CN209120505U - 加热电路及电磁炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种加热电路及电磁炉，该加热电路包括：微控制单元(10)、电平转换电路(20)、滤波电路(30)、电流放大电路(40)、驱动电路(50)以及功率开关管(60)；其中，所述电平转换电路(20)分别与所述微控制单元(10)和所述滤波电路(30)连接，所述电流放大电路(40)分别与所述滤波电路(30)和所述驱动电路(50)连接，所述驱动电路(50)还与所述功率开关管(60)连接，所述微控制单元(10)还与所述驱动电路(50)连接，本实施例通过调节微控制单元10输出的PWM波的占空比，实现了驱动电路的驱动电压可调。

Description

加热电路及电磁炉

技术领域

本实用新型涉及家电技术领域，尤其涉及一种加热电路及电磁炉。

背景技术

电磁炉是一种常见的用于加热的家用电器。电磁炉在工作时，利用高频交流电通过线圈盘以使放置在电磁炉上的锅具底部产生涡流，从而对电磁炉上设置的锅具进行加热。

现有技术中，电磁炉的工作电路主要包括谐振电路、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)驱动电路、IGBT以及微控制单元。工作时，微控制单元可以控制IGBT驱动电路的工作，以提供IGBT导通起点以及IGBT的驱动电压，使得谐振电路产生谐振电流，从而谐振电路的线圈盘产生周期性变化的磁场。

然而，对于电磁炉来说，IGBT的驱动电压一旦设定则无法改变，若IGB T的驱动电压设置较小，则无法满足大功率的需求，若IGBT的驱动电压设置较大，则在小功率工作时IGBT会带来不必要的发热。因此，亟需提供一种I GBT的驱动电压可调的方案，以满足各种需求。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种加热电路及电磁炉，以实现IGBT的驱动电压可调。

第一方面，本实用新型实施例提供一种加热电路，包括：微控制单元、电平转换电路、滤波电路、电流放大电路、驱动电路以及功率开关管；

其中，所述电平转换电路分别与所述微控制单元和所述滤波电路连接，所述电流放大电路分别与所述滤波电路和所述驱动电路连接，所述驱动电路还与所述功率开关管连接，所述微控制单元还与所述驱动电路连接。

本实施例提供的加热电路，包括：微控制单元、电平转换电路、滤波电路、电流放大电路、驱动电路以及功率开关管；该微控制单元用于将脉冲宽度调制PWM波输出至电平转换电路，还用于将脉冲程序信号输出至驱动电路，其中，微控制单元可输出不同占空比的PWM波，以调节驱动电路的驱动电压；电平转换电路用于将PWM波由低电平转换为高电平，滤波电路用于对高电平进行滤波处理，得到平滑的电信号；电流放大电路用于对电信号的电流进行放大处理，得到放大处理后的电信号，放大处理后的电信号为驱动电路提供电源，其中，不同占空比的PWM波对应的电源的电压不同；驱动电路在该电源电压下根据脉冲程序信号驱动功率开关管的通断，通过调节PWM波的占空比，实现了对驱动电压的调节，使得驱动电路能够根据工作状况选择合适的驱动电压。

