CN202916554U - 用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器 - Google Patents

用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器 Download PDF

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CN202916554U CN 201220524269 CN201220524269U CN202916554U CN 202916554 U CN202916554 U CN 202916554U CN 201220524269 CN201220524269 CN 201220524269 CN 201220524269 U CN201220524269 U CN 201220524269U CN 202916554 U CN202916554 U CN 202916554U
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diode
mos tube
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晋兴强
章小兵
刘亚萍
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Abstract

本实用新型公开了用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其包括:加热器本体,其为具有依次首尾相接的第一边、第二边、第三边、第四边以及第五边的五边形结构;三个导电条,其分别固定在第一边、第三边以及第四边上,且第四边上的第三导电条设置在靠近第五边的一端;从三个导电条分别引出的三个电极;以及均与三个电极电性连接的驱动电路。本实用新型的优点在于:其通过对加热器上导电铜箔条的大小形状和位置的放置以及电极的引出,决定加热的路径,通过软硬件上的温度保护电路,来保证加热的可靠性,通过电路和软件上的控制来进行各个边加热的切换和加热的方式,从而达到在不规则加热基础上进行均匀加热的目的。

Description

用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器
技术领域
本实用新型涉及加热器,尤其是涉及用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器。
背景技术
在飞行器上,往往会根据受限的结构设计不规则形状的液晶显示器,因此它的加热器也是不规则形状的。
常见的液晶显示器的加热器是矩形的,可以在矩形加热器的两条对边贴上导电铜箔200,然后抽出两个电极1(见图1),就可以实现均匀加热。从图1可知两个电极100之间的面电阻是均匀的。
而对于不规则加热器,导电铜箔条和电极的引出将决定加热的均匀性,见图2,加热器为不规则的五边形结构。铜箔条和电极的安装位置不当,甚至会使加热器因加热不均匀而裂开。
实用新型内容
有鉴于此,有必要提供保证加热的可靠性的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器。
本实用新型是这样实现的,用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其包括:
加热器本体50,加热器本体50为具有依次首尾相接的第一边51、第二边52、第三边53、第四边54以及第五边55的五边形结构;
第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3,其分别固定在第一边51、第三边53以及第四边54上,且第四边54上的第三导电条3设置在靠近第五边55的一端:
从第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3分别引出的第一电极A、第二电极C、第三电极B;以及均与第一电极A、第二电极C、第三电极B电性连接的驱动电路。
作为上述方案的进一步改进,所述驱动电路包括:
控制单元61,控制单元61包括第三电极控制端Ab、第二电极控制端Cc、接地控制端D以及若干A/D接口:
加热电源:
硬件保护MOS管T3,硬件保护MOS管T3的源极连接于加热电源;
P沟道MOS管T1,P沟道MOS管T1的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T1的漏极连接于第三电极B,P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至P沟道MOS管T1的源极;
第一光电耦合器63,第一光电耦合器63的二极管的阴极连接至第三电极控制端Ab,第一光电耦合器63的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于上拉电源,第一光电耦合器63的三极管的发射极接地,第一光电耦合器63的三极管的集电极经由电阻R3连接至P沟道MOS管T1的栅极;
N沟道MOS管T2,N沟道MOS管T2的漏极连接于第一电极A,N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极B;
第二光电耦合器64,第二光电耦合器64的二极管的阴极连接至第三电极控制端Ab,第二光电耦合器64的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于上拉电源,第二光电耦合器64的三极管的发射极接地,第二光电耦合器64的三极管的集电极经由电阻R5连接至P沟道MOS管T1的源极,第二光电耦合器64的三极管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极,第二光电耦合器64的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6;
