CN216120335U - 发光模块及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种发光模块及显示装置。根据本实用新型的一实施例的发光模块包括：电路基板；多个单元像素，排列于所述电路基板上；以及成型部，覆盖所述多个单元像素。其中，所述成型部包括第一成型层，至少局部地覆盖所述单元像素中的每一个；以及第二成型层，覆盖所述第一成型层。此外，防眩光层可以被布置于所述成型部上。

Description

发光模块及显示装置
技术领域
本实用新型涉及一种发光模块、制造该发光模块的方法以及包括该发光模块的显示装置，更详细地说，涉及一种包括包围多个单元像素的成型部的发光模块。
背景技术
发光元件为利用作为无机光源的发光二极管的半导体元件，广泛应用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明之类的各种领域。发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点，因此正在迅速代替现有光源。
另外，现有的发光二极管在显示装置中主要用作背光光源，然而最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的显示装置。这种显示器也被称为微型LED显示器。
显示装置通常利用蓝色、绿色以及红色的混合色来实现各种颜色，显示装置为了实现各种图像而包括多个像素，每个像素配备有蓝色子像素、绿色子像素以及红色子像素。通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，而且借由这些像素的组合来实现图像。
对微型LED显示器而言，微型LED对应于各子像素而排列在平面上，并且在一个基板上贴装有众多数量的微型LED。然而，微型LED的尺寸非常小，例如200μm以下，甚至100μm以下，因而难以转印至电路基板。此外，在将小尺寸的发光二极管贴装在电路基板之后，难以在没有光学失真或亮度损失的前提下物理地保护发光二极管。进一步地，需要寻找一种能够在保护发光二极管的同时提高显示装置的画质的技术。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是，提供一种具有如下的发光模块及其制造方法：所述发光模块具有能够缓和由电路基板导致的色差，并使亮度损失最小化的改善的结构。
本实用新型要解决的又一技术问题是，提供一种能够强化耐久性的发光模块及其制造方法。
根据一实施例的发光模块包括：电路基板；多个单元像素，排列于所述电路基板上；成型部，覆盖所述多个单元像素。其中，所述成型部包括：第一成型层，至少局部地覆盖所述多个单元像素中的每一个；以及第二成型层，覆盖所述第一成型层。进一步地，所述发光模块可以包括布置于所述成型部上的防眩光层。
在一实施例中，所述第一成型层可以包括黑色成型层，所述第二成型层可以包括透明成型层。
所述第一成型层可以覆盖所述多个单元像素中的每一个的侧面及上表面，所述第二成型层可以布置于所述第一成型层上部。
所述第一成型层可以至少局部地覆盖所述多个单元像素的侧面，所述第二成型层可以覆盖所述第一成型层。进一步地，所述第一成型层可以在所述多个单元像素之间的区域具有凹陷的形状。
并且，所述第二成型层的一部分可以位于单元像素之间的区域内。
在一实施例中，所述第一成型层可以覆盖所述多个单元像素的上表面，位于所述多个单元像素上的第一成型层可以具有凸出的形状。
在一实施例中，所述第二成型层的上表面轮廓可以与所述电路基板的上表面轮廓相同。
一实施例中，所述电路基板的上表面可以是非平面，所述第一成型层和所述第二成型层分别可以具有平整的上表面。
所述发光模块还可以包括：防反射层，布置于所述成型部与所述防眩光层之间。
所述发光模块还可以包括：硬度强化层，布置于所述成型部与所述防眩光层之间。
根据本实用新型的一实施例的显示装置包括：面板基板；以及多个发光模块，排列于所述面板基板上。其中，所述多个发光模块分别是在上文中所述的发光模块。
根据本实用新型的实施例，可以提供一种如下的发光模块：将包括黑色成型层和透明成型层的成型部布置于电路基板上以包围多个单元像素，从而改善色差并使亮度损失最小化。
此外，根据本实用新型的另一实施例，可以提供一种如下的发光模块：在包围多个单元像素的成型部上布置硬度强化层，从而提高表面硬度。
附图说明
图1A是用于说明根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。
图1B是沿图1A的截取线A-A'截取的示意性的剖面图。
图2A是用于说明根据一实施例的发光模块的示意性的平面图。
图2B是沿图2A的截取线B-B'截取的示意性的剖面图。
图3A是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
