CN216597973U - 一种双极化低频辐射单元 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在巴伦底座上的辐射体，辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，辐射臂与支撑部垂直，四个支撑部分别与巴伦底座相连且四个支撑部在巴伦底座上围成矩形，四个辐射臂位于同一水平面上且四个辐射臂排列为十字形，辐射臂包括平板部，平板部的相对两侧分别设有与平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个辐射体配合，另一个馈电片与另外两个对角设置的两个辐射体配合形成±45°极化。双极化低频辐射单元辐射性能强、整体结构紧凑，利于缩小双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，满足基站天线内部布局的需求，同时结构简单、便于装配。

Description

一种双极化低频辐射单元

技术领域

本实用新型涉及天线通信技术领域，尤其涉及一种双极化低频辐射单元。

背景技术

随着现代通信技术的快速发展，对基站天线的性能要求越来越高，天线的小型化、集成化、宽带化、低成本化及通用化是目前天线的发展趋势。

传统的基站天线采用低频碗状形式的振子，其优势是高增益、性能稳定且高频能够嵌套其中，但是碗状形式的振子占用空间大，在基站天线尺寸逐步缩小的情况下碗状形式的振子制约了基站天线的布局设置，当需要进一步压缩基站天线的尺寸时碗状形式的振子已经无法满足市场需求。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种占用空间小的双极化低频辐射单元。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在所述巴伦底座上的辐射体，所述辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，所述辐射臂与所述支撑部垂直，四个所述支撑部分别与所述巴伦底座相连且四个所述支撑部在所述巴伦底座上围成矩形，四个所述辐射臂位于同一水平面上且四个所述辐射臂排列为十字形，所述辐射臂包括平板部，所述平板部的相对两侧分别设有与所述平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个所述辐射体配合，另一个所述馈电片与另外两个对角设置的两个所述辐射体配合形成±45°极化。

进一步的，所述支撑部包括竖板部，所述竖板部的相对两侧分别设有第二折弯部，所述竖板部与所述第二折弯部围成容纳所述馈电片一端的馈电腔。

进一步的，所述平板部上设有与所述馈电腔连通的过孔，部分所述馈电片穿过所述过孔。

进一步的，所述辐射臂还包括延伸部，所述延伸部位于所述平板部远离所述支撑部的一端。

进一步的，所述延伸部的宽度尺寸小于所述平板部的尺寸。

进一步的，所述平板部上还设有多个通孔，所述通孔沿所述平板部的长度方向间隔设置。

进一步的，所述通孔的横截面呈多边形。

进一步的，两个所述馈电片上分别设有相互避让的避位部。

进一步的，所述辐射体为钣金件。

进一步的，所述支撑部与所述巴伦底座焊接为一体式结构。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的双极化低频辐射单元包括巴伦底座及四个设置在巴伦底座上的辐射体，辐射体包括辐射臂及与辐射臂垂直的支撑部，四个辐射臂排列为十字形且每个辐射臂上均设有用于增加阻抗带宽的第一折弯部，四个支撑部分别与巴伦底座相连并在巴伦底座上围成矩形，相对设置的支撑部组成巴伦并形成相互正交的辐射单元，并设置两个馈电片分别连接对接设置的两个辐射体组成两组半波振子，且两组半波振子形成±45°极化，以提高双极化低频辐射单元的辐射性能，并且双极化低频辐射单元整体结构紧凑，利于缩小双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，满足基站天线内部布局的需求，同时双极化低频辐射单元结构简单、便于装配。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的双极化低频辐射单元的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一的双极化低频辐射单元另一视角的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一的双极化低频辐射单元第三个视角的结构示意图；

图4为本实用新型实施例一的双极化低频辐射单元的俯视图；

图5为本实用新型实施例二的双极化低频辐射单元的结构示意图。

标号说明：

1、辐射体；2、辐射臂；21、平板部；22、第一折弯部；23、过孔；24、通孔；25、延伸部；3、支撑部；31、竖板部；32、第二折弯部；4、巴伦底座；5、馈电片；51、避让部。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1至图5，一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座4及四个设置在所述巴伦底座4上的辐射体1，所述辐射体1包括相连的辐射臂2及支撑部3，所述辐射臂2与所述支撑部3垂直，四个所述支撑部3分别与所述巴伦底座4相连且四个所述支撑部3在所述巴伦底座4上围成矩形，四个所述辐射臂2位于同一水平面上且四个所述辐射臂2排列为十字形，所述辐射臂2包括平板部21，所述平板部21的相对两侧分别设有与所述平板部21垂直的第一折弯部22，还包括两个馈电片5，其中一个馈电片5与对角设置的两个所述辐射体1配合，另一个所述馈电片5与另外两个对角设置的两个所述辐射体1配合形成±45°极化。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的双极化低频辐射单元辐射性能强、整体结构紧凑，利于缩小双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，满足基站天线内部布局的需求，同时结构简单、便于装配。

