CN208434139U - 加热电路及电磁炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种加热电路及电磁炉，该加热电路包括微控制单元、驱动电路、功率开关管以及电压控制电路；微控制单元的第一输出端与驱动电路的第一输入端连接，驱动电路的输出端与功率开关管连接；微控制单元的第二输出端与电压控制电路的输入端连接，电压控制电路的输出端与驱动电路的第二输入端连接；电压控制电路用于根据微控制单元的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；驱动电路用于根据微控制单元的第一输出端输出的第一控制信号以及目标驱动电压，驱动功率开关管的开通和关断。本实用新型提供的加热电路，无需设置多个驱动电路以及多个电源VCC，简化了电路结构，降低了电路成本。

Description

加热电路及电磁炉

技术领域

本实用新型涉及家电技术领域，尤其涉及一种加热电路及电磁炉。

背景技术

电磁炉是一种常见的用于加热的家用电器。电磁炉在工作时，利用交变磁场在锅底产生涡流对锅具进行加热，其中，交变磁场是通过绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)的开通和关断来使线圈盘和谐振电路谐振产生的。

IGBT是加热电路中的重要组成部分，通常利用IGBT驱动电路来控制IGBT的开通或关断。具体的，IGBT驱动电路的输入端与微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)连接，输出端与IGBT连接，IGBT驱动电路中包括电源VCC，IGBT驱动电路根据MCU输出的控制信号以及电源VCC的电压向IGBT输出驱动电压的驱动信号(驱动信号的高电平对应的驱动电压近似为电源VCC电压，低电平对应的驱动电压近似为0V)，用以驱动IGBT的开通或者关断。

IGBT在不同工作状态下通常需要不同的驱动电压，因此，现有技术中，加热电路中通常包括两路(或者以上)IGBT驱动电路(如图1所示)，其中，每一路IGBT驱动电路配合一个电源VCC，从而使得IGBT在不同工作状态时可以获取不同的驱动电压对应的驱动信号。然而，上述的加热电路，需要多路IGBT驱动电路以及多个电源VCC，电路比较复杂，成本较高。

实用新型内容

本实用新型提供一种加热电路及电磁炉，在单驱动电路的基础上，能够实现向IGBT输出不同的驱动电压，简化了电路结构，降低了电路成本。

第一方面，本实用新型提供一种加热电路，包括：微控制单元10、驱动电路20、功率开关管30以及电压控制电路40；

其中，所述微控制单元10的第一输出端与所述驱动电路20的第一输入端连接，所述驱动电路20的输出端与所述功率开关管30连接；所述微控制单元的10第二输出端与所述电压控制电路40的输入端连接，所述电压控制电路40的输出端与所述驱动电路20的第二输入端连接；

所述电压控制电路40用于根据所述微控制单元10的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；所述驱动电路20用于根据所述微控制单元10的第一输出端输出的第一控制信号以及所述目标驱动电压，向所述功率开关管30输出驱动信号，以驱动所述功率开关管30的开通和关断。

可选的，所述电压控制电路40包括：第一三极管Q1以及稳压器件；

所述第一三极管Q1的基极与所述微控制单元10的第二输出端连接，集电极与所述稳压器件的第一端连接，发射极接地；所述稳压器件的第二端与所述驱动电路20的第二输入端连接。

可选的，所述稳压器件为稳压二极管DW1，所述稳压二极管DW1的正极与所述第一三极管Q1的集电极连接，负极与所述驱动电路20的第二输入端连接。

可选的，所述电压控制电路40还包括：第一电阻R1；

所述第一电阻R1的第一端与所述微控制单元10的第二输出端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第一三极管Q1的基极连接。

可选的，所述驱动电路20包括：电源VCC、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4；

其中，所述第二三极管Q2的基极与所述微控制单元10的第二输出端连接，集电极分别与所述电压控制电路40的输出端、所述电源VCC、所述第三三极管Q3的基极、第四三极管Q4的基极连接，发射极接地；

所述第三三极管Q3的集电极与所述电源VCC连接，发射极与所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第四三极管Q4的集电极接地。

