CN215986893U - 防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型的目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统。本实用新型提供的防护薄膜框架，其为EUV曝光用的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器；提供一种防护薄膜，在所述防护薄膜框架张设防护膜；提供一种带防护薄膜的曝光原版，其为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有所述防护薄膜；且提供一种曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

Description

防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液 晶显示板的制造系统
技术领域
本实用新型涉及一种防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。
背景技术
近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向亚四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm) 等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(ExtremeUltra Violet Light， EUV光)的EUV曝光。
在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的微影用光掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有尘埃，则所述尘埃会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。
这些作业通常是在洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，一般采用于在曝光原版表面贴附防护薄膜作为除尘器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜上，因此，若在微影时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关。
所述防护薄膜的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护膜，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫一般使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护膜包括使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光 (193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护膜。
此外，作为防护薄膜用过滤器，根据其异物修补能力，一直使用HEPA过滤器(HighEfficiency Particulate Air Filter)或ULPA过滤器(Ultra Low Penetration AirFilter)过滤器中使用的那样的多孔质膜。在EUV用防护薄膜中，例如如专利文献1中记载的那样，正在研究使用同样的过滤器。
然而，为了高效率地去除产生EUV光时产生的被称为飞散粒子(碎片) 的异物，在EUV曝光装置内充满了氢气。所述氢气与EUV光反应，成为氢自由基。因此，对于EUV用防护薄膜而言，要求之前的KrF防护薄膜或ArF 防护薄膜并非必需的对氢自由基充分的耐性。
一般而言，过滤器为了捕集异物而具有多孔质膜，当气体通过多孔质膜的间隙时，利用多孔质膜来捕获异物，仅使无异物的气体通过。根据其性质可容易地想象到，多孔质膜在防护薄膜中所使用的构件中，表面积最大，且最易于暴露于包含氢自由基的气体中。因此，多孔质膜因氢自由基而劣化，当间隙变大时异物捕集率也可能下降。因此，对于过滤器中使用的多孔质膜而言，需要高的氢自由基耐性。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2016/043292号
实用新型内容
[实用新型所要解决的问题]
本实用新型是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、及使用所述防护薄膜框架的防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。
[解决问题的技术手段]
