CN216161746U - 一种太阳电池的膜层结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构,属于光伏技术领域。本实用新型提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层,在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层,其中,N型发射极和P型晶硅衬底相接,从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求,又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性,有效提高电池组件的组件可靠性,应对复杂的应用环境,使用范围更广。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,更具体地,涉及一种太阳电池的膜层结构。
背景技术
太阳电池是低成本、高效率的可再生能源,其中,太阳电池的光电转换效率以及组件可靠性反应其在实际应用中性能的主要参数。而为了应对实际应用环境中复杂的影响因素,提升太阳电池的组件可靠性,对太阳电池的镀膜技术也提出了更高的要求。
通常来说,现有太阳电池的薄膜仅能满足部分需求,如膜层结构中满足抗PID(Potential Induced Degradation,诱导电势差衰减)特性时无法保证膜层良好的钝化,保证对膜层良好的钝化,无法满足抗PID特性或良好的光吸收效果,或者,满足氢钝化效果,无法保证抗LeTID(Light and elevated Temperature Induced Degradation,光热诱导衰减)效果等等,顾此失彼导致太阳电池的组件可靠性低,不能应对复杂的实际应用环境,使用范围小。
发明内容
本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构,以解决现有技术中太阳电池的组件可靠性低,不能应对复杂的实际应用环境,使用范围小的问题。
第一方面,提供了一种太阳电池的膜层结构,所述太阳电池的膜层结构包括:
在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括:
抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层;
在所述P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括:
抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层。
可选地,所述第一钝化层包括折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≥2.1的非晶硅层、折射率≤1.7的氧化硅层中的至少两种。
可选地,所述第二钝化层包括折射率≥1.9且≤2.15的氮化硅层、折射率≥1.75且≤2.0的氮氧化硅层中的至少一种。
可选地,所述第三钝化层包括折射率≥1.9且≤2.05的氮化硅层、折射率≥1.7且≤1.85的氮氧化硅层、折射率≥1.6且小于等于1.75的氧化硅层中的至少一种。
可选地,所述第四钝化层包括折射率≥1.4且≤1.75的氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷氮化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的N型氧化锌层、折射率≥1.4且≤1.75的氧化钛层中的至少一种。
可选地,所述第五钝化层包括折射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层中的至少两种。
可选地,所述预设透光率为透光率≥92%。
可选地,所述第一钝化层的厚度≥10纳米且≤25纳米,第二钝化层的厚度≥25纳米且≤40纳米,第三钝化层的厚度≥20纳米且≤50纳米。
可选地,所述第四钝化层的厚度≥10纳米且≤100纳米,所述第五钝化层的厚度≥40纳米。
可选地,所述膜层结构中每一膜层通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到。
与相关技术相比,本实用新型具有以下优点:
本实用新型实施例中,在太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层,在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层,其中,N型发射极和P型晶硅衬底相接,从而在满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求的同时,保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性,有效提高电池组件的组件可靠性,能应对复杂的实际应用环境,使用范围更广。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本实用新型的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本实用新型实施例提供的一种太阳电池的膜层结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种太阳电池的膜层结构具体示例示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本实用新型实施例中,太阳电池指可以有效吸收太阳能并将其转化为电能的半导体部件,其中,晶体硅太阳电池具有广泛的应用。在太阳电池,如以薄膜钝化为基础的晶体硅电池PERC(Passivated Emitter and Rear Cell,钝化发射极和背面电池技术)、TOPCon(Tunnel Oxide Passivating Contacts,隧穿氧化层钝化接触)电池、HJT(Heretojunction,异质结)等膜层结构直接影响着其光电转化效率以及组件可靠性。本实用新型实施例提供一种太阳电池的膜层结构,其中每一位置膜层的作用、功能确定,从而通过不同膜层的功能匹配在保证太阳电池的光电转换效率的同时,提高太阳电池的组件可靠性,具体如下所示:
