CN212135481U - 一种高灵敏度rfid智能标签 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高灵敏度RFID智能标签，包括超高频智能标签，超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜外周的导电图型使得载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域，在空白区域上贴合NFC智能标签；载体绝缘膜和空白区域均为长方型形状，空白区域的宽边中心线与载体绝缘膜的宽边中心线重合，且导电图型相对载体绝缘膜的宽边中心线呈左右对称分布形状；本实用新型可以极大地简化了NFC智能标签的贴合工艺，同时本实用新型既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别，又可以在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性。

Description

一种高灵敏度RFID智能标签

技术领域

本实用新型属于智能标签领域，具体涉及一种高灵敏度RFID智能标签。

背景技术

智能标签的主要工作原理是采用射频识别技术(Radio FrequencyIdentification，RFID)，是自动识别技术的一种，通过无线射频方式进行非接触双向数据通信，利用无线射频方式对电子标签进行读写，从而达到识别目标和数据交换的目的。射频识别技术已被广泛地应用在智能标签产品领域中。

在当前技术中，智能标签最常用的通信频率包括超高频(一般在860-960MHz)以及高频(13.56MHz)，高频智能标签主要用于通信距离短的应用场景(比如服装吊牌类产品等)，而超高频智能标签主要用于通信距离长的应用场景(比如运输、仓储等)。现有技术的智能标签由于只能根据需要应用的场景来选择采用通信距离短的高频智能标签还是采用通信距离长的超高频智能标签，然而在实际应用中发现，随着各类产品的仓储物流等技术的发展，人们寄希望所采用的智能标签既可以实现短距离通信，又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离通信，增加使用便捷性，而且可以显著降低智能标签的使用成本，但现有技术中没有能满足该要求的智能标签产品。为此，本申请人的在先专利申请201922045323.3公开了一种双频智能标签及其双频智能标签吊牌，在空白区域上直接贴合高频智能标签，进而得到双频智能标签，既可以实现短距离的可靠通信，又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性，而且可以显著降低智能标签的使用成本。

然而，随着本申请人的进一步深入研究开发后发现，当直接采用201922045323.3公开的超高频天线形状时，由于其预留出的空白区域是不规则形状，这不利于便捷地贴合其他电子标签，因此，本申请人决定寻求技术方案来解决以上技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种高灵敏度RFID智能标签，通过对超高频标签的特定结构设计，设置了具有对称规则空白区域的超高频标签上，可以极大地简化了NFC智能标签的贴合工艺，同时本实用新型既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别，又可以在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种高灵敏度RFID智能标签，包括超高频智能标签，所述超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，所述超高频天线采用围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型使得所述载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域，在所述空白区域上贴合NFC智能标签，所述超高频智能标签的通信频率为860-960MHz，NFC智能标签的通信频率为13.56MHz；其中，所述载体绝缘膜和所述空白区域均为长方型形状，所述空白区域的宽边中心线与所述载体绝缘膜的宽边中心线重合，且所述导电图型相对所述载体绝缘膜的宽边中心线呈左右对称分布形状；同时所述导电图型在所述载体绝缘膜外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于所述NFC智能标签的通信连接。

优选地，所述载体绝缘膜的长度为7-8cm，其宽度为4-5cm。

优选地，所述标签芯片位于所述载体绝缘膜的宽边中心线上，且其正负两极通过矩型线状导电图型与所述导电图型电连接。

优选地，所述导电图型包括位于分布在所述载体绝缘膜一宽边外周的第一导电图型以及分别分布在所述载体绝缘膜长边外周的第二线状导电图型和第三线状导电图型，所述载体绝缘膜另一宽边不具有导电图型作为所述间隔部，其中，

所述第二线状导电图型和第三线状导电图型呈左右对称分布，且分别与所述第一导电图型两端导电连接，所述矩型线状导电图型与所述第一导电图型中部导电连接；

所述第一导电图型包括呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元；

所述第二线状导电图型和第三线状导电图型分别设有第一间隔部单元和第二间隔部单元；

所述空白区域位于所述导电图型的内周，且所述NFC智能标签的中心线与所述空白区域的宽边中心线重合。

优选地，所述NFC智能标签与其外周设有第一导电图型的宽边的间距大于NFC智能标签与另一宽边的间距。

优选地，所述载体绝缘膜采用PET膜，所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。

需要说明的是，本申请涉及的NFC智能标签是基于NFC芯片的复合智能标签，其中，NFC的是Near Field Communication的英文简写，意为近距离无线通讯技术，属于智能标签领域的公知标签产品，因此，本申请对其具体结构不再具体展开说明。

本实用新型通过对超高频标签的特定结构设计，具体采用：将超高频标签的载体绝缘膜和空白区域均设置为长方型形状，空白区域的宽边中心线与载体绝缘膜的宽边中心线重合，且导电图型相对载体绝缘膜的宽边中心线呈左右对称分布形状，可以实现快速便捷地贴合NFC智能标签，同时本实用新型的导电图型在载体绝缘膜外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于NFC智能标签的通信连接，不会NFC智能标签自身功能产生负面影响；因此，本实用新型通过对超高频标签的特定结构设计，设置了具有对称规则空白区域的超高频标签上，可以极大地简化了NFC智能标签的贴合工艺，同时本实用新型既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别，又可以在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式下超高频智能标签的结构示意图；