本实用新型发明人为了实现所述目的而反复进行了努力研究，结果发现，作为在EUV曝光中对氢自由基具有耐性的防护薄膜框架，在设置于防护薄膜框架的通气部内设置具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器，优选为由硅酮树脂或环氧树脂形成被覆多孔质膜的树脂，由此可解决所述课题，从而完成了本实用新型。
因此，本实用新型提供下述防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。
1.一种防护薄膜框架，为EUV曝光用的四边形框状防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器。
2.根据所述1记载的防护薄膜框架，其中，所述过滤器具有支撑多孔质膜的通气性支撑层。
3.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中，所述多孔质膜具有多个节点与多个原纤维，相邻的节点通过原纤维连接。
4.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度未满2.5mm。
5.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为 1.5mm以下。
6.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为 1.0mm以上。
7.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的角部为进行了R倒角或C倒角加工的形状。
8.一种防护薄膜，为EUV曝光用的防护薄膜，在根据所述1记载的防护薄膜框架张设防护膜。
9.根据所述8记载的防护薄膜，其中，防护薄膜的高度为2.5mm以下。
10.根据所述8或9记载的防护薄膜，其中，所述防护膜为由框支撑的防护膜。
11.一种带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有根据所述8记载的防护薄膜。
12.根据所述11记载的带防护薄膜的曝光原版，其中，曝光原版为EUV 用曝光原版。
13.一种曝光系统，具有曝光光源、及根据所述12记载的带防护薄膜的曝光原版。
14.根据所述13记载的曝光系统，其中，所述曝光光源为发出EUV光的曝光光源。
15.根据所述14记载的曝光系统，具有产生氢等离子体的机构。
16.一种半导体的制造系统，具有曝光光源、及根据所述12记载的带防护薄膜的曝光原版。
17.根据所述16记载的半导体的制造系统，其中，所述曝光光源为发出 EUV光的曝光光源。
18.根据所述16记载的半导体的制造系统，具有产生氢等离子体的机构。
19.一种液晶显示板的制造系统，具有曝光光源、及根据所述12记载的带防护薄膜的曝光原版。
20.根据所述19记载的液晶显示板的制造系统，其中，所述曝光光源为发出EUV光的曝光光源。
21.根据所述19记载的液晶显示板的制造系统，具有产生氢等离子体的机构。
22.一种EUV曝光装置，装设有根据所述12记载的带防护薄膜的曝光原版。
23.一种曝光装置，为装设有根据所述12记载的带防护薄膜的曝光原版的曝光装置，其具有产生氢等离子体的机构。
24.一种防护薄膜框架，为在氢等离子体环境下使用的四边形框状防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器。
25.根据所述24记载的防护薄膜框架，其中，所述过滤器具有支撑多孔质膜的通气性支撑层。
26.根据所述24或25记载的防护薄膜框架，其中，所述多孔质膜具有多个节点与多个原纤维，相邻的节点通过原纤维连接。
27.根据所述24或25记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为未满2.5mm。
28.根据所述24或25记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为1.5mm以下。
29.根据所述24或25记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
30.根据所述24或25记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的角部为进行了R倒角或C倒角加工的形状。
31.一种防护薄膜，为在氢等离子体环境下使用的防护薄膜，在根据所述 24记载的防护薄膜框架张设防护膜。
32.根据所述31记载的防护薄膜，其中，防护薄膜的高度为2.5mm以下。
33.根据所述31或32记载的防护薄膜，其中，所述防护膜为由框支撑的防护膜。
34.一种带防护薄膜的曝光原版，为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有根据所述31记载的防护薄膜。
35.一种曝光系统，具有曝光光源、及根据所述34记载的带防护薄膜的曝光原版。
36.根据所述35记载的曝光系统，其中，所述曝光光源为发出EUV光的曝光光源。
37.根据所述35记载的曝光系统，具有产生氢等离子体的机构。
