CN216161081U - 一种触摸屏的消影结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材和导电线路层之间的消影膜；所述消影膜包括依次设置的氧化铌膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层；所述氧化铌膜层位于触摸屏基材一侧，所述二氧化硅膜层位于导电线路层一侧；所述氧化铌膜层与触摸屏基材之间还设有触摸屏黑色边框层。本实用新型通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来调整消影膜的模层光学搭配，既保证了消影膜的消影效果，又能避免氧化铌膜层因氧化不充分与二氧化硅膜层产生导电，提高了触摸屏本身的绝缘效果。

Description

一种触摸屏的消影结构

技术领域

本实用新型涉及触摸屏技术领域，特别涉及一种触摸屏的消影结构。

背景技术

目前，在触摸屏技术中，采用ITO做导电线路依然是主流。为了减少触摸屏视窗区域ITO导电线路和ITO被蚀刻掉的蚀刻痕区域出现视觉反差，常常会在触摸屏上做一层消影膜。现有的OGS产品消影膜主要使用高折材料氧化铌和低折材料二氧化硅搭配来达到消影的效果(通过调整高折材料和低折材料的搭配，使导电线路区域和蚀刻痕区域的光学接近)，但因为铌本身是金属材料，当其氧化不充分时会产生一定的导电性，因此采用传统方式做出来的触摸屏本身的绝缘性相对差，对于很多对绝缘性要求较高的车载触摸屏和带有笔电功能的触摸屏来说，采用氧化铌和二氧化硅搭配的方式构成消影膜无法满足触控屏的绝缘要求。而如果采用非金属材料氮化硅直接和二氧化硅搭配的方式，虽然可以解决绝缘性的问题，但对于触摸屏OGS产品来说，氮化硅材料和OGS触摸屏的黑色边框材料(树脂材料)之间会因为物性原因，存在两者间附着性差的问题，所以当直接采用氮化硅和二氧化硅构成的消影膜搭配在触摸屏中使用后，易出现脱落的情况，从而造成触控屏产品功能失效，存在一定的隐性风险。

现提供一种触摸屏的消影结构，通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来构成消影膜，不仅可以提高了触摸屏本身的绝缘效果，还能避免氮化硅直接与触摸屏黑色边框层接触时，因附着性较差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种触摸屏的消影结构，以解决上述背景技术中提到的问题。

为了达成上述目的，本实用新型的解决方案为：一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材和导电线路层之间的消影膜；所述消影膜包括依次设置的氧化铌膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层；所述氧化铌膜层位于触摸屏基材一侧，所述二氧化硅膜层位于导电线路层一侧；所述氧化铌膜层与触摸屏基材之间还设有触摸屏黑色边框层。

进一步地，所述触摸屏基材为玻璃。

进一步地，所述触摸屏黑色边框层通过感光树脂材料制备而成。

更进一步地，所述氧化铌膜层通过中频磁控溅射在触摸屏黑色边框层上，所述氧化铌膜层的膜层厚度为

进一步地，所述氮化硅膜层通过中频磁控溅射在氧化铌膜层上，所述氮化硅膜层的膜层厚度为

更进一步地，所述二氧化硅膜层中频磁控溅射在氮化硅膜层上，所述二氧化硅膜层的膜层厚度为

进一步地，所述导电线路层采用ITO搭桥结构。

本实用新型对照现有技术的有益效果是：

(1)本实用新型通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来调整消影膜的模层光学搭配，既保证了消影膜的消影效果，又能避免氧化铌膜层因氧化不充分与二氧化硅膜层产生导电，提高了触摸屏本身的绝缘效果；且消影膜通过氧化铌膜层与触摸屏黑色边框层接触，可以确保二者之间的附着性，避免消影膜直接用氮化硅膜层与触摸屏黑色边框层接触时因附着性差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用。

附图说明

图1为本实用新型各膜层分离状态下的立体结构示意图；

图2为本实用新型的各膜层贴合后的侧剖结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

触摸屏基材1、触摸屏黑色边框层2、消影膜3、氧化铌膜层31、氮化硅膜层32、二氧化硅膜层33、导电线路层4。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

实施例一：

如图1-图2所示，一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材1和导电线路层4之间的消影膜3；所述消影膜3包括依次设置的氧化铌膜层31、氮化硅膜层32和二氧化硅膜层33；所述氧化铌膜层31位于触摸屏基材1一侧，所述二氧化硅膜层33位于导电线路层4一侧；所述氧化铌膜层31与触摸屏基材1之间还设有触摸屏黑色边框层2；其中，氮化硅膜层32具有良好的绝缘性，通过在氧化铌膜层31和二氧化硅膜层33之间设置氮化硅膜层32来调整消影膜3的模层光学搭配，既保证了消影膜3的消影效果，又可以通过氮化硅膜层32隔绝氧化铌膜层31和二氧化硅膜层33，有效避免氧化铌膜层31因氧化不充分与二氧化硅膜层33产生导电，确保氧化铌膜层31和二氧化硅膜层33之间的绝缘性，进而达到提高触摸屏本身绝缘效果的目的；而消影膜3靠近触摸屏黑色边框层2一侧为氧化铌膜层31，可以确保触摸屏黑色边框层2与消影膜3之间的附着性，避免消影膜3直接用氮化硅膜层32与触摸屏黑色边框层2接触时因附着性差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用；