在一种可能的设计中，所述电平转换电路包括三极管Q1和电阻R1；其中

所述三极管Q1的集电极分别与所述电阻R1的一端和所述滤波电路连接，所述三极管Q1的基极与所述微控制单元连接，所述三极管Q1的发射极接地；

所述电阻R1的另一端接第一电压。

本实施例通过采用包含三极管的电平转换电路，不仅便于实现，还安全可靠。

在一种可能的设计中，所述电平转换电路还包括：电阻R2；其中

所述电阻R2的一端与所述微控制单元连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管Q1的基极连接。

该电阻R2为限流电阻，通过电阻R2的限流，可以避免烧坏三极管Q1的发射极。

在一种可能的设计中，所述滤波电路为RC滤波电路，所述RC滤波电路包括电阻R3和电容EC1；其中

所述电阻R3的一端与所述电平转换电路连接，所述电阻R3的另一端分别与所述电容EC1的一端和所述电流放大电路连接；

所述电容EC1的另一端接地。

通过RC滤波电路来实现滤波，即仅通过一个电阻和一个电容就可以实现滤波，结构简单易于实现，便于降低成本。

在一种可能的设计中，所述电流放大电路包括三极管Q2；其中

所述三极管Q2的集电极接第二电压，所述三极管Q2的基极与所述滤波电路连接，所述三极管Q2的发射极分别与驱动电路和地连接。

本实施例通过三极管Q2作为射随器的连接方式，实现了电流放大作用，一方面使得电流可以带动负载，另一方面采用元器件少，结构简单易于实现，便于降低成本。

在一种可能的设计中，所述电流放大电路还包括：电容EC2和电容C1；其中

所述电容EC2的一端与所述三极管Q2的发射极连接，所述电容EC2的另一端接地；

所述电容C1的一端分别与所述三极管Q2的发射极和所述驱动电路连接，所述电容C1的另一端分别与所述电容EC2的另一端连接。

通过电容EC2和电容C1对放大后的电流进行滤波，以实现向驱动电路提供平滑的电信号。

在一种可能的设计中，所述功率开关管为绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述驱动电路包括：三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、电阻R4、电阻R5以及电阻R6，所述三极管Q5为PNP型三极管；

所述三极管Q3的集电极分别与所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极连接，所述三极管Q3的发射极接地；

所述三极管Q4的发射极分别与所述三极管Q5的发射极和所述IGBT的栅极连接，所述三极管Q4的集电极与第三电压连接或者与所述三极管Q2的发射极连接；

所述三极管Q5的集电极与所述三极管Q3的发射极连接，所述三极管Q5的发射极还与所述IGBT的栅极连接；

所述电阻R4的一端与所述微控制单元连接，所述电阻R4的另一端与所述三极管Q3的基极连接；

所述电阻R5的一端与所述三极管Q2的发射极连接，所述电阻R5的另一端分别与所述三极管Q4的基极和所述三极管Q3的集电极连接；

所述电阻R6的一端分别与所述微控制单元和所述电阻R4连接，所述电阻R6的另一端与所述三极管Q2的发射极或第三电压连接。

在一种可能的设计中，所述驱动电路还包括电容C2，其中

所述电容C2的一端分别与所述三极管Q3的集电极和所述三极管Q5的基极连接，所述电容C2的另一端分别与所述三极管Q3的发射极和所述三极管Q5的集电极连接。

在一种可能的设计中，所述驱动电路还包括：电阻R7和电阻R8；其中

所述电阻R7的一端与所述IGBT的栅极连接，另一端分别与所述三极管Q5的发射极和所述电阻R8的一端连接；

所述电阻R8的另一端与所述三极管Q4的发射极连接。

第二方面，本实用新型实施例提供一种电磁炉，包括如上第一方面或第一方面的各种可能的设计所述的加热电路。

本实用新型的构造以及它的其他实用新型目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明

图1为本实用新型提供的加热电路的结构示意图一；

图2为本实用新型提供的加热电路的结构示意图二；

图3为本实用新型提供的加热电路的结构示意图三；

图4为本实用新型提供的加热电路的结构示意图四。

附图标记说明：

10-微控制单元；

20-电平转换电路；

30-滤波电路；

40-电流放大电路；

50-驱动电路；

60-功率开关管。

具体实施方式

图1为本实用新型提供的加热电路的结构示意图一。如图1所示，该加热电路包括：微控制单元10、电平转换电路20、滤波电路30、电流放大电路40、驱动电路50以及功率开关管60；

其中，电平转换电路20分别与微控制单元10和滤波电路30连接，电流放大电路40分别与滤波电路30和驱动电路50连接，驱动电路50还与功率开关管60连接，微控制单元10还与驱动电路50连接；

本实施例提供的加热电路可以应用到电磁加热设备中，该电磁加热设备可以为任何通过电磁进行加热的设备。在本实施例中，以该电磁加热设备为电磁炉为例，进行详细说明。

电磁炉是运用高频电磁感应原理进行加热。通过IGBT的导通和关闭，使得谐振电路产生谐振电流，从而谐振电路的线圈盘产生周期性变化的磁场，磁力线经线圈与金属器皿底部构成的磁回路穿透炉面作用于锅底，利用小电阻大电流的短路热效应产生热量，在锅底形成涡流而发热，起到加热器皿中的食物的作用。本实施例对谐振电路的实现方式不做特别限制。