图1为本实用新型实施例提供的一种太阳电池的膜层结构示意图,如图1所示,该太阳电池的膜层结构可以包括:
在N型发射极102上远离P型晶硅衬底101的方向依次包括:
抗诱导电势差衰减的第一钝化层103,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层104,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层105;
在所述P型晶硅衬底101上远离所述N型发射极102的方向依次包括:
抗光热诱导衰减的第四钝化层106,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层107;
所述N型发射极102与所述P型晶硅衬底101相接。
本实用新型实施例中,太阳电池中包括相接的P型晶硅衬底101与N型发射极102,其中,P型晶硅衬底101可以是单晶硅,也可以是多晶硅,P型晶硅衬底101可以向各层薄膜提供支撑作用,并与N型发射极102形成PN结,可选地,也可以采用N型晶硅为衬底,N型晶硅少子寿命更长,对杂质敏感度较低,光致衰减作用较弱,对应的可以采用P型发射极。在相接的P型晶硅衬底101与N型发射极102的表面上分别依次设置的具有特定功能的膜层,为本实用新型实施例提供的太阳电池的膜层结构。
抗诱导电势差衰减的第一钝化层103。
本实用新型实施例中,在N型发射极102上远离P型晶硅衬底101的方向上,可以根据应用需求依次设置不同的功能层结构,如可以包括抗诱导电势差的第一钝化层103,钝化层可以减少硅表面载流子复合,提高电池转化效率,可选地,第一钝化层103可以通过不同的结构实现不同机理的钝化效果,如第一钝化层103可以通过化学元素与N型发射极102表面的悬挂键、缺陷态、缺陷中心等形成化学键实现化学钝化,或者,第一钝化层103可以通过膜层所附带的固定电荷形成的电场阻碍少数载流子向非金属接触区域的硅表面移动,从而降低少数载流子在硅表面被复合中心捕获几率实现场效应钝化,本实用新型实施例对此不作具体限制。
本实用新型实施例中,在P型晶硅衬底101与N型发射极102的结构中,由于N型发射极102为高电势,在高电势下诱导使得P型晶硅衬底101中的多子电子浓度降低,从而导致电池的内建电势降低,进一步造成电池光电转化效率的衰减,上述现象通常由钠离子(Na+)在表面富集,以及抗反射膜层中正的固定电荷形成电场作用引起,可选地,第一钝化层103可以通过选择性隧穿膜层阻碍电子向低浓度方向移动实现抗诱导电势差衰减,也可以通过较低固定电荷的膜层实现抗诱导电势差衰减的效果,如可以使得太阳电池在60℃、相对湿度85%、96小时的抗诱导电势差衰减的测试中电池效率衰减小于或等于5%。
可选地,所述第一钝化层103包括折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≥2.1的非晶硅层、折射率≤1.7的氧化硅层中的至少两种。
本实用新型实施例中,第一钝化层103为抗诱导电势差衰减的钝化层,可选地,第一钝化层103包括两种以上膜层的结构,如第一钝化层103可以是折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≥2.1的非晶硅层的组合结构,可以是折射率≥2.1的非晶硅层、折射率≤1.7的氧化硅层的组合结构,可以是折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≤1.7的氧化硅层的组合结构,也可以是折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≥2.1的非晶硅层、折射率≤1.7的氧化硅层的组合结构等,本领域技术人员可以根据第一钝化层103的特性选择不同的膜层结构,本实用新型实施例对此不作具体限制。
可选地,所述第一钝化层103的厚度≥10纳米且≤25纳米。
本实用新型实施例中,第一钝化层103的总厚度为10nm~25nm,即厚度可以是10nm、15nm、20nm、25nm等10nm~25nm间的任意厚度,在厚度≥10纳米且≤25纳米的范围内,本实用新型实施例对第一钝化层103的厚度不作具体限制。
抗反射且满足预设透光率的第二钝化层104。
本实用新型实施例中,在N型发射极102上远离P型晶硅衬底101的方向第一钝化层103的基础上,依次还可以包括抗反射且满足预设透光率的第二钝化层104,其中,第二钝化层104的钝化效果可参照第一钝化层103的相关描述,为避免重复,在此不再赘述。
