CN216213516U - 一种倒装led芯片的共晶电极结构 - Google Patents
一种倒装led芯片的共晶电极结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216213516U CN216213516U CN202120537786.6U CN202120537786U CN216213516U CN 216213516 U CN216213516 U CN 216213516U CN 202120537786 U CN202120537786 U CN 202120537786U CN 216213516 U CN216213516 U CN 216213516U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- snau
- alloy layer
- based alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。本实用新型中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本实用新型通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。
Description
技术领域
本实用新型属于倒装LED芯片技术领域，特别是涉及一种倒装LED芯片的共晶电极结构。
背景技术
目前倒装LED芯片的晶片通常采用锡合金作为电极结构，晶片可焊接于镀有金或银的基板上，其主要是利用锡膏焊接，当基板被加热至适合的共晶温度时，基板上的金或银元素渗透到晶片的电极结构，共晶层固化并将LED焊于基板上，但锡膏具有很强的渗透性，在焊接过程中往往出现渗锡现象，严重影响晶片的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固的倒装LED芯片的共晶电极结构。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。
作为本实用新型优选的方案，所述Ti金属层的厚度为2000埃～3000埃。
作为本实用新型优选的方案，所述Ni金属层或Ni合金层的厚度为1000埃～3000埃。
作为本实用新型优选的方案，所述Au金属层的厚度为2000埃～3000埃。
作为本实用新型优选的方案，所述SnAu基合金层的厚度大于或等于3微米。
作为本实用新型优选的方案，所述SnAu基合金层中的每层Sn金属层的厚度为2000埃～5000埃。
作为本实用新型优选的方案，所述SnAu基合金层中的每层Au金属层的厚度为2000埃～5000埃。
实施本实用新型提供的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，与现有技术相比较，其有益效果在于：
本实用新型的共晶电极结构中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本实用新型通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种倒装LED芯片的共晶电极结构的结构示意图；
图2为采用本实用新型实施例中的共晶电极结构的渗锡测试图；
图3为常规的共晶电极结构的渗锡测试图；
图4为采用本实用新型实施例中的共晶电极结构的推力测试图；
图5为常规的共晶电极结构的推力测试图；
图中所示：
1为Ti金属层；2为Ni金属层或Ni合金层；3为Au金属层；4为SnAu基合金层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型的优选实施例，一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其包括自上而下依次设置的Ti金属层1、Ni金属层或Ni合金层2、Au金属层3、以及SnAu基合金层4，所述SnAu基合金层4由n层Sn金属层和n层Au金属层3周期性交错设置形成，其中，n≥6。
示例性的，所述Ti金属层1的厚度为2000埃～3000埃，所述Ni金属层或Ni合金层2的厚度为1000埃～3000埃；所述Au金属层3的厚度为2000埃～3000埃；所述SnAu基合金层4的厚度大于或等于3微米，所述SnAu基合金层4中的每层Sn金属层的厚度为2000埃～5000埃，所述SnAu基合金层4中的每层Au金属层的厚度为2000埃～5000埃。
由此，本实用新型的共晶电极结构中的Ti金属层1形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层2能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层3用于连接Ni金属层或Ni合金层2与SnAu基合金层4；SnAu基合金层4作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本实用新型通过Ti金属层1、Ni金属层或Ni合金层2、Au金属层3、以及SnAu基合金层4的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，经多次实验证明，如图2所示，芯片焊接后在250℃环境下加热12小时后无渗锡现象；而采用现有电极，如图3所示，芯片焊接后在250℃环境下加热12小时后出现渗锡现象。而且芯片焊接后，经推力测试，如图4所示，其断裂位置为芯片，而非电极处断裂，断裂层为芯片内部结构，由此可见，本实用新型的电极的内部结构牢固，而采用现有电极，芯片焊接后，经推力测试，如图5所示，断裂位置为电极，该电极内部结构相对不牢固。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。
2.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Ti金属层的厚度为2000埃～3000埃。
3.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Ni金属层的厚度为1000埃～3000埃。
4.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Au金属层的厚度为2000埃～3000埃。
5.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层的厚度大于或等于3微米。
6.如权利要求5所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层中的每层Sn金属层的厚度为2000埃～5000埃。
7.如权利要求5所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层中的每层Au金属层的厚度为2000埃～5000埃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120537786.6U CN216213516U (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种倒装led芯片的共晶电极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120537786.6U CN216213516U (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种倒装led芯片的共晶电极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216213516U true CN216213516U (zh) | 2022-04-05 |
Family
ID=80857482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202120537786.6U Active CN216213516U (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 一种倒装led芯片的共晶电极结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216213516U (zh) |
-
2021
- 2021-03-15 CN CN202120537786.6U patent/CN216213516U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5456276B2 (ja) | 半導体素子および金属−半導体コンタクトを製造する方法 | |
| CN104425580A (zh) | 功率用半导体装置及其制造方法 | |
| WO2008117736A1 (ja) | インターポーザ基板、それを利用したｌｓｉチップ及び情報端末装置、インターポーザ基板製造方法、並びにｌｓｉチップ製造方法 | |
| CN216213516U (zh) | 一种倒装led芯片的共晶电极结构 | |
| CN112968098A (zh) | 一种倒装led芯片的共晶电极结构 | |
| CN103456820A (zh) | 微聚光光伏焊带 | |
| CN203398142U (zh) | 一种微聚光光伏焊带 | |
| CN205159304U (zh) | 一种可提高焊接质量的功率模块结构 | |
| CN214753801U (zh) | 一种异质结无主栅电池片的串接结构 | |
| CN207967018U (zh) | 一种用于叠瓦式光伏组件的焊带及叠瓦式光伏组件 | |
| KR100534219B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN104465573B (zh) | 一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构 | |
| CN104183689A (zh) | 一种用于led倒装固晶的基板及利用其固晶制备led的方法 | |
| CN210224055U (zh) | 一种用于倒装芯片的界面金属结构 | |
| CN212136441U (zh) | 高可靠性双向tvs二极管 | |
| CN203434149U (zh) | 一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构 | |
| CN201741683U (zh) | 一种电力半导体器件 | |
| CN205542755U (zh) | 一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构 | |
| CN100488703C (zh) | 一种铜粉增强的锡锌复合钎料及其制备方法 | |
| CN210379034U (zh) | 一种用于高结温功率模块芯片焊接的imc焊片 | |
| CN205984897U (zh) | 一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管 | |
| TWI704659B (zh) | 背晶薄膜結構、包含其之功率模組封裝體、背晶薄膜結構的製造方法、及功率模組封裝體的製造方法 | |
| CN113270524A (zh) | 一种倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN213242558U (zh) | 高可靠性二极管器件 | |
| CN218069872U (zh) | 一种黑色圆丝焊带 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |