一些实施例中，绝缘件3位于第一电极件2与接地件1之间，绝缘件3可与接地件1固定连接，绝缘件3可与第一电极件2固定连接，绝缘件3也可同时与接地件1以及第一电极件2固定连接，以使得接地件1的中轴线与第一电极件2的中轴线共线，使第一电极件2与接地件1间隔设置，进而避免第一电极件2与接地件1接触。在其他实施例中，绝缘件3与第一电极件2以及接地件1连接方式可以是粘接、卡接或者螺接等方式。

请参照图1以及图8，第二电极件4与第一电极件2对应设置，第二电极件4可设置为盘状，第二电极件4的外周侧的直径可与第一电极件2的外周侧的直径的大小一致，第一电极件2与第二电极件4配合时，可保证第一电极件2与第二电极件4外在的整体的一致性，进而提高第一电极件2与第二电极件4配合时外在的整体美观性。

在一些实施例中，第一电极件2的形状以及第二电极件4的形状不做限制，满足第一电极件2与第二电极件4的外观的整体一致性即可。

第二电极件4与第一电极件2对应设置，且第二电极件4与第一电极件2之间形成操作空间。第二电极件4上靠近第一电极件2的一侧开设有置物槽41，置物槽41的开口形状可设置为圆形、方形或者其他。在其他实施例中置物槽41的形状不做限制，满足可将堆叠结构放置在置物槽41内即可。

第二主体部15可位于操作空间内，同时堆叠结构位于置物槽41内，第一电极件2上释放等离子体在堆叠结构上刻蚀形成高深宽比的栅极分隔槽，栅极分割槽将堆叠结构分开形成阵列中的存储区域。在操作空间内，第一电极件2在堆叠结构上刻蚀形成栅极分隔槽，避免对周围操作环境造成影响以及对操作人员的安全造成威胁。

在一些实施例中，请参照图9-图14，接地件1具有靠近第一电极件2的第一表面13，接地件1可设置为盘状，第一表面13上设置有第二安装槽14，第二安装槽14的开口形状可设置为圆形，第二安装槽14的中轴线与接地件1的中轴线共线。

第一电极件2包括第一主体部22以及第一凸出部23，第一主体部22靠近接地件1的第一表面13的一侧具有第二表面，第二表面包括第一区域以及绕设于第一区域的外围的第二区域221，第一主体部22可设置为盘状，第一凸出部23可设置为柱状，第一凸出部23的一端连接第一区域，另一端朝远离第一主体部22的方向延伸。

在其他实施例中，第一主体部22与第一凸出部23的形状不做限制，可根据实际情况进行设置。同时第一凸出部23与第一主体部22的第一区域的连接方式不做限制，也可卡接、螺接或者一体化成型。

请参照图9、图12、图13以及图14，绝缘件3位于第一电极件2与接地件1之间，使得第一主体部22的外周面与第二安装槽14的内壁面间隔设置，进而避免第一主体部22与接地件1接触。

绝缘件3包括第三部分33以及第四部分34，第二安装槽14的内壁面包括第二底壁141及连接第二底壁141的第二内侧壁142，第三部分33位于第二内侧壁142与第一凸出部23的第二外周面231之间，第四部分34位于第一表面13位于第二安装槽14外围的部分与第二区域221之间，以使第一主体部22的外周面与第二安装槽14的内壁面间隔设置，进而避免第一主体部22与接地件1接触。

在一些实施例中，第二安装槽14的形状可根据第一主体部22的形状进行设置，确保第一主体部22的外周面与第二安装槽14的内壁面之间设置有间隙6即可。

在一些实施例中，请参照图12-图14，绝缘件3的整体的形状可设置为环状，且环状的绝缘件3的截面为“L”型，“L”型绝缘件3包括第三部分33以及第四部分34，第三部分33位于第二内侧壁142与第一凸出部23的第二外周面231之间，第四部分34位于第一表面13位于第二安装槽14外围的部分与第二区域221之间，使第二内侧壁142与第一凸出部23的第二外周面231间隔设置，第一表面13位于第二安装槽14外围的部分与第二区域221间隔设置，使第一电极件2与接地件1之间设置有间隙6，进而可避免第一电极件2与接地件1接触。

