CN210405668U - 一种发热器功率调节电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种发热器功率调节电路,包括可控硅电路、驱动电路、过零检测电路和负载,所述可控硅电路和负载串联,所述可控硅电路的一端还与驱动电路电连接,所述负载另一端与过零检测电路电连接,所述驱动电路另一端输入驱动信号,所述过零检测电路另一端输出过零信号,交流电源从串联的可控硅电路和负载两端输入。本实用新型没有出现电流突变,没有产生高次谐波,不会对电网产生EMI干扰,有利于电源电网的平稳运行,减少对其他电子产品的电磁波污染;做EMI测试时,不需要增加扼流圈都能通过测试,可以节省一大笔扼流圈材料成本和EMI测试费用。
Description
技术领域
本实用新型涉及发热器调温技术,特别涉及一种发热器功率调节电路。
背景技术
可控硅的的导通特点,是通过驱动信号触发可控硅导通,可控硅有电流通过时即使没有触发信号,可控硅也不会关断,直到可控硅通过的电流为零时,可控硅自动关断。传统的可控硅功率调节原理,就是利用可控硅的这个特点,改变驱动信号和交流电源过零点的延迟时间,延迟时间越小,可控硅输出的越长,输出的平均电流就越大,输出功率也越大。
传统的可控硅的控制方案中,由于电流从“0”突然增大到一定的大电流值时产生许多高次谐波,高次谐波会对电网造成很大干扰,EMI会不合格,需要增加很大的扼流圈才能通过EMI测试,本实用新型针对高次谐波的干扰及EMI不合格的问题提出改进。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种发热器功率调节电路
为实现上述目的,本实用新型的具体方案如下:
一种发热器功率调节电路,包括可控硅电路、驱动电路、过零检测电路和负载,所述可控硅电路和负载串联,所述可控硅电路的一端还与驱动电路电连接,所述负载另一端与过零检测电路电连接,所述驱动电路另一端输入驱动信号,所述过零检测电路另一端输出过零信号,交流电源从串联的可控硅电路和负载两端输入。
优选地,所述可控硅电路包括可控硅SR1、电阻R1、电容C1,所述电阻R1和电容C1串联后连接在可控硅SR1两端,所述可控硅SR1两端还分别连接负载和电源输入端。
优选地,所述驱动电路包括第一光耦PC1和第一三极管Q1,所述第一光耦PC1的发光端分别连接5V电压和第一三极管Q1的集电极,所述第一光耦PC1的接收端通过电阻R2连接在可控硅SR1两端,所述第一三极管Q1的集电极输入驱动信号。
优选地,所述过零检测电路包括第二光耦PC2、第二三极管Q4、二极管D1、电阻R5~R9、电容C2,所述第二光耦PC2的发光端连接二极管D1后通过电阻R9与可控硅电路电连接,所述第二光耦PC2的接收端分别连接5V电压和第二三极管Q4,所述第二三极管Q4的基极通过电阻R6连接第二光耦PC2,集电极通过电阻R5连接5V电压,所述电阻R8和电容C2的一端分别连接在阻R6的两端,另一端与第二三极管Q4的发射极一起接地,所述电阻R7连接在第二三极管Q4的集电极。
采用本实用新型的技术方案,具有以下有益效果:
发明的功率调节范围,可以从0、1%、2%到100%,即需要输出X%功率,就按100周期导通X个周期就可以实现。在全部控制过程中,输出电流都是按交流电源的正弦波曲线,由0上升到最大值,又从最大值下降到0,没有出现电流突变,没有产生高次谐波,不会对电网产生EMI干扰,有利于电源电网的平稳运行,减少对其他电子产品的电磁波污染;做EMI测试时,不需要增加扼流圈都能通过测试,可以节省一大笔扼流圈材料成本和EMI测试费用。
附图说明
图1为本实用新型电路图;
图2为本实用新型实施例一的输入输出波形图;
图3为本实用新型实施例二的输入输出波形图;
图4为本实用新型实施例三的输入输出波形图。
其中,波形A为输入电流信号、波形B为电流过零信号、波形C为可控硅驱动脉冲、波形D为输出电流信号,t1为可控硅导通延迟时间。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例,对本实用新型进一步说明。
参照图1,本实用新型提供一种发热器功率调节电路,包括可控硅电路、驱动电路、过零检测电路和负载,所述可控硅电路和负载串联,所述可控硅电路的一端还与驱动电路电连接,所述负载另一端与过零检测电路电连接,所述驱动电路另一端输入驱动信号,所述过零检测电路另一端输出过零信号,交流电源从串联的可控硅电路和负载两端输入。
所述可控硅电路包括可控硅SR1、电阻R1、电容C1,所述电阻R1和电容C1串联后连接在可控硅SR1两端,所述可控硅SR1两端还分别连接负载和电源输入端。
所述驱动电路包括第一光耦PC1和第一三极管Q1,所述第一光耦PC1的发光端分别连接5V电压和第一三极管Q1的集电极,所述第一光耦PC1的接收端通过电阻R2连接在可控硅SR1两端,所述第一三极管Q1的集电极输入驱动信号。
