CN212846855U - 一种复合式智能标签 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种复合式智能标签,超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜外周的导电图型使得载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域,在空白区域上贴合声磁标签,导电图型相对载体绝缘膜的长边中心线呈左右对称分布形状,导电图型包括分布在载体绝缘膜一长边外周的第一导电图型以及分布在载体绝缘膜宽边外周的第二导电图型;第二导电图型与第一导电图型两端导电连接;载体绝缘膜另一长边不具有导电图型,作为间隔部;本实用新型通过对超高频标签的特定天线结构设计,在具有空白区域的超高频标签上直接贴合声磁标签,既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别,又可以确保在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,增加使用便捷性。
Description
技术领域
本实用新型属于智能标签领域,具体涉及一种复合式智能标签。
背景技术
智能标签的主要工作原理是采用射频识别技术(Radio FrequencyIdentification,RFID),是自动识别技术的一种,通过无线射频方式进行非接触双向数据通信,利用无线射频方式对电子标签进行读写,从而达到识别目标和数据交换的目的。射频识别技术已被广泛地应用在智能标签产品领域中。
在当前技术中,智能标签最常用的通信频率包括超高频(一般在860-960MHz)以及高频(一般在13.56MHz),高频智能标签主要用于通信距离短的应用场景(比如服装吊牌类产品等),而超高频智能标签主要用于通信距离长的应用场景(比如运输、仓储等)。现有技术的智能标签由于只能根据需要应用的场景来选择采用通信距离短的高频智能标签还是采用通信距离长的超高频智能标签,然而在实际应用中发现,随着各类产品的仓储物流等技术的发展,人们寄希望所采用的智能标签既可以实现短距离通信,又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离通信,增加使用便捷性,而且可以显著降低智能标签的使用成本,但现有技术中没有能满足该要求的智能标签产品。为此,本申请人的在先专利申请201922045323.3公开了一种双频智能标签及其双频智能标签吊牌,在空白区域上直接贴合高频智能标签,进而得到双频智能标签,既可以实现短距离的可靠通信,又可以实现在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,增加使用便捷性,而且可以显著降低智能标签的使用成本。
然而,随着本申请人的进一步深入研究开发后发现,当直接采用201922045323.3公开的超高频天线形状时,由于其预留出的空白区域是不规则形状,这不利于便捷地贴合其他电子标签,而且当应用于不同类型的电子标签时,也希望对超高频天线形状进行适应性调整来满足其具体应用场合的通信需求。具体来说,DR声磁防盗标签属于声磁标签的一种,其核心结构为DR非晶片,对DR非晶片进行塑封处理后成型,其中DR为Dual-Resonater的缩写,意思是指共振片。DR声磁防盗标签属于不可重复使用的防盗标签,消磁后就失去作用,主要应用于商场里面的小件易盗商品,例如服装或各类装饰品。同样地,现有的DR声磁防盗标签无法实现在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,而当直接采用201922045323.3公开的超高频天线形状时,其预留出的空白区域是不规则形状,不仅不利于便捷地贴合DR声磁防盗标签,而且也不利于DR声磁防盗标签自身的灵敏度。
因此,本申请人希望进一步寻求更多的技术方案来解决以上技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种复合式智能标签,通过对超高频标签的特定天线结构设计,在具有空白区域的超高频标签上直接贴合声磁标签,既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别,又可以确保在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,增加使用便捷性。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种复合式智能标签,包括超高频智能标签,所述超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜,所述超高频天线采用围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型使得所述载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域,在所述空白区域上贴合声磁标签,所述导电图型相对所述载体绝缘膜的长边中心线呈左右对称分布形状,
所述导电图型包括分布在所述载体绝缘膜一长边外周的第一导电图型以及分布在所述载体绝缘膜宽边外周的第二导电图型;
所述标签芯片位于所述第一导电图型中心,且所述标签芯片的正负两极通过过渡导电图型与所述第一导电图型电连接;
所述第二导电图型与所述第一导电图型两端导电连接;
所述载体绝缘膜另一长边不具有导电图型,作为间隔部。