图3B是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
图4是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
图5是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
图6是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
图7A至图7G是用于说明根据一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
图8是用于说明根据一实施例的发光模块制造方法的示意性的平面图。
图9A至图9H是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
图10A至图10H是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
图11是用于说明可以在发光模块制造工艺中生成的成型部的侧面形状的示意性的剖面图。
图12A至图12E是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
图13A、图13B以及图13C是用于说明根据本实用新型的各种单元像素的示意性的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本实用新型的实施例。下面介绍的实施例是为了向本实用新型所属的技术领域的普通技术人员充分传递本实用新型的思想而作为示例提供的。因此，本实用新型不限于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形态。并且，在附图中，为了方便起见，可以夸大表示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，在记载为一个构成要素在另一构成要素的“上部”或者“上方”时，不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的上方”的情形，还包括又一构成要素介于各构成要素与另一构成要素之间的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记表示相同的构成要素。
图1A是用于说明根据一实施例的显示装置的示意性的平面图，图1B是沿图1A的截取线A-A'截取的示意性的剖面图。
参照图1A及图1B，显示装置1000可以包括面板基板200及多个发光模块100。各个发光模块100可以包括多个单元像素10。
显示装置1000不特别受限，可以包括微型LED TV、智能手表、诸如VR头戴式耳机之类的VR显示装置或者诸如增强现实眼镜之类的AR显示装置。
所述面板基板200可以利用诸如聚酰亚胺(PI：Polyimide)、FR4、玻璃(glass)等的材料形成，并且可以包括用于无源矩阵驱动或有源矩阵驱动的电路。在一实施例中，所述面板基板200可以在内部包括布线和电阻。在另一实施例中，所述面板基板200可以包括布线、晶体管以及电容器等。此外，所述面板基板200可以在其上表面具有能够电连接于电路的垫。
多个发光模块100可以整齐排列于面板基板200上。发光模块100可以彼此隔开而布置，也可以彼此紧贴地布置。发光模块100之间的间隔可以考虑后述的单元像素10之间的间隔而设定。例如，分别设置在相邻的发光模块100内的两个相邻的单元像素10之间的间隔实质上可以与一个发光模块100内的单元像素10之间的间隔相同。然而，本实用新型并不一定限于此。将参照图2A和图2B详细说明发光模块100。
图2A是示出根据本实用新型的一实施例的一个发光模块100的平面图，图2B是沿图2A的截取线B-B'截取的示意性的剖面图。
参照图2A及图2B，根据一实施例的发光模块100可以包括电路基板101、多个单元像素10、成型部103以及防眩光层109。所述成型部103可以包括第一成型层103a和第二成型层103b。
所述电路基板101可以具有用于电连接所述面板基板200和所述多个单元像素10的电路。所述电路基板101内的电路可以形成为多层结构。此外，所述电路基板101还可以包括用于以无源矩阵驱动方式驱动所述多个单元像素10的无源电路或者用于以有源矩阵驱动方式驱动所述多个单元像素10的有源电路。所述电路基板101可以具有暴露于表面的垫，所述多个单元像素10可以通过接合材料接合于所述电路基板101的垫。此外，所述电路基板101可以是应用于显示装置的黑色电路基板101。
