CN216286606U - 一种ito架桥结构及电容触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种ITO架桥结构及电容触摸屏，所述ITO架桥结构包括依次堆叠在基板上的第一ITO过桥层、第一OC层、第二ITO图案层、金属走线层和第二OC层，其中，第一ITO过桥层的ITO过桥用于电连接第二ITO图案层的ITO图案，所述金属层包括金属地线和金属功能线，金属功能线位于两金属地线之间，两金属地线分别与ITO图案电连接，第一OC层用于隔离ITO过桥和金属功能线，所述ITO图案覆盖在第一OC层两端且向第一OC层中间的金属功能线靠拢，所述ITO图案和金属功能线之间留有较小的间隙。本实用新型通过增大ITO图案从而减小第一OC层和强酸的接触面积，提高产品良率，提高产品稳定性和可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于触摸屏技术领域，具体涉及一种ITO架桥结构及电容触摸屏。
背景技术
在触摸屏功能层走线制作过程中，产品的设计和产品可靠性息息相关，设计做的好，可以大大提高产品良率和可靠性。
图2所示是一种ITO架桥结构的常规设计，该架桥结构用于按键区，触控Sensor上需要布置金属走线，其堆叠结构自下至上依次是基板、第一ITO过桥层、第一OC层、第二ITO图案层、金属走线层、第二OC层，针对该设计sensor工艺流程是先在玻璃基板上制作第一ITO过桥层，然后再依次制作第一OC层，第二ITO图案层、金属走线层、第二OC层。第一OC层是绝缘保护层，作用是隔离ITO过桥和第一OC层上的金属走线层(金属功能线)。但是由于第一OC层的OC的材质是一种聚异戍二烯，不耐强酸，而酸刻第二ITO图案层和金属走线层的酸是盐酸和硝酸，这两种强酸会使致密性不高的第一OC层粘附力变差，使其容易在后续工艺流程中脱落，造成产品不良率提高，产品稳定性和可靠性降低，第一OC层与强酸的接触面积越大影响越大。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种ITO架桥结构及电容触摸屏，使其在蚀刻第二ITO图案层和金属走线层时，第一OC层和强酸的接触面积大大减小，保持第一OC层稳定度，防止其在后续工艺流程脱落。
为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案是：
一种ITO架桥结构，所述ITO架桥结构包括依次堆叠在基板上的第一ITO过桥层、第一OC层、第二ITO图案层、金属走线层和第二OC层，其中，第一ITO过桥层的ITO过桥用于电连接第二ITO图案层的ITO图案，所述金属层包括金属地线和金属功能线，金属功能线位于两金属地线之间，两金属地线分别与ITO图案电连接，第一OC层用于隔离ITO过桥和金属功能线，所述ITO图案覆盖在第一OC层两端且向第一OC层中间的金属功能线靠拢，所述ITO图案和金属功能线之间留有较小的间隙。
进一步的，所述第一OC层两端的ITO图案以第一OC层中线对称设置。
优选的，所述ITO图案和金属功能线之间的间隙为0.03-0.05mm。
优选的，所述金属功能线的宽度为0.05-1.0mm。
优选的，所述第一OC层厚度为1.2-50μm。
优选的，所述第一OC层制作工艺为涂布工艺。
进一步的，所述金属走线层材料是钼铝钼、铜或银浆中的任意一种。
进一步的，所述金属走线层制作工艺为黄光、丝印或光刻中的任意一种。
进一步的，所述基板为玻璃基板或PMMA基板。
一种电容触摸屏，采用上述任一技术方案所述的一种ITO架桥结构。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
本实用新型利用ITO图案将第一OC层的大部分区域进行覆盖保护，从而在蚀刻第二ITO图案层和金属走线层时，大大减小第一OC层和强酸的接触面积，保持第一OC层的粘附稳定程度，防止其在后续工艺流程脱落，提高产品良率，提高产品稳定性和可靠性。
附图说明
图1是触摸屏堆叠结构示意图；
图2是现有ITO架桥结构示意图；
图3是本实用新型ITO架桥结构示意图；
其中：1、基板，2、第一ITO过桥层，3、第一OC层，4、第二ITO图案层，5、金属走线层，6、第二OC层，51、金属地线，52、金属功能线。
具体实施方式
下面结合附图对实用新型做进一步详细描述：
本实用新型是一种ITO架桥结构，该架桥结构主要用于按键区的按键Sensor的架桥连接。为了防止第一OC层在后续工艺制程中被强酸腐蚀导致其粘附性变差，采用增大ITO图案的方式，将ITO图案的增大部分用于覆盖第一OC层，减少第一OC层和强酸的接触面积。
实施例1
如图1和图3所示，本实施例所述ITO架桥结构包括依次堆叠在基板1上的第一ITO过桥层2、第一OC层3、第二ITO图案层4、金属走线层5和第二OC层6，其中，第一ITO过桥层设置ITO过桥，所述ITO过桥用于电连接第二ITO图案层的ITO图案，所述金属层包括金属地线51和金属功能线52，金属功能线位于两金属地线之间，两金属地线分别与ITO图案电连接，金属功能线位于第一OC层上方中间位置，第一OC层为绝缘保护层，用于隔离ITO过桥和金属功能线，为了减少第一OC层与强酸的接触面积，本实施例所述的第二ITO图案层的ITO图案面积增大，ITO图案覆盖在第一OC层两端并且向第一OC层中间的金属功能线靠拢，直至所述ITO图案和金属功能线之间非常接近，此时，ITO图案和金属功能线之间还留有较小的间隙，防止其电连接。