在本实施例中，为了解决IGBT的驱动电压为固定值，而无法改变的问题，本实施例通过微控制单元10输出不同占空比的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，PWM)来对IGBT的驱动电压进行调整。

其中，占空比是指电路被接通或工作的时间占整个电路工作周期的百分比。占空比不同，对应的驱动电压不同。比如说，占空比为50％。如果加在该工作元件上的信号电压为5V，则实际的工作电压平均值或电压有效值就是2.5V，或者，占空比为20％，如果加在该工作元件上的信号电压为5V，则实际的工作电压平均值或电压有效值就是4V。即占空比越小，对应的电压越大。

在具体实现过程中，微控制单元10根据电磁炉的工作条件，来确定PWM波的占空比。例如，当电磁炉的工作条件为小功率或低电压，则PWM的占空比较大，当电磁炉的工作条件为大功率或高电压，则PWM的占空比则较大。可以通过调节PWM的占空比，可以连续的调节功率开关管的驱动电压。

其中，该工作条件可以是微控制单元10根据电磁炉的加热模式或者火力大小等来确定，本实施例对具体的确定方式不做特别限制。

当微控制单元10确定PWM波的占空比后，根据该占空比生成PWM波。可选地，该PWM波可以为方波。微控制单元10将该方波输出至电平转换电路20。

电平转换电路20将该PWM波的低电平转换为高电平。在一种可能的实现方式中，由于微控制单元10可以提供的电平为5V，而驱动电压的范围为9-18V，因此，为了达到驱动电压所需的电压值，需要电平转换电路将低电平转换为高电平。该电平转换电路20可以为包括三极管的电平转换电路，还可以为包括二极管的电平转换电路，本实施例对电平转换电路的实现方式不做特别限制。

滤波电路30用于对高电平进行滤波处理，得到平滑的电信号，该平滑的电信号的电压幅值由PWM波的占空比决定。可选地，该滤波电路30可以为包括电容的各种电路，本实施例对滤波电路的实现方式不做特别限制。

电流放大电路40用于对电信号的电流进行放大处理，得到放大处理后的电信号。本领域技术人员可以理解，该电流放大电路40对电流进行放大，而对电压不进行放大。

具体地，对电流进行放大，较大的电流能够带动负载工作，而较小的电流则无法带动负载工作。由此，放大处理后的电信号为驱动电路50提供电源或者电平控制信号。该驱动电路50的电源即为功率开关管60的驱动电压。可选地，在本实施例中，该功率开关管60可以为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)其中，IGBT是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

进一步地，为了控制功率开关管60的开启或关闭，该微控制单元10还向驱动电路50发送脉冲程序信号。具体地，微控制单元10内可以设置脉冲程序发生器(ProgrammePulse Generator，PPG)，该PPG可以产生脉冲程序信号，该脉冲程序信号用于控制功率开关管的导通或关闭。

由此，当电磁炉工作在大功率或高电压时需要的电流较大，可以选择较小的占空比。而当电磁炉工作在小功率或低电压时需要的电流较小，可以选择较大的占空比，适当降低驱动电压，降低IGBT的启动电流以减小开通损耗，减小IGBT的发热，使得电磁炉的可靠性提高。

本实施例提供的加热电路，包括：微控制单元、电平转换电路、滤波电路、电流放大电路、驱动电路以及功率开关管；该微控制单元用于将脉冲宽度调制PWM波输出至电平转换电路，还用于将脉冲程序信号输出至驱动电路，其中，微控制单元可输出不同占空比的PWM波，以调节驱动电路的驱动电压；电平转换电路用于将PWM波由低电平转换为高电平，滤波电路用于对高电平进行滤波处理，得到平滑的电信号；电流放大电路用于对电信号的电流进行放大处理，得到放大处理后的电信号，放大处理后的电信号为驱动电路提供电源，其中，不同占空比的PWM波对应的电源的电压不同；驱动电路在该电源电压下根据脉冲程序信号驱动功率开关管的通断，通过调节PWM波的占空比，实现了对驱动电压的调节，使得驱动电路能够根据工作状况选择合适的驱动电压。