所述多个单元像素10排列于所述电路基板101上。所述多个单元像素10可以分别包括发出红色光、绿色光、蓝色光的多个发光元件。发光元件可以分别对应于子像素。在一实施例中，所述单元像素10可以包括排列于彼此相同平面的至少三个发光元件。作为一例，如图13A所示，单元像素10a可以包括在透明基板11上彼此隔开布置的至少三个发光元件13a、13b、13c，并且发光元件13a、13b、13c可以与所述透明基板11一起布置于电路基板101上，以能够通过透明基板11发出光。在又一示例中，如图13B所示，所述多个单元像素10b可以分别包括彼此隔开的至少三个发光元件13a、13b、13c。单元像素10c可以在没有在先说明的透明基板11的情况下包括排列于电路基板101上的发光元件13a、13b、13c。即，在电路基板101上彼此相邻地布置的至少三个发光元件13a、13b、13c可以构成一个单元像素10。
在另一实施例中，所述多个单元像素10c可以包括分别沿垂直方向堆叠的第一LED叠层23a、第二LED叠层23b以及第三LED叠层23c。第一LED叠层23a、第二LED叠层23b以及第三LED叠层23c可以分别构成子像素。如图13C所示，单元像素10c可以包括垂直地堆叠于透明基板21上的第一LED叠层23a、第二LED叠层23b以及第三LED叠层23c。第一LED叠层23a、第二LED叠层23b以及第三LED叠层23c以能够通过透明基板21发出光而的方式与透明基板21一起布置于电路基板101上。
所述多个单元像素10可以以矩阵形态排列于所述电路基板101上。如图2A所示，所述多个单元像素10可以以4×4行列排列，但不限于此，可以以2×2、3×3、5×5等多种行列(nxm，n＝1、2、3、4、……，m＝1、2、3、4、……)排列。
所述成型部103可以包括多个成型层103a、103b，并且所述多个成型层103a、103b的数量不受限制。所述多个成型层103a、103b可以具有彼此不同的颜色，并且可以由至少两种物质构成。
所述第一成型层103a能够以覆盖所述多个单元像素10的方式布置于所述电路基板101上。具体地，所述第一成型层103a可以与所述电路基板101表面接触，并且可以覆盖所述多个单元像素10的下表面、侧面以及上表面。所述第一成型层103a可以具有平整的上表面。在一实施例中，电路基板101可以是弯折的，也可以是翘曲的，从而其表面不平整。即使在这种情形下，第一成型层103a也可以不受电路基板101的平坦度的影响而具有平整的上表面。也就是说，第一成型层103a吸收电路基板101的上表面的变形而提供平整的上表面。因此，所述第一成型层103a可以具有局部地厚的部分和局部地薄的部分，第一成型层103a的上表面轮廓可以与电路基板101的上表面轮廓不同。
所述第二成型层103b可以覆盖所述第一成型层103a的上表面，并且可以具有平整的上表面。第二成型层103b可以具有大致均匀的厚度。第一成型层103a和第二成型层103b的侧面可以彼此对齐，并且它们的侧面也可以与基板101的侧面对齐。
包括所述第一成型层103a和所述第二成型层103b的成型部103可以利用紫外线光固化树脂形成。相比于热固性树脂，通过利用紫外线光固化树脂可以增加成型部103的硬度。然而，本实用新型不限于此，也可以利用热固性树脂来形成成型部103。
所述成型部103的材料可以包括：亚克力类树脂、硅类树脂或氨基甲酸乙酯类树脂。所述成型部103的材料还可以包括光吸收剂或染料。所述成型部103的材料可以是透明的，也可以是黑色、白色或灰色。
在一实施例中，所述第一成型层103a可以利用黑色成型层形成。所述黑色成型层可以通过改善由所述电路基板101引起的色差来改善提取的光的均匀度。并且，由于所述第一成型层103a包围着所述多个单元像素10，从而可以阻断从单元像素10的侧面提取的光，由此，可以减少左右视角，并且可以防止相邻的单元像素之间的边界线被观察到。
另外，所述第二成型层103b可以利用透明成型层形成。所述透明成型层可以通过消除显示装置1000的光学失真来改善视觉图像。此外，通过一起布置所述黑色成型层和所述透明成型层，不仅可以缓和由所述电路基板101引起的色差，而且与仅布置黑色成型层的情况相比，还可以提高亮度。
在本实施例中，以第一成型层103a利用黑色成型层形成且第二成型层103b利用透明成型层形成的情形进行说明，但本实用新型不限于此。在另一实施例中，所述第一成型层103a可以也利用透明成型层形成，并且所述第二成型层103b利用黑色成型层形成。通过将具有均匀厚度的第二成型层103b利用黑色成型层形成，不仅可以改善由电路基板101引起的色差，还可以改善发光模块100内的各个位置的亮度均匀性。
在本实施例中，所述第一成型层103a可以覆盖多个单元像素10的上表面。位于单元像素10的上表面的第一成型层103a的厚度可以小于单元像素10之间的宽度。
防眩光层109可以布置于所述成型部103上。所述防眩光层109可以通过将二氧化硅、三聚氰胺及亚克力等的微粒子与固化树脂混合来散射光，从而防止眩光。防眩光层109可以保持高透射率，并且可以改善发光模块100的表面的清晰度和光滑度。防眩光层109可以包含亚克力类、硅类及氨基甲酸乙酯类等的高分子以及二氧化硅、三聚氰胺及亚克力类等的微粒子。可以通过调节防眩光层109的厚度、微粒子的密度及尺寸等来调节防眩光效果。