38.一种半导体的制造系统，具有曝光光源、及根据所述34记载的带防护薄膜的曝光原版。
39.根据所述38记载的半导体的制造系统，其中，所述曝光光源为发出EUV光的曝光光源。
40.根据所述38记载的半导体的制造系统，具有产生氢等离子体的机构。
41.一种液晶显示板的制造系统，具有曝光光源、及根据所述34记载的带防护薄膜的曝光原版。
42.根据所述41记载的液晶显示板的制造系统，其中，所述曝光光源为发出EUV光的曝光光源。
43.根据所述41记载的液晶显示板的制造系统，具有产生氢等离子体的机构。
44.一种EUV曝光装置，装设有根据所述34记载的带防护薄膜的曝光原版。
45.一种曝光装置，为装设有根据所述34记载的带防护薄膜的曝光原版的曝光装置，其具有产生氢等离子体的机构。
[实用新型的效果]
根据本实用新型，可提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架及防护薄膜，对于使用所述带防护薄膜的曝光原版的EUV曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统而言有用。
附图说明
图1是表示本实用新型的防护薄膜框架的一例的平面图。
图2是沿着所述防护薄膜框架的A-A线的截面，且是表示通气部及过滤器部的概略图。
符号的说明
1：防护薄膜框架
1a：防护薄膜框架的上端面
1b：防护薄膜框架的下端面
10：通气部
20：过滤器
具体实施方式
以下，对本实用新型进一步详细说明。
本实用新型为一种具有设置防护膜的上端面与面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架及使用其的防护薄膜。
防护薄膜框架若为框状，则其形状与装设防护薄膜的光掩模的形状对应。一般为四边形(长方形或正方形)框状。关于防护薄膜框架的角部(边缘部) 的形状，可保持原样而为有角(尖锐)的形状，或者也可实施R倒角或C倒角等倒角而为曲线形状等其他形状。
另外，在防护薄膜框架，存在用于设置防护膜的面(此处设为上端面)、以及装设光掩模时面向光掩模的面(此处设为下端面)。
通常，在上端面，经由粘接剂等而设置防护膜，且在下端面设置用于将防护薄膜装设到光掩模的粘合剂等，但并不限于此。
防护薄膜框架的材质并无限制，可使用现有的材质。在EUV用的防护薄膜框架中，由于有暴露于高温下的可能性，因此优选为热膨胀系数小的材料。例如，可列举Si、SiO2、SiN、石英、因瓦合金(invar)、钛、钛合金等，其中，就加工容易性或轻量的方面而言，优选为钛或钛合金。
防护薄膜框架的尺寸并无特别限定，EUV用防护薄膜的高度被限制在2.5 mm以下，因此EUV用的防护薄膜框架的厚度变得比其小而未满2.5mm。
另外，若考量到防护膜或掩模粘合剂等的厚度，则EUV用的防护薄膜框架的厚度优选为1.5mm以下。另外，所述防护薄膜框架的厚度的下限值优选为1.0mm以上。
另外，通常，在防护薄膜框架侧面，设置在进行处理(handling)或将防护薄膜自光掩模剥离时所使用的夹具孔。夹具孔的大小为框架的厚度方向上的长度(在为圆形时为直径)，为0.5mm～1.0mm。孔的形状并无限制，可为圆形或矩形。
在本实用新型中，在防护薄膜框架设置用于缓和防护薄膜内外的压力变化的通气部。通气部的形状或个数并无限制。为了防止异物侵入至防护薄膜内而在通气部设置过滤器。过滤器的设置场所并无特别限制，可在防护薄膜框架的内侧、或通气部的内部、或者防护薄膜框架的外侧设置过滤器。
本实用新型的防护薄膜框架具有过滤器，所述过滤器包括被具有氢自由基耐性的树脂被覆的多孔质膜。作为多孔质膜，并无特别限制，例如优选为自选自由氟树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂及聚烯烃树脂所组成的群组中的至少一种树脂中选择。特别优选为作为KrF防护薄膜或ArF 防护薄膜而具有使用实绩的氟树脂，其中特别优选为聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，PTFE)。
PTFE多孔质膜一般而言包括作为PTFE凝聚部分的节点(结节)、及作为两末端结合于节点而成的微细纤维状结构体的无数原纤维。相邻的节点通过原纤维连接。PTFE多孔质膜以邻接的原纤维间的空间(细孔)为通气路径，具有膜厚方向的通气性。PTFE多孔质膜也被称为拉伸多孔质膜，是通过作为 PTFE的凝聚体的PTFE片的拉伸而形成。通过PTFE片的拉伸而形成节点及原纤维，这些结构例如根据PTFE片的拉伸条件而变化。
关于被覆所述多孔质膜的树脂，优选为具有充分的氢自由基耐性，具体而言，可列举硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、氟树脂、聚氨酯树脂等。这些中，就氢自由基耐性的观点而言，优选为硅酮树脂或环氧树脂，更优选为硅酮树脂。利用树脂被覆多孔质膜的方法并无特别限制，但调整树脂溶液，使其包含于多孔质膜中的方法容易而优选。使多孔质膜包含树脂溶液的方法并无限制，例如，能够采用将多孔质膜浸渍于树脂溶液中、将树脂溶液旋涂于多孔质膜、进行喷雾等方法。通过使用树脂溶液，溶液容易扩散至多孔质膜的间隙，可在多孔质膜的纤维被覆树脂。此外，在本实用新型中，利用树脂被覆多孔质膜未必需要被覆多孔质膜的整个表面，可根据所要求的氢自由基耐性来调整被覆量或被覆比例。通过利用光或热使这些树脂交联、硬化，也可提高氢自由基耐性。
