CN102540532B - 不规则加热器及其加热方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了不规则加热器及其加热方法，包括导电金属条、加热电极和监控温度传感器的布置，设计了驱动电路用来改变加热电极的极性。单变量控制互补输出，确保电极极性的惟一性。加热器的滞环加热特性保证在平衡温度点加热器不会频繁的动作。温度硬件保护电路确保常温不加热和加热器局部温度过高。接地控制MOS管确保电极在更换极性时产生的贯穿电流不会出现。

Description

不规则加热器及其加热方法

技术领域

本发明涉及彩色液晶显示器内的屏加热器，尤其是涉及不规则加热器及其加热方法。

背景技术

在飞行器上，往往会根据受限的结构设计不规则形状的液晶显示器，因此它的加热器也是不规则形状的。

常见的液晶显示器的加热器是矩形的，可以在矩形加热器的两条对边贴上导电铜箔，然后抽出2个电极(见图1)，就可以实现均匀加热。从图1可知从电极1到电极2的面电阻是均匀的。

而对于不规则加热器，导电铜箔条和电极的引出将决定加热的均匀性，见图2，加热器为不规则的五边形结构。铜箔条和电极的安装位置不当，甚至会使加热器因加热不均匀而裂开。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有不规则加热器中存在的问题，提供改进型的不规则加热器以及所述不规则加热器的加热方法，实现不规则加热加热均匀性，防止因加热不均匀而裂开的现象发生。

本发明是这样实现的，不规则加热器，其包括：加热器本体，所述加热器本体为具有依次首尾相接的第一边、第二边、第三边、第四边以及第五边的五边形结构；第一导电条、第二导电条、第三导电条；从所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条分别引出的第一电极、第二电极、第三电极；以及用于驱动所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极通有电流的驱动电路；其中，所述第一边、所述第三边以及所述第四边上分别固定所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条，且所述第四边上的第三导电条设置在所述第四边靠近所述第五边的一端。

作为上述方案的进一步改进，所述驱动电路包括：控制单元，包括第一电极控制端、第二电极控制端、接地控制端以及若干A/D接口；加热电源；硬件保护MOS管T3，所述硬件保护MOS管T3的源极连接于所述加热电源；P沟道MOS管T1，所述P沟道MOS管T1的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T1的漏极连接于第一电极，所述P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至所述P沟道MOS管T1的源极；第一光电耦合器，所述第一光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第一光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于电源，所述第一光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第一光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R3连接至所述P沟道MOS管T1的栅极；N沟道MOS管T2，所述N沟道MOS管T2的漏极连接于所述第一电极，所述N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极；第二光电耦合器，所述第二光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第二光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于电源，所述第二光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第二光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R5连接至所述P沟道MOS管T1的源极，所述第二光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极，所述第二光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6；P沟道MOS管T5，所述P沟道MOS管T5的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极，所述P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至所述P沟道MOS管T5的源极；第三光电耦合器，所述第三光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第三光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于电源，所述第三光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第三光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R9连接至所述P沟道MOS管T5的栅极；N沟道MOS管T6，所述N沟道MOS管T6的漏极连接于所述第二电极，所述N沟道MOS管T6的源极连接于第三电极；第四光电耦合器，所述第四光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第四光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于电源，所述第四光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第四光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R11连接至所述P沟道MOS管T5的源极，所述第四光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T6的栅极，所述第四光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12；接地总开关MOS管T4，所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于所述N沟道MOS管T6的源极，所述接地总开关MOS管T4的源极接地；第五光电耦合器，所述第五光电耦合器的输入端连接于所述接地控制端，所述第五光电耦合器的输出端连接于所述接地总开关MOS管T4的栅极；若干温度传感器，所述若干温度传感器分别连接于所述若干A/D接口，用于将采集到的温度传递至所述控制单元；逻辑电路，所述逻辑电路用于根据所述若干温度传感器采集到的温度控制所述硬件保护MOS管T3的开启与通断，所述逻辑电路的输入端连接于所述控制单元，所述逻辑电路的输出端连接于所述硬件保护MOS管T3的栅极。

作为上述方案的进一步改进，所述若干温度传感器为三个第一热敏电阻、第二热敏电阻以及第三热敏电阻，所述第一热敏电阻设置在所述第五边的中部，所述第二热敏电阻设置在所述第二边中部，所述第三热敏电阻设置在所述第四边中部。