优选地,所述第一导电图型呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元。
优选地,所述第二导电图型呈线状,且其下端部设有呈向上方一体延伸的增强线状导电图型,所述增强线状导电图型与第二导电图型导电连接形成U型形状。
优选地,所述过渡导电图型呈矩型形状或弯折形状。
优选地,所述超高频智能标签的通信频率为300-3000MHz;其中,所述载体绝缘膜和所述空白区域均为长方型形状,所述空白区域的长边中心线与所述载体绝缘膜的长边中心线重合。
优选地,所述导电图型的长度范围为4.5-5.5cm,其宽度范围为1.8-2.5cm;所述空白区域的长度小于所述导电图型的长度,其宽度范围为1.1-1.4cm。
优选地,所述声磁标签采用DR声磁防盗标签,所述DR声磁防盗标签包括非晶片,通过塑封工艺成型得到包覆在所述非晶片外周的塑封包覆件。
优选地,所述声磁标签的长边中心线与所述载体绝缘膜的长边中心线重合;同时所述声磁标签两端与其相邻的第二导电图型之间的距离相等。
优选地,所述空白区域的长度为4.8cm,其宽度为1.25cm;所述声磁标签的长度为4.5cm,其宽度为1.1cm。
优选地,所述载体绝缘膜采用PET膜,所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。
本实用新型通过对超高频标签的特定天线结构设计,具体采用:天线的导电图型相对载体绝缘膜的长边中心线呈左右对称分布形状,由位于载体绝缘膜一长边外周的第一导电图型以及分布在载体绝缘膜宽边外周的第二导电图型,用于形成规则长方型形状的空白区域,可以实现快速便捷地贴合声磁标签,因此,本实用新型在具有空白区域的超高频标签上直接贴合声磁标签,既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别,又可以确保在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,增加使用便捷性;同时本实用新型的导电图型在载体绝缘膜外周设有间隔部,使其为非封闭状结构,利于DR声磁防盗标签的通信连接,不会对DR声磁防盗标签自身功能产生负面影响。
本实用新型还进一步优选地提出采用DR声磁防盗标签作为声磁标签,其中,DR声磁防盗标签包括非晶片,通过塑封工艺成型得到包覆在非晶片外周的塑封包覆件,其中,塑封包覆件设有塑封基面,塑封基面作为DR声磁防盗标签的底面与载体绝缘膜之间通过粘胶层实现一体复合,便于快速实现对呈细长形状的DR声磁防盗标签进行贴合。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式下复合式智能标签1的结构示意图;
图2是本实用新型具体实施方式下超高频智能标签10的结构示意图;
图3是图2中导电图型13的结构示意图。
具体实施方式
本实施例公开了一种复合式智能标签,包括超高频智能标签,超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜,超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜外周的导电图型使得载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域,在空白区域上贴合声磁标签,导电图型相对载体绝缘膜的长边中心线呈左右对称分布形状,导电图型包括分布在载体绝缘膜一长边外周的第一导电图型以及分布在载体绝缘膜宽边外周的第二导电图型;标签芯片位于第一导电图型中心,且标签芯片的正负两极通过过渡导电图型与第一导电图型电连接;第二导电图型与第一导电图型两端导电连接;载体绝缘膜另一长边不具有导电图型,作为间隔部。
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。
请参见图1和图2所示,一种复合式智能标签1,包括超高频智能标签10,超高频智能标签10包括分别设有超高频天线和标签芯片12的载体绝缘膜11,超高频天线采用围绕分布在载体绝缘膜11外周的导电图型13使得载体绝缘膜11内周形成可贴合外部智能标签的空白区域14,优选地,在本实施方式中,载体绝缘膜11采用PET膜,导电图型13采用经沉积刻蚀后的铝膜(也可以采用其他导电膜);
请进一步参见图3所示,在本实施方式中,在空白区域14上贴合声磁标签20,导电图型13相对载体绝缘膜11的长边中心线呈左右对称分布形状,导电图型13包括分布在载体绝缘膜11一长边外周的第一导电图型13a以及分布在载体绝缘膜11宽边外周的第二导电图型13b;标签芯片12位于第一导电图型13a中心,且标签芯片12的正负两极通过过渡导电图型13c与第一导电图型13a电连接;第二导电图型13b与第一导电图型13a两端导电连接;载体绝缘膜11另一长边不具有导电图型,作为间隔部;
优选地,为了增强导电图型的超高频通信灵敏度,在本实施方式中,第一导电图型13a呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元;第二导电图型13b呈线状,且其下端部设有呈向上方一体延伸的增强线状导电图型13b’,增强线状导电图型13b’与第二导电图型13b导电连接形成U型形状;过渡导电图型13c呈矩型形状或弯折形状;具体优选地,在本实施方式中,过渡导电图型13c呈弯折形状;