P沟道MOS管T5,P沟道MOS管T5的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极C,P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至P沟道MOS管T5的源极;
第三光电耦合器65,第三光电耦合器65的二极管的阴极连接至第二电极控制端Cc,第三光电耦合器65的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于上拉电源,第三光电耦合器65的三极管的发射极接地,述第三光电耦合器65的三极管的集电极经由电阻R9连接至P沟道MOS管T5的栅极;
N沟道MOS管T6,N沟道MOS管T6的漏极连接于第二电极C,N沟道MOS管T6的源极连接于第一电极A;
第四光电耦合器66,第四光电耦合器66的二极管的阴极连接至第二电极控制端Cc,第四光电耦合器66的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于上拉电源,第四光电耦合器66的三极管的发射极接地,第四光电耦合器66的三极管的集电极经由电阻R11连接至P沟道MOS管T5的源极,第四光电耦合器66的三极管的集电极还连接至N沟道MOS管T6的栅极,第四光电耦合器66的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12;
接地总开关MOS管T4,所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于N沟道MOS管T6的源极,接地总开关MOS管T4的源极接地;
第五光电耦合器67,第五光电耦合器67的输入端连接于接地控制端D,第五光电耦合器67的输出端连接于接地总开关MOS管T4的栅极;
若干温度传感器68,所述若干温度传感器68分别连接于所述若干A/D接口:
逻辑电路69,逻辑电路69的输入端连接于控制单元61,逻辑电路69的输出端连接于硬件保护MOS管T3的栅极。
作为上述方案的进一步改进,若干温度传感器68为三个第一热敏电阻71、第二热敏电阻72以及第三热敏电阻73,第一热敏电阻71设置在第五边55的中部,第二热敏电阻72设置在第二边52中部,第三热敏电阻73设置在第四边54中部。
作为上述方案的进一步改进,所述驱动电路还包括:
第一二极管D1,第一二极管D1的阳极连接于P沟道MOS管T5的栅极,第一二极管D1的阴极连接于P沟道MOS管T5的源极;
第二二极管D2,第二二极管D2的阴极连接于N沟道MOS管T6的栅极,第二二极管D2的阳极连接于N沟道MOS管T6的源极。
作为上述方案的进一步改进,所述驱动电路还包括:
第三二极管,第三二极管的阳极连接于P沟道MOS管T1的栅极,第三二极管的阴极连接于P沟道MOS管T1的源极;
第四二极管,第四二极管的阴极连接于N沟道MOS管T2的栅极,第四二极管的阳极连接于N沟道MOS管T2的源极。
本实用新型提供的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器的优点在于:其通过对加热器上导电铜箔条的大小形状和位置的放置以及电极的引出,决定加热的路径,通过软硬件上的温度保护电路,来保证加热的可靠性,通过电路和软件上的控制来进行各个边加热的切换和加热的方式,从而达到在不规则加热基础上进行均匀加热的目的,简而言之,可以有效的解决不规则加热器均匀加热的问题,实验结果验证:不规则加热器的表面温度差异小于10℃。
附图说明
图1为常见的液晶显示器的加热器的示意图。
图2为不规则加热器的结构示意图。
图3为本实用新型较佳实施方式提供的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器的结构示意图。
图4为图3中加热器的驱动电路示意图。
图5为图4中加热器的驱动电路的一类加热的电流流向示意图。
图6为图4中加热器的驱动电路的二类加热的电流流向示意图。
图7为图4中加热器的驱动电路的三类加热的电流流向示意图。
图8为图3中加热器的驱动电路的部分改进示意图。
主要符号说明:电极100、导电铜箔200、加热器本体50、第一边51、第二边52、第三边53、第四边54、第五边55、第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3、第一电极A、第二电极C、第三电极B、控制单元61、加热电源62、硬件保护MOS管T3、P沟道MOS管T1、第一光电耦合器63、N沟道MOS管T2、第二光电耦合器64、P沟道MOS管T5、第三光电耦合器65、N沟道MOS管T6、第四光电耦合器66、接地总开关MOS管T4、第五光电耦合器67、若干温度传感器68、逻辑电路69、第三电极控制端Ab、第二电极控制端Cc、接地控制端D、电阻R1~R12、第一热敏电阻71、第二热敏电阻72、第三热敏电阻73、第一二极管D1、第二二极管D2。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图2,未改进前的加热器包括加热器本体50,加热器本体50为具有依次首尾相接的第一边51、第二边52、第三边53、第四边54以及第五边55的五边形结构。