可选的，所述驱动电路20还包括：第二电阻R2和第三电阻R3；

所述第二电阻R2的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的基极、所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地。

可选的，所述驱动电路20还包括：第四电阻R4；

所述第四电阻R4的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的集电极、所述第三三极管Q3的基极连接。

可选的，所述驱动电路20还包括：第五电阻R5和第六电阻R6；

所述第五电阻R5的第一端与所述第三三极管Q3的发射极连接，第二端分别与所述第六电阻R6的第一端、所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第六电阻R6的第二端与所述功率开关管30连接。

可选的，所述功率开关管30为绝缘栅双极型晶体管IGBT。

第二方面，本实用新型提供一种电磁炉，包括如第一方面任一项所述的加热电路。

本实用新型提供的加热电路及电磁炉，该加热电路包括微控制单元10、驱动电路20、功率开关管30以及电压控制电路40；其中，所述微控制单元10的第一输出端与所述驱动电路20的第一输入端连接，所述驱动电路20的输出端与所述功率开关管30连接；所述微控制单元的10第二输出端与所述电压控制电路40的输入端连接，所述电压控制电路40的输出端与所述驱动电路20的第二输入端连接；所述电压控制电路40用于根据所述微控制单元10的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；所述驱动电路20用于根据所述微控制单元10的第一输出端输出的第一控制信号以及所述目标驱动电压，向所述功率开关管30输出驱动信号，以驱动所述功率开关管30的开通和关断。本实用新型的加热电路，当功率开关管30需要不同的驱动电压时，电压控制电路40可以根据微控制单元10的第二控制信号获取到功率开关管30所需要的目标驱动电压，从而无需针对功率开关管30所需的每个驱动电压分别设置驱动电路以及电源VCC，节省了电源VCC的数量，简化了电路结构，降低了电路成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中加热电路的结构示意图；

图2为本实用新型提供的加热电路的结构示意图一；

图3为本实用新型提供的加热电路的结构示意图二；

图4为本实用新型提供的加热电路的结构示意图三；

图5为本实用新型提供的加热电路的结构示意图四。

附图标记说明：

10：微控制单元；

20：驱动电路；

30：功率开关管；

40：电压控制电路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

图1为现有技术中加热电路的结构示意图，如图1所示，IGBT驱动电路的输入端与微控制单元MCU连接，输出端与IGBT连接，IGBT驱动电路中包括电源VCC，IGBT驱动电路根据微控制单元MCU输出的控制信号以及电源VCC的电压向IGBT输出驱动信号(驱动信号的高电平近似为电源VCC电压，低电平近似为0V)，用以驱动IGBT的开通或者关断。

由于IGBT在不同工作状态下通常需要不同的驱动电压，因此，现有技术中，如图1所示，加热电路中通常包括两路(或者以上)IGBT驱动电路，其中，每一路IGBT驱动电路配合一个电源VCC，从而使得IGBT在不同工作状态时可以获取不同的驱动电压对应的驱动信号。然而，上述的加热电路，需要多路IGBT驱动电路以及多个电源VCC，电路比较复杂，成本较高。

为解决上述问题，本实用新型提供一种加热电路以及电磁炉，无需在加热电路中设置多路IGBT驱动电路以及多个电源VCC，也就是说，在单驱动电路的基础上，即可实现为IGBT输出不同的驱动电压对应的驱动信号，从而简化电路结构，降低电路成本。

下面以具体地实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图2为本实用新型提供的加热电路的结构示意图一。如图2所示，该加热电路包括：微控制单元10、驱动电路20、功率开关管30以及电压控制电路40。

其中，所述微控制单元10的第一输出端与所述驱动电路20的第一输入端连接，所述驱动电路20的输出端与所述功率开关管30连接；所述微控制单元的10第二输出端与所述电压控制电路40的输入端连接，所述电压控制电路40的输出端与所述驱动电路20的第二输入端连接。

