CN216221170U - 控制热管和蒸发盘的单可控硅电路和蒸烤箱 - Google Patents

Abstract

本申请属于蒸烤箱控制电路领域，涉及一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路和蒸烤箱，其中，电路包括：过零检测模块或电压检测模块、MCU芯片、可控硅、继电器、热管和蒸发盘；其中，可控硅的输入端和过零检测模块/电压检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，可控硅的输出端连接继电器的输入端，过零检测模块/电压检测模块的输出端连接MCU芯片的输入端，MCU芯片的输出端连接可控硅的控制端；继电器的第一输出端连接热管的输入端，继电器的第二输出端连接蒸发盘的输入端，MCU芯片的输出端连接继电器的控制端；热管的输出端和蒸发盘的输出端连接电源的零线输出端。达到了低成本对蒸烤箱的高精准控温效果。

Description

控制热管和蒸发盘的单可控硅电路和蒸烤箱

技术领域

本申请涉及蒸烤箱控制电路技术领域，尤其涉及一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路和蒸烤箱。

背景技术

可控硅(Silicon Controlled Rectifier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。继电器是一种电控制器件，是当输入量的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有输入回路和输出回路之间的互动关系。

根据选择的不同，通常应用于蒸烤箱上的可控硅价格比继电器价格贵几倍至几十倍不等。市场上的蒸烤箱控制电路一般选用多继电器控制，但继电器控制炉心温度波动大，发热盘干烧对发热盘损伤大；都采用可控硅控制的话控温准，但是成本相较使用继电器的方案高很多。因此，需要一种低成本，高精准的蒸烤箱控制电路以适应市场需求。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提出一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路和蒸烤箱，以解决上述背景技术中的问题。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，采用了如下所述的技术方案：

所述电路包括：过零检测模块或电压检测模块、MCU芯片、可控硅、继电器、热管和蒸发盘；其中，

i)所述可控硅的输入端和所述过零检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述过零检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端；

或者：

ii)所述可控硅的输入端和所述电压检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述电压检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端。

进一步地，所述过零检测模块包括：电阻R101、电阻R102、电阻R104、电容C102和三极管Q1；其中，

所述电阻R101的一端连接所述MCU芯片的第一输出端，所述电阻R101的另一端连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极接地；所述电阻R104 的一端、所述电容C102的阳极连接电源的输入端和所述可控硅的输入端，所述电阻R104的另一端、所述电容C102的阴极连接所述可控硅的控制端和所述电阻R102的一端，所述电阻R102的另一端连接所述三极管Q1的集电极。

进一步地，所述过零检测模块还包括：电阻R103；其中，

所述电阻R103的一端连接所述电阻R101的另一端和所述三极管Q1的基极，所述电阻R103的另一端接地。

进一步地，所述过零检测模块还包括：电容C101；其中，

所述电容C101的阳极连接所述电阻R101的另一端、所述电阻R103的一端和所述三极管Q1的基极，所述电容C101的阴极接地。

进一步地，所述MCU芯片和所述继电器之间，设有继电器控制模块。

进一步地，所述继电器控制模块包括：电阻R106、三极管Q2、二极管D1 和继电器控制电源；其中，

所述电阻R106的一端连接所述MCU芯片的第二输出端，所述电阻R106的另一端连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极连接继电器控制电源的负极；所述三极管Q2的集电极连接所述继电器的控制输出端、二极管D1 的阳极，所述继电器的控制输入端和二极管D1的阴极连接所述继电器控制电源的正极。

进一步地，所述继电器控制电源为直流电源。

进一步地，所述继电器控制模块还包括：电阻R107；其中，

所述电阻R107的一端连接所述电阻R106的另一端、所述三极管Q2的基极，所述电阻R107的另一端连接继电器控制电源的负极。

进一步地，所述电路还包括：电阻R105、电容C103；

所述电阻R105的一端连接所述电源的输入端、所述电阻R104的一端、所述电容C103的阳极和所述可控硅的输入端，所述电容C103的阴极连接所述可控硅的输出端、所述继电器的输入端。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种蒸烤箱，采用了如下所述的技术方案：

