CN216120740U - 一种闭合状芯片天线单元及其超高频复合天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种闭合状芯片天线单元及其超高频复合天线，包括设置在载体绝缘层上的带有馈电端口的闭合状芯片天线导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接；本实用新型可以明显提高RFID芯片与天线的绑定生产效率、更利于环保，且其超高频复合天线的通信灵敏度不会受到影响。

Description

一种闭合状芯片天线单元及其超高频复合天线

技术领域

本实用新型属于智能标签领域，具体涉及一种闭合状芯片天线单元，本实用新型还涉及了该闭合状芯片天线单元应用的超高频复合天线。

背景技术

智能标签的主要工作原理是采用射频识别技术（Radio FrequencyIdentification，RFID），是自动识别技术的一种，通过无线射频方式进行非接触双向数据通信，利用无线射频方式对电子标签进行读写，从而达到识别目标和数据交换的目的。射频识别技术已被广泛地应用在智能标签产品领域中。在当前技术中，智能标签最常用的通信频率包括超高频（一般在860-960MHz）以及高频（一般在13.56MHz），高频智能标签主要用于通信距离短的应用场景（比如门禁等卡类产品等），而超高频智能标签主要用于通信距离长的应用场景（比如物流运输、仓储、服饰吊牌等）。

现有技术通常采用刻蚀法在PET基材上来制作整体超高频天线，不仅生产效率慢，而且耗费大量刻蚀工艺也带来了环保问题。

因此，本申请人希望寻求技术方案来解决以上技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种闭合状芯片天线单元及其超高频复合天线，可以明显提高RFID芯片与天线的绑定生产效率、更利于环保，且其超高频复合天线的通信灵敏度不会受到影响。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种闭合状芯片天线单元，包括设置在载体绝缘层上的带有馈电端口的闭合状芯片天线导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，所述馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接。

优选地，所述闭合状芯片天线导电图型为四边型或多边型形状。

优选地，所述RFID芯片通过绑定工艺与所述馈电端口电连接。

优选地，所述闭合状芯片天线导电图型采用物理切割工艺生产成型。

优选地，所述载体绝缘层采用PET膜。

优选地，一种超高频复合天线，包括闭合状芯片天线单元以及位于周围的天线单元，所述闭合状芯片天线单元采用如上所述的闭合状芯片天线单元。

优选地，所述闭合状芯片天线导电图型与所述天线单元的周围天线导电图型通过二次复合加工贴合在一起。

优选地，所述闭合状芯片天线导电图型与所述周围天线导电图型耦合连接。

优选地，所述闭合状芯片天线导电图型与所述周围天线导电图型采用导电胶进行电连接。

本实用新型首次创造性地提出了单独的闭合状芯片天线单元结构方案，芯片天线单元产品结构具体包括设置在载体绝缘层上的闭合状芯片天导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接；直接通过绑定工艺与RFID芯片的电极进行倒封装连接，所需的绑定跳距窄，可明显提高绑定生产效率，节省绑定时间；当后期应用本实用新型的芯片天线单元制作超高频复合天线时，周围的天线单元的其他部分和芯片天线单元可分开生产进行生产，然后通过二次复合后实现信号传输连接（具体可采用耦合连接或通过导电胶连接），生产效率高，而且经过Frequency-Carrier powder性能测试后发现，本申请在其工作通信频率范围内具有与传统一体式天线结构相同或类似的通信灵敏度。

附图说明

图1是本实用新型实施例1中芯片天线单元11的结构示意图；

图2是本实用新型实施例1中超高频复合天线1的结构示意图；

图3是本实用新型实施例2中超高频复合天线的结构示意图；

图4是本实用新型实施例3中芯片天线单元21的结构示意图；

图5是本实用新型实施例3中超高频复合天线2的结构示意图。

具体实施方式

本实施例公开了一种闭合状芯片天线单元，包括设置在载体绝缘层上的带有馈电端口的闭合状芯片天线导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

实施例1：请参见图1所示（并结合图2所示）的一种芯片天线单元11，位于设有周围天线导电图型12a的天线单元12内周；包括设置在载体绝缘层上的闭合状芯片天线导电图型11a，其中，该闭合状芯片天线导电图型12a设有馈电端口12b，馈电端口12b的两端分别与RFID芯片13的两个电极连接；同时闭合状芯片天线导电图型11a不与周围天线导电图型12a接触连接；优选地，在本实施方式中，闭合状芯片天线导电图型11a为矩型形状，当然地，在其他实施方式中，也可以采用其他形状，本实施例对此不做特别唯一限定；

在本实施方式中，闭合状芯片天线导电图型11a采用刻蚀工艺生产成型，载体绝缘层采用PET膜；RFID芯片13通过邦定工艺与闭合状芯片天线导电图型12a电连接；进一步优选地，在本实施方式中，为了获得较高的绑定生产效率，