作为上述方案的进一步改进，所述加热器采用单变量控制互补输出的方式，在同一时刻，P沟道MOS管T1和N沟道MOS管T2(或者P沟道MOS管T5和N沟道MOS管T6)中只有一个导通。

作为上述方案的进一步改进，所述加热器工作时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4均保持开启状态，所述加热器存在以下状态：

不加热状态：所述第一电极控制端与所述第二电极控制端均为高电平，P沟道MOS管T1与P沟道MOS管T5均截止，N沟道MOS管T2与N沟道MOS管T6均导通；

加热状态分为第一加热状态、第二加热状态：第一加热状态，所述第一电极控制端为低电平，所述第二电极控制端为高电平，P沟道MOS管T1导通与N沟道MOS管T6均导通，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均截止；第二加热状态，所述第一电极控制端为高电平，所述第二电极控制端为低电平，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均导通，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均截止。

作为上述方案的进一步改进，第一加热状态与第二加热状态的加热时间比列关系为3∶5，且第二加热状态的时间小于2.5秒。

作为上述方案的进一步改进，当所述若干温度传感器检测的温度最大值小于30℃时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4开启。

作为上述方案的进一步改进，所述控制单元为单片机。

本发明还提供上述不规则加热器的加热方法，其包括如下步骤：

当所述若干温度传感器检测的温度最大值小于30℃时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4开启；

控制所述第一电极控制端为低电平，所述第二电极控制端为高电平，P沟道MOS管T1导通与N沟道MOS管T6均导通，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均截止，使所述不规则加热器处于第一加热状态；

控制所述第一电极控制端为高电平，所述第二电极控制端为低电平，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均导通，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均截止，使所述不规则加热器处于第二加热状态，其中，第一加热状态与第二加热状态的加热时间比列关系为3∶5，且第二加热状态的时间小于2.5秒；

控制所述第一电极控制端与所述第二电极控制端均为高电平，P沟道MOS管T1与P沟道MOS管T5均截止，N沟道MOS管T2与N沟道MOS管T6均导通，使所述不规则加热器处于不加热状态。

本发明提供的不规则加热器及其加热方法具有以下优点：布置了导电金属条、加热电极和温度传感器的，设计了驱动电路用来改变加热电极的极性；单变量控制互补输出，确保电极极性的惟一性；加热器的滞环加热特性保证在平衡温度点加热器不会频繁的动作；温度硬件保护电路确保常温不加热和加热器局部温度过高；接地控制MOS管确保电极在更换极性时不会出现贯穿电流。

附图说明

图1为常见的液晶显示器的加热器的示意图。

图2为不规则加热器的结构示意图。

图3为图2中不规则加热器的改进结构示意图。

图4为图3中不规则加热器的驱动电路示意图。

图5为图3中不规则加热器的第一加热状态。

图6为图3中不规则加热器的第二加热状态。

图7为图3中不规则加热器的加热方式滞环图。

主要符号说明

加热器本体50

第一边51

第二边52

第三边53

第四边54

第五边55

第一导电条1

第二导电条2

第三导电条3

第一电极11

第二电极22

第三电极33

驱动电路60

控制单元61

加热电源62

硬件保护MOS管T3

P沟道MOS管T1

第一光电耦合器63

N沟道MOS管T2

第二光电耦合器64

P沟道MOS管T5

第三光电耦合器65

N沟道MOS管T6

第四光电耦合器66

接地总开关MOS管T4

第五光电耦合器67

若干温度传感器68

逻辑电路69

第一电极控制端A

第二电极控制端B

接地控制端C

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图图3，不规则加热器包括：加热器本体50，加热器本体50为具有依次首尾相接的第一边51、第二边52、第三边53、第四边54以及第五边55的五边形结构；第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3，分别固定第一边51、第三边53以及第四边54上，且第四边54上的第三导电条3设置在第四边54靠近第五边55的一端；从第一导电条1、第二导电条2、第三导电条3分别引出的第一电极11、第二电极22、第三电极33；用于驱动第一电极11、第二电极22、第三电极33通有电流的驱动电路60。