下面采用详细的实施例对本实用新型提供的加热电路进行详细说明。

图2为本实用新型提供的加热电路的结构示意图二，如图2所示，电平转换电路20包括三极管Q1和电阻R1，可选地，还包括电阻R2。其中

三极管Q1的集电极分别与电阻R1的一端和滤波电路30连接，三极管Q1的基极与微控制单元10连接，三极管Q1的发射极接地；电阻R1的另一端接第一电压，电阻R2的一端与微控制单元10连接，电阻R2的另一端与三极管Q1的基极连接。

在具体实现过程中，该PWM波包括高电平和低电平，当高电平输入三极管Q1时，三极管Q1导通，三极管Q1输出低电平；当低电平输入三极管Q1时，三极管Q1截止，由于电阻R1为上拉电阻，所以在电阻R1的作用下，三极管Q1输出为高电平。由此可知，PWM波经过三极管Q1之后，实现了反相和电平转换。

可选地，该电阻R2为限流电阻，通过电阻R2的限流，可以避免烧坏三极管Q1的发射极。

本实施例通过采用包含三极管的电平转换电路，不仅便于实现，还安全可靠。

请继续参照图2所示，在一种可能的实现方式中，本实施例提供的滤波电路30为RC滤波电路，该RC滤波电路包括电阻R3和电容EC1；其中，电阻R3的一端与电平转换电路20连接，电阻R3的另一端分别与电容EC1的一端和电流放大电路40连接；电容EC1的另一端接地。

具体地，RC滤波电路的电阻R3串联在主电路中，电容EC1在干路中。该电容EC1可以实现滤波的作用。RC滤波电路可以将连续的脉冲波或脉冲直流电滤波为平滑的纯直流电。具体地，在脉冲上升沿时，输出电压由0V缓慢上升为U，并通过电阻R3为电容EC1充电，在脉冲持续期内，U保持不变，电容两端电压随时间呈直线上升。当脉冲持续期后，U缓慢下降为0，电容EC1通过电阻R3放电，电容两端电压随时间下降。由于电容EC1充放电很慢，所以可以滤波得到平滑的纯直流电。

本实施例通过RC滤波电路来实现滤波，即仅通过一个电阻和一个电容就可以实现滤波，结构简单易于实现，便于降低成本。

请继续参照图2所示，在一种可能的实现方式中，本实施例提供的电流放大电路40包括三极管Q2；其中，三极管Q2的集电极接第二电压，三极管Q2的基极与滤波电路30连接，三极管Q2的发射极分别与驱动电路50和地连接。

在本实施例中，该三极管Q2可以理解为射随跟随器，电信号从基极输入，从发射极输出，对从基极输入的电流进行放大处理。其中，该第二电压与上述的第一电压可以为相同的电源也可以为不同的电源，本实施例此处不做特别限制。

在经过三极管Q2的电流放大处理后，在三极管Q2的发射极得到和三极管Q2的基极等电压的信号作为驱动电路的供电，即电源。

本实施例通过三极管Q2作为射随器的连接方式，实现了电流放大作用，一方面使得电流可以带动负载，另一方面采用元器件少，结构简单易于实现，便于降低成本。

可选地，请继续参照图2所示，电流放大电路40还包括：电容EC2和电容C1；其中，电容EC2的一端与三极管Q2的发射极连接，电容EC2的另一端接地；电容C1的一端分别与三极管Q2的发射极和驱动电路50连接，电容C1的另一端分别与电容EC2的另一端连接。

在本实施例中，电容EC2和电容C1均可实现滤波的作用，相当于滤波电容。通过电容EC2和电容C1对放大后的电流进行滤波，以实现向驱动电路提供平滑的电信号。

下面采用详细的实施例来说明驱动电路的具体实现方式。

图3为本实用新型提供的加热电路的结构示意图三；如图3所示，功率开关管60为IGBT；该驱动电路50包括：三极管Q3、三极管Q4以及三极管Q5、电阻R4、电阻R5以及电阻R6。其中，该三极管Q5为PNP型三极管，上述的三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4均为NPN型三极管。

微控制单元10用于将脉冲程序信号输出至三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极分别与三极管Q4的基极和三极管Q5的基极连接，三极管Q3的发射极接地；