所述蒸烤箱设有任一项上述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路。

与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：

本申请方案提供的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，通过可控硅和继电器串联，MCU芯片通过第二输出端即控制Pin_io引脚实现继电器的切换，在继电器吸合时，继电器切到热管一路，然后MCU芯片通过第一输出端即Heat引脚控制可控硅的通断，达到对热管和蒸发盘工作功率的精准控制。工作期间，可控硅可使用丢波或斩波实现精确控温，以减少炉心的波动，在蒸发盘工作时也可保持小功率沸腾，持续产生蒸汽，达到良好的烹饪效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的方案，下面将对本申请实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路的结构框图；

图2是本申请的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路的结构示意图。

具体实施方式

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参照图1至图2，本申请第一实施例提供一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，用于蒸烤箱，所述电路包括：过零检测模块或电压检测模块、MCU芯片、 MCU芯片、可控硅SCR201、继电器、热管和蒸发盘；其中，

i)所述可控硅的输入端和所述过零检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述过零检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端；

或者：

ii)所述可控硅的输入端和所述电压检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述电压检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端。

在本实施例中，MCU芯片的第一输出端即Heat引脚，MCU芯片的第二输出端即Pin_io引脚上述MCU芯片通过Heat引脚和Pin_io引脚提供控制信号。使用时，可控硅和继电器串联，继电器再连接热管和蒸发盘，MCU芯片Heat引脚连接可控硅，MCU芯片Pin_io引脚连接继电器，期间，MCU芯片通过控制 Pin_io引脚实现继电器对热管和蒸发盘连接回路的切换，即在继电器吸合时，继电器切到热管一路，然后通过MCU芯片控制可控硅的通断，控制热管工作功率；在继电器不吸合时，继电器切到发热盘一路，然后通过MCU芯片控制可控硅的通断，控制蒸发盘工作功率。值得一提的是，可以通过过零检测模块或电压检测模块通过使用丢波或斩波技术实现精确控温，减少炉心的波动，在蒸发盘工作时也可保持小功率沸腾，持续产生蒸汽，达到更好的烹饪效果。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第二实施例，其中，所述过零检测模块包括：电阻R101、电阻R102、电阻R104、电容C102和三极管Q1；其中，

所述电阻R101的一端连接所述MCU芯片的输出端，所述电阻R101的另一端连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极接地；所述电阻R104的一端、所述电容C102的阳极连接电源的输入端和所述可控硅的输入端，所述电阻R104的另一端、所述电容C102的阴极连接所述可控硅的控制端和所述电阻 R102的一端，所述电阻R102的另一端连接所述三极管Q1的集电极。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第三实施例，其中，所述过零检测模块还包括：电阻R103；其中，

所述电阻R103的一端连接所述电阻R101的另一端和所述三极管Q1的基极，所述电阻R103的另一端接地。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第四实施例，其中，所述过零检测模块还包括：电容C101；其中，

所述电容C101的阳极连接所述电阻R101的另一端、所述电阻R103的一端和所述三极管Q1的基极，所述电容C101的阴极接地。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第五实施例，其中，所述MCU芯片和所述继电器之间，设有继电器控制模块。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第六实施例，其中，所述继电器控制模块包括：电阻R106、三极管Q2、二极管D1和继电器控制电源；其中，

所述电阻R106的一端连接所述MCU芯片的输出端，所述电阻R106的另一端连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极连接继电器控制电源的负极；所述三极管Q2的集电极连接所述继电器的控制输出端、二极管D1的阳极，所述继电器的控制输入端和二极管D1的阴极连接所述继电器控制电源的正极。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第七实施例，其中，所述继电器控制电源为直流电源。例如6V、9V、12V等，具体可以根据继电器的使用标准进行选用。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第八实施例，其中，所述继电器控制模块还包括：电阻R107；其中，

所述电阻R107的一端连接所述电阻R106的另一端、所述三极管Q2的基极，所述电阻R107的另一端连接继电器控制电源的负极。

针对上述控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，本申请还提供第九实施例，其中，所述电路还包括：电阻R105、电容C103；

所述电阻R105的一端连接所述电源的输入端、所述电阻R104的一端、所述电容C103的阳极和所述可控硅的输入端，所述电容C103的阴极连接所述可控硅的输出端、所述继电器的输入端。

在本实施例中，请参照图2，当控制热管时，MCU芯片的Pin_io引脚发出高电平，三极管Q2的集电极至发射级导通，继电器吸合，此时继电器切换至热管所在的回路，MCU芯片的Heat引脚发出高电平信号，三极管Q1的集电极至发射级导通，可控硅SCR201的T1极至T2极导通，热管工作；MCU芯片的Heat 引脚发出低电平信号，三极管Q1的集电极至发射级截止，可控硅SCR201的T1 极至T2极截止，热管不工作。当控制蒸发盘时，MCU芯片的Pin_io引脚发出低电平，三极管Q2的集电极至发射级截止，继电器不吸合，此时继电器切换至蒸发盘所在的回路，MCU芯片的Heat引脚发出高电平信号，三极管Q1的集电极至发射级导通，可控硅SCR201的T1极至T2极导通，蒸发盘工作；MCU芯片的Heat引脚发出低电平信号，三极管Q1的集电极至发射级截止，可控硅SCR201 的T1极至T2极截止，蒸发盘不工作。本实施例中可控硅SCR201控制精度可达 0.02S。

本申请第十实施例提供一种蒸烤箱，所述蒸烤箱设有前述实施例一至九中任一项所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路。

显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。

Claims (10)

1.一种控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，用于蒸烤箱，其特征在于，所述电路包括：过零检测模块或电压检测模块、MCU芯片、可控硅、继电器、热管和蒸发盘；其中，

i)所述可控硅的输入端和所述过零检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述过零检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端；

或者：

ii)所述可控硅的输入端和所述电压检测模块的输入端均连接电源的火线输入端，所述可控硅的输出端连接所述继电器的输入端，所述电压检测模块的输出端连接所述MCU芯片的输入端，所述MCU芯片的第一输出端连接所述可控硅的控制端；所述继电器的第一输出端连接所述热管的输入端，所述继电器的第二输出端连接所述蒸发盘的输入端，所述MCU芯片的第二输出端连接所述继电器的控制端；所述热管的输出端和所述蒸发盘的输出端连接所述电源的零线输出端。

2.根据权利要求1所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述过零检测模块包括：电阻R101、电阻R102、电阻R104、电容C102和三极管Q1；其中，

所述电阻R101的一端连接所述MCU芯片的第一输出端，所述电阻R101的另一端连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极接地；所述电阻R104的一端、所述电容C102的阳极连接电源的输入端和所述可控硅的输入端，所述电阻R104的另一端、所述电容C102的阴极连接所述可控硅的控制端和所述电阻R102的一端，所述电阻R102的另一端连接所述三极管Q1的集电极。

3.根据权利要求2所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述过零检测模块还包括：电阻R103；其中，

所述电阻R103的一端连接所述电阻R101的另一端和所述三极管Q1的基极，所述电阻R103的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述过零检测模块还包括：电容C101；其中，

所述电容C101的阳极连接所述电阻R101的另一端、所述电阻R103的一端和所述三极管Q1的基极，所述电容C101的阴极接地。

5.根据权利要求1所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述MCU芯片和所述继电器之间，设有继电器控制模块。

6.根据权利要求5所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述继电器控制模块包括：电阻R106、三极管Q2、二极管D1和继电器控制电源；其中，

所述电阻R106的一端连接所述MCU芯片的第二输出端，所述电阻R106的另一端连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极连接继电器控制电源的负极；所述三极管Q2的集电极连接所述继电器的控制输出端、二极管D1的阳极，所述继电器的控制输入端和二极管D1的阴极连接所述继电器控制电源的正极。

7.根据权利要求6所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述继电器控制电源为直流电源。

8.根据权利要求6所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述继电器控制模块还包括：电阻R107；其中，

所述电阻R107的一端连接所述电阻R106的另一端、所述三极管Q2的基极，所述电阻R107的另一端连接继电器控制电源的负极。

9.根据权利要求2至4任一项所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路，其特征在于，所述电路还包括：电阻R105、电容C103；

所述电阻R105的一端连接所述电源的输入端、所述电阻R104的一端、所述电容C103的阳极和所述可控硅的输入端，所述电容C103的阴极连接所述可控硅的输出端、所述继电器的输入端。

10.一种蒸烤箱，其特征在于，所述蒸烤箱设有权利要求1至9任一项所述的控制热管和蒸发盘的单可控硅电路。

Images