本实用新型实施例中,由于硅在可见光到红外线波段400nm~1100nm的区域内相对于空气有3.5~6.0的较大折射率,具有较大的界面反射损失;另外,入射光在穿过介质膜层的过程中,由于介质膜层的物质属性的影响会发生一定程度光吸收、反射等从而影响光通量,进一步影响电池的光电转化效率,此时,在第一钝化层103的基础上设置抗反射且满足预设透光率的第二钝化层104,基于光从高折射率介质射入低折射率介质时,在较大折射率差与一定入射角范围内可以实现全反射的机理,第二钝化层104可以通过特定折射率使得从N型发射极102向外各膜层折射率从高到低变化降低界面反射,从而实现PN结内高效的光吸收,而膜层透光率随折射率升高而降低,因此,可以根据透光率需求确定膜层折射率,以实现提升光通量以及抗反射的效果。
可选地,所述预设透光率为透光率≥92%。
本实用新型实施例中,预设透光率为大于或等于92%,可选地,即第二钝化层104的透光率可以是92%、93%、···、99%、···等92%以上的任意数值,本实用新型实施例对此不做具体限制。
可选地,所述第二钝化层104包括折射率≥1.9且≤2.15的氮化硅层、折射率≥1.75且≤2.0的氮氧化硅层中的至少一种。
本实用新型实施例中,第二钝化层104为抗反射且满足预设透光率的钝化层,可选地,第二钝化层104包括一种以上膜层的结构,如第二钝化层104可以是折射率≥1.9且≤2.15的氮化硅层,可以是折射率≥1.75且≤2.0的氮氧化硅层,也可以是折射率≥1.9且≤2.15的氮化硅层、折射率≥1.75且≤2.0的氮氧化硅层的组合结构等,本领域技术人员可以根据第二钝化层104的特性选择不同的膜层结构,本实用新型实施例对此不作具体限制。
可选地,第二钝化层104的厚度≥25纳米且≤40纳米。
本实用新型实施例中,第二钝化层104总厚度为25nm~40nm,即厚度可以是25nm、30nm、35nm、40nm等25nm~40nm间的任意厚度,在厚度≥25纳米且≤40纳米的范围内,本实用新型实施例对第二钝化层104的厚度不作具体限制。
抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层105。
本实用新型实施例中,在N型发射极102上远离P型晶硅衬底101的方向包括第一钝化层103、第二钝化层104的基础上,依次还可以包括抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层105,其中,第三钝化层105的钝化效果可参照第一钝化层103的相关描述,第三钝化层105的抗反射、满足预设透光率的效果可参照第二钝化层104的相关描述,为避免重复,在此不再赘述。
本实用新型实施例中,添加栅线时由于金属浆料在进入晶硅衬底、晶体硅以形成合金相的同时会形成新的缺陷复合中心,从而易造成金属复合作用,降低少数载流子在晶体硅中的体寿命,进而影响电池的光电转化效率,如N发射极102侧采用银浆浆料时,银浆浆料先是与N发射极102方向的膜层发生反应,腐蚀穿膜层后进而进入P型晶硅衬底101,因此,第三钝化层105可以通过改善膜层的化学性质从而改变金属浆料与第三钝化层105反应的化学性质,降低金属浆料在掺杂过程中形成新缺陷复合中心的概率,以实现减少栅线处金属复合作用的效果。
可选地,所述第三钝化层105包括折射率≥1.9且≤2.05的氮化硅层、折射率≥1.7且≤1.85的氮氧化硅层、折射率≥1.6且小于等于1.75的氧化硅层中的至少一种。
本实用新型实施例中,第三钝化层105为抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的钝化层,可选地,第三钝化层105包括一种上膜层的结构,如第三钝化层105可以是折射率≥1.9且≤2.05的氮化硅层,可以是折射率≥1.7且≤1.85的氮氧化硅层,也可以是折射率≥1.6且小于等于1.75的氧化硅层,或者,也可以是上述三种膜层中任意两种、三种等的组合结构,本领域技术人员可以根据第三钝化层105的特性选择不同的膜层结构,本实用新型实施例对此不作具体限制。
可选地,第三钝化层105的厚度≥20纳米且≤50纳米。
本实用新型实施例中,第三钝化层105总厚度为20nm~50nm,即厚度可以是20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、50nm等20nm~50nm间的任意厚度,在厚度≥20纳米且≤50纳米的范围内,本实用新型实施例对第三钝化层105的厚度不作具体限制。
抗光热诱导衰减的第四钝化层106。
本实用新型实施例中,在P型晶硅衬底101上远离N型发射极102的方向上,也可以根据应用需求设置不同的功能层结构,如可以包括抗光热诱导衰减的第四钝化层106,其中,第四钝化层106的钝化效果可参照第一钝化层103的相关描述,为避免重复,在此不再赘述。另外,本实用新型实施例中,采用负的固定电荷或电场效应的场效应钝化膜层作为P型晶硅衬底101侧的钝化层时,可能会导致钠离子在高电势作用下聚集在晶体硅电池表面,与另一侧正的固定电荷的介质膜层形成较强的正电场,从而削弱P型晶硅衬底101侧负的场效应钝化层的钝化效果,此时,本领域技术人员可以根据实际应用需求选择P型晶硅衬底101侧的钝化层结构。
本实用新型实施例中,光热诱导衰减是与诱导电势差衰减在不同测试温度下表现出的不同衰减现象,其中,热诱导电势差衰减的测试温度较低,一般在50℃以下,而光热诱导衰减通常在50℃以上时更易发生,参与光热诱导衰减的影响因素更多,影响程度也更大,主要与氢元素、硼元素的浓度有关,氢元素、硼元素的浓度越高,光热诱导衰减的现象越明显,因此,第四钝化层106可以通过调整膜层中氢元素、硼元素的含量以实现抗光热诱导衰减的效果。