所述电压控制电路40用于根据所述微控制单元10的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；所述驱动电路20用于根据所述微控制单元10的第一输出端输出的第一控制信号以及所述目标驱动电压，向所述功率开关管30输出驱动信号，以驱动所述功率开关管30的开通和关断。

本实施例提供的加热电路可以应用到电磁加热设备中，该电磁加热设备可以为任何通过电磁进行加热的设备。在本实施例中，以该电磁加热设备为电磁炉为例，进行详细说明。

电磁炉是运用高频电磁感应原理进行加热。它将市电整流滤波后得到的脉动直流转换为谐振电流，通过加热线圈建立高频磁场，磁力线经线圈与金属器皿底部构成的磁回路穿透炉面作用于锅底，利用小电阻大电流的短路热效应产生热量，在锅底形成涡流而发热，起到加热器皿中的食物的作用。

在电磁炉的工作中，利用交变磁场在锅底产生涡流对锅具进行加热，其中，交变磁场是通过功率开关管30的开通和关断来使线圈盘和谐振电路谐振产生的。具体的，驱动电路20在微控制单元10的控制下，向功率开关管30输出驱动信号，以驱动功率开关管30的开通和关断。

在本实施例中，该功率开关管41可以为绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)，对应地，该驱动电路40可以为IGBT驱动电路。其中，IGBT是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

现有技术中，当IGBT不同工作状态对应的驱动电压不同时，需要在加热电路中包括两个或者多个驱动电路。结合图1，微控制单元向驱动电路输出的控制信号为电压的矩形波信号，例如：矩形波信号的高电平为5V，低电平为0V。

若IGBT处于第一工作状态且需要的驱动电压为18V，则采用第一驱动电路(第一驱动电路中的电源VCC为18V)对IGBT进行驱动。具体的，第一驱动电路接收到微控制单元输出的控制信号后，将控制信号进行电平转换(将0-5V的矩形波信号转换为为0-18V的矩形波信号)，并经过推挽电路向IGTB输出18V的驱动电压对应的矩形波信号。若IGBT处于第二工作状态且需要的驱动电压为12V，则采用第二驱动电路(第二驱动电路中的电源VCC为12V)对IGBT进行驱动。即第二驱动电路将微控制单元输出的控制信号进行电平转换(0-5V的矩形波信号转换为为0-12V的矩形波信号)，并经过推挽电路向IGTB输出12V的驱动电压对应的矩形波信号。

与上述现有技术中的对IGBT驱动方式不同，本实施例中，加热电路在单驱动电路的基础上，也可以实现向IGBT输出不同的驱动电压对应的驱动信号。如图2所示，在加热电路中增加电压控制电路40，电压控制电路40可以获取到IGBT所需要的目标驱动电压。

本实施例中，微控制单元10可以通过第一输出端向驱动电路20输出第一控制信号，以使驱动电路20可以根据第一控制信号的高低电平驱动IGBT的开通和关断。微控制单元10还可以通过第二输出端向电压控制电路40输出第二控制信号，以使电压控制电路40可以根据第二控制信号的高低电平获取到IGBT所需要的目标驱动电压。上述的第一控制信号和第二控制信号都可以是电压的矩形波信号，例如：矩形波信号的高电平为5V，低电平为0V。但是，上述的第一控制信号和第二控制信号的高低电平的时序不同，第一控制信号中高低电平的时序用于指示IGBT开通和关断的时序，第二控制信号中的高低电平的时序用于指示IGBT所需要的目标驱动电压的切换时序。

具体的，微控制单元10可以根据IGBT所处的工作状态以及所需的驱动电压，通过第二输出端向电压控制电路40输出第二控制信号。例如，当IGBT处于第一工作状态，所需的驱动电压为18V时，微控制单元10输出的第二控制信号为高电平；当IGBT处于第二工作状态，所需的驱动电压为12V时，微控制单元10输出的第二控制信号为低电平。进而，电压控制电路40根据第二控制信号获取IGBT所需的目标驱动电压(18V或者12V)，并将该目标驱动电压输出给驱动电路20，以使驱动电路20根据微控制单元10的第一输出端输出的第一控制信号以及该目标驱动电压，向IGBT输出驱动信号，实现对IGBT的开通和关断的控制。

