CN216415292U - 一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,涉及石斛栽培技术领域,为解决现有石斛栽培盆一般不具备调温功能,并且不能够将内部多余水分进行收集利用的问题。所述石斛调温培养盆本体的下方设置有调温底座,所述调温底座的外壁设置有温控器,所述石斛调温培养盆本体的内部栽培层,栽培层的外壁设置有导热金属层,所述栽培层的下方设置有栽培落水口,所述栽培落水口的外壁设置有多孔金属板,所述多孔金属板的下方设置有集水层,所述集水层的下方设置有电加热层,所述导热金属层的外壁设置有陶瓷外壳体,相邻所述陶瓷外壳体以及导热金属层之间设置有保温夹层。

Description

一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置
技术领域
本实用新型涉及石斛栽培技术领域,具体为一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置。
背景技术
霍山石斛,是兰科石斛属的一种草本植物,在对其进行栽培过程中,需要将它栽培到盆内进行培养。
但是,现有石斛栽培盆一般不具备调温功能,并且不能够将内部多余水分进行收集利用;因此,不满足现有的需求,对此我们提出了一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,以解决上述背景技术中提出的现有石斛栽培盆一般不具备调温功能,并且不能够将内部多余水分进行收集利用的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,包括石斛调温培养盆本体,所述石斛调温培养盆本体的下方设置有调温底座,所述调温底座的外壁设置有温控器,所述石斛调温培养盆本体的内部栽培层,栽培层的外壁设置有导热金属层,所述栽培层的下方设置有栽培落水口,所述栽培落水口的外壁设置有多孔金属板,所述多孔金属板的下方设置有集水层,所述集水层的下方设置有电加热层。
优选的,所述导热金属层的外壁设置有陶瓷外壳体,相邻所述陶瓷外壳体以及导热金属层之间设置有保温夹层。
优选的,所述调温底座的上端设置有底座螺纹槽,且调温底座通过底座螺纹槽与陶瓷外壳体螺纹连接,所述温控器的外壁设置有可拆卸螺纹板,且温控器通过可拆卸螺纹板与调温底座螺纹连接。
优选的,所述陶瓷外壳体的上端设置有限位环,所述限位环与陶瓷外壳体之间设置有上螺纹槽,且限位环通过上螺纹槽与陶瓷外壳体螺纹连接,所述限位环的上表面设置有培养口。
优选的,所述陶瓷外壳体前端面的外壁设置有排水口,所述排水口的上端设置有密封盖,且排水口与密封盖轴连接。
优选的,所述排水口的外壁设置有排水口安装件,且排水口通过排水口安装件与陶瓷外壳体螺纹连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过在栽培层来加入栽培土壤并将石斛栽培在内部,在加水时多余水分从栽培落水口进行排除,栽培落水口处设有多孔金属板,能够起到传热并限制掉落规格的效果,水体从多孔金属板处的向下进入集水层内,利用下方的电加热层可对水体进行加热,加热后的水体通过热传导的方式对多孔金属板以及导热金属层进行传热,使得内部能够达到传热的效果,内部温度可通过调温底座处的温控器进行检测知晓,使得用户对温度的把控更加精确,从而能够达到对石斛进行调温培养的效果,相较于一般的石斛栽培,本实用新型能够对石斛栽培中进行调温培养,并且在培养时可利用多余水体进行再利用,使得整体实用度高,减少了资源浪费现象。
2、陶瓷外壳体具有良好的保温性以及隔热性,其作用在外部能够减缓内部的温度散热效率,并且能够保护用户避免用户烫伤,保温夹层同样具备良好的保温性,使得内部的保温效果得到提高。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的陶瓷外壳体内部结构示意图;
图3为本实用新型的多孔金属板局部结构示意图;
图中:1、石斛调温培养盆本体;2、限位环;3、上螺纹槽;4、调温底座;5、底座螺纹槽;6、排水口安装件;7、排水口;8、密封盖;9、可拆卸螺纹板;10、温控器;11、培养口;12、陶瓷外壳体;13、保温夹层;14、导热金属层;15、栽培层;16、栽培落水口;17、多孔金属板;18、集水层;19、电加热层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
请参阅图1-3,本实用新型提供的一种实施例:一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,包括石斛调温培养盆本体1,石斛调温培养盆本体1的下方设置有调温底座4,调温底座4的外壁设置有温控器10,石斛调温培养盆本体1的内部栽培层15,栽培层15的外壁设置有导热金属层14,栽培层15的下方设置有栽培落水口16,栽培落水口16的外壁设置有多孔金属板17,多孔金属板17的下方设置有集水层18,集水层18的下方设置有电加热层19,通过在栽培层15来加入栽培土壤并将石斛栽培在内部,在加水时多余水分从栽培落水口16进行排除,栽培落水口16处设有多孔金属板17,能够起到传热并限制掉落规格的效果,水体从多孔金属板17处的向下进入集水层18内,利用下方的电加热层19可对水体进行加热,加热后的水体通过热传导的方式对多孔金属板17以及导热金属层14进行传热,使得内部能够达到传热的效果,内部温度可通过调温底座4处的温控器10进行检测知晓,使得用户对温度的把控更加精确,从而能够达到对石斛进行调温培养的效果。
进一步,导热金属层14的外壁设置有陶瓷外壳体12,相邻陶瓷外壳体12以及导热金属层14之间设置有保温夹层13,陶瓷外壳体12具有良好的保温性以及隔热性,其作用在外部能够减缓内部的温度散热效率,并且能够保护用户避免用户烫伤,保温夹层13同样具备良好的保温性,使得内部的保温效果得到提高。
进一步,调温底座4的上端设置有底座螺纹槽5,且调温底座4通过底座螺纹槽5与陶瓷外壳体12螺纹连接,温控器10的外壁设置有可拆卸螺纹板9,且温控器10通过可拆卸螺纹板9与调温底座4螺纹连接,利用底座螺纹槽5可便于用户将调温底座4处进行安装拆卸,温控器10可通过可拆卸螺纹板9进行安装拆卸。
进一步,陶瓷外壳体12的上端设置有限位环2,限位环2与陶瓷外壳体12之间设置有上螺纹槽3,且限位环2通过上螺纹槽3与陶瓷外壳体12螺纹连接,限位环2的上表面设置有培养口11,限位环2可通过上螺纹槽3进行安装拆卸。
进一步,陶瓷外壳体12前端面的外壁设置有排水口7,排水口7的上端设置有密封盖8,且排水口7与密封盖8轴连接,排水口7用于在不需要加热升温时将内部水体排出,在加热升温时可利用密封盖8将内部盖紧,达到了密封的效果。
进一步,排水口7的外壁设置有排水口安装件6,且排水口7通过排水口安装件6与陶瓷外壳体12螺纹连接,排水口安装件6用于安装排水口7。
工作原理:使用时,通过在栽培层15来加入栽培土壤并将石斛栽培在内部,在加水时多余水分从栽培落水口16进行排除,栽培落水口16处设有多孔金属板17,能够起到传热并限制掉落规格的效果,水体从多孔金属板17处的向下进入集水层18内,利用下方的电加热层19可对水体进行加热,加热后的水体通过热传导的方式对多孔金属板17以及导热金属层14进行传热,使得内部能够达到传热的效果,内部温度可通过调温底座4处的温控器10进行检测知晓,使得用户对温度的把控更加精确,从而能够达到对石斛进行调温培养的效果,陶瓷外壳体12具有良好的保温性以及隔热性,其作用在外部能够减缓内部的温度散热效率,并且能够保护用户避免用户烫伤,保温夹层13同样具备良好的保温性,使得内部的保温效果得到提高,利用底座螺纹槽5可便于用户将调温底座4处进行安装拆卸,温控器10可通过可拆卸螺纹板9进行安装拆卸,排水口7用于在不需要加热升温时将内部水体排出,在加热升温时可利用密封盖8将内部盖紧,达到了密封的效果。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (6)