可选地,所述第四钝化层106包括折射率≥1.4且≤1.75的氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷氮化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的N型氧化锌层、折射率≥1.4且≤1.75的氧化钛层中的至少一种。
本实用新型实施例中,第四钝化层106为抗光热诱导衰减的钝化层,可选地,第四钝化层106可以包括一种以上膜层的结构,如第四钝化层106可以是折射率≥1.4且≤1.75的氧化硅层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的非晶硅层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的掺磷氮化硅层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的掺氮氧化硅层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的掺磷非晶硅层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的N型氧化锌层,可以是折射率≥1.4且≤1.75的氧化钛层,或者,也可以是上述八种膜层中任意两种、三种、四种、···、八种等的组合结构,本领域技术人员可以根据第四钝化层106的特性选择不同的膜层结构,本实用新型实施例对此不作具体限制。
可选地,所述第四钝化层106的厚度≥10纳米且≤100纳米。
本实用新型实施例中,第四钝化层106总厚度为10nm~100nm,即厚度可以是10nm、15nm、20nm、30nm、50nm、80nm、90nm、100nm等10nm~100nm间的任意厚度,在厚度≥10纳米且≤100纳米的范围内,本实用新型实施例对第四钝化层106的厚度不作具体限制。
抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层107。
本实用新型实施例中,在P型晶硅衬底101上远离N型发射极102的方向包括第四钝化层106的基础上,还依次包括抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层107,其中,抗反射、满足预设透光率可对应参照第二钝化层104的相关描述,抗诱导电势差衰减可对应参照第一钝化层101的相关描述,抗光热诱导衰减可对应参照第四钝化层106的相关描述,为避免重复,在此不再赘述。
可选地,所述第五钝化层107包括折射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层中的至少两种。
本实用新型实施例中,第五钝化层107为抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的钝化层,可选地,第五钝化层107可以包括两种以上膜层的结构,如第五钝化层107可以是射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层的组合结构,也可以是折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层的组合结构,也可以是折射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层的组合结构,还可以是折射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层的组合结构等,本领域技术人员可以根据第五钝化层107的特性选择不同的膜层结构,本实用新型实施例对此不作具体限制。
可选地,所述第五钝化层107的厚度≥40纳米。
本实用新型实施例中,第五钝化层107的总厚度为≥40nm,即厚度可以是40nm、45nm、50nm、60nm···等≥40纳米的任意厚度,本实用新型实施例对第一钝化层103的厚度不作具体限制。
本实用新型实施例中,在太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层,在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层,其中,N型发射极和P型晶硅衬底相接,从而在满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求的同时,保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性,有效提高电池组件的组件可靠性,能应对复杂的实际应用环境,使用范围更广。
可选地,所述膜层结构中每一膜层通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到。
本实用新型实施例中,膜层结构中每一膜层可以通过等离子体增强化学气相沉积法沉积制备得到,即每一膜层通过电离含有膜层成分原子的气体形成等离子体沉积得到,可选地,可以根据不同膜层的材质可以选择不同气体,调整温度、压力、气体流量等工艺参数,沉积设备可以选择管式炉、平板炉等,或者沉积设备可以选择微波型、直流型等,本实用新型实施例对此不作具体限制。
本实用新型实施例中,针对相关技术中不同膜层,尤其是不同功能膜层采用多种设备、方法制备,如相关技术制备P型硅侧的钝化层为ALD(Atomic layer deposition,原子层沉积)设备制备的氧化铝层,而抗反射层应用PECVD设备制备两种膜层采用不同设备制备,导致膜层制备时需要在设备之间转换,从而导致制备成本高昂、产能低下,而本实用新型实施例中太阳电池的膜层结构中每一膜层通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到,从而采用单一设备完成了不同功能膜层的制备,在满足太阳电池钝化、抗反射、组件可靠性的需求的同时,成膜设备单一,成本低廉、提高了产能。