本实施例中，当IGBT处于不同的工作状态时，电压控制电路40可以根据微控制单元10的第二控制信号获取到IGBT所需要的目标驱动电压，从而无需针对IGBT所需的每个驱动电压分别设置驱动电路以及电源VCC，节省了电源VCC的数量，简化了电路结构，降低了电路成本。

需要说明的是，驱动电路20可以采用现有的驱动电路的结构，本实施例对此不作具体限制。另外，本实施例中涉及到的高电平和低电平的数值均为举例说明，本实用新型对此并不作具体限定。

本实施例提供的加热电路及电磁炉，该加热电路包括微控制单元10、驱动电路20、功率开关管30以及电压控制电路40；其中，所述微控制单元10的第一输出端与所述驱动电路20的第一输入端连接，所述驱动电路20的输出端与所述功率开关管30连接；所述微控制单元的10第二输出端与所述电压控制电路40的输入端连接，所述电压控制电路40的输出端与所述驱动电路20的第二输入端连接；所述电压控制电路40用于根据所述微控制单元10的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；所述驱动电路20用于根据所述微控制单元10的第一输出端输出的第一控制信号以及所述目标驱动电压，向所述功率开关管30输出驱动信号，以驱动所述功率开关管30的开通和关断。本实施例的加热电路，当功率开关管30需要不同的驱动电压时，电压控制电路40可以根据微控制单元10的第二控制信号获取到功率开关管30所需要的目标驱动电压，从而无需针对功率开关管30所需的每个驱动电压分别设置驱动电路以及电源VCC，节省了电源VCC的数量，简化了电路结构，降低了电路成本。

下面采用详细的实施例对本实用新型提供的加热电路进行详细说明。

图3为本实用新型提供的加热电路的结构示意图二，如图3所示，在上述实施例的基础上，电压控制电路40可以包括：第一三极管Q1以及稳压器件。

其中，所述第一三极管Q1的基极与所述微控制单元10的第二输出端连接，集电极与所述稳压器件的第一端连接，发射极接地；所述稳压器件的第二端与所述驱动电路(20)的第二输入端连接。

需要说明的是，所述稳压器件可以为具有稳压功能的任一电子器件。可选的，如图3所示，稳压器件为稳压二极管DW1。

具体的，所述稳压二极管DW1的正极与所述第一三极管Q1的集电极连接，负极与所述驱动电路20的第二输入端连接。

结合图3，当微控制单元10向电压控制电路40输出高电平(例如5V)时，第一三极管Q1饱和导通，电压控制电路40的输出端Va点的电压为稳压二极管DW1的额定稳定电压。进一步的，驱动电路20根据该目标驱动电压实现对功率开关管30开通和关断的控制。

当微控制单元10向电压控制电路40输出低电平(例如0V)时，第一三极管Q1截止，此时本实施例的加热电路与现有技术中的加热电路类似，此处不再赘述。

需要说明的是，本实施例中对于稳压二极管DW1的额定稳定电压不作具体限定，可以理解的，可以根据IGBT所需要的目标驱动电压，合理选择相应的稳压二极管DW1。

可选的，如图3所示，所述电压控制电路40还包括：第一电阻R1。

所述第一电阻R1的第一端与所述微控制单元10的第二输出端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第一三极管Q1的基极连接。

其中，第一电阻R1为限流电阻，可以用于调节电压控制电路40中的电流的大小，并对第一三极管Q1起到保护作用。

另外，本实施例中，对于第一电阻R1的阻值不作具体限定，可以根据实际情况进行合理设置。

本实施例提供的加热电路中，电压控制电路40包括第一三极管Q1、稳压二极管DW1以及第一电阻R1，电路结构简单，并且器件成本低，与现有技术中需要多路驱动电路以及多个VCC电源相比，简化了电路结构，降低了电路成本。

图4为本实用新型提供的加热电路的结构示意图三，在上述实施例的基础上，本实施例对加热电路中的驱动电路的结构进行描述。如图4所示，所述驱动电路包括：电源VCC、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4。