在本实用新型中，过滤器可包括多孔质膜以外的其他任意构件。所述构件例如为通气性支撑层。此情况下，过滤器包括多孔质膜、及配置于所述多孔质膜的其中一个主面的通气性支撑层。通过配置通气性支撑层，提高了作为过滤器的强度，另外，也提高了操作性。
通气性支撑层优选为与多孔质膜相比厚度方向的通气性及透湿性高的层。通气性支撑层例如可使用织布、不织布、网、网眼。构成通气性支撑层的材料例如为聚酯、聚乙烯、芳族聚酰胺树脂。通气性支撑层的形状可与多孔质膜的形状相同，也可不同。通气性支撑层例如通过与多孔质膜的热熔敷、利用粘接剂的粘接等方法来配置。通气性支撑层可配置于多孔质膜的其中一个主面，也可配置于两个主面。这些通气性支撑层也可由上文所述的树脂被覆。
另外，防护膜的材质并无限制，但优选为曝光光源的波长下的透过率高且耐光性高的材质。例如，针对EUV曝光而使用极薄硅膜或碳膜等。作为碳膜，例如可列举石墨烯、类金刚石碳、碳纳米管等膜。此外，在难以对防护膜进行单独操作的情况下，可使用由硅等框支撑的防护膜。此情况在，通过将框的区域与防护薄膜框架粘接，可容易地制造防护薄膜。
关于本实用新型的防护薄膜，在所述那样的防护薄膜框架上端面，经由粘合剂或粘接剂而设置防护膜。粘合剂或粘接剂的材料并无限制，可使用现有的材料。为了强力保持防护膜，优选为粘接力强的粘合剂或粘接剂。
进而，在防护薄膜框架的下端面，形成用于装设于光掩模的粘合剂。一般而言，掩模粘合剂优选为遍及防护薄膜框架的整周来设置。
作为掩模粘合剂，可使用现有的粘合剂，可适宜地使用丙烯酸系粘合剂或硅酮系粘合剂。粘合剂也可视需要被加工成任意形状。
在掩模粘合剂的下端面，也可贴附用于保护粘合剂的脱模层(隔离膜(separator))。脱模层的材质并无特别限制，例如可使用：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene， PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ethercopolymer，PFA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚碳酸酯 (Polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯 (polypropylene，PP)等。另外，视需要，也可在脱模层的表面涂布硅酮系脱模剂或氟系脱模剂等脱模剂。
本实用新型的防护薄膜不仅可作为用于在EUV曝光装置内抑制异物附着于曝光原版的保护构件，而且还可作为在曝光原版的保管时或在曝光原版的搬运时用于保护曝光原版的保护构件。将防护薄膜装设于光掩模等曝光原版并制造带防护薄膜的曝光原版的方法除了存在利用所述掩模粘合剂进行贴附的方法以外，还存在静电吸附法、进行机械性固定的方法等。
本实施方式的半导体或液晶显示板的制造系统包括利用所述带防护薄膜的曝光原版对基板(半导体晶片或液晶用原板)进行曝光的系统。例如，在作为半导体装置或液晶显示板的制造工序之一的微影工序中，为了在基板上形成与集成电路等对应的光致抗蚀剂图案，而在步进器设置所述带防护薄膜的曝光原版进行曝光。一般，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射并被引导至基板的投影光学系统，这些是在减压或真空下进行。由此，假设即便在微影工序中异物附着于防护薄膜上，这些异物也不会在涂布有光致抗蚀剂的晶片上成像，因此可防止由异物的像引起的集成电路等的短路或断线等。因此，通过使用带防护薄膜的曝光原版，可提高微影工序中的良率。
[实施例]
以下，示出实施例及比较例，具体说明本实用新型，但本实用新型不受下述实施例的限制。
〔过滤器的氢自由基耐性评价〕
准备包括15cm见方的聚四氟乙烯制的多孔质膜(PTFE制多孔质膜)及聚丙烯制网眼状支撑体的过滤器(日东电工(股)制造的“特米斯(TEMISH) S-NTF1033-N01”)。在800rpm、60秒下将以下的(1)～(6)各树脂的1质量％溶液旋涂于所述过滤器后，在室温下风干12小时而使溶剂挥发。
(1)硅酮树脂系粘合剂
(2)环氧树脂系粘接剂
(3)丙烯酸树脂系粘合剂
(4)氟树脂
(5)聚氨酯树脂系粘合剂
(6)未处理
利用下述装置对被覆了所述树脂的过滤器实施氢等离子体照射。
(氢等离子体照射条件)
装置：牛津仪器(OXFORD INSTRUMENTS)公司制造的佛雷斯AL (FlexAL)
等离子体源：ICP(Inductive Coupled Plasma)(感应耦合型等离子体)
处理条件：压力80mTorr、H2流量50sccm
功率：200W
处理温度：100℃