图2是本实用新型具体实施方式下高灵敏度RFID智能标签的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例公开了一种高灵敏度RFID智能标签，包括超高频智能标签，超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜外周的导电图型使得载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域，在空白区域上贴合NFC智能标签，超高频智能标签的通信频率为860-960MHz，NFC智能标签的通信频率为13.56MHz；其中，载体绝缘膜和空白区域均为长方型形状，空白区域的宽边中心线与载体绝缘膜的宽边中心线重合，且导电图型相对载体绝缘膜的宽边中心线呈左右对称分布形状；同时导电图型在载体绝缘膜外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于NFC智能标签的通信连接。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

请参见图1和图2所示，一种高灵敏度RFID智能标签1，包括超高频智能标签10，超高频智能标签10包括分别设有超高频天线和标签芯片12的载体绝缘膜11，超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜11外周的导电图型20使得载体绝缘膜11内周形成可贴合外部智能标签的空白区域13，在空白区域13上贴合NFC智能标签30，超高频智能标签10的通信频率为860-960MHz，NFC智能标签30的通信频率为13.56MHz；优选地，在本实施方式中，载体绝缘膜11采用PET膜，导电图型20采用经沉积刻蚀后的铝膜，载体绝缘膜11的长度为7-8cm，其宽度为4-5cm；具体地，在本实施方式中，载体绝缘膜11的长度为7.67cm，其宽度为4.49cm；

其中，在本实施方式中，载体绝缘膜11和空白区域13均为长方型形状，空白区域13的宽边中心线与载体绝缘膜11的宽边中心线重合，且导电图型20相对载体绝缘膜11的宽边中心线呈左右对称分布形状；同时导电图型20在载体绝缘膜11外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于NFC智能标签30的通信连接；

优选地，在本实施方式中，标签芯片12位于载体绝缘膜11的宽边中心线上，且其正负两极通过矩型线状导电图型21与导电图型20电连接；进一步优选地，在本实施方式中，导电图型20包括位于分布在载体绝缘膜11一宽边外周的第一导电图型22以及分别分布在载体绝缘膜11长边外周的第二线状导电图型23a和第三线状导电图型23b，载体绝缘膜11另一宽边不具有导电图型作为间隔部，其中，

第二线状导电图型23a和第三线状导电图型呈23b左右对称分布，且分别与第一导电图型22两端导电连接，矩型线状导电图型21与第一导电图型22中部导电连接；

第一导电图型22包括呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元；

第二线状导电图型23a和第三线状导电图型23b分别设有第一间隔部单元24a和第二间隔部单元24b；

空白区域13位于导电图型20的内周，且NFC智能标签30的中心线与空白区域13的宽边中心线重合。

优选地，在本实施方式中，为了进一步利于超高频智能标签10以及NFC智能标签30的独立通信，避免发生可能的干扰，NFC智能标签30与其外周设有第一导电图型22的宽边的间距大于NFC智能标签30与另一宽边的间距。

本实施例通过对超高频标签10的特定结构设计，具体采用：将超高频标签10的载体绝缘膜11和空白区域13均设置为长方型形状，空白区域13的宽边中心线与载体绝缘膜11的宽边中心线重合，且导电图型20相对载体绝缘膜11的宽边中心线呈左右对称分布形状，可以实现快速便捷地贴合NFC智能标签30，同时本实施例的导电图型20在载体绝缘膜11外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于NFC智能标签的通信连接，不会NFC智能标签自身功能产生负面影响；因此，本实施例通过对超高频标签10的特定结构设计，设置了具有对称规则空白区域13的超高频标签10上，可以极大地简化了NFC智能标签30的贴合工艺，同时本实施例既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别，又可以在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信，增加使用便捷性。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (6)

1.一种高灵敏度RFID智能标签，包括超高频智能标签，所述超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜，所述超高频天线采用围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型使得所述载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域，其特征在于，在所述空白区域上贴合NFC智能标签，所述超高频智能标签的通信频率为860-960MHz，NFC智能标签的通信频率为13.56MHz；其中，所述载体绝缘膜和所述空白区域均为长方型形状，所述空白区域的宽边中心线与所述载体绝缘膜的宽边中心线重合，且所述导电图型相对所述载体绝缘膜的宽边中心线呈左右对称分布形状；同时所述导电图型在所述载体绝缘膜外周设有间隔部，使其为非封闭状结构，利于所述NFC智能标签的通信连接。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度RFID智能标签，其特征在于，所述载体绝缘膜的长度为7-8cm，其宽度为4-5cm。

3.根据权利要求1所述的高灵敏度RFID智能标签，其特征在于，所述标签芯片位于所述载体绝缘膜的宽边中心线上，且其正负两极通过矩型线状导电图型与所述导电图型电连接。

4.根据权利要求3所述的高灵敏度RFID智能标签，其特征在于，所述导电图型包括位于分布在所述载体绝缘膜一宽边外周的第一导电图型以及分别分布在所述载体绝缘膜长边外周的第二线状导电图型和第三线状导电图型，所述载体绝缘膜另一宽边不具有导电图型作为所述间隔部，其中，

所述第二线状导电图型和第三线状导电图型呈左右对称分布，且分别与所述第一导电图型两端导电连接，所述矩型线状导电图型与所述第一导电图型中部导电连接；

所述第一导电图型包括呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元；

所述第二线状导电图型和第三线状导电图型分别设有第一间隔部单元和第二间隔部单元；

所述空白区域位于所述导电图型的内周，且所述NFC智能标签的中心线与所述空白区域的宽边中心线重合。

5.根据权利要求4所述的高灵敏度RFID智能标签，其特征在于，所述NFC智能标签与其外周设有第一导电图型的宽边的间距大于NFC智能标签与另一宽边的间距。

6.根据权利要求1所述的高灵敏度RFID智能标签，其特征在于，所述载体绝缘膜采用PET膜，所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。

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