1.一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,包括石斛调温培养盆本体(1),其特征在于:所述石斛调温培养盆本体(1)的下方设置有调温底座(4),所述调温底座(4)的外壁设置有温控器(10),所述石斛调温培养盆本体(1)的内部栽培层(15),栽培层(15)的外壁设置有导热金属层(14),所述栽培层(15)的下方设置有栽培落水口(16),所述栽培落水口(16)的外壁设置有多孔金属板(17),所述多孔金属板(17)的下方设置有集水层(18),所述集水层(18)的下方设置有电加热层(19)。
2.根据权利要求1所述的一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,其特征在于:所述导热金属层(14)的外壁设置有陶瓷外壳体(12),相邻所述陶瓷外壳体(12)以及导热金属层(14)之间设置有保温夹层(13)。
3.根据权利要求1所述的一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,其特征在于:所述调温底座(4)的上端设置有底座螺纹槽(5),且调温底座(4)通过底座螺纹槽(5)与陶瓷外壳体(12)螺纹连接,所述温控器(10)的外壁设置有可拆卸螺纹板(9),且温控器(10)通过可拆卸螺纹板(9)与调温底座(4)螺纹连接。
4.根据权利要求2所述的一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,其特征在于:所述陶瓷外壳体(12)的上端设置有限位环(2),所述限位环(2)与陶瓷外壳体(12)之间设置有上螺纹槽(3),且限位环(2)通过上螺纹槽(3)与陶瓷外壳体(12)螺纹连接,所述限位环(2)的上表面设置有培养口(11)。
5.根据权利要求2所述的一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,其特征在于:所述陶瓷外壳体(12)前端面的外壁设置有排水口(7),所述排水口(7)的上端设置有密封盖(8),且排水口(7)与密封盖(8)轴连接。
6.根据权利要求5所述的一种道地霍山石斛栽培用调温培养盆装置,其特征在于:所述排水口(7)的外壁设置有排水口安装件(6),且排水口(7)通过排水口安装件(6)与陶瓷外壳体(12)螺纹连接。
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