请结合图3,本实用新型对图2中的加热器做了改进,加热器还包括:第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3,其分别固定在第一边51、第三边53以及第四边54上,且第四边54上的第三导电条3设置在靠近第五边55的一端;从第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3分别引出的第一电极A、第二电极C、第三电极B;以及均与第一电极A、第二电极C、第三电极B电性连接的驱动电路。
第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3是遵循3个原则来布置的:1)金属导电条不能太短,这会使电流过于集中,防止加热器裂开;2)导电条之间不能过近,防止局部出现能量集中,也是防止加热器裂开:3)导电条不能太多,这会增加驱动电路的复杂性。优选地,第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3形状大小均相同。
请结合图4,驱动电路包括:控制单元61、加热电源62(在本实施方式中选用+28V)、硬件保护MOS管T3、P沟道MOS管T1、第一光电耦合器63、N沟道MOS管T2、第二光电耦合器64、P沟道MOS管T5、第三光电耦合器65、N沟道MOS管T6、第四光电耦合器66、接地总开关MOS管T4、第五光电耦合器67、若干温度传感器68、逻辑电路69。
控制单元61包括第三电极控制端Ab、第二电极控制端Cc、接地控制端D以及若干A/D接口。硬件保护MOS管T3的源极连接于加热电源。P沟道MOS管T1的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T1的漏极连接于第三电极B,P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至P沟道MOS管T1的源极。
第一光电耦合器63的二极管的阴极连接至第三电极控制端Ab,第一光电耦合器63的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于上拉电源,第一光电耦合器63的三极管的发射极接地,第一光电耦合器63的三极管的集电极经由电阻R3连接至P沟道MOS管T1的栅极。
N沟道MOS管T2的漏极连接于第一电极A,N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极B。
第二光电耦合器64的二极管的阴极连接至第三电极控制端Ab,第二光电耦合器64的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于上拉电源,第二光电耦合器64的三极管的发射极接地,第二光电耦合器64的三极管的集电极经由电阻R5连接至P沟道MOS管T1的源极,第二光电耦合器64的三极管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极,第二光电耦合器64的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6。
P沟道MOS管T5的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极C,P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至P沟道MOS管T5的源极。
第三光电耦合器65的二极管的阴极连接至第二电极控制端Cc,第三光电耦合器65的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于上拉电源,第三光电耦合器65的三极管的发射极接地,述第三光电耦合器65的三极管的集电极经由电阻R9连接至P沟道MOS管T5的栅极。
N沟道MOS管T6的漏极连接于第二电极C,N沟道MOS管T6的源极连接于第一电极A。
第四光电耦合器66的二极管的阴极连接至第二电极控制端Cc,第四光电耦合器66的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于上拉电源,第四光电耦合器66的三极管的发射极接地,第四光电耦合器66的三极管的集电极经由电阻R11连接至P沟道MOS管T5的源极,第四光电耦合器66的三极管的集电极还连接至N沟道MOS管T6的栅极,第四光电耦合器66的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12。
所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于N沟道MOS管T6的源极,接地总开关MOS管T4的源极接地。
第五光电耦合器67的输入端连接于接地控制端D,第五光电耦合器67的输出端连接于接地总开关MOS管T4的栅极。
所述若干温度传感器68分别连接于所述若干A/D接口,在本实施方式中,若干温度传感器68为三个第一热敏电阻71、第二热敏电阻72以及第三热敏电阻73,第一热敏电阻71设置在第五边55的中部,第二热敏电阻72设置在第二边52中部,第三热敏电阻73设置在第四边54中部。
逻辑电路69的输入端连接于控制单元61,逻辑电路69的输出端连接于硬件保护MOS管T3的栅极。
驱动电路在运行时,首先,对整个加热回路,硬件保护MOS管T3和接地总开关MOS管T4是控制加热回路的两个总开关,其中任何一个关闭,则加热回路不工作。必须两个MOS管同时打开,加热回路才能工作。
在硬件保护MOS管T3和接地总开关MOS管T4打开后,针对三个电极A、B、C,实现三类加热,采用的控制方式如下:
针对第一电极A,控制第一电极A的电路与第三电极B和第二电极C的电路一样,只是在单片机中将第一电极A的电极进行了固定,是将第一电极A保持始终接地。然后对第三电极B和第二电极C进行切换,来切换加热的方式。