导电金属条1、2、3是遵循3个原则来布置的：1)金属导电条不能太短，这会使电流过于集中，防止加热器裂开；2)导电条之间不能过近，防止局部出现能量集中，也是防止加热器裂开；3)导电条不能太多，这会增加驱动电路60的复杂性。

请结合图4，驱动电路60包括：控制单元61、加热电源62、硬件保护MOS管T3、P沟道MOS管T1、第一光电耦合器63、N沟道MOS管T2、第二光电耦合器64、P沟道MOS管T5、第三光电耦合器65、N沟道MOS管T6、第四光电耦合器66、接地总开关MOS管T4、第五光电耦合器67、若干温度传感器68以及逻辑电路69。

控制单元61在本实施方式中采用单片机实现，其包括第一电极控制端A、第二电极控制端B、接地控制端C以及若干A/D接口。

加热电源62用于对不规则加热器提供加热源。硬件保护MOS管T3的源极连接于加热电源62。

P沟道MOS管T1的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，P沟道MOS管T1的漏极连接于第一电极11，P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至P沟道MOS管T1的源极。

第一光电耦合器63的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端A，所述第一光电耦合器63的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于电源(在本实施方式中采用3.3V，以下类似不在叙述)，所述第一光电耦合器63的三极管的发射极接地，所述第一光电耦合器63的三级管的集电极经由电阻R3连接至所述P沟道MOS管T1的栅极。

N沟道MOS管T2的漏极连接于所述第一电极11，所述N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极33。

第二光电耦合器64的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端A，所述第二光电耦合器64的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于电源，所述第二光电耦合器64的三极管的发射极接地，所述第二光电耦合器64的三级管的集电极经由电阻R5连接至所述P沟道MOS管T1的源极，所述第二光电耦合器64的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极，所述第二光电耦合器64的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6。

P沟道MOS管T5的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极22，所述P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至所述P沟道MOS管T5的源极。

第三光电耦合器65的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端B，所述第三光电耦合器65的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于电源，所述第三光电耦合器65的三极管的发射极接地，所述第三光电耦合器65的三级管的集电极经由电阻R9连接至所述P沟道MOS管T5的栅极。

N沟道MOS管T6的漏极连接于所述第二电极22，所述N沟道MOS管T6的源极连接于第三电极33。

第四光电耦合器66的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端B，所述第四光电耦合器66的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于电源，所述第四光电耦合器66的三极管的发射极接地，所述第四光电耦合器66的三级管的集电极经由电阻R11连接至所述P沟道MOS管T5的源极，所述第四光电耦合器66的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T6的栅极，所述第四光电耦合器66的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12。

接地总开关MOS管T4的漏极连接于所述N沟道MOS管T6的源极，所述接地总开关MOS管T4的源极接地。

第五光电耦合器67的输入端连接于所述接地控制端C，所述第五光电耦合器67的输出端连接于所述接地总开关MOS管T4的栅极。

若干温度传感器68在本实施方式中采用热敏电阻实现，所述若干温度传感器68为三个第一热敏电阻71、第二热敏电阻72以及第三热敏电阻73，所述第一热敏电阻71设置在所述第五边55的中部，所述第二热敏电阻72设置在所述第二边52中部，所述第三热敏电阻73设置在所述第四边54中部。温度传感器68连接于A/D接口，用于将采集到的温度传递至所述控制单元61。

逻辑电路69用于根据温度传感器68采集到的温度控制所述硬件保护MOS管T3的开启与通断，所述逻辑电路69的输入端连接于所述控制单元61，所述逻辑电路69的输出端连接于所述硬件保护MOS管T3的栅极。

第一电极11(C点处)可以与P沟道MOS管T3后的D点连接(需要T1导通)，也可以与N沟道MOS管T4上的E点连接(需要T2导通)。C点任何时刻只能与D点或者E点中任意一个连通。采用单变量控制互补输出的方式，在同一时刻，T1和T2(或者T5和T6)中只有一个导通，确保电极极性的惟一性。

当A点是高电平时，C点与E点相通；当A点是低电平时，C点与D点相通。T3导通时，D点就是+28V；T4导通时，E点就是加热地。T3和T4都截止时，3个电极肯定悬空。T3是硬件保护管，只有3个温度传感器68检测的温度最大值小于30℃时T3管才是开启的。T4是接地总开关管。电极22与电极11的电路结构完全相同，电极33直接接E点。