在本实施例中，各个发光模块100包括成型部103。另外，除了所述成型部103之外，还可以追加地布置有在所述面板基板200上覆盖所述发光模块100的附加成型部，由此，可以防止发光模块的边界线被观察到。
图3A是示出根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
参照图3A，发光模块包括电路基板101、多个单元像素10、第一成型层103a、第二成型层103b以及防眩光层109。其中，电路基板101、多个单元像素10以及防眩光层109与参照图2A和图2B所述的内容相似，因此为避免重复而省略详细说明。
所述第一成型层103a可以布置为覆盖单元像素10的下表面和侧面。第一成型层103a未布置于单元像素10的上表面，从而可以提高单元像素的亮度。另外，所述第一成型层103a可以在单元像素10之间具有凹陷的表面。所述第一成型层103a与单元像素10接触而形成侧壁。位于单元像素10的侧面的第一成型层103a形成趋于单元像素10的下部而逐渐变厚的侧壁。即，第一成型层103a的水平方向的厚度随着第一成型层103a靠近电路基板101而增加。
第二成型层103b可以沿所述第一成型层103a的凹陷的上表面布置。形成所述第二成型层103b的量可以比形成第一成型层103a的量更多，并且第二成型层103b可以具有比第一成型层103a更平整的上表面。
所述第一成型层103a可以利用黑色成型层形成，所述第二成型层103b可以利用透明成型层形成。由此，第一成型层103a可以不阻断从单元像素10的上部区域朝向侧面方向射出的光而仅阻断从单元像素10的下部区域朝向侧面射出的光。由此，可以在有效地防止单元像素10之间发生光干涉的同时，增加从单元像素10射出的光的亮度及指向角。
然而，本实用新型不限于此，所述第一成型层103a可以利用透明成型层形成，所述第二成型层103b也可以利用黑色成型层形成。由此，能够阻断大部分从单元像素10的侧面射出的光。
所述第一成型层103a及第二成型层103b可以与电路基板101的位置无关地以相同的形状覆盖单元像素10的侧面及上表面。例如，即使由于电路基板101弯折或弯曲而使单元像素10布置于彼此不同的高度，第一成型层103a和第二成型层103b也能够将各个单元像素10的侧面和上表面实质上相同地覆盖。即，所述第一成型层103a和所述第二成型层103b可以沿所述电路基板101的非平面形成，因此，所述第二成型层103b的上表面可以形成为与电路基板101的上表面相同的形状。尤其，所述第二成型层103b的上表面轮廓可以与电路基板101的上表面轮廓实质上相同。
图3B是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
参照图3B，根据本实施例的发光模块与参照图3A说明的发光模块大致相似，然而其区别在于第一成型层103a覆盖单元像素10的上表面。即，第一成型层103a可以覆盖单元像素10的上表面、侧面以及下表面。但是，第一成型层103a可以在单元像素10之间的区域具有凹陷的表面，并且可以在单元像素10上具有凸出的表面。第二成型层103b覆盖第一成型层103a，并且可以具有比第一成型层103a的上表面更平整的上表面。
在本实施例中，与参照图3A所述的内容相同地，第一成型层103a和第二成型层103b也可以沿电路基板101的非平坦面形成。因此，单元像素10上可以布置有实质上相同量的第一成型层103a，第二成型层103b的上表面可以沿电路基板101的非平坦面形成为与电路基板101的上表面相同的形状。
图4是示出根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
参照图4，根据本实施例的发光模块可以包括电路基板101、多个单元像素10、第一成型层103a、第二成型层103b以及防眩光层109。根据本实施例的发光模块与参照图2A及图2B在先说明的发光模块大致相似，因此为了避免重复，以下针对区别点进行说明。
在本实施例中，所述第一成型层103a可以包围单元像素10的下表面及侧面而布置。但是，所述第一成型层103a能够以使多个单元像素10的上表面暴露的方式形成于所述电路基板101上。所述第一成型层103a可以具有平整的上表面，第一成型层103a的上表面可以与单元像素10的上表面平行。第二成型层103b布置于第一成型层103a上，并且可以与单元像素10的上表面接触。
所述第一成型层103a可以利用黑色成型层形成，所述第二成型层103b可以利用透明成型层形成，但不限于此，所述第一成型层103a也可以可以利用透明成型层形成，并且所述第二成型层103b利用黑色成型层形成。