针对第三电极B和第二电极C,通过单片机对其进行控制,P沟道MOS管T1导通时,第三电极B与P沟道MOS管T3连接,接加热电源62;N沟道MOS管T2导通时,第三电极B与N沟道MOS管T4连接而接地。第二电极C与第三电极B类似。同一时刻,P沟道MOS管T1和N沟道MOS管T2(或者P沟道MOS管T5和N沟道MOS管T6)中只有一个导通,确保电极极性的唯一性。
请结合图5、6、7,具体的三类加热方式如下表:
Figure BDA00002253500700081
注:0表示接地,1表示接加热电源。
加热方式为循环加热,一个加热循环的周期为3秒钟,其中I类加热时间为0.5秒,II类加热时间为1秒,III类加热时间为1.5秒。三类加热方式的电流流向如图3所示。
请参阅图8,优选地,驱动电路还包括:第一二极管D1,第二二极管D2,第三二极管D3,第四二极管D4,
第一二极管D1的阳极连接于P沟道MOS管T5的栅极,第一二极管D1的阴极连接于P沟道MOS管T5的源极;第二二极管D2的阴极连接于N沟道MOS管T6的栅极,第二二极管D2的阳极连接于N沟道MOS管T6的源极。
当然,P沟道MOS管T1所在的支路与N沟道MOS管T2所在的支路也可以参照上述P沟道MOS管T5与N沟道MOS管T6设计多个二极管,如:所述驱动电路还包括第三二极管、第四二极管;第三二极管的阳极连接于P沟道MOS管T1的栅极,第三二极管的阴极连接于P沟道MOS管T1的源极;第四二极管的阴极连接于N沟道MOS管T2的栅极,第四二极管的阳极连接于N沟道MOS管T2的源极。
单变量控制互补输出,在同一时刻,分别控制电极接加热电源和接地的两个MOS管中只有一个导通,确保了电极极性的唯一性,通过变换电极的极性,来改变加热的方式。设置3类加热方式,每种加热方式持续一段时间,然后切换到另一种加热方式。考虑到各电极之间的电阻值不同,其中电极AB之间的电阻最小,电极BC之间的电阻其次,电极AC之间的电阻最大,电阻比值大约为AB:BC:AC=7:8:9。加热时间则按I类加热:II类加热:III类加热=1:2:3的比例关系。加热驱动电路同时还可起加热控制的作用,采用循环加热的方式,确保加热的均匀性。同时温度硬件保护电路确保常温不加热,软件加热保护确保加热器不会因局部温度过高而出现开裂。而在加热电极切换极性时,接地控制MOS管关闭,防止控制电极极性的2个MOS管同时导通产生贯穿电流。
对电极的控制是依靠单片机即控制单元61发出的一个PWM_control c来进行切换的,首先,根据电路图,PWM_control c的状态只有两种,一为高电平,二位低电平,但是无论是哪种状态,此电路中的P沟道MOS管T5和N沟道MOS管T6只能是一个导通,一个关闭,如P沟道MOS管T5导通,N沟道MOS管T6关闭,则heater_c(连接到第二电极C)接到heater+(即电源正端),第二电极C为1;如P沟道MOS管T5关闭,N沟道MOS管T6导通,则heater_c(连接到第二电极C)接到GND_SW(即为地),第二电极C为0。所以,一个电极在某一个时刻只有一种状态。
同时通过PWM_control c的切换(为高电平或者低电平),来改变第二电极C的状态。当PWM_control c为逻辑电平0时,P沟道MOS管T5导通,N沟道MOS管T6关闭,第二电极C为1;当PWM_control c为逻辑电平1时,P沟道MOS管T5关闭,N沟道MOS管T6导通,第二电极C为0。
根据上面的表格内,三种加热方式时,各电极的状态,可以得出,PWM_control a的输出状态一直为1(高电平),即第一电极A的状态一直为0.;PWM_control b的输出状态则为0.5s的0--1s的0--1.5的1,即第三电极B的状态为1.5s的1--1.5s的0;PWM_control c的输出状态为0.5s的1--1s的0--1.5s的0,即第二电极C的状态为0.5s的0--2.5s的1。
在保证加热均匀方面,设置了软件保护点,即通过温度传感器68采样,如果某点温度过高,而其他点温度较低的时候,实时的停止加热,待热量散发均匀了,再进行加热。如图3,我们选用的参考点位第三热敏电阻73,第三热敏电阻73离加热电极(第三电极B)较近,能较准确的反应加热电极点的温度,如果该点的温度达到了0℃(低温加热时,第三热敏电阻73的温度最高,上升最快),而其他点还是-10℃左右,则要适当的停止加热,等热量传递均匀后,再进行加热。一般情况下,-45℃低温加热时,从加热开始,到软件保护点作用,时间大约为4~5min,加热效果已经比较良好,适时的停止加热不会造成显示的影响。
与此同时,在可靠性方面,在第三电极B、第二电极C电极进行切换的时候,会将图4中的MOS管T4关闭10ms,等切换完成后,在打开。这就保证了,在切换时,如果图8中的P沟道MOS管T5和N沟道MOS管T6同时导通,加热电源62正端不会直接接地,形成贯穿电流,烧坏器件。硬件保护电路也能保证在15℃以上,不会进行加热。通过此种方式对不规则加热器进行加热,会达到加热效果较均匀的目的,同时可靠性方面也得到了保证。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其包括加热器本体(50),加热器本体(50)为具有依次首尾相接的第一边(51)、第二边(52)、第三边(53)、第四边(54)以及第五边(55)的五边形结构,其特征在于,所述加热器还包括:
第一导电条(1)、第二导电条(2)、第三导电条(3),其分别固定在第一边(51)、第三边(53)以及第四边(54)上,且第四边(54)上的第三导电条(3)设置在靠近第五边(55)的一端;
从第一导电条(1)、第二导电条(2)、第三导电条(3)分别引出的第一电极(A)、第二电极(C)、第三电极(B);以及
均与第一电极(A)、第二电极(C)、第三电极(B)电性连接的驱动电路。