绝缘件3位于第一电极件2与接地件1之间，绝缘件3可与接地件1固定连接，绝缘件3可与第一电极件2固定连接，绝缘件3也可同时与接地件1以及第一电极件2固定连接，以使得接地件1的中轴线与第一电极件2的中轴线共线，使得第一电极件2与接地件1之间设置有间隙6，进而避免第一电极件2与接地件1接触。

在其他实施例中，绝缘件3的形状部不做限制，可根据第一电极件2以及接地件1间的位置空间进行设置；同时绝缘件3与第一电极件2以及接地件1连接方式可以是粘接、卡接或者螺接等方式。

在一些实施例中，绝缘件3的数量可以设置为一个，且绝缘件3绕接地件1的中轴线方向环设；或绝缘件3的数量可以设置为多个，多个绝缘件3绕接地件1的中轴线方向间隔设置。

具体地，绝缘件3的整体的形状可以为环状，绝缘件3绕接地件1的中轴线方向环设，且环状的绝缘件3的截面为“L”型。“L”型的绝缘件3包括第一部分31以及第二部分32，第一部分31位于端面11与第一底壁211之间，第二部分32位于第一外周面12与第一内侧壁212之间。

在其他实施例中，绝缘件3的数量可以设置为多个，多个绝缘件3绕接地件1的中轴线方向间隔设置，且每一绝缘件3的截面为“L”型。

在一些实施例中，绝缘件3的数量可以设置为多个，多个绝缘件3绕接地件1的中轴线方向间隔设置，且每一绝缘件3的截面为“L”型，“L”型绝缘件3包括第三部分33以及第四部分34，第三部分33位于第二内侧壁142与第一凸出部23的第二外周面231之间，第四部分34位于第一表面13位于第二安装槽14外围的部分与第二区域221之间。

在一些实施例中，请参照图1以及图5，接地件1与第一电极件2之间设置有定位件5，定位件5的第一定位部51与接地件1连接，第二定位部52与第一电极件2抵接，使得第一电极件2沿第一电极件2的中轴线的方向与接地件1间隔设置，进而避免沿第一电极件2的中轴线的方向上第一电极件2与接地件1接触。

在一些实施例中，接地件1上靠近第一电极件2的一侧设置有定位槽17，接地件1与第一电极件2之间设置有定位件5，定位件5的第一定位部51与接地件1连接，第二定位部52与所述第一电极件2抵接。

定位件5的第一定位部51位于定位槽17内，第六部分522与第一电极件2抵接，使得第一电极件2与接地件1沿第一电极件2的中轴线的方向间隔设置，进而避免沿第一电极件2的中轴线的方向上第一电极件2与接地件1接触。

在一些实施例中，定位槽17的整体形状设置为环状，定位件5设置为与定位槽17适配的环状；或者，定位件5设置为多个，多个定位件5间隔设置在定位槽17内。

请参照图1、图2以及图5，定位槽17开设在接地件1上靠近第一电极件2的一侧，定位槽17的整体形状设置为环状，定位件5设置为与定位槽17适配的环状；或者定位件5的数量为多个，多个定位件5的连线绕第二凸出部16的中轴线方向间隔环设，多个定位件5的一部分位于定位槽17内，另一部分与第一电极件2抵接，使第一电极件2与接地件1之间沿第一电极件2的中轴线的方向上间隔设置，进而避免第一电极件2与接地件1接触。

在其他实施例中，定位槽17的数量为多个，多个定位槽17开设在在接地件1上靠近第一电极件2的一侧，与定位槽17配合设置的定位件5也可为环状且位于定位槽17内，且需保证多个定位槽17中至少存在其中的三个定位槽17所在的连线组成三角形，定位件5与第一电极件2抵接，进而使第一电极件2与接地件1之间沿第一电极件2的中轴线的方向上设置有间隙6。

在一些实施例中，第一电极件2上设置有让位孔24，让位孔24沿平行于第一电极件2的中轴线的方向贯穿第一电极件2；第二定位部52的第五部分521与第一电极件2靠近接地件1的一侧抵接，第六部分522位于让位孔24内。

也就是说，请参照图图5，第二定位部52包括设置在定位件5上的缺口，缺口包括第五部分521以及第六部分522，第五部分521以及第六部分522为缺口的两相互垂直的侧面，第二定位部52的第五部分521与第一电极件2靠近接地件1的一侧抵接，以对第一电极件2沿第一电极件2的中轴线的方向进行定位；第六部分522位于让位孔24内且与让位孔24的内侧壁抵接，以对第一电极件2沿第一电极件2的中轴线的垂直的方向进行定位，进而使得第一电极件2沿第一电极件2的中轴线的方向与接地件1间隔设置。