对于本实施例，所述第一OC层两端的ITO图案以第一OC层中线对称设置，金属功能线位于第一OC层正中间。两端的ITO图案和金属功能线之间的间隙相等，为0.03-0.05mm的一个范围。
为了防止第一OC层在强酸下腐蚀，影响产品良率，本实施例所述的第一OC层厚度为1.2-50μm，所述第一OC层制作工艺采用涂布工艺。
对于本实施例，所述金属走线层材料采用钼铝钼、铜或银浆中的任意一种，其制作工艺采用黄光、丝印或光刻(激光)中的任意一种。
对于本实施例，所述的基板材料一般为玻璃基板或者PMMA(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯，是一种高分子聚合物，又称作亚克力或有机玻璃，具有高透明度，是平常经常使用的玻璃替代材料)基板。
本实施例还提供一种电容触摸屏，采用上述技术方案所述的一种ITO架桥结构。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于，根据实际需要，对参数和材料进行了优化和选择。本实施例中，第一OC层两端的ITO图案和金属功能线之间的间隙相等，为0.04mm，该参数是一个优选的参数。所述金属功能线的宽度为0.05-1.0mm，一般情况下为0.1mm，本实施例金属功能线的宽度优选0.1mm。这样可以大大减少第一OC层与强酸的接触面积。
Claims (10)
1.一种ITO架桥结构，其特征在于：所述ITO架桥结构包括依次堆叠在基板上的第一ITO过桥层、第一OC层、第二ITO图案层、金属走线层和第二OC层，其中，第一ITO过桥层的ITO过桥用于电连接第二ITO图案层的ITO图案，所述金属走线层包括金属地线和金属功能线，金属功能线位于两金属地线之间，两金属地线分别与ITO图案电连接，第一OC层用于隔离ITO过桥和金属功能线，所述ITO图案覆盖在第一OC层两端且向第一OC层中间的金属功能线靠拢，所述ITO图案和金属功能线之间留有较小的间隙。
2.根据权利要求1所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述第一OC层两端的ITO图案以第一OC层中线对称设置。
3.根据权利要求2所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述ITO图案和金属功能线之间的间隙为0.03-0.05mm。
4.根据权利要求3所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述金属功能线的宽度为0.05-1.0mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述第一OC层厚度为1.2-50μm。
6.根据权利要求5所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述第一OC层制作工艺为涂布工艺。
7.根据权利要求6所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述金属走线层材料是钼铝钼、铜或银浆中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述金属走线层制作工艺为黄光、丝印或光刻中的任意一种。
9.根据权利要求8所述的一种ITO架桥结构，其特征在于：所述基板为玻璃基板或PMMA基板。
10.一种电容触摸屏，其特征在于：包括权利要求1-9所述的一种ITO架桥结构。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202121746726.1U CN216286606U (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 一种ito架桥结构及电容触摸屏 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN216286606U true CN216286606U (zh) | 2022-04-12 |
Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN216286606U (zh) |
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2021
- 2021-07-29 CN CN202121746726.1U patent/CN216286606U/zh active Active
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