进一步的，所述支撑部3包括竖板部31，所述竖板部31的相对两侧分别设有第二折弯部32，所述竖板部31与所述第二折弯部32围成容纳所述馈电片5一端的馈电腔。

由上述描述可知，通过竖板部31与第二折弯部32围成容纳部分馈电片5的馈电腔以方便馈电片5与辐射体1连接，且第二折弯部32的尺寸可根据阻抗匹配调整。

进一步的，所述平板部21上设有与所述馈电腔连通的过孔23，部分所述馈电片5穿过所述过孔23。

由上述描述可知，在平板部21上设置供馈电片5穿过的过孔23，以使馈电片5能够方便的分别与对角设置的两个辐射体1配合以形成半波振子。

进一步的，所述辐射臂2还包括延伸部25，所述延伸部25位于所述平板部21远离所述支撑部3的一端。

进一步的，所述延伸部25的宽度尺寸小于所述平板部21的尺寸。

由上述描述可知，将延伸部25的宽度尺寸设置为小于平板部21的尺寸可减少遮挡。

进一步的，所述平板部21上还设有多个通孔24，所述通孔24沿所述平板部21的长度方向间隔设置。

由上述描述可知，在平板部21上设置多个通孔24以增加电流在平板部21上流动的路径，从而达到展宽所需频段阻抗带宽的作用。

进一步的，所述通孔24的横截面呈多边形。

由上述描述可知，通孔24的截面形状设置为多边形以便于在平板部21上钻孔。

进一步的，两个所述馈电片5上分别设有相互避让的避位部。

由上述描述可知，两个馈电片5上分别设置避让部51以相互避让，进而两个馈电片5可交叉设置以进一步缩小双极化低频辐射单元占用的空间。

进一步的，所述辐射体1为钣金件。

由上述描述可知，辐射体1通过钣金工艺制成，成型方便并且利于降低生产成本。

进一步的，所述支撑部3与所述巴伦底座4焊接为一体式结构。

由上述描述可知，支撑部3与巴伦底座4焊接固定以确保支撑部3与巴伦底座4稳定连通，并提高双极化低频辐射单元整体结构的稳定性。

实施例一

请参照图1至图4，本实用新型的实施例一为：一种双极化低频辐射单元，安装于基站天线内，用于实现信号的收发。

如图1和图2所示，所述双极化低频辐射单元包括巴伦底座4及四个设置在所述巴伦底座4上的辐射体1，所述辐射体1包括辐射臂2及垂直于所述辐射臂2设置的支撑部3，且四个所述支撑部3分别与所述巴伦底座4相连，四个所述支撑部3在所述巴伦底座4上围成矩形且相对设置的所述支撑部3组成巴伦并形成相互正交的辐射单元，四个所述辐射臂2位于同一水平面上并排列为十字形，还包括两个馈电片5，其中一个所述馈电片5与对角设置的两个所述辐射体1配合，另一个所述馈电片5与另外两个对角设置的两个所述辐射体1配合以组成两组半波振子，且两组半波振子形成±45°极化，以提高双极化低频辐射单元的辐射性能并使所述双极化低频辐射单元整体结构紧凑，满足基站天线内部布局的需求。

具体的，所述辐射臂2包括平板部21，所述平板部21的相对两侧分别设有与所述平板部21垂直的第一折弯部22以增加所述辐射体1的阻抗带宽，并通过控制所述第一折弯部22的宽度有效调节极化隔隔离度的谐振点，且所述平板部21远离所述支撑部3的一端设有与所述平板部21相连的延伸部25，所述延伸部25与所述平板部21位于同一水平面上且所述延伸部25的宽度尺寸小于所述平板部21的尺寸，以减少组阵遮挡，且所述平板部21的长度与所述延伸部25的长度之和小于0.15-0.2倍的所述双极化低频辐射单元的中心频点处的工作波长，缩小了所述双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，实现所述双极化低频辐射单元的小型化。

如图4所示，所述平板部21上还设有多个通孔24，所述通孔24沿所述平板部21的长度方向间隔设置并贯穿所述平板，通过设置所述通孔24可增加电流在所述平板部21上流动的路径，从而达到展宽所需频段阻抗带宽的作用。