请参照图1-图3，接地件1包括第二主体部15以及第二凸出部16，第二主体部15可设置为盘状，第二凸出部16可设置为柱状，第二主体部15位于第一安装槽21，第二凸出部16的一端与第二主体部15上靠近第一电极件2的一侧连接，另一端朝远离端面11的方向延伸且位于让位孔24。

在其他实施例中，第二凸出部16与第二主体部15的连接方式不做限制，可以是粘接、卡接或者螺接等方式。

在一些实施例中，定位槽17可以设置为环形槽，定位槽17开设在接地件1靠近第一电极件2的一侧上，且定位槽17套设在第二凸出部16周侧。在其他实施例中，定位槽17的形状不做限制，需满足定位槽17围设在第二凸出部16的周侧即可。

本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本申请的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，其特征在于，所述刻蚀机构包括：

接地件；

第一电极件；

至少一个绝缘件，所述绝缘件位于所述接地件与所述第一电极件之间，以使所述第一电极件与所述接地件之间具有间隙；所述绝缘件与所述接地件和/或所述第一电极件连接，且使所述接地件的中轴线与所述第一电极件的中轴线共线；

第二电极件，所述第二电极件与所述第一电极件对应设置，且所述第一电极件与所述第二电极件之间形成操作空间。

2.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述第一电极件上靠近所述接地件的一侧设置有第一安装槽，所述接地件的至少部分位于所述第一安装槽，所述绝缘件位于第一安装槽内，且位于所述接地件的部分的外周面与所述第一安装槽的内壁面之间。

3.如权利要求2所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述绝缘件包括第一部分以及第二部分，所述第一安装槽的内壁面包括第一底壁及连接所述第一底壁的第一内侧壁，所述接地件具有面向所述第一底壁的端面、及面向所述第一内侧壁的第一外周面，所述第一部分位于所述端面与所述第一底壁之间，所述第二部分位于所述第一外周面与所述第一内侧壁之间。

4.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述接地件具有靠近所述第一电极件的第一表面，所述第一表面设置有第二安装槽，所述第一电极件的至少部分位于所述第二安装槽，所述绝缘件位于所述第二安装槽内，且位于所述第一电极件的部分的外周面与所述第二安装槽的内壁面之间。

5.如权利要求4所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述第一电极件包括第一主体部以及第一凸出部，所述第一主体部位于所述接地件的所述第一表面所在的一侧且具有面向所述接地件的第二表面，所述第二表面包括第一区域和绕设于所述第一区域外围的第二区域，所述第一凸出部的一端连接所述第一区域，另一端朝远离所述第一主体部的方向延伸且位于所述第二安装槽；

所述绝缘件包括第三部分以及第四部分，所述第二安装槽的内壁面包括第二底壁及连接所述第二底壁的第二内侧壁，所述第三部分位于所述第二内侧壁与所述第一凸出部的第二外周面之间，所述第四部分位于所述第一表面位于所述第二安装槽外围的部分与所述第二区域之间。

6.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述绝缘件的数量为一个，且所述绝缘件绕所述接地件的中轴线方向环设；或，所述绝缘件的数量为多个，多个所述绝缘件绕所述接地件的中轴线方向间隔设置。

7.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述接地件与所述第一电极件之间设置有定位件，所述定位件包括第一定位部和第二定位部，所述第一定位部与所述接地件连接，所述第二定位部与所述第一电极件抵接。

8.如权利要求7所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述第一电极件上设置有让位孔，所述让位孔沿平行于所述第一电极件的中轴线的方向贯穿所述第一电极件；

所述第二定位部包括连接所述第一定位部的第五部分以及连接所述第五部分且远离所述第一定位部的第六部分，所述第五部分与所述第一电极件靠近所述接地件的一侧抵接，所述第六部分位于所述让位孔内。

9.如权利要求7所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述接地件上靠近所述第一电极件的一侧设置有定位槽，所述第一定位部位于所述定位槽。

10.如权利要求9所述的刻蚀机构，其特征在于，

所述定位槽呈环状，所述第一定位部呈与所述定位槽适配的环状；或者，

所述第一定位部的数量为多个，多个所述第一定位部间隔设置在所述定位槽内。

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