图5是示出根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
参照图5，根据本实施例的发光模块与参照图2A及图2B说明的发光模块大致相似，然而其区别在于在第二成型层103b与防眩光层109之间还包括防反射层105。
防反射层105防止从第二成型层103b的上表面产生的光反射，从而提高发光模块的亮度。在一实施例中，所述防反射层105可以通过使用光学粘合材料布置于所述第二成型层103b上。所述光学粘合材料覆盖第二成型层103b以防止第二成型层103b的表面的反射。所述光学粘合材料可以包含例如，亚克力类、硅类以及氨基甲酸酯类等的成分。根据本实用新型的实施例，粘合剂可以是具有无定形的液体形态的光学透明树脂(OCR：opticallyclear resin)，但不限于此，并且可以是诸如双面胶带之类的膜形态的光学透明胶(OCA：optically clear adhesive)。
所述防反射层105也可以是通过湿涂法涂覆诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)或三乙酰基纤维素(TAC：tri-acetyl cellulose)之类的高分子物质的防反射(AR：anti-reflector)涂膜。在另一实施例中，所述防反射层105也可以通过布置具有彼此不同折射率的无机物层来形成。例如，可以通过将氧化铟锡(ITO：Indiumtin oxide)、SiO2、SiON、Si3N4、TiO2、Ta2O5等的氧化物层中的至少两层堆叠在第二成型层103b上而形成防反射层105，也可以通过将堆叠有氧化物层的涂膜附着在第二成型层103b上而形成防反射层105。所述防反射层105可以通过堆叠具有彼此不同的折射率的两层以上的薄膜，从而利用在薄膜的界面处产生的光的干涉。通过使从各个薄膜的界面反射的波长相互产生相消干涉，可以降低防反射层105的反射率并提高透射率，由此可以提高显示装置的亮度。
图6是示出根据本实用新型的又一实施例的发光模块的示意性的剖面图。
参照图6，根据本实施例的发光模块与参照图2A及图2B说明的发光模块大致相似，然而其区别在于在第二成型层103b与防眩光层109之间还包括硬度强化层107。
硬度强化层107可以布置于第二成型层103b上。所述硬度强化层107可以利用光学粘合材料布置于所述第二成型层103b上。
所述硬度强化层107可以包含玻璃(glass)或塑料，塑料可以包含例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及聚碳酸酯(polycarbonate)等。所述硬度强化层107可以具有2H以上的铅笔硬度。所述发光模块还可以包括防反射层和防污染层。硬度强化层107可以利用紫外线光固化材料形成。在此情况下，硬度强化层107可以与第一成型层103a和第二成型层103b一起通过紫外线照射而被固化。
在本实用新型的实施例中，发光模块100包括多个单元像素10，多个发光模块100可以整齐排列以制造显示装置1000。以下，将详细描述发光模块制造方法。
图7A至图7G是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
参照图7A，在电路基板101上接合有多个单元像素10。所述多个单元像素10可以以彼此隔开预定间隔的方式布置于所述电路基板101的上表面。单元像素10的电极可以通过焊料分别与形成于电路基板101的电极接合，但不限于此，例如，可以通过共晶接合、环氧接合等方式进行接合。
参照图7B，可以通过在所述电路基板101上涂覆成型液来形成第一成型层103a。所述成型液可以涂覆、涂层或喷射(jetting)在所述电路基板101上，但是本实用新型不限于此。在涂覆所述成型液之后，所述成型液可以被预固化。在一实施例中，可通过涂覆包含黑色颜料的成型液来形成第一成型层103a。在另一实施例中，可以通过涂覆透明成型液来形成第一成型层103a。
在通过涂覆成型液来形成第一成型层103a的情形下，难以将成型液以均匀的厚度涂覆于电路基板101上。本实用新型公开了一种涂覆成型液后利用板110形成具有均匀厚度的第一成型层103a的方法。