优选地,超高频智能标签10的通信频率为300-3000MHz,更为优选地,本申请人建议超高频智能标签10的通信频率为860-960MHz,满足目前主流的通信频率设置;其中,为了利于在空白区域14上贴合声磁标签20,在本实施方式中,载体绝缘膜11和空白区域14均为长方型形状,空白区域14的长边中心线与载体绝缘膜11的长边中心线重合;声磁标签20的长边中心线与载体绝缘膜11的长边中心线重合;同时声磁标签20两端与其相邻的第二导电图型13b之间的距离相等;
优选地,在本实施方式中,声磁标签20采用DR声磁防盗标签,DR声磁防盗标签包括非晶片(图未示出),通过塑封工艺成型得到包覆在非晶片外周的塑封包覆件21,其中,塑封包覆件21设有塑封基面21a,塑封基面21a作为DR声磁防盗标签的底面与载体绝缘膜11之间通过粘胶层实现一体复合;优选地,在本实施方式中,塑封包覆件21外周设有用于加强定位非晶片的锯齿型21b结构;
优选地,在本实施方式中,导电图型的长度L13范围为4.5-5.5cm,其宽度W13范围为1.8-2.5cm;空白区域的长度L14小于导电图型的长度,其宽度W14范围为1.1-1.4cm;优选地,在本实施方式中,导电图型的长度L13为5cm,其宽度W13为2.2cm,空白区域的长度L14为4.8cm,其宽度W14为1.25cm;声磁标签21的长度为4.5cm,其宽度为1.1cm,当然地,导电图型13、声磁标签21的长度和宽度的尺寸选择完全可以根据实际需要进行替换选择,本实施例对其不做唯一限定。
本实施例通过对超高频标签10的特定天线结构设计,具体采用:天线的导电图型13相对载体绝缘膜11的长边中心线呈左右对称分布形状,由位于载体绝缘膜11一长边外周的第一导电图型13a以及分布在载体绝缘膜11宽边外周的第二导电图型13b,用于形成规则长方型形状的空白区域14,可以实现快速便捷地贴合声磁标签20,因此,本实施例在具有空白区域14的超高频标签10上直接贴合声磁标签20,既可以实现在短距离内稳定可靠的声磁防盗识别,又可以确保在物流运输、仓储环节中的长距离灵敏通信,增加使用便捷性;同时本实施例的导电图型13在载体绝缘膜11外周设有间隔部,使其为非封闭状结构,利于DR声磁防盗标签20的通信连接,不会对DR声磁防盗标签20自身功能产生负面影响;本实施例还进一步优选地提出采用DR声磁防盗标签20作为声磁标签,其中,DR声磁防盗标签20包括非晶片,通过塑封工艺成型得到包覆在非晶片外周的塑封包覆件21,其中,塑封包覆件21设有塑封基面21a,塑封基面21a作为DR声磁防盗标签20的底面与载体绝缘膜11之间通过粘胶层实现一体复合,便于快速实现对呈细长形状的DR声磁防盗标签20进行贴合。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种复合式智能标签,包括超高频智能标签,所述超高频智能标签包括分别设有超高频天线和标签芯片的载体绝缘膜,所述超高频天线采用围绕分布在所述载体绝缘膜外周的导电图型使得所述载体绝缘膜内周形成可贴合外部智能标签的空白区域,其特征在于,在所述空白区域上贴合声磁标签,所述导电图型相对所述载体绝缘膜的长边中心线呈左右对称分布形状,
所述导电图型包括分布在所述载体绝缘膜一长边外周的第一导电图型以及分布在所述载体绝缘膜宽边外周的第二导电图型;
所述标签芯片位于所述第一导电图型中心,且所述标签芯片的正负两极通过过渡导电图型与所述第一导电图型电连接;
所述第二导电图型与所述第一导电图型两端导电连接;
所述载体绝缘膜另一长边不具有导电图型,作为间隔部。
2.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述第一导电图型呈交替连接的U型导电图型单元和倒U型导电图型单元。
3.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述第二导电图型呈线状,且其下端部设有呈向上方一体延伸的增强线状导电图型,所述增强线状导电图型与第二导电图型导电连接形成U型形状。
4.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述过渡导电图型呈矩型形状或弯折形状。
5.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述超高频智能标签的通信频率为300-3000MHz;其中,所述载体绝缘膜和所述空白区域均为长方型形状,所述空白区域的长边中心线与所述载体绝缘膜的长边中心线重合。
6.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述导电图型的长度范围为4.5-5.5cm,其宽度范围为1.8-2.5cm;所述空白区域的长度小于所述导电图型的长度,其宽度范围为1.1-1.4cm。
7.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述声磁标签采用DR声磁防盗标签,所述DR声磁防盗标签包括非晶片,通过塑封工艺成型得到包覆在所述非晶片外周的塑封包覆件。
8.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述声磁标签的长边中心线与所述载体绝缘膜的长边中心线重合;同时所述声磁标签两端与其相邻的第二导电图型之间的距离相等。
9.根据权利要求1或7所述的复合式智能标签,其特征在于,所述空白区域的长度为4.8cm,其宽度为1.25cm;所述声磁标签的长度为4.5cm,其宽度为1.1cm。
10.根据权利要求1所述的复合式智能标签,其特征在于,所述载体绝缘膜采用PET膜,所述导电图型采用经沉积刻蚀后的铝膜。
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