本发明采用的加热原理如下：

在T3和T4都导通的前提下，即D点接+28V电源，E接加热地，加热器才有可能工作；

不加热状态：3个电极全部与E点相通，即A＝B＝1(高电平)，T1和T5截止，T2和T6导通；

加热状态：1)第一加热状态，当A＝0，B＝1时，C点与D接通，第一电极11的电压是+28V，第二、三电极22、33是电源地，加热电流如图5所示，这是I类加热图。I类加热只给热敏电阻71和热敏电阻72所在的两边和中心加热；

2)第二加热状态，当A＝1，B＝0时，电极2与D接通，第二电极22的电压是+28V，第一、三电极11、33是电源地，加热电流如图6所示，这是II类加热图；II类加热只给热敏电阻73和热敏电阻72所在的两边和中心加热。

其中，加热时间按I类加热时间∶II类加热时间＝3∶5的比例关系，II类加热时间小于等于2.5秒。因热敏电阻72这条边上长度最长，故此I类加热和II类加热都会给它加热。具体工作方式见表1。

表12类加热方式比较

本发明的加热控制方式有以下3种情况：

1)如图7所示，图中温度是3个温度传感器68中检测的温度最小值。

2)当加热控制电路(即驱动电路60)从I类加热方式向II类加热方式相互过渡过程中，接地控制端C控制接地MOS管T4关闭100us，用来克服T1和T2或者T5和T6同时导通产生穿透电流。加热时间按I类加热时间∶II类加热时间＝3∶5的比例关系，II类加热时间小于等于2.5秒。

3)另外加热硬件保护管T3的工作机理是：3个温度传感器68检测的温度最大值超过30℃时T3管关闭，确保常温不加热和加热器局部温度过高。

实际验证结果：不规则加热器表面温度差异小于10℃，温度最大值在第一导电条1附近(见图3)，温度最小值在加热器的中心。

发明提供的不规则加热器及其加热方法具有以下优点：布置了导电金属条、加热电极和温度传感器的，设计了驱动电路用来改变加热电极的极性；单变量控制互补输出，确保电极极性的惟一性；加热器的滞环加热特性保证在平衡温度点加热器不会频繁的动作；温度硬件保护电路确保常温不加热和加热器局部温度过高；接地控制MOS管确保电极在更换极性时产生的贯穿电流不会出现。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.不规则加热器，其包括加热器本体，所述加热器本体为具有依次首尾相接的第一边、第二边、第三边、第四边以及第五边的五边形结构，其特征在于，所述不规则加热器还包括：

第一导电条、第二导电条、第三导电条；

从所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条分别引出的第一电极、第二电极、第三电极；以及

用于驱动所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极通有电流的驱动电路；

其中，所述第一边、所述第三边以及所述第四边上分别固定所述第一导电条、所述第二导电条、所述第三导电条，且所述第四边上的第三导电条设置在所述第四边靠近所述第五边的一端。

2.如权利要求1所述的不规则加热器，其特征在于，所述驱动电路包括：

控制单元，包括第一电极控制端、第二电极控制端、接地控制端以及若干A/D接口；

加热电源；

硬件保护MOS管T3，所述硬件保护MOS管T3的源极连接于所述加热电源；

P沟道MOS管T1，所述P沟道MOS管T1的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T1的漏极连接于第一电极，所述P沟道MOS管T1的栅极经由电阻R1连接至所述P沟道MOS管T1的源极；

第一光电耦合器，所述第一光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第一光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R2连接于电源，所述第一光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第一光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R3连接至所述P沟道MOS管T1的栅极；

N沟道MOS管T2，所述N沟道MOS管T2的漏极连接于所述第一电极，所述N沟道MOS管T2的源极连接于第三电极；

第二光电耦合器，所述第二光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第一电极控制端，所述第二光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R4连接于电源，所述第二光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第二光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R5连接至所述P沟道MOS管T1的源极，所述第二光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T2的栅极，所述第二光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R6；

P沟道MOS管T5，所述P沟道MOS管T5的源极连接于所述硬件保护MOS管T3的漏极，所述P沟道MOS管T5的漏极连接于第二电极，所述P沟道MOS管T5的栅极经由电阻R7连接至所述P沟道MOS管T5的源极；