其中，所述第二三极管Q2的基极与所述微控制单元10的第二输出端连接，集电极分别与所述电压控制电路40的输出端、所述电源VCC、所述第三三极管Q3的基极、第四三极管Q4的基极连接，发射极接地。

所述第三三极管Q3的集电极与所述电源VCC连接，发射极与所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第四三极管Q4的集电极接地。

具体的，第二三极管Q2为电平转换三极管，用于对微控制单元10输出第一控制信号进行电平转换，例如，当第一控制信号为矩形波信号时，将矩形波中的高电平转换为低电平，将矩形波中的低电平转换为高电平。需要说明的是，本实施例中，第二三极管Q2在进行电平转换时时，还根据电压控制电路40输出的目标驱动电压进行转换，例如：转换后的矩形波中的高电平对应该目标驱动电压，转换后的矩形波中的低电平对应0V。

如图4所示，第三三极管Q3为NPN型三极管，第四三极管Q4为PNP型三极管，第三三极管Q3和第四三极管Q4组成推挽电路。

其中，推挽电路是指采用两个对称的功率开关管以推挽方式存在的电路。两个功率开关管分别受两个互补信号的控制，总是在一个功率开关管导通的时候另一个功率开关管截止。功率开关管可以为双极结型晶体管或者金属-氧化物半导体场效应晶体管。由于每次只有一个功率开关管导通，因此，推挽电路的导通损耗小、效率高，既提高了电路的负载能力，又提高了开关速度。

图5为本实用新型提供的加热电路的结构示意图四，在图4所示实施例的基础上，如图5所示，驱动电路还可以包括：第二电阻R2和第三电阻R3。

所述第二电阻R2的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的基极、所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地。

可以理解的，第二电阻R2和第三电阻R3为配合第二三极管Q2使用的分压电阻，还可以对第二三极管Q2起到一定的保护作用。

可选的，如图5所示，本实施例的加热电路中，驱动电路还可以包括：第四电阻R4；所述第四电阻R4的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的集电极、所述第三三极管Q3的基极连接。

可以理解的，第四电阻R4为配合第三三极管Q3使用的偏压电阻，并且，第四电阻R4还可以起到一定的限流作用。

可选的，如图5所示，本实施例的加热电路中，驱动电路还可以包括：第五电阻R5和第六电阻R6。

其中，所述第五电阻R5的第一端与所述第三三极管Q3的发射极连接，第二端分别与所述第六电阻R6的第一端、所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第六电阻R6的第二端与所述功率开关管(30)连接。

第五电路R5和第六电阻R6为IGBT开通时的栅极电阻，第五电阻R5和第六电阻R6越大，则IGBT开通时产生的浪涌电压越小，相应的，IGBT开通时间越长。

第六电阻R6为IGBT关断时的栅极电阻，第六电阻R6越大，则IGBT关断时产生的浪涌电压越小，相应的，IGBT关断时间越长。

需要说明的是，本实施例对于第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6的具体取值不作具体限定，可以根据需要进行设置。

下面结合图5来说明本实施例的加热电路的工作原理。

假设微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为电压的矩形波信号，例如：矩形波信号的高电平为5V，低电平为0V。IGBT有两种工作状态，在第一工作状态下需要的驱动电压为18V，在第二工作状态下需要的驱动电压为12V。驱动电路20中的电源VCC为18V，电压控制电路40中的稳压二极管的额定稳定电压为12V。

当微控制单元10向电压控制电路40输出第二控制信号为高电平(5V)时，第一三极管Q1饱和导通，从而电压控制电路40输出端Va点处的电压为稳压二极管DW1的额定稳定电压(12V)。若微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为低电平，则第二三极管Q2截止，第三三极管Q3导通，从而驱动电路20向IGBT输出的为高电平(近似Va点的电压，即12V)；若微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为高电平，则第二三极管Q2导通，第四三极管Q4导通，从而驱动电路20向IGBT输出的为低电平(近似0V)。