图2为本实用新型实施例提供的一种太阳电池的膜层结构具体示例示意图,如图2所示,在具体示例中,该膜层结构采用捷佳创管式PECVD机台在太阳电池上沉积得到,该太阳电池的膜层结构包括:
在N型发射极202上远离P型晶硅衬底201的方向依次包括:
抗诱导电势差衰减的第一钝化层203,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层204,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层205;
在所述P型晶硅衬底201上远离所述N型发射极202的方向依次包括:
抗光热诱导衰减的第四钝化层206,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层207;
所述N型发射极202与所述P型晶硅衬底201相接。
其中,第一钝化层203远离P型晶硅衬底201的方向依次包括:
通过氧等离子体氧化制备的1nm~3nm的氧化硅层2031,以及折射率为2.3、厚度为9nm~11nm的氮化硅层2032的组合结构;
第二钝化层204为折射率为2.0、厚度为30nm的氮化硅层;
第三钝化层205为折射率为1.7、厚度为35nm的氮氧化硅层;
第四钝化层206远离N型发射极202的方向依次包括:
通过氧等离子体氧化制备得到的1nm~3nm厚的氧化硅层2061,以及这折射率为1.7、厚度为50nm的氧化硅层2062;
第五钝化层207远离N型发射极202的方向依次包括:
折射率为2.15、厚度为35nm的氮化硅层2071,折射率为2.0、厚度为60nm的氮化硅层2072,以及折射率为1.72、厚度为50nm的氮氧化硅2073。
上述太阳电池的膜层结构中每一膜层采用448片管式PECVD设备沉积得到,其中,各膜层沉积工艺参数如下表1所示:
表1膜层结构沉积工艺参数
温度/℃ | 压力/mTorr | 功率/W |
450~510 | 7500~8500 | 8000~14500 |
以及,各膜层气体源的气体流量可以根据气体种类的不同设定在700~8000sccm范围内。
在工艺中先沉积N型发射极202侧的第一钝化层203~第三钝化层205,再沉积P型晶硅衬底侧第四钝化层206~第五钝化层207。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本实用新型的其它实施方案。本申请旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本实用新型的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (4)
1.一种太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述太阳电池的膜层结构包括:
在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括:
抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层;
在所述P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括:
抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层;
所述N型发射极与所述P型晶硅衬底相接。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述预设透光率为透光率≥92%。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述第一钝化层的厚度≥10纳米且≤25纳米,第二钝化层的厚度≥25纳米且≤40纳米,第三钝化层的厚度≥20纳米且≤50纳米。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述第四钝化层的厚度≥10纳米且≤100纳米,所述第五钝化层的厚度≥40纳米。
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CN202120502713.3U CN216161746U (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 一种太阳电池的膜层结构 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114709295A (zh) * | 2022-06-06 | 2022-07-05 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种降低perc电池片衰减的方法及装置 |
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2021
- 2021-03-09 CN CN202120502713.3U patent/CN216161746U/zh active Active
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