第三光电耦合器，所述第三光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第三光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R8连接于电源，所述第三光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第三光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R9连接至所述P沟道MOS管T5的栅极；

N沟道MOS管T6，所述N沟道MOS管T6的漏极连接于所述第二电极，所述N沟道MOS管T6的源极连接于第三电极；

第四光电耦合器，所述第四光电耦合器的二极管的阴极连接至所述第二电极控制端，所述第四光电耦合器的二极管的阳极经由上拉电阻R10连接于电源，所述第四光电耦合器的三极管的发射极接地，所述第四光电耦合器的三级管的集电极经由电阻R11连接至所述P沟道MOS管T5的源极，所述第四光电耦合器的三级管的集电极还连接至所述N沟道MOS管T6的栅极，所述第四光电耦合器的三级管的发射极与集电极之间还串联有电阻R12；

接地总开关MOS管T4，所述接地总开关MOS管T4的漏极连接于所述N沟道MOS管T6的源极，所述接地总开关MOS管T4的源极接地；

第五光电耦合器，所述第五光电耦合器的输入端连接于所述接地控制端，所述第五光电耦合器的输出端连接于所述接地总开关MOS管T4的栅极；

若干温度传感器，所述若干温度传感器分别连接于所述若干A/D接口，用于将采集到的温度传递至所述控制单元；

逻辑电路，所述逻辑电路用于根据所述若干温度传感器采集到的温度控制所述硬件保护MOS管T3的开启与通断，所述逻辑电路的输入端连接于所述控制单元，所述逻辑电路的输出端连接于所述硬件保护MOS管T3的栅极。

3.如权利要求2所述的不规则加热器，其特征在于，所述若干温度传感器为三个，分别是第一热敏电阻、第二热敏电阻以及第三热敏电阻，所述第一热敏电阻设置在所述第五边的中部，所述第二热敏电阻设置在所述第二边中部，所述第三热敏电阻设置在所述第四边中部。

4.如权利要求2所述的不规则加热器，其特征在于，所述加热器采用单变量控制互补输出的方式，在同一时刻，P沟道MOS管T1和N沟道MOS管T2中只有一个导通且P沟道MOS管T5和N沟道MOS管T6中只有一个导通。

5.如权利要求4所述的不规则加热器，其特征在于，所述加热器工作时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4均保持开启状态，所述加热器存在以下状态：

不加热状态：所述第一电极控制端与所述第二电极控制端均为高电平，P沟道MOS管T1与P沟道MOS管T5均截止，N沟道MOS管T2与N沟道MOS管T6均导通；

加热状态分为第一加热状态、第二加热状态：第一加热状态，所述第一电极控制端为低电平，所述第二电极控制端为高电平，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均导通，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均截止；第二加热状态，所述第一电极控制端为高电平，所述第二电极控制端为低电平，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均导通，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均截止。

6.如权利要求5所述的不规则加热器，其特征在于，第一加热状态与第二加热状态的加热时间比例关系为3∶5，且第二加热状态的时间小于2.5秒。

7.如权利要求5所述的不规则加热器，其特征在于，当所述若干温度传感器检测的温度最大值小于30℃时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4开启。

8.如权利要求2所述的不规则加热器，其特征在于，所述控制单元为单片机。

9.如权利要求2所述的不规则加热器，其特征在于，所述不规则加热器的加热方法包括如下步骤：

当所述若干温度传感器检测的温度最大值小于30℃时，所述硬件保护MOS管T3与所述接地总开关MOS管T4开启；

控制所述第一电极控制端为低电平，所述第二电极控制端为高电平，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均导通，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均截止，使所述不规则加热器处于第一加热状态；

控制所述第一电极控制端为高电平，所述第二电极控制端为低电平，N沟道MOS管T2与P沟道MOS管T5均导通，P沟道MOS管T1与N沟道MOS管T6均截止，使所述不规则加热器处于第二加热状态，其中，第一加热状态与第二加热状态的加热时间比例关系为3∶5，且第二加热状态的时间小于2.5秒；

控制所述第一电极控制端与所述第二电极控制端均为高电平，P沟道MOS管T1与P沟道MOS管T5均截止，N沟道MOS管T2与N沟道MOS管T6均导通，使所述不规则加热器处于不加热状态。