在将成型液涂覆于电路基板101的整个表面的情形下，成型液可以积聚于电路基板101的边缘，使得第一成型层103a可以在电路基板101的边缘部分较厚地形成。为了防止这种情形，在本实施例中，所述成型液可以涂覆于电路基板101的一部分，而不是涂覆于电路基板101的整个表面。尤其，可以在电路基板101的中央部涂覆比在电路基板101的其他部分更多的量，使电路基板101的中央部被涂覆成向上凸出的形态。图8示意性地示出了涂覆于电路基板101上的成型液的形状。参照图8，形成所述第一成型层103a的成型液可以大量地涂覆于电路基板101的中央部，并且可以以分支形状从中央部朝向电路基板101的拐角涂覆。所述成型液可以包括涂覆在电路基板101的中央部的第一部分和从所述第一部分朝向电路基板101的拐角的至少四个分支部分。涂覆于电路基板101的中央部的成型液的涂覆量可以大于涂覆于分支部的成型液的涂覆量。此外，所述分支部的成型液涂覆量可以彼此实质上相同。另外，各个分支部的末端从电路基板101的拐角隔开。若分支部的末端过于靠近拐角，则在后续工艺中，成型液会堆积于拐角侧，从而使第一成型层103a的厚度在电路基板101的拐角处变厚。如图8所示，后述的第二成型层103b也可以以与第一成型层103a相同的方式通过涂覆成型液而形成。在本实施例中，虽然对按所述电路基板101上的位置而不同地涂覆成型液的情形进行了说明，但是用于形成所述第一成型层103a和所述第二成型层103b的成型液的涂覆图案可以有多种，并不限于本实用新型。例如，成型液可以涂覆为“己字形”图案、“Z字形”图案等各种形状。
参考图7C，板110可以设置于第一成型层103a上，并且板110可以被按压以向第一成型层103a施加压力。所述板110不特别受限，其可以是例如玻璃基板、石英基板或亚克力基板。
所述第一成型层103a的形状可以通过所述板110而变形。所述板110可以向下移动到预定高度，并且可以将所述第一成型层103a变形为预定厚度。随着使用所述板110向第一成型层103a施加压力，布置于中央部的第一成型层103a扩散到电路基板101的周边区域。
所述板110的下表面可以是平整的表面，据此，所述第一成型层103a的上表面可以像板110的下表面一样平整地变形。尤其，所述第一成型层103a的上表面可以与电路基板101的上表面轮廓无关地具有平整的表面。在另一实施例中，所述板110可以在下表面具有纳米图案或微米图案的凹凸，所述第一成型层103a可以根据所述板110的下表面形状变形为具有凹凸。
参照图7D，可以通过在所述第一成型层103a上涂覆成型液来形成第二成型层103b。所述成型液可以涂覆或涂层或者喷射(jetting)于具有平整的上表面的第一成型层103a上，但不限于此。在涂覆所述成型液之后，所述成型液可以被预固化。在一实施例中，所述第二成型层103b可以利用透明成型液形成。在另一实施例中，在所述第一成型层103a为透明成型层的情形下，所述第二成型层103b可以利用黑色成型液形成。
所述成型液可以在所述第一成型层103a的中央部被涂覆更多的量，从而形成为中央部向上凸出的形态。参照图8，与在先形成第一成型层103a的情形相同地，所述第二成型层103b可以通过在第一成型层103a上涂覆成型液而形成。
参照图7E，板110可以布置于所述第二成型层103b上，并且所述板110可以被按压以向第二成型层103b施加压力。所述板110不特别受限，其可以是例如玻璃基板、石英基板或亚克力基板。此外，所述板110可以与用于形成第一成型层103a的板110相同，但不限于此。
所述第二成型层103b的上表面可以通过所述板110变形。所述板110可以向下移动到预定高度，并且所述第二成型层103b可以变形为预定厚度。所述板110的下表面可以是平整的表面，并且所述第二成型层103b的上表面可以平整地变形。在另一实施例中，所述板110可以在下表面具有纳米图案或微米图案，所述第二成型层103b的上表面可以借由所述板110的图案而变形为具有凹凸。
接着，可以通过照射紫外线来使所述第一成型层103a和所述第二成型层103b同时固化，由此，可以形成固化的成型部103。紫外线可以通过所述板110照射。
参照图7F，可以在去除所述板110而暴露的成型部103表面形成防眩光层109。所述防眩光层109可以利用喷涂技术而涂层于成型部103上。所述防眩光层109可以利用紫外线进行固化。
参照图7G，可以通过切割并去除所述电路基板101的边缘来完成发光模块。可以采用切割、激光切割、镂铣(routing)等技术将所述电路基板101、所述成型部103和所述防眩光层109一起切割。所述电路基板101、所述成型部103和所述防眩光层109通过切割可以具有彼此对齐的侧面。
图9A至图9H是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。以下，将省略与制造图7A至图7G的发光模块的方法重复的说明。
参照图9A，在电路基板101上接合有多个单元像素10。对此的说明与图7A中说明的内容相同，因此省略。
参照图9B至图9E，在所述电路基板101上可以形成覆盖多个单元像素10的第一成型层103a，并且在所述第一成型层103a上可以形成第二成型层103b。针对所述第一成型层103a和所述第二成型层103b的形成方法的说明与图7B至图7E中的说明相同，因此省略。
参照图9F，防反射层105可以形成在所述第二成型层103b上。为了粘合所述防反射层105，可以在所述第二成型层103b与所述防反射层105之间布置光学透明树脂(OCR：optically clear resin)。所述防反射层105可以是防反射器(AR：anti-reflector)涂膜的形态。防反射层105还可以通过沉积工艺形成在第二成型层103b上。