本实施例中，所述触摸屏基材1为玻璃；本实施例中，所述触摸屏黑色边框层2通过感光树脂材料制备而成；其中，所述触摸屏黑色边框层2在加工时，需要在玻璃(触摸屏基材1)上先喷涂一层绝缘的黑色的感光胶，再利用铬版通过黄光光刻工艺制作出所需的黑色边框图形即可；触摸屏基材1上方覆盖的触摸屏黑色边框层2区域为遮蔽区，触摸屏基材1上未覆盖触摸屏黑色边框层2的区域为显示区，感光树脂材料制备而成的触摸屏黑色边框层2可以提高触摸屏对比度，使显示区具有良好的清晰度；

本实施例中，所述氧化铌膜层31通过中频磁控溅射在触摸屏黑色边框层2上，所述氧化铌膜层31的膜层厚度为

所述氮化硅膜层32通过中频磁控溅射在氧化铌膜层31上，所述氮化硅膜层32的膜层厚度为

所述二氧化硅膜层33中频磁控溅射在氮化硅膜层32上，所述二氧化硅膜层33的膜层厚度为

通过控制各膜层厚度，可以确保消影膜3处于合适的使用厚度，确保消影膜3的消影效果；

本实施例中，所述导电线路层4采用ITO搭桥结构；其中，ITO搭桥结构的导电线路层4是触控屏中获取触控信息的关键部件，其厚度可以采用本领域中的常用厚度即可，在此不再过多叙述；

本实施例所述触摸屏的消影结构制作步骤如下：

A、利用中频磁控溅射镀膜机进行镀膜，在具有触摸屏黑色边框层2的触摸屏基材1上沉积一层氧化铌，形成氧化铌膜层31；其中，中频磁控溅射镀膜机的沉积温度为150℃～380℃，镀膜过程中控制氧气的通入量，将氧化铌的折射率控制在2.2，氧化铌膜层31的层厚优选为

B、待氧化铌膜层31沉积完成后，再利用中频磁控溅射镀膜机在氧化铌膜层31上沉积一层氮化硅，形成氮化硅膜层32；其中，中频磁控溅射镀膜机的沉积温度为150℃～380℃，并将氮化硅的折射率控制在2.0；若触控屏后续搭配的导电线路层4的ITO电阻为30Ω/□，则氮化硅膜层32的层厚优选为

C、待氮化硅膜层32沉积完成后，继续利用中频磁控溅射镀膜机在氮化硅膜层32上沉积一层二氧化硅，形成二氧化硅膜层33；其中，中频磁控溅射镀膜机的沉积温度为150℃～380℃，并将二氧化硅的折射率控制在1.4，二氧化硅膜层33的层厚优选为

D、待氮化硅膜层32沉积完成后，氧化铌膜层31、氮化硅膜层32和二氧化硅膜层33形成消影膜3，再通过中频磁控溅射镀膜机在消影膜3表面溅射ITO导电膜层，并通过光刻、蚀刻的工艺制作成图形，最终形成导电线路层4；

经过上述步骤制备的触摸屏消影结构，因氮化硅折射率的调节，并结合底层的氧化铌膜层31的变化，使消影膜3可随着导电线路层4的ITO电阻变化进行调整，满足不同触控屏的使用需求；同时，氧化铌膜层31还可以增加氮化硅膜层32和触摸屏黑色边框层2之间的附着性，能有效避免消影膜3与触摸屏黑色边框层2产生脱落的现象；

综上，本实用新型所提供的一种触摸屏的消影结构，通过在氧化铌膜层31和二氧化硅膜层33之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层32来调整消影膜3的模层光学搭配，既保证了消影膜3的消影效果，又能避免氧化铌膜层31因氧化不充分与二氧化硅膜层33产生导电，确保氧化铌膜层31和二氧化硅膜层33之间的绝缘性，进而达到提高触摸屏本身绝缘效果的目的；而消影膜3通过氧化铌膜层31与触摸屏黑色边框层2接触，可以确保触摸屏黑色边框层2与消影膜3之间的附着性，避免消影膜3直接用氮化硅膜层32与触摸屏黑色边框层2接触时因附着性差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材(1)和导电线路层(4)之间的消影膜(3)；其特征在于：所述消影膜(3)包括依次设置的氧化铌膜层(31)、氮化硅膜层(32)和二氧化硅膜层(33)；所述氧化铌膜层(31)位于触摸屏基材(1)一侧，所述二氧化硅膜层(33)位于导电线路层(4)一侧；所述氧化铌膜层(31)与触摸屏基材(1)之间还设有触摸屏黑色边框层(2)。

2.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述触摸屏基材(1)为玻璃。

3.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述触摸屏黑色边框层(2)通过感光树脂材料制备而成。

4.如权利要求1或3所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述氧化铌膜层(31)通过中频磁控溅射在触摸屏黑色边框层(2)上，所述氧化铌膜层(31)的膜层厚度为

5.如权利要求4所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述氮化硅膜层(32)通过中频磁控溅射在氧化铌膜层(31)上，所述氮化硅膜层(32)的膜层厚度为

6.如权利要求5所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述二氧化硅膜层(33)中频磁控溅射在氮化硅膜层(32)上，所述二氧化硅膜层(33)的膜层厚度为

7.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述导电线路层(4)采用ITO搭桥结构。

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