处理时间：600s
利用显微镜(尼康(Nikon)公司制造的“伊克利普斯(ECLIPSE)LV150”) 观察氢等离子体照射后的过滤器，并做出以下判断。将其结果示于表1中。
(判断基准)
A：确认到存在PTEF制多孔质膜，且过滤器结构无变化。
B：确认到PTFE制多孔质膜的消失。
[表1]
树脂种类 判断结果
(1)硅酮树脂 A
(2)环氧树脂 A
(3)丙烯酸树脂 B
(4)氟树脂 B
(5)聚氨酯树脂 B
(6)未处理 B
根据表1的结果可确认，具有被硅酮树脂或环氧树脂被覆的多孔质膜的过滤器的氢等离子体耐性优异。另外，在所述条件下，关于具有被丙烯酸树脂、氟树脂及聚氨酯树脂被覆的多孔质膜的过滤器，多孔质膜因氢等离子体而消失。然而，通过减小氢等离子体的功率、或降低温度、或缩短处理时间，与未处理的过滤器进行比较，可确认到其优越性。
〔实施例1〕
准备钛制的防护薄膜框架(外形尺寸150mm×118mm×1.5mm，防护薄膜框架宽度4.0mm)。如图1、图2所示，自防护薄膜框架1的外侧到下端面，以L字型设置有通气部10。此外，在图1及图2中，符号1a表示防护薄膜框架的上端面，1b表示防护薄膜框架的下端面。符号20为如后述那样设置于防护薄膜框架的下端面开口部的过滤器，虽并未特别图示，但其由规定的树脂被覆。
准备包括PTFE制多孔质膜及聚丙烯制网眼状支撑体的纵10mm、横2.5 mm的过滤器(日东电工(股)制造的“特米斯(TEMISH)S-NTF1033-N01”)。接着，使向硅酮树脂系粘合剂(信越化学工业(股)制造的“X-40-3264”)100 质量份中加入硬化剂(信越化学工业(股)制造的“PT-56”)1质量份并进行搅拌而得到的物质溶解于烃系溶剂(埃克森美孚(ExxonMobil)公司制造的“异索帕(ISOPAR)E”)中，准备包含1质量％的溶液。将1ml的所述溶液浸入至过滤器的中心部后，在室温下风干2小时，使溶剂完全挥发。利用双面胶带将所述过滤器(图2中的符号20)贴附于防护薄膜框架的下端面开口部。
利用中性洗剂与纯水对所述防护薄膜框架进行清洗，将向硅酮树脂系粘合剂(信越化学工业(股)制造的“X-40-3264”)100质量份中加入硬化剂(信越化学工业(股)制造的“PT-56”)1质量份并进行搅拌而得到的物质以成为宽1mm、厚0.1mm的方式涂布于所述防护薄膜框架的上端面。另外，将作为掩模粘合剂，向丙烯酸树脂系粘合剂(综研化学(股)制造的“SK达因(Dine) 1499M”)100质量份中加入硬化剂(综研化学(股)制造的“L-45”)0.1质量份并进行搅拌而得到的物质遍及全周地以成为宽1mm、厚度0.1mm的方式涂布于防护薄膜框架的下端面。
然后，将防护薄膜框架在100℃下加热12小时，使上下端面的粘合剂硬化。接着，将作为防护膜的极薄硅膜压接于在防护薄膜框架的上端面形成的所述粘合剂，完成防护薄膜。
〔实施例2〕
准备包括PTFE制多孔质膜及聚丙烯制网眼状支撑体的纵10mm、横2.5 mm的过滤器(日东电工(股)制造的“特米斯(TEMISH)S-NTF1033-N01”)。接着，使环氧树脂系粘接剂(三菱化学公司制造的“1001T75”)溶解于甲苯中，准备包含1质量％的溶液。将1ml的所述溶液浸入至过滤器的中心部后，在室温下风干2小时，使溶剂完全挥发。利用双面胶带将所述过滤器贴附于防护薄膜框架的下端面开口部。除此之外，以与所述实施例1相同的方式完成防护薄膜。
通过所述实施例1及实施例2可知，可提供一种包括对氢自由基具有耐性的过滤器的防护薄膜。

Claims (45)

1.一种防护薄膜框架，为极紫外线曝光用的四边形框状防护薄膜框架，其特征在于，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器。
2.根据权利要求1所述的防护薄膜框架，其特征在于，所述过滤器具有支撑多孔质膜的通气性支撑层。
3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于，所述多孔质膜具有多个节点与多个原纤维，相邻的节点通过原纤维连接。
4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度未满2.5mm。
5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度为1.5mm以下。
6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
7.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的角部的形状为R倒角或C倒角。
8.一种防护薄膜，为极紫外线曝光用的防护薄膜，其特征在于，在如权利要求1所述的防护薄膜框架张设防护膜。
9.根据权利要求8所述的防护薄膜，其特征在于，防护薄膜的高度为2.5mm以下。
10.根据权利要求8或9所述的防护薄膜，其特征在于，所述防护膜为由框支撑的防护膜。
11.一种带防护薄膜的曝光原版，其特征在于，在曝光原版装设有如权利要求8所述的防护薄膜。