参照图9G，防眩光层109可以布置于所述防反射层105上，以使光散射而防止产生眩光。对所述防眩光层109的说明与图7F中说明的内容相同，因此省略。
参照图9H，可以通过切割并去除所述电路基板101的边缘来完成发光模块。所述电路基板101、所述成型部103、所述防反射层105以及防眩光层109可以采用切割、激光切割、镂铣等技术进行切割。所述电路基板101、所述成型部103、所述防反射层105以及所述防眩光层109的被切割的侧面可以位于同一面上。
图10A至图10H是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。以下将省略与图7A至图7G的发光模块制造方法的说明重复的说明。
参照图10A，在电路基板101上接合有多个单元像素10。对此的说明与图7A中说明的内容相同，因此省略。
参照图10B至图10E，在所述电路基板101上可以形成覆盖多个单元像素10的第一成型层103a，并且在所述第一成型层103a上可以形成第二成型层103b。针对所述第一成型层103a和所述第二成型层103b的形成方法的说明与图7B至图7E中的说明相同，因此省略。
参照图10F，所述第二成型层103b上可以布置有硬度强化层107。为了粘合所述硬度强化层107，在所述第二成型层103b与所述硬度强化层107之间可以布置有光学透明树脂(OCR：optically clear resin)。
在又一实施例中，所述硬度强化层107可以代替图10E的所述板110的作用。即，所述硬度强化层107可以布置于所述第二成型层103b上，并且向所述硬度强化层107施加压力。由此，第二成型层103b的形状可以变形。之后，第一成型层103a和第二成型层103b可以通过照射紫外线而被固化。在此情形下，使用图10E的板110向第二成型层103b施加压力的过程可以省略。
参照图10G，可以在硬度强化层107上形成防眩光层109。防眩光层109通过散射光而防止眩光。对所述防眩光层109的说明与图7F中说明的内容相同，因此省略。
参照图10H，可以通过切割并去除所述电路基板101的边缘来完成发光模块。所述电路基板101、所述成型部103、所述硬度强化层107以及所述防眩光层109可以采用切割、激光切割、镂铣等技术进行切割，由此，使得所述电路基板101、所述成型部103、所述硬度强化层107以及所述防眩光层109可以具有彼此对齐的侧面。
图11是用于说明可以在发光模块制造工艺中生成的成型部的侧面形状的示意性的剖面图。
在上文中说明的实施例中，说明了在利用板110向第一成型层103a施加压力的情形下第一成型层103a的上表面的形状如图7C所示地发生变形的内容。第一成型层103a因板110的压力而从电路基板101的中央部扩散至电路基板101的周边区域，此时，第一成型层103a的侧面的形状也可以变形。根据第一成型层103a的材料，第一成型层103a的侧面可以具有向外凸出的形状(如图7C所示)，也可以具有向外凹陷的形状(如图11所示)。此外，由于受到电路基板101和板110上的表面张力的影响，第一成型层103a从电路基板101的表面向外扩散的程度和从板110的表面向外扩散的程度可能存在差异。如此，第一成型层103a的侧面可以具有各种形状。第二成型层103b的侧面也可以通过板110而变形为多样的形状。在本实施例中，由于对第一成型层103a和第二成型层103b的侧面进行切割，因此在形成第一成型层103a和第二成型层103b的过程中，无论它们的侧面具有何种形状，最终第一成型层103a和第二成型层103b的侧面都可以布置于同一面上。
图12A至图12E是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光模块制造方法的示意性的剖面图。
参照图12A，电路基板101上排列有多个单元像素10。对此的说明与图7A中说明的内容相同，因此省略。
参照图12B，在排列有单元像素10的电路基板101上形成第一成型层103a。第一成型层103a可以通过采用喷墨技术喷射成型液而形成。由此，第一成型层103a形成在单元像素10的上面和电路基板101的上面。尤其，第一成型层103a可以覆盖单元像素10的侧面。由于通过采用喷墨技术形成第一成型层103a，因此可以沿所述电路基板101的上表面形状而形成所述第一成型层103a。因此，无论电路基板101的上表面的弯曲的情况如何，第一成型层103a都可以在任何位置以相同的形状形成。
参照图12C，可以去除形成于单元像素10上的第一成型层103a。例如，可以利用研磨技术等去除布置于单元像素10上的第一成型层103a。