请参见图2所示，本实施例还提出了一种超高频复合天线1，包括位于内周的芯片天线单元以及位于外周的天线单元12，芯片天线单元采用如本实施例以上所述的芯片天线单元11；在本实施方式中，闭合状芯片天线导电图型11a与周围天线导电图型12a之间设有间距用于耦合连接；进一步优选地，在本实施方式中，天线单元12包括位于第一载体绝缘层上的周围天线导电图型12a，可通过外部载体绝缘层将天线单元12与芯片天线单元11复合为一体；

优选地，在本实施方式中，天线单元12采用模切工艺或其他物理切割（例如激光工艺生产成型，无需耗费刻蚀工艺，利于环保；芯片天线单元11采用刻蚀工艺生产成型（当然也可以采用其他公知公工艺来制作成型，本实施例对此不做特别限定）；由于本实施例中的天线单元12和芯片天线单元11可分别进行制作，生产效率高，且避免了大量的刻蚀工序，利于环保，而且芯片天线单元11所需的刻蚀工作量少、也可以设置更小的绑定跳距，这极大地便于高效率批量生产芯片天线单元；

优选地，在本实施方式中，载体绝缘层和第一载体绝缘层均采用PET膜，当然地，在其他实施方式中，第一载体绝缘层也可以采纸或布等基材，这些都是本领域技术人员的常规技术选择。

实施例2：本实施例的其余技术方案同实施例1，区别在于，请参见图3所示，在本实施例2中，闭合状芯片天线导电图型12a与周围天线导电图型11a通过导电胶14进行电连接。

实施例3：本实施例的其余技术方案同实施例1，区别在于，请参见图4并结合图5所示，本实施例3提出了一种芯片天线单元21，包括设置在载体绝缘层上的闭合状芯片天线导电图型21a，其中，该闭合状芯片天线导电图型21a设有馈电端口21b，馈电端口21b的两端分别与RFID芯片23的两个电极连接；同时闭合状芯片天线导电图型21a不与周围天线导电图型22a接触连接；闭合状芯片天线导电图型21a为多边型形状。

请参见图5所示，本实施例还提出了一种超高频复合天线2，包括位于内周的芯片天线单元以及位于外周的天线单元22，芯片天线单元采用如本实施例以上所述的芯片天线单元21；在本实施方式中，闭合状芯片天线导电图型21a与周围天线导电图型22a之间设有间距用于耦合连接。

本申请人将实施例1-3提出的超高频复合天线制作为智能标签，并采用了Voyantic公司生产的智能标签测试设备，通过智能标签测试设备对以上实施例提出的智能标签进行了在不同通信频率Frequency（MHz）下的载波功率（Carrier powder）表现，发现在860-960MHz的超高频通信频率范围内有活跃的Carrier powder值，代表本实施例1-3的智能标签在超高频通信频率范围内具有非常高的通信灵敏度。

本实施例首次创造性地提出了单独的闭合状芯片天线单元结构方案，具体包括设置在载体绝缘层上的闭合状芯片天线导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接；不与天线单元的周围天线导电图型接触连接，直接通过绑定工艺与RFID芯片的电极进行倒封装连接，所需的绑定跳距窄，可明显提高绑定生产效率，节省绑定时间；当应用本实施例的芯片天线单元制作超高频复合天线时，天线单元其余部分和芯片天线单元可分别进行制作，然后进行一体式复合后实现信号传输连接（具体可采用耦合连接或通过导电胶连接），生产效率高。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种闭合状芯片天线单元，其特征在于，包括设置在载体绝缘层上的带有馈电端口的闭合状芯片天线导电图型，其中，该闭合状芯片天线导电图型设有馈电端口，所述馈电端口的两端分别与RFID芯片的两个电极连接；所述RFID芯片通过绑定工艺与所述馈电端口电连接；所述闭合状芯片天线导电图型采用物理切割工艺生产成型。

2.根据权利要求1所述的闭合状芯片天线单元，其特征在于，所述闭合状芯片天线导电图型为四边型或多边型形状。

3.根据权利要求1所述的闭合状芯片天线单元，其特征在于，所述载体绝缘层采用PET膜。

4.一种超高频复合天线，包括闭合状芯片天线单元以及位于周围的天线单元，其特征在于，所述闭合状芯片天线单元采用如权利要求1-3之一所述的闭合状芯片天线单元。

5.根据权利要求4所述的超高频复合天线，其特征在于，所述闭合状芯片天线导电图型与所述天线单元的周围天线导电图型通过二次复合加工贴合在一起。

6.根据权利要求5所述的超高频复合天线，其特征在于，所述闭合状芯片天线导电图型与所述周围天线导电图型耦合连接。

7.根据权利要求5所述的超高频复合天线，其特征在于，所述闭合状芯片天线导电图型与所述周围天线导电图型采用导电胶进行电连接。

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