12.根据权利要求11所述的带防护薄膜的曝光原版，其特征在于，曝光原版为极紫外线用曝光原版。
13.一种曝光系统，其特征在于具有曝光光源、及如权利要求12所述的带防护薄膜的曝光原版。
14.根据权利要求13所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
15.根据权利要求14所述的曝光系统，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
16.一种半导体的制造系统，其特征在于具有曝光光源及如权利要求12所述的带防护薄膜的曝光原版。
17.根据权利要求16所述的半导体的制造系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
18.根据权利要求16所述的半导体的制造系统，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
19.一种液晶显示板的制造系统，其特征在于具有曝光光源、及如权利要求12所述的带防护薄膜的曝光原版。
20.根据权利要求19所述的液晶显示板的制造系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
21.根据权利要求19所述的液晶显示板的制造系统，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
22.一种极紫外线曝光装置，其特征在于，装设有如权利要求12所述的带防护薄膜的曝光原版。
23.一种曝光装置，为装设有如权利要求12所述的带防护薄膜的曝光原版的曝光装置，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
24.一种防护薄膜框架，为在氢等离子体环境下使用的四边形框状防护薄膜框架，其特征在于，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器。
25.根据权利要求24所述的防护薄膜框架，其特征在于，所述过滤器具有支撑多孔质膜的通气性支撑层。
26.根据权利要求24或25所述的防护薄膜框架，其特征在于，所述多孔质膜具有多个节点与多个原纤维，相邻的节点通过原纤维连接。
27.根据权利要求24或25所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度为未满2.5mm。
28.根据权利要求24或25所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度为1.5mm以下。
29.根据权利要求24或25所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
30.根据权利要求24或25所述的防护薄膜框架，其特征在于，防护薄膜框架的角部的形状为R倒角或C倒角。
31.一种防护薄膜，为在氢等离子体环境下使用的防护薄膜，其特征在于，在如权利要求24所述的防护薄膜框架张设防护膜。
32.根据权利要求31所述的防护薄膜，其特征在于，防护薄膜的高度为2.5mm以下。
33.根据权利要求31或32所述的防护薄膜，其特征在于，所述防护膜为由框支撑的防护膜。
34.一种带防护薄膜的曝光原版，为极紫外线曝光用的带防护薄膜的曝光原版，其特征在于，在曝光原版装设有如权利要求31所述的防护薄膜。
35.一种曝光系统，其特征在于具有曝光光源、及如权利要求34所述的带防护薄膜的曝光原版。
36.根据权利要求35所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
37.根据权利要求35所述的曝光系统，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
38.一种半导体的制造系统，其特征在于具有曝光光源、及如权利要求34所述的带防护薄膜的曝光原版。
39.根据权利要求38所述的半导体的制造系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
40.根据权利要求38所述的半导体的制造系统，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
41.一种液晶显示板的制造系统，其特征在于具有曝光光源、及如权利要求34所述的带防护薄膜的曝光原版。
42.根据权利要求41所述的液晶显示板的制造系统，其特征在于，所述曝光光源为发出极紫外光的曝光光源。
43.根据权利要求41所述的液晶显示板的制造系统，其特征在于，具有产生氢等离子体的机构。
44.一种极紫外线曝光装置，其特征在于，装设有如权利要求34所述的带防护薄膜的曝光原版。
45.一种曝光装置，为装设有如权利要求34所述的带防护薄膜的曝光原版的曝光装置，其特征在于具有产生氢等离子体的机构。
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