2.如权利要求1所述的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其特征在于,所述驱动电路包括:
控制单元(61),包括第三电极控制端(Ab)、第二电极控制端(Cc)、接地控制端(D)以及若干A/D接口;
加热电源;
硬件保护MOS管T3,硬件保护MOS管T3的源极连接于加热电源;
P沟道MOS管T1,P沟道MOS管T1的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T1的漏极连接于第三电极(B),P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至P沟道MOS管T1的源极;
第一光电耦合器(63),第一光电耦合器(63)的二极管的阴极连接至第三电极控制端(Ab),第一光电耦合器(63)的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于上拉电源,第一光电耦合器(63)的三极管的发射极接地,第一光电耦合器(63)的三极管的集电极经由电阻R3连接至P沟道MOS管T1的栅极;
N沟道MOS管T2,N沟道MOS管T2的漏极连接于第一电极(A),N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极(B);
第二光电耦合器(64),第二光电耦合器(64)的二极管的阴极连接至第三电极控制端(Ab),第二光电耦合器(64)的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于上拉电源,第二光电耦合器(64)的三极管的发射极接地,第二光电耦合器(64)的三极管的集电极经由电阻R5连接至P沟道MOS管T1的源极,第二光电耦合器(64)的三极管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极,第二光电耦合器(64)的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6;
P沟道MOS管T5,P沟道MOS管T5的源极连接于硬件保护MOS管T3的漏极,P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极(C),P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至P沟道MOS管T5的源极;
第三光电耦合器(65),第三光电耦合器(65)的二极管的阴极连接至第二电极控制端(Cc),第三光电耦合器(65)的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于上拉电源,第三光电耦合器(65)的三极管的发射极接地,述第三光电耦合器(65)的三极管的集电极经由电阻R9连接至P沟道MOS管T5的栅极;
N沟道MOS管T6,N沟道MOS管T6的漏极连接于第二电极(C),N沟道MOS管T6的源极连接于第一电极(A);
第四光电耦合器(66),第四光电耦合器(66)的二极管的阴极连接至第二电极控制端(Cc),第四光电耦合器(66)的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于上拉电源,第四光电耦合器(66)的三极管的发射极接地,第四光电耦合器(66)的三极管的集电极经由电阻R11连接至P沟道MOS管T5的源极,第四光电耦合器(66)的三极管的集电极还连接至N沟道MOS管T6的栅极,第四光电耦合器(66)的三极管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12;
接地总开关MOS管T4,所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于N沟道MOS管T6的源极,接地总开关MOS管T4的源极接地;
第五光电耦合器(67),第五光电耦合器(67)的输入端连接于接地控制端(D),第五光电耦合器(67)的输出端连接于接地总开关MOS管T4的栅极;
若干温度传感器(68),所述若干温度传感器(68)分别连接于所述若干A/D接口;
逻辑电路(69),逻辑电路(69)的输入端连接于控制单元(61),逻辑电路(69)的输出端连接于硬件保护MOS管T3的栅极。
3.如权利要求2所述的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其特征在于,所述若干温度传感器(68)为三个第一热敏电阻(71)、第二热敏电阻(72)以及第三热敏电阻(73),第一热敏电阻(71)设置在第五边(55)的中部,第二热敏电阻(72)设置在第二边(52)中部,第三热敏电阻(73)设置在第四边(54)中部。
4.如权利要求2所述的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其特征在于,所述驱动电路还包括:
第一二极管D1,第一二极管D1的阳极连接于P沟道MOS管T5的栅极,第一二极管D1的阴极连接于P沟道MOS管T5的源极;
第二二极管D2,第二二极管D2的阴极连接于N沟道MOS管T6的栅极,第二二极管D2的阳极连接于N沟道MOS管T6的源极。
5.如权利要求2或4所述的用于对不规则液晶显示器均匀加热的加热器,其特征在于,所述驱动电路还包括:
第三二极管,第三二极管的阳极连接于P沟道MOS管T1的栅极,第三二极管的阴极连接于P沟道MOS管T1的源极;
第四二极管,第四二极管的阴极连接于N沟道MOS管T2的栅极,第四二极管的阳极连接于N沟道MOS管T2的源极。
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