优选的，所述通孔24的横截面呈多边形，以便于在所述平板部21上钻孔形成所述通孔24，且所述通孔24的具体形状可按需设置。

请结合图2和图3，所述支撑部3包括竖板部31，所述竖板部31的长度小于0.15-0.2倍的所述双极化低频辐射单元的中心频点处的工作波长，所述竖板部31的相对两侧分别设有第二折弯部32，所述竖板部31与所述第二折弯部32围成容纳部分所述馈电片5一端的馈电腔，且所述平板部21上设有与所述馈电腔连通的过孔23，部分所述馈电片5穿过所述过孔23伸入所述馈电腔内与所述平板部21焊接固定以实现馈电，使所述馈电片5能够方便的分别与对角设置的两个所述辐射体1配合以形成半波振子，且第二折弯部32的尺寸可根据阻抗匹配调整。

详细的，两个所述馈电片5上分别设有相互避让的避位部，以使两个所述馈电片5可交叉设置，进一步缩小所述双极化低频辐射单元占用的空间。

如图1所示，所述辐射体1为一体式结构且所述辐射体1为钣金件，通过钣金工艺可方便的制得所述辐射体1，利于降低生产成本，并且所述支撑部3与所述巴伦底座4焊接为一体式结构，以确保所述辐射体1与巴伦底座4稳定连通，并使所述双极化低频辐射单元整体结构稳定。

实施例二

请参照图5，本实用新型的实施例二是在实施例一的基础上对辐射体1的构造提出的另外一种技术方案，与实施例一的区别仅在于所述辐射体1的构造不同。

如图5所示，在本实施例中，延伸部25的宽度与平板部21的宽度一致，且第一折弯部22的长度与所述平板的长度及所述延伸部25的长度之和一致，即所述第一折弯部22与所述延伸部25相连，以进一步简化所述辐射体1的结构，便于所述辐射体1成型。

综上所述，本实用新型提供的双极化低频辐射单元通过四个辐射体在巴伦底座上的排列使四个辐射体的辐射臂排列为十字形，并且四个辐射体的四个支撑部分别与巴伦底座相连并在巴伦底座上围成矩形，每个辐射臂上均设有用于增加阻抗带宽的第一折弯部及增加电流流动路径的通孔，相对设置的支撑部组成巴伦并形成相互正交的辐射单元，并设置两个馈电片分别连接对接设置的两个辐射体组成两组半波振子，且两组半波振子形成±45°极化，使双极化低频辐射单元具有良好的辐射性能，并且双极化低频辐射单元整体结构紧凑、结构简单，便于装配；双极化低频辐射单元的辐射体为一体式钣金件，方便辐射体成型并降低制造成本；双极化低频辐射单元中辐射臂的长度小于0.15-0.2倍的所述双极化低频辐射单元的中心频点处的工作波长，支撑部的长度小于0.15-0.2倍的所述双极化低频辐射单元的中心频点处的工作波长，缩小了双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，以满足基站天线内部布局的需求。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在所述巴伦底座上的辐射体，其特征在于：所述辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，所述辐射臂与所述支撑部垂直，四个所述支撑部分别与所述巴伦底座相连且四个所述支撑部在所述巴伦底座上围成矩形，四个所述辐射臂位于同一水平面上且四个所述辐射臂排列为十字形，所述辐射臂包括平板部，所述平板部的相对两侧分别设有与所述平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个所述辐射体配合，另一个所述馈电片与另外两个对角设置的两个所述辐射体配合形成±45°极化。

2.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述支撑部包括竖板部，所述竖板部的相对两侧分别设有第二折弯部，所述竖板部与所述第二折弯部围成容纳所述馈电片一端的馈电腔。

3.根据权利要求2所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述平板部上设有与所述馈电腔连通的过孔，部分所述馈电片穿过所述过孔。

4.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述辐射臂还包括延伸部，所述延伸部位于所述平板部远离所述支撑部的一端。

5.根据权利要求4所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述延伸部的宽度尺寸小于所述平板部的尺寸。

6.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述平板部上还设有多个通孔，所述通孔沿所述平板部的长度方向间隔设置。

7.根据权利要求6所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述通孔的横截面呈多边形。

8.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：两个所述馈电片上分别设有相互避让的避位部。

9.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述辐射体为钣金件。

10.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述支撑部与所述巴伦底座焊接为一体式结构。

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