参照图12D，接着，形成第二成型层103b。第二成型层103b可以采用喷墨技术形成。通过喷射相对大量的成型液，第二成型层103b的上表面可以形成为具有相对平整的表面。之后，可以通过固化第二成型层103b来形成成型部103。由于采用喷墨技术形成第二成型层103b，因此第二成型层103b的上表面轮廓可以与电路基板101的上表面轮廓实质上相同。
参照图12E，可以在成型部103上形成防眩光层109。防眩光层109与参照图7F进行的说明相同，为避免重复而省略详细的说明。接着，通过切割所述防眩光层109、所述成型部103以及所述电路基板101而完成所述发光模块。
在本实施例中，对去除形成于单元像素10上的第一成型层103a的情形进行了说明，但也可以保留形成于单元像素10上的第一成型层103a。此外，通过采用喷墨技术以足够的量形成第一成型层103a，可以缓和第一成型层103a的曲率，由此，可以制造如参照图3B所述的发光模块。
以上，虽然对本实用新型的各种实施例进行了说明，但本实用新型并不限于所述实施例。此外，只要不脱离本实用新型的技术思想，针对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于其它实施例。

Claims (11)

1.一种发光模块，其特征在于，包括：
电路基板；
多个单元像素，排列于所述电路基板上；
成型部，覆盖所述多个单元像素；以及
防眩光层，布置于所述成型部上，
其中，所述成型部包括：
第一成型层，至少局部地覆盖所述多个单元像素中的每一个；以及
第二成型层，覆盖所述第一成型层。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，
所述第一成型层包括黑色成型层，
所述第二成型层包括透明成型层。
3.根据权利要求2所述的发光模块，其特征在于，
所述第一成型层覆盖所述多个单元像素中的每一个的侧面和上表面，
所述第二成型层布置于所述第一成型层上部。
4.根据权利要求2所述的发光模块，其特征在于，
所述第一成型层至少局部地覆盖所述多个单元像素的侧面，
所述第二成型层覆盖所述第一成型层，
并且，所述第一成型层在所述多个单元像素之间的区域具有凹陷的形状。
5.根据权利要求4所述的发光模块，其特征在于，
所述第二成型层的一部分位于单元像素之间的区域内。
6.根据权利要求4所述的发光模块，其特征在于，
所述第一成型层覆盖所述多个单元像素的上表面，
位于所述多个单元像素上的第一成型层具有凸出的形状。
7.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，
所述第二成型层的上表面轮廓与所述电路基板的上表面轮廓相同。
8.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，
所述电路基板的上表面为非平面，
所述第一成型层和所述第二成型层分别具有平整的上表面。
9.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，还包括：
防反射层，布置于所述成型部与所述防眩光层之间。
10.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，还包括：
硬度强化层，布置于所述成型部与所述防眩光层之间。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：
面板基板；以及
多个发光模块，排列于所述面板基板上，
其中，所述多个发光模块分别是根据权利要求1至10中的任意一项所述的发光模块。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100779003B1 (ko) * 2006-12-27 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
KR101460742B1 (ko) * 2013-01-23 2014-11-13 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20180067447A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 지엘비텍 주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
KR102617483B1 (ko) * 2018-03-16 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 패널
KR102660614B1 (ko) * 2018-09-10 2024-04-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

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