三极管Q4的发射极分别与所述三极管Q5的发射极和IGBT的栅极连接，三极管Q4的集电极与三极管Q2的发射极连接；

三极管Q5的集电极与三极管Q3的发射极连接，所述三极管Q5的发射极还与IGBT的栅极连接。

电阻R5的一端与三极管Q2的发射极连接，电阻R5的另一端分别与三极管Q4的基极和三极管Q3的集电极连接；

电阻R6的一端分别与所述微控制单元10和电阻R4连接，所述电阻R6的另一端与三极管Q2的发射极或第三电压连接；

在本实施例中，电阻R4、电阻R5以及电阻R6例如可以起到限流、限压或充当负载等功能。在具体实现过程中，可根据电阻在电路中的位置和电路的性能而起到相应的作用。

在本实施例中，三极管Q4和三极管Q5组成推挽式驱动电路。在具体实现过程中，将脉冲程序信号输入至三极管Q3后，该三极管Q3能够对脉冲程序信号进行反向和电平转换，即将脉冲程序信号由低电平转换为高电平。具体地，当高电平输入三极管Q3时，三极管Q3导通，三极管Q3输出低电平；当低电平输入三极管Q3时，三极管Q3截止，电阻R5相当于上拉电阻，使得三极管Q3输出高电平，即三极管Q3可以对MCU输出的电平进行反相作用，将低电平转换为高电平，以满足三极管Q3的需求。由于微控制单元10可以提供的电平为5V，而需要达到的驱动电压的范围为9-18V，因此该三极管Q3需要将低电平转换为高电平。可选地，电阻R5还作为三极管Q3和三极管Q5的输入电阻。

当三极管Q3截止，三极管Q3输出高电平时，三极管Q4导通，三极管Q5截止，由于三极管Q4采用射随器接法，三极管Q4的发射极的电压等于三极管Q4的基极的电压，而该三极管Q4的基极的电压是由三极管Q2的发射极电压决定的。此时，三极管Q4的发射极的电压给IGBT的栅极提供电压，IGBT导通，线盘开始储能。

当三极管Q3导通，三极管Q3输出低电平时，三极管Q4截止，三极管Q5导通，IGBT的栅极接地，IGBT关断。此时，线盘感应电压对谐振电路放电，形成了振荡。

进一步地，电阻R4的一端与微控制单元10连接，电阻R4的另一端与三极管Q3的基极连接；电阻R5的一端与三极管Q2的发射极连接，电阻R5的另一端分别与三极管Q4的基极和三极管Q3的集电极连接；电阻R6的一端分别与微控制单元10和电阻R4连接，电阻R6的另一端分别与三极管Q2的发射极和三极管Q4的集电极连接。

例如，电阻R4可以在MCU输出的脉冲程序信号为低电平时，防止三极管Q3的误导通。例如，该低电平为0.3V时，若没有电阻R4，则三极管Q3会将该低电平0.3V误以为高电平，导致三极管Q3的错误导通，而该电阻R4作为负载，起到了限压和分压的作用，使得在MCU输出低电平时，到达三极管Q3的电压为0。

在本实施例中，MCU输出的脉冲程序信号为高电平，实质上为MCU在针对三极管Q3而言，信号输入为开路，此时，三极管Q3的基极的输入之所以为高电平，是因为三极管Q2输出的电平经电阻R6和电阻R4输入至三极管Q3，实现了三极管Q3的基极的输入为高电平。

可选地，该驱动电路还包括电容C2，电容C2的一端分别与三极管Q3的集电极和三极管Q5的基极连接，电容C2的另一端分别与三极管Q3的发射极和三极管Q5的集电极连接。该电容C2可以作为高频旁路，同时还可以作为平缓驱动电路波形作用。

可选地，该驱动电路还包括：电阻R7和电阻R8。电阻R7的一端与IGBT的栅极连接，另一端分别与三极管Q5的发射极和电阻R8的一端连接；电阻R8的另一端与所述三极管Q4的发射极连接。在本实施例中，电阻R7和电阻R8起到限流作用。

图4为本实用新型提供的加热电路的结构示意图四。如图4所示，图4所示实施例与图3所示实施例所不同的是，电阻R6的另一端与第三电压连接，而三极管Q4的集电极与第三电压连接。该第三电压与前述的第二电压或第一电压可以相同或不同，本实施例此处不再赘述。