当微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为低电平(0V)时，第一三极管Q1截止，电压控制电路40不起作用。下述的控制原理与现有技术类似：若微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为低电平，则第二三极管Q2截止，第三三极管Q3导通，从而驱动电路20向IGBT输出的为高电平(近似为电源VCC的电压)；若微控制单元10向驱动电路20输出的第一控制信号为高电平，则第二三极管Q2导通，第四三极管Q4导通，从而驱动电路20向IGBT输出的为低电平(近似0V)。

由此可见，本实施例的加热电路可以向IGBT分别输出两种驱动电压(电源VCC的电压以及稳压二极管DW1的额定稳定电压)对应的驱动信号，因此，可以通过选择合适的稳压二极管DW1以及电源VCC，使得本实施例的加热电路能够向IGBT输出合适的驱动电压，实现对IGBT在不同工作状态下的开通和关断的控制。

可以理解的，本实施例的加热电路中，电压控制电路的数量可以为多个，从而使得加热电路可以向IGBT输出的驱动电压的数量增多，满足对IGBT的多个工作状态下的开通和关断进行控制的需求。

本实用新型还提供一种电磁炉，该电磁炉包括上图1至图4所示的加热电路，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种加热电路，其特征在于，包括：微控制单元(10)、驱动电路(20)、功率开关管(30)以及电压控制电路(40)；

其中，所述微控制单元(10)的第一输出端与所述驱动电路(20)的第一输入端连接，所述驱动电路(20)的输出端与所述功率开关管(30)连接；所述微控制单元(10)的第二输出端与所述电压控制电路(40)的输入端连接，所述电压控制电路(40)的输出端与所述驱动电路(20)的第二输入端连接；

所述电压控制电路(40)用于根据所述微控制单元(10)的第二输出端输出的第二控制信号获取目标驱动电压；所述驱动电路(20)用于根据所述微控制单元(10)的第一输出端输出的第一控制信号以及所述目标驱动电压，向所述功率开关管(30)输出驱动信号，以驱动所述功率开关管(30)的开通和关断。

2.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述电压控制电路(40)包括：第一三极管Q1以及稳压器件；

所述第一三极管Q1的基极与所述微控制单元(10)的第二输出端连接，集电极与所述稳压器件的第一端连接，发射极接地；所述稳压器件的第二端与所述驱动电路(20)的第二输入端连接。

3.根据权利要求2所述的加热电路，其特征在于，所述稳压器件为稳压二极管DW1，所述稳压二极管DW1的正极与所述第一三极管Q1的集电极连接，负极与所述驱动电路(20)的第二输入端连接。

4.根据权利要求3所述的加热电路，其特征在于，所述电压控制电路(40)还包括：第一电阻R1；

所述第一电阻R1的第一端与所述微控制单元(10)的第二输出端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第一三极管Q1的基极连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(20)包括：电源VCC、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4；

其中，所述第二三极管Q2的基极与所述微控制单元(10)的第二输出端连接，集电极分别与所述电压控制电路(40)的输出端、所述电源VCC、所述第三三极管Q3的基极、第四三极管Q4的基极连接，发射极接地；

所述第三三极管Q3的集电极与所述电源VCC连接，发射极与所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第四三极管Q4的集电极接地。

6.根据权利要求5所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(20)还包括：第二电阻R2和第三电阻R3；

所述第二电阻R2的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的基极、所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地。

7.根据权利要求6所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(20)还包括：第四电阻R4；

所述第四电阻R4的第一端与所述电源VCC连接，第二端分别与所述第二三极管Q2的集电极、所述第三三极管Q3的基极连接。

8.根据权利要求7所述的加热电路，其特征在于，所述驱动电路(20)还包括：第五电阻R5和第六电阻R6；

所述第五电阻R5的第一端与所述第三三极管Q3的发射极连接，第二端分别与所述第六电阻R6的第一端、所述第四三极管Q4的发射极连接，所述第六电阻R6的第二端与所述功率开关管(30)连接。

9.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述功率开关管(30)为绝缘栅双极型晶体管IGBT。

10.一种电磁炉，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的加热电路。