所述过零检测电路包括第二光耦PC2、第二三极管Q4、二极管D1、电阻R5~R9、电容C2,所述第二光耦PC2的发光端连接二极管D1后通过电阻R9与可控硅电路电连接,所述第二光耦PC2的接收端分别连接5V电压和第二三极管Q4,所述第二三极管Q4的基极通过电阻R6连接第二光耦PC2,集电极通过电阻R5连接5V电压,所述电阻R8和电容C2的一端分别连接在阻R6的两端,另一端与第二三极管Q4的发射极一起接地,所述电阻R7连接在第二三极管Q4的集电极。
本实用新型的工作原理为:
驱动电路和过零检测电路的另一端连接单片机(或PLC),单片机(或PLC)通过过零检测电路完成过零信号检测,并向驱动电路发送驱动信号。
(1)电流过零点检测
交流电源的正弦波信号,正半周通过电阻R9衰减,通过光耦PC2发光端,使PC2导通,5V电流通过PC2、R8、R6、C2使三极管Q4导通,在R7输出低电平,过零信号由初始的高电平变为低电平;交流电源的负半周通过电阻R8衰减,通过光耦PC2和二极管D1形成回路,PC2不导通,R8、R6、C2为低电平,三极管Q4不导通,在R7输出高电平,过零信号前面的低电平变为高电平。这样不断循环,将输入的正弦波信号,变成了方波信号,高低电平转换点,就是电源信号的电流过零信点。
(2)驱动输出过程:
当单片机(或PLC)检测到电流过零信号,则输出高电平脉冲信号,高电平通过R4使三极管Q1导通,Q1导通后光耦PC1导通,电流通过电阻R2和光耦PC1产生触发信号使可控硅SR1导通,电流输出到负载。当电流降低到0时,可控硅SR1关断,直到再次触发信号到来,才能再次导通。即需要输出电流时,在电流过零点后面加驱动脉冲信号,不需要输出时,不加驱动脉冲信号。
本实用新型采用的控制方式,是控制导通的电流周波数量,实现改变输出电流平均值,调节输出功率。
实施例一:
参照图2,全部电流周波导通时,输出100%功率;
实施例二:
参照图3,3个周波内,2个电流周导通,1个电流周波不导通,输出67%功率;
实施例三:
参照图4,2个周波内,1个电流周导通,1个电流周波不导通,输出50%功率。
本实用新型的功率调节范围,可以从0、1%、2%到100%,即需要输出X%功率,就按100个周波导通X个周波就可以实现,设定的周期为100/X个周波,需要输出X%功率,则每100/X个周波导通1个周波。在全部控制过程中,输出电流都是按交流电源的正弦波曲线,由0上升到最大值,又从最大值下降到0,没有出现电流突变,没有产生高次谐波,不会对电网产生EMI干扰。使用本实用新型的产品,做EMI测试时,不需要增加扼流圈都能通过测试。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的实用新型构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种发热器功率调节电路,其特征在于,包括可控硅电路、驱动电路、过零检测电路和负载,所述可控硅电路和负载串联,所述可控硅电路的一端还与驱动电路电连接,所述负载另一端与过零检测电路电连接,所述驱动电路另一端输入驱动信号,所述过零检测电路另一端输出过零信号,交流电源从串联的可控硅电路和负载两端输入。
2.根据权利要求1所述的发热器功率调节电路,其特征在于,所述可控硅电路包括可控硅SR1、电阻R1、电容C1,所述电阻R1和电容C1串联后连接在可控硅SR1两端,所述可控硅SR1两端还分别连接负载和电源输入端。
3.根据权利要求2所述的发热器功率调节电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一光耦PC1和第一三极管Q1,所述第一光耦PC1的发光端分别连接5V电压和第一三极管Q1的集电极,所述第一光耦PC1的接收端通过电阻R2连接在可控硅SR1两端,所述第一三极管Q1的集电极输入驱动信号。
4.根据权利要求3所述的发热器功率调节电路,其特征在于,所述过零检测电路包括第二光耦PC2、第二三极管Q4、二极管D1、电阻R5~R9、电容C2,所述第二光耦PC2的发光端连接二极管D1后通过电阻R9与可控硅电路电连接,所述第二光耦PC2的接收端分别连接5V电压和第二三极管Q4,所述第二三极管Q4的基极通过电阻R6连接第二光耦PC2,集电极通过电阻R5连接5V电压,所述电阻R8和电容C2的一端分别连接在阻R6的两端,另一端与第二三极管Q4的发射极一起接地,所述电阻R7连接在第二三极管Q4的集电极。
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CN201921322029.6U CN210405668U (zh) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 一种发热器功率调节电路 |
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CN110401987A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-01 | 深圳市陆海电子有限公司 | 一种发热器功率调节电路和方法 |
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