当MCU在针对三极管Q3而言，信号输入为开路，此时，三极管Q3的输入之所以为高电平，第三电压输出的电平经电阻R6和电阻R4输入至三极管Q3，实现了三极管Q3的基极的输入为高电平。

综上，在图3和图4所示的示例中，通过调节三极管Q4的基极电压来实现调节驱动电压的目的，由此，可以减小三极管Q1的功率和滤波电容的容量。

本实用新型实施例还提供一种电磁炉，包括如上图1至图4所述的加热电路。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种加热电路，其特征在于，包括：微控制单元(10)、电平转换电路(20)、滤波电路(30)、电流放大电路(40)、驱动电路(50)以及功率开关管(60)；

其中，所述电平转换电路(20)分别与所述微控制单元(10)和所述滤波电路(30)连接，所述电流放大电路(40)分别与所述滤波电路(30)和所述驱动电路(50)连接，所述驱动电路(50)还与所述功率开关管(60)连接，所述微控制单元(10)还与所述驱动电路(50)连接。

2.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述电平转换电路(20)包括三极管Q1和电阻R1；其中

所述三极管Q1的集电极分别与所述电阻R1的一端和所述滤波电路(30)连接，所述三极管Q1的基极与所述微控制单元(10)连接，所述三极管Q1的发射极接地；

所述电阻R1的另一端接第一电压。

3.根据权利要求2所述的加热电路，其特征在于，所述电平转换电路(20)还包括：电阻R2；其中

所述电阻R2的一端与所述微控制单元(10)连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管Q1的基极连接。

4.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述滤波电路(30)为RC滤波电路，所述RC滤波电路包括电阻R3和电容EC1；其中

所述电阻R3的一端与所述电平转换电路(20)连接，所述电阻R3的另一端分别与所述电容EC1的一端和所述电流放大电路(40)连接；

所述电容EC1的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述电流放大电路(40)包括三极管Q2；其中

所述三极管Q2的集电极接第二电压，所述三极管Q2的基极与所述滤波电路(30)连接，所述三极管Q2的发射极分别与驱动电路(50)和地连接。

6.根据权利要求5所述的加热电路，其特征在于，所述电流放大电路(40)还包括：电容EC2和电容C1；其中

所述电容EC2的一端与所述三极管Q2的发射极连接，所述电容EC2的另一端接地；

所述电容C1的一端分别与所述三极管Q2的发射极和所述驱动电路(50)连接，所述电容C1的另一端分别与所述电容EC2的另一端连接。

7.根据权利要求1至6任一项所述的加热电路，其特征在于，所述功率开关管(60)为绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述驱动电路(50)包括：三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、电阻R4、电阻R5以及电阻R6，所述三极管Q5为PNP型三极管；

所述三极管Q3的集电极分别与所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极连接，所述三极管Q3的发射极接地；

所述三极管Q4的发射极分别与所述三极管Q5的发射极和所述IGBT的栅极连接，所述三极管Q4的集电极与第三电压连接或者与所述三极管Q2的发射极连接；

所述三极管Q5的集电极与所述三极管Q3的发射极连接，所述三极管Q5的发射极还与所述IGBT的栅极连接；

所述电阻R4的一端与所述微控制单元(10)连接，所述电阻R4的另一端与所述三极管Q3的基极连接；

所述电阻R5的一端与所述三极管Q2的发射极连接，所述电阻R5的另一端分别与所述三极管Q4的基极和所述三极管Q3的集电极连接；

所述电阻R6的一端分别与所述微控制单元(10)和所述电阻R4连接，所述电阻R6的另一端与所述三极管Q2的发射极或第三电压连接。

8.根据权利要求7所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(50)还包括电容C2，其中

所述电容C2的一端分别与所述三极管Q3的集电极和所述三极管Q5的基极连接，所述电容C2的另一端分别与所述三极管Q3的发射极和所述三极管Q5的集电极连接。

9.根据权利要求8所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(50)还包括：电阻R7和电阻R8；其中

所述电阻R7的一端与所述IGBT的栅极连接，另一端分别与所述三极管Q5的发射极和所述电阻R8的一端连接；

所述电阻R8的另一端与所述三极管Q4的发射极连接。

10